可以相互替代的一些场效应管
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种用来放大和控制电流的电子元件。
它是由一个金属门极与两个半导体区域（源极和漏极）组成。
在常见的场效应管中，有三种主要类型：结型场效应管（JFET），增强型场效应管（MOSFET）和绝缘栅极场效应管（IGBT）。
本文将重点介绍增强型场效应管（MOSFET）的常用参数及其代换方法。
一、常用参数1.电流参数(i)静态漏极电流（IDSS）：在门极电压VGS=0时，漏极电流的值。
(ii) 静态漏极电流温度系数：静态漏极电流随温度变化的变化率。
(iii) 动态漏极电流（ID）：在特定的电压和温度条件下，从漏极流出的电流的值。
2.电压参数(i)额定漏极到源极电压（VDS）：漏极和源极之间的最大电压。
(ii) 额定源极到栅极电压（VGS）：源极和栅极之间的最大电压。
(iii) 阈值电压（VT）：当栅极电压超过阈值电压时，通道开始导电。
(iv) 栅极欠压（VGS（th））：栅极电压低于这个电压时，场效应管处于截止区。
(v) 漏极饱和电压（VDS（sat））：漏极电压达到饱和时，在这个电压下，漏极与源极之间的电流达到最大值。
(vi) 最大可承受漏极电流（IDM）：超过这个电流值时，场效应管可能损坏。
3.输入参数(i) 栅极输入电容（Cgs）：栅极和源极之间的电容。
(ii) 栅极反向传导（gfs）：源极电流变化与栅极电压变化之间的比例关系。
4.输出参数(i) 漏极输出电容（Cds）：漏极和源极之间的电容。
(ii) 漏极跟随导纳（gd）：漏极电流变化与漏极电压变化之间的比例关系。
5.尺寸参数(i)源极宽度（W）：源极沿着通道长度方向的尺寸。
(ii) 通道长度（L）：源极和漏极之间的距离。
二、代换方法1.输出导纳代换场效应管的漏极跟随导纳gd可以用其中一个公式进行代换：gd ≈ 2IDSS/VGS（th）2.输出电容代换输出电容Cds可以用其中一个公式进行代换：Cds ≈ CM + CGS x VDS/VGS其中CM是一个常数，等于通道本身的电容，CGS是栅极和源极之间的电容。
MOS管全参数代换大全
MOS管全参数代换大全Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)是现代电子领域中广泛使用的一种晶体管。
MOSFET具有多个参数，这些参数用于描述其性能和特性。
下面将介绍一些常见的MOSFET参数。
1. 阈值电压（Threshold voltage）: 这是MOSFET开始导通的电压。
当控制电压高于阈值电压时，MOSFET开始导通电流。
2. 饱和漏极电流（Saturation drain current）: 这是MOSFET在饱和区时的漏极电流。
饱和区是指当控制电压高于阈值电压时，MOSFET的漏极电流保持恒定的区域。
3. 转导（Transconductance）: 这是MOSFET的输出电流（漏极电流）与输入电压（栅极电压）之间的比率。
转导可以描述MOSFET的电流放大能力。
4. 输出电阻（Output resistance）: 这是MOSFET的输出电压与输出电流之间的比率。
输出电阻是用来描述MOSFET的输出特性和负载能力的。
5. 共栅电容（Gate capacitance）: 这是MOSFET的栅极电容。
由于MOSFET的栅极与通道之间存在一个绝缘层，所以栅极电容对于MOSFET的电性能和开关速度至关重要。
6. 漏极电流（Drain current）: 这是MOSFET的漏极电流。
漏极电流受到控制电压和输入信号的影响。
7. 最大漏极电流（Maximum drain current）: 这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。
超过这个电流值，MOSFET可能会被损坏。
8. 漏极-源极电阻（Drain-source resistance）: 这是MOSFET的漏极电压与漏极电流之间的比率。
漏极-源极电阻通常很小，可以忽略不计。
9. 网络延迟（Propagation delay）: 这是MOSFET在输入信号变化到输出信号变化之间的时间延迟。
场效应管代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。
开关电源的开关管为什么选MOSFET，而非三极管
开关电源的开关管为什么选MOSFET，而非三极管场效应晶体管（FET，Field Effect Transistor），很大程度上会与双极性结型晶体管（BJT，Bipolor Junction Transistor）简称三极管，很多应用场景相似。
有些控制开关的应用场景下，两个似乎可以相互替代。
但是两者的不同导致了，应用场景的不同，和使用时的特性不同（频率、功耗等）。
1、两者的基本物理模型不相同三极管的理想模型是流控电流源，场效应管的理想物理模型是压控电流源。
2、输入阻抗不同三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。
因此，基极总有一定的电流，故三极管的输入电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可高达1MΩ～100000MΩ。
高输入电阻是场效应管的突出优点。
3、完全导通（饱和状态）的等效电阻值不同三极管导通时等效电阻值大，场效应管导通电阻小，只有几十毫欧姆，几毫欧，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。
在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
BJT的CE之间可以实现的最小电压差，是一个定值，所以随着电流的增大，功耗就是Ice*Vce。
对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。
下面是9013的特性表：BCP56比较常用于开关控制功能的三极管的一个特性参数表，其Vce（sat）也是最大值0.5V饱和区的现象就是：两个PN结均正偏。
那么Vce（sat）的最大值，也就是两个二极管正向导通电压的压差，这个压差可能很小，而半导体厂家保证这颗BJT的最大值是0.6V。
这个值有可能非常接近于0，但是一般来说和IC和温度相关。
电脑主板场管代换表
电脑主板场管代换表（MOS管代换）2010-11-02 15:20:49|如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>，可替代市面上各类型9435APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等!2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ：APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ：GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等!SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM49535、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ：APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等!6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>，替代各型4410：APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410NSTN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300：APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，替代各类2301APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等!9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>，可替代市面上各类型2302 :APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等!11、锂电保护板MOS 管：SD8205 (SD8205G TSSOP-8；SD8205S TSOP-6 )SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205；SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。
集成电路科学与工程导论 第三章 集成电路晶体管器件
发展趋势-摩尔定律
「按比例缩小定律」（英文：Scaling down）“比例缩小”是指，在电场 强度和电流密度保持不变的前提下，如果MOS-FET的面积和电压缩小到 1/2，那么晶体管的延迟时间将缩短为原来的1/2，功耗降低为原来的1/2。 晶体管的面积一般为栅长(L)乘以栅宽(W)，即尺寸缩小为原来的0.7倍：
仅变得越来越小，在器件结构和材料体系上也经过了多次重大变革
集成电路器件发展趋势
国际半导体技术蓝图（International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS）
目录
一．晶体管器件概述 二．金属-氧化物-半导体场效应晶
体管技术 三．绝缘体上晶体管技术 四．三维晶体管技术 五．其他类型晶体管器件
环栅场效应晶体管
「环栅场效应晶体管」（英文：GAAFET） 技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包 裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利 用线状或者片状（平板状）的多个源极和 漏极垂直于栅极横向放置，实现MOSFET 的基本结构和功能
栅极G
栅极G
硅
硅 (a)
纳米线
硅 (b)
纳米片
平面型 垂直型
互补场效应管
栅极G
n+
e-
n+
p-衬底 (a)
栅极G
n+
e-
n+
氧化物埋层（BOX）
p-衬底 (b)
优势：氧化物埋层降低了源极和漏极之间的寄生电容，大幅降低了会影响器件 性能的漏电流；具有背面偏置能力和极好的晶体管匹配特性，没有闩锁效应， 对外部辐射不敏感，还具有非常高的晶体管本征工作速度等；
挑战：存在一定的负面浮体效应；二氧化硅的热传导率远远低于硅的热传导率 使它成为一个天然“热障” ，引起自加热效应；成本高昂。
场效应管的替换原则是什么
场效应管的替换原则是什么
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）作为一种电子元器件，具有广泛的应用领域，如放大器、开关、数字逻辑电路等。
当需要对场效应管进行替换时，需要遵循以下几个原则：
1.类型替换原则：
场效应管分为N型和P型两种类型。
在替换时，应该根据原件的型号选择相同类型的替代器件。
例如，如果原件是N型场效应管，应选择替代器件也是N型的。
2.极性替换原则：
在选择替代器件时，需要注意其极性的一致性。
N型场效应管的源极连接到N型材料，而P型场效应管的源极连接到P型材料。
因此，在替代时应确保替代器件的极性与原件一致。
3.参数替换原则：
替换器件的参数应与被替代器件的参数相近或相等。
关键的替代参数包括最大电压、最大电流、最大功耗、增益、阈值电压等。
这些参数的匹配决定了替代器件能否在相同电路中正常工作。
4.耐压替换原则：
替代器件的最大耐压应不小于原件的耐压。
这样可以确保替代器件不会因电路中较高的电压而损坏。
5.口型替换原则：
场效应管根据栅极控制方式的不同，可分为三种类型：增强型、耗尽型和开沟型。
在替换时，应该选择与被替代器件相同类型的替代器件，这样可以确保电路的工作性能。
场效应管的代替型号
液晶 8 脚贴片元器件参数大集合
4532 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.7A；30V 4.5A）
4532M 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.5A；30V 4.5A）
AO4409(30V15A-P) 30V 15A P 沟道场效应 8 脚贴片
AO4410 30V 18A 单 N 沟道 8 脚贴片
AO4411 30V 8A 3W P 沟道场效应，8 脚贴片
AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片
AO4413 30V 15A 3W 单 P 沟道，8 脚贴片
9916H 18V 35A 50W 小贴片 9960GM 8 脚贴片，高压板用。
AF4502CS 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 8.4A；30V 6.8A）
AO4403 30V 6.1A 单 P 沟道 8 脚贴片 AO4404 30V 8.5A 单 N 沟道 8 脚贴片
TPC8401 内含 P 沟道、N 沟道 MOS 管各一，高压板用（30V 4.5A；30V 4.5A）
AP1501/AP1506 ， 3A 降压 DC/DC ，直接替换 LM2576/LM2596 ，广泛应用于车载 DVD ，车载音响， LCD/LCM ； AP1507 ， 3A 降压 DC/DC ，替换 SHARP PQ1CZ21 ， PQICZ41 ， PQ1CG21 。应用于车 载 DVD ，车载音响； AP1509 ， 2A 降压 DC/DC 。替换 MP1410 ；应用于 DVD 译码版，网络产品； AP2001 ， CCFL 驱动 IC ，
场效应管代换大全
场效应管代换大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
在实际应用中，由于种种原因，有时需要进行场效应管的代换。
本文将从场效应管的类型、参数、特性等方面，对场效应管代换进行详细介绍，希望能够为工程师和电子爱好者提供一些参考和帮助。
首先，我们需要了解场效应管的基本类型。
根据不同的控制电极结构，场效应管可以分为金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）和结型场效应管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）两种基本类型。
MOSFET又可分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
而JFET又可分为N沟道JFET和P沟道JFET两种。
不同类型的场效应管在工作原理和参数特性上都有所不同，因此在代换时需要根据实际情况进行选择。
其次，场效应管的代换需要考虑参数特性。
常见的场效应管参数包括最大漏极-源极耐压、最大漏极电流、门极-源极静态电压等。
在进行代换时，需要确保代换管的参数满足原始设计的要求，以保证电路的正常工作。
此外，还需要考虑场效应管的频率特性、温度特性等，确保代换管在各种工作条件下都能够稳定可靠地工作。
另外，场效应管的代换还需要考虑其工作特性。
不同类型的场效应管在工作特性上也有所不同，例如增强型MOSFET具有良好的开关特性和低输入电阻，适合用于功率放大和开关控制电路；而耗尽型MOSFET具有较高的输入电阻和较低的噪声，适合用于低噪声放大器和信号处理电路。
因此在进行代换时，需要根据电路的具体应用来选择合适的代换管，以确保电路性能的稳定和可靠。
最后，需要注意的是，场效应管的代换并非简单地替换器件即可。
在进行代换时，还需要对电路进行一定的调整和优化，以适应新的器件特性。
这可能涉及到电路的参数调整、稳定性分析、温度补偿等方面。
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。
本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。
1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。
N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。
2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。
（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。
（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。
（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。
（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。
3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。
（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。
（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。
（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。
（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。
（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。
（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。
4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。
常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。
（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。
（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。
（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。