【免费下载】存储器 练习题答案
(完整版)存储器习题及参考答案
习题四参考答案1．某机主存储器有16位地址，字长为8位。
（1）如果用1k×4位的RAM芯片构成该存储器，需要多少片芯片？（2）该存储器能存放多少字节的信息？（3）片选逻辑需要多少位地址？解：需要存储器总容量为：16K×8位，故，（1）需要1k×4位的RAM芯片位32片。
（2）该存储器存放16K字节的信息。
（3）片选逻辑需要4位地址。
2. 用8k×8位的静态RAM芯片构成64kB的存储器，要求：（1）计算所需芯片数。
（2）画出该存储器组成逻辑框图。
解：（1）所需芯片8片。
（2）逻辑图为：3. 用64k×1位的DRAM芯片构成256k×8位存储器，要求：（1）画出该存储器的逻辑框图。
（2）计算所需芯片数。
（3）采用分散刷新方式，如每单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？解：（1）（2）所需芯片为32片。
（3）设读写周期为0.5微妙，则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为1微妙。
因为64K ×1的存储矩阵是由四个128×128的矩阵构成，刷新时4个存储矩阵同时对128个元素操作，一次刷新就可完成512个元素，整个芯片只有128次刷新操作就可全部完成。
所以存储器刷新一遍最少用128个读/写周期。
4. 用8k×8位的EPROM芯片组成32k×16位的只读存储器，试问：（1）数据寄存器多少位？（2）地址寄存器多少位？（3）共需多少个EPROM芯片？（4）画出该只读存储器的逻辑框图？解：因为只读存储器的容量为：32k×16，所以：（1）数据寄存器16位。
（2）地址寄存器15位。
（3）共需8个EPROM芯片？（4）逻辑框图为：5. 某机器中，已经配有0000H～3FFFH的ROM区域，现在再用8k×8位的RAM芯片形成32k ×8位的存储区域，CPU地址总线为A0～A15，数据总线为D0～D7，控制信号为R/W（读/写）、MREQ（访存），要求：（1）画出地址译码方案。
(完整word版)第四章存储器习题
第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的,随机访问存储器的访问速度与无关.√2。
主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3。
存储器中用来区分不同的存储单元，1GB= KB。
√4。
半导体存储器分为、、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式.√6。
双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。
√7。
若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式,地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了 ,串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关，其容量为。
11。
要组成容量为4M×8位的存储器,需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时，若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ,MB= ;表示硬盘容量时,KB= ，MB= 。
16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种.18 SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息.23 EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲.24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
存储器作业参考答案
第四章存储器作业一、选择题1.和外存相比，内存的特点是（）A. 容量小、速度快、成本高B. 容量小、速度快、成本低C. 容量大、速度快、成本高D. 容量大、速度快、成本低2.某EPROM芯片上有19条地址线A0~A18，它的容量为（）。
A．128K B．256K C．512K D．1024K3. 下面列出的四种存储器中，易失性存储器是（）A．RAM B．ROM C．PROM D．CD-ROM4. 主存储器的性能指标主要有主存容量、存取速度、可靠性和（）A. 存储器存取时间B. 存储周期时间C. 存储器产品质量D. 性能/价格比5. 用一片EPROM芯片构成系统内存，其地址范围为F0000H～F0FFFH，无地址重叠，该内存的存储容量为（）A．2KB B．4KB C．8KB D．16KB6. 计算机中地址的概念是内存储器各存储单元的编号，现有一个32KB的存储器，用十六进制对它的地址进行编码，则编号可从0000H到（）H。
A．32767 B．7FFF C．8000 D．8EEE7. 若存储器中有1K个存储单元，采用单译码方式时需要译码输出线数为（）A．1024 B．10 C．32 D．648. 内存储器与中央处理器（）A．可以直接交换信息B．不可以直接交换信息C．不可以交换信息D．可以间接交换信息9. 某存储器容量为32K×16位，则（）A．地址线为16根，数据线为32根B．地址线为32根，数据线为16根C．地址线为15根，数据线为16根D．地址线为15根，数据线为32根10. 下列存储器中哪一种存取速度最快（）A．SRAM B．DRAM C．EPROM D．磁盘11. 存取周期是指（）A．存储器的读出时间B．存储器的写入时间C．存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔D．存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔12. 若存储器中有1K个存储单元，采用双译码方式时需要译码输出线数为（）A．1024 B．10 C．32 D．6413. 有一静态RAM芯片的地址线为A0～A10，数据线为D0～D3，则该存储器芯片的存储容量为（）A．1KB B．2KB C．1K×4位D．2K×4位14.计算机的内存可采用（）A. ROM和RAMB. RAMC. ROMD. 磁盘15.内存地址从40000H到BBFFFH共有（）A．1024KB B．4096KB C．496KB D．448KB16.擦除EPROM是用（）A．+5V电压 B．+15V电压C．+21V电压D．紫外光照射17. 需要定时刷新的存储器是（）。
存储器管理练习及参考答案
存储器管理练习及参考答案一、单项选择题：1、存储管理的目的是（ C ）。
A.方便用户B.提高主存空间的利用率C.方便用户和提高主存空间的利用率D.增加主存实际容量2、（ A ）存储管理不适合多道程序设计。
A.单一连续分区B.固定分区存储管理C.可变分区存储管理D.页式存储管理3、静态重定位是在作业的（B ）进行的，动态重定位是在作业的（ D ）进行的。
A.编译过程中B.装入过程中C.修改过程中D.执行过程中4、提高主存利用率主要是通过（ A ）实现的。
A.内存分配B.内存保护C.地址映射D.内存扩充5、多道程序环境中，使每道程序能在不受干扰的环境下运行，主要是通过（C ）功能实现的。
A.内存分配B.地址映射C.内存保护D.内存扩充6、最佳适应分配算法的空闲区是（B ）。
A.按大小递减顺序排序B.按大小递增顺序排序C.按地址由小到大排列D.按地址由大到小排列7、地址重定位的对象是（B ）。
A.源程序B.目标程序C.编译程序D.汇编程序8、采用可变分区存储管理方式管理主存时，使用移动技术可以（B ）。
A.加快作业执行速度B.集中分散的空闲区C.扩大主存容量D.加快地址转换9、如下存储管理方式中，（A ）一般采用静态重定位方式进行逻辑地址到物理地址的转换。
A.固定分区存储管理方式B.段式存储管理方式C.可变分区存储管理方式D.页式存储管理方式10、很好地解决了内存零头问题的存储管理方法是（ A ）。
A.页式存储管理B.段式存储管理C.多重分区管理D.可变式分区管理11、设基址寄存器的内容为1000，在采用动态重定位的系统中，当执行指令“Load A,2000”时，操作数的实际地址是（ C ）。
A.1000B.2000C.3000D.400012、对主存的研究可归纳为：主存的分配与回收、地址重定位、存储空间的共享与保护、（ B ）。
A.地址映射B.虚拟存储C.分区管理D.物理存储器的扩充13、地址转换或叫重定位的工作是将（ C ）A.绝对地址转换为逻辑地址B.逻辑地址转换为浮动地址C.逻辑地址转换为绝对地址D.绝对地址转换为浮动地址14、段式存储管理中，用于记录作业每个分段在主存中的起始地址和长度的是（B ）。
2015-2016-01存储器练习题带参考答案讲解
存储器练习题参考答案一、选择题（75+7题）1、计算机系统中的存储器系统是指( D )。
A、RAM存储器B、ROM存储器C、主存储器D、主存储器和外存储器2、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来( C )。
A、存放数据B、存放程序C、存放数据和程序D、存放微程序3、存储单元是指( B )。
A、存放一个二进制信息位的存储元B、存放一个机器字的所有存储元集合C、存放一个字节的所有存储元集合D、存放两个字节的所有存储元集合4、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是( D )。
A、便于读写数据B、减小机箱的体积C、便于系统升级D、解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾5、存储周期是指( C )。
A、存储器的读出时间B、存储器的写入时间C、存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔D、存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔6、和外存储器相比，内存储器的特点是( C )。
A、容量大，速度快，成本低B、容量大，速度慢，成本高C、容量小，速度快，成本高D、容量小，速度快，成本低7、某计算机字长16位，它的存储容量64K，若按字编址，那么它的寻址范围是( B )。
A、0～64KB、0～32KC、0～64KBD、0～32KB8、某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。
A、64,16B、16,64C、64,8D、16,169、某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。
A、8,512B、512,8C、18,8D、19，810、某机字长32位，存储容量1MB，若按字编址，它的寻址范围是( C )。
A、0～1MB、0～512KBC、0～256KD、0～256KB11、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是( A )。
A、0～1MB、0～4MBC、0～4MD、0～1MB12、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围( C )。
存储器作业答案
1、试使用62256，在8086最小系统中设计具有64KB的RAM，RAM地址从70000H开始。
要求：1）单片存储器RAM容量分别是多少？2）画出数据线、地址线和控制线的连线并注明符号名称；3）根据需要可以添加部分逻辑器件；4）要求线路清晰、准确，使用的符号标准规范。
1）单片存储器RAM容量:(芯片的存储容量＝存储单元数×存储单元的位数＝2M×NM：芯片的地址线根数、N：芯片的数据线根数)62256存储器芯片的地址线(A14~A0)15根，数据线（D7~D0)8根芯片的存储容量＝215×8=16K×82）8086CPU16存储位系统设计①如下图所示：8086CPU16位存储系统采用奇、偶分体结构；A0通过或门连接偶片的CS，作为偶片选通的必要条件;BHE通过或门连接奇片的CS，作为奇片选通的必要条件；②数据线连接将数据总线的低8位D7～D0与偶体相连，高8位D15～D8与奇体相连③控制线连接控制信号线与8086系统工作模式有关，与存储单元有关控制信号线：MRD◆最大模式MWDC、C◆最小模式WR、RD、M/IO（IOM/用于控制存储芯片的片选信号）④地址线连接片内地址线（芯片地址线）数由芯片容量确定（如1k（210）容量，有10根地址线），通常连接从A1开始的19条地址线中的低位地址线；如：62256芯片的A14-A0连接地址总线的A15-A1⑤片选信号线的连接通常片选信号低电位有效，如62256芯片的片选信号CE=0芯片有效；芯片的片选信号受以下信号控制：✓奇偶芯片的选择信号；偶片用A0，奇片用BHE；✓最小模式的M/IO（访问存储器M/IO=1）控制信号；✓高位地址线的译码电路输出；（通常低电平有效）通常连接方法：➢M/IO为译码电路的输入➢A0通过或门与译码电路输出相或然后连接偶片的片选信号CE;BHE通过或门与译码电路输出相或然后连接奇片的CE；⑥地址译码电路的设计可以采用专用译码芯片（如：74LS138）和逻辑门电路⏹地址译码电路输入：➢地址总线的高位地址线（除用于连接芯片片内地址的低位地址线外，本题A19-A16）➢工作在最小模式时的M/IO⏹地址译码电路输出：输出低电位信号地址线的编码由芯片的地址决定；本题RAM地址从70000H开始;A19A18A17A16 A15 A14A13A12A11A10 A9A8A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1A00 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0红色部分为片内地址；译码电路输入为A19A18A17A16G为高电位接M/IO；AG2为低电位接A19；G2、BA18A17A16分别接C、B、A，A18A17A16的编码为111，所以7Y有效（低电位），接或门。
存储器参考题答案
存储器参考题答案1、微型计算机中常用的半导体存储器有哪些？各有何特点？分别适用于哪些场合？①微机中常用的半导体存储器有随机存储器RAM和只读存储器ROM。
②RAM是可读写、易失性存储器，用于存放经常变化的数据及动态加载的程序，如PC机的内存条又分静态SRAM、动态DRAM二类；ROM是只读、非易失性用于存放固定不变的信息，如BIOS、监控程序等，又分掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH等多种类型。
2、半导体存储器的主要性能指标有哪些？半导体存储器的主要性能指标有容量、存取速度、功耗、价格和可靠性等。
容量是指一块存储器芯片所能存储的二进制位数。
存取速度一般用存取周期和存取时间来表示。
存取时间是指写入操作和读出操作所占用的时间，单位一般用ns(纳秒)表示。
功耗有两种表示方法，一种是指存储器芯片中每个存储单元所消耗的功率，单位为µW。
另一种是按每片存储器芯片的所消耗的总功率来表示，单位为mW。
3、静态RAM和动态RAM的主要区别和优缺点是什么？它们在微机系统中是如何应用的？静态RAM的每个存储位单元由6个MOS管构成，只要保持供电，存储电路所存储的信息状态不变。
由于不需要刷新和读出放大，其读写速度就比动态RAM要快。
但由于每个位存储单元需由6个MOS管构成，这就大大地降低了RAM芯片的集成度，其生产成本也较动态RAM要高。
静态RAM在保存数据期间要耗电，故功耗比DRAM大。
在掉电后保存的信息将丢失。
动态RAM由一个MOS管T1和位于其栅极上的分布电容C S构成。
要保证存储信息不丢失，不但要供电，还必须定时刷新，使用较为复杂。
在微机中，SRAM常用作缓存，DRAM则用作主存。
4、下列RAM芯片，在理论上其地址线和双向数据线各有多少根？用它组成一个64KB×8位的存储器系统，共需要几片？(1)1K×4位10，4，128(2)2K×8位的存储器芯片11，8，32(3)8K×8位13，8，8(4)64K×1位的存储器芯片16，1，85、在半导体存储器与CPU系统的连接中，采用部分译码法和全译码法对存储系统有何影响？全译码法将除片内寻址外的全部高位地址线都作为地址译码器的输入，译码器的输出作为各芯片的片选信号，将它们分别接到存储芯片的片选端，以实现对存储芯片的选择。
存储基础知识试题及答案
存储基础知识试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 计算机存储器中，RAM代表什么？A. 随机存取存储器B. 只读存储器C. 可编程只读存储器D. 硬盘存储器答案：A2. 在计算机系统中，哪个部件负责将数据从硬盘传输到RAM？A. CPUB. 内存控制器C. 硬盘控制器D. 输入/输出控制器答案：B3. 以下哪种类型的存储器是易失性的？A. ROMB. EPROMC. SRAMD. 硬盘答案：C4. 计算机启动时，BIOS存储在哪种类型的存储器中？A. RAMB. ROMC. SRAMD. 硬盘5. 计算机中的高速缓存（Cache）位于何处？A. CPU内部B. 主板C. RAM内部D. 硬盘答案：A6. 以下哪种类型的存储器是永久性的？A. RAMB. ROMC. SRAMD. 硬盘答案：B7. 计算机存储器的地址空间是指什么？A. 存储器的物理大小B. 存储器的逻辑大小C. 存储器的访问速度D. 存储器的接口类型答案：B8. 计算机中，字节（Byte）通常由多少位（bit）组成？A. 4B. 8C. 16D. 32答案：B9. 以下哪种类型的存储器通常用于存储操作系统？B. ROMC. SRAMD. 硬盘答案：D10. 计算机中的虚拟内存是指什么？A. 物理内存B. 硬盘上的一部分空间C. 内存条D. 只读存储器答案：B二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是计算机存储器的类型？A. RAMB. ROMC. SRAMD. DRAM答案：ABCD2. 计算机存储器的层次结构包括哪些？A. 寄存器B. 缓存C. 主存储器D. 辅助存储器答案：ABCD3. 以下哪些因素会影响计算机存储器的性能？A. 存储器的容量B. 存储器的访问速度C. 存储器的类型D. 存储器的成本答案：ABC4. 计算机存储器的哪些特性是重要的？A. 容量B. 速度C. 可靠性D. 成本答案：ABCD5. 以下哪些是计算机存储器的易失性特点？A. 当电源关闭时，数据会丢失B. 当电源关闭时，数据不会丢失C. 数据可以在没有电源的情况下长期保存D. 数据只能在有电源的情况下保存答案：AD三、判断题（每题1分，共10分）1. 计算机中的RAM是易失性的存储器。
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B. 提高内存的可靠性
D.增加内存容量，同
C．64，8
C． 提高外存储器的存取速度
D． 扩大外存储器的存储空间
7、双端口存储器在（ ）情况下会发生读/写冲突。
址码相同
A. 左端口与右端口的地址码不同 B. 左、右端口的地
C. 左、右端口的数据码相同
不同
8、 计算机系统中的存储器系统是指（ ）。
A RAM 存储器 B ROM 存储器 C 主存储器 D 主存
B．16，16
A． 扩大主存储器的存储空间，并能进行自动管理和调度
B． 提高主存储器的存取速度
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根通保据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资，配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高与中带资负料荷试下卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并3中试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内 纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
C．组相联映射
18、下面所叙述不正确的是（ ）
A 随机存储器可以随时存取信息，掉电后信息丢失
B 访问随机存储器时，访问时间与单元的物理位置无关
C 内存中存储的信息均是不可改变的
D 随机存储器和制度存储器可以统一编址
19、和外存相比，内存的特点是（ ）
本高
本低
A 容量大，速度快，成本低
C 容量小，速度快，成本高
储器和外存储器
9、 某计算机字长 32 位，其存储容量为 4MB，若按半字编址，
它的寻址范围是（ ）。
A 0~4MB-1
0~1M-1
B 0~2MB-1
10、某一 SRAM 芯片，采用地址线与数据线分离的方式，其容
量为 512×8 位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最小数目
应是（ ）。
A 23
B 25
D. 左、右端口的数据码
C 0~2M-1
D 19
C FLASH ROM
D
12、计算机的存储器采用分级存储体系的目的是（ ）。
A．便于读写数据
C．便于系统升级
与速度间的矛盾
13、相联存储器是按（ ）进行寻址的存储器。
A．地址指定方式
C．内容指定方式
方式结合
14、在 Cache 的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到
A． 高速芯片
C． 流水技术
B． 两套相互独立的读写电路
D． 新型器件
4、在下列几种存储器中，CPU 可直接访问的是（ ）。
A. 主存储器 B. 磁盘 C. 磁带 D. 光盘
5、SRAM 芯片，存储容量为 64K×16 位，该芯片的地址线和数
据线数目为（ ）。
A．64，16
D．16，64。
6、采用虚拟存储器的主要目的是（ ）。
20、下列元件中存取最快的是（ ）
A C的主要区别是（ ）
A 断电后，ROM 内保存的信息会丢失，RAM 则可长期保存
而不会丢失
B 断电后，RAM 内保存的信息会丢失，ROM 则可长期保存
而不会丢失
C ROM 是外存，RAM 是内存
D RAM 是外存，ROM 是内存
22、某计算机字长 16 位，其存储容量为 2MB，按半字编址，
它的寻址范围是（ ）
0~8M-1 0~4M-1 0~2M-1 0~1M-1
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根通保据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资，配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高与中带资负料荷试下卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并3中试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内 纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
一、选择题
1、存储器和 CPU 之间增加 Cache 的目的是( )。
A. 增加内存容量
C. 解决 CPU 与内存之间速度问题
时加快存取速度
2、常用的虚拟存储系统由（ ）两级存储器组成，其中辅存是
大容量的磁表面存储器。
A 主存-辅存 B 快存-主存 C 快存-辅存 D 通用寄
存器-主存
3、双端口存储器所以能高速进行读 / 写，是因为采用（ ）。
Cache 内的任意一快的位置上，则这种方法称为（ ）。
A．全相联映射
D．混合映射
B．直接映射
15、若 RAM 中每个存储单元为 16 位，则下面所述正确的是（
）
A 地址线也是 16 位
C 地址线与 16 位有关 D 地址线不得少于 16 位
16、RAM 芯片串联时可以（ ）
A 增加存储字长
C 提高存储器的速度 D 降低存储器的平均价格
17、RAM 芯片并联时可以（ ）
A 增加存储字长
C 提高存储器的速度 D 降低存储器的平均价
B．减小机箱的体积
D．解决存储容量、价格
B．堆栈存取方式
D．地址指定与堆栈存取
B 地址线与 16 位无关
B 增加存储单元数量
B 增加存储单元数量
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根通保据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资，配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高与中带资负料荷试下卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并3中试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内 纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。