模电(第四版)习题解答
模拟电子技术基础习题解答
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电第四版(童诗白)答案
(a)
(b)
(c) 图 P2.2
(d)
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示；
9
(a)
(b)
(c) 解图 P2.2
(d)
2.3 分别判断图 P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出 Q、Au、Ri 和Ro 的表 达式。 解： 图 (a):
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
， Ri
R1 //
rbe 1
， Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 U BEQ 分别求出 RL
0.7V
。利用图解法
和 RL 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om （有效值） 。
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
， Ri
，I CQ
I BQ ，UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 ， Ro R2 // R3
图(b)： I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 ， ICQ I BQ ， R2 R3
6V ，最小稳定电流
I Z min 5mA ，最大稳定电流 I Z max 25mA 。
(1)分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值； (2)若 U I
35V
时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
图题所示电路在正常放大时
IB=(5– V/[200+(50+1)×] k= mA
IE≈IC=50× mA= mA
UB= V+ mA× k= V
UE= mA× k≈ V
UC=5 V– mA×2 k= V
将以上数据与表题中的数ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ比较分析，得出结论列入表中：
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
Ⅴ
Ⅵ
Ⅶ
Ⅷ
UB/V
0
0
5
指针微动
UE/V
0
指针微动
0
0
0
指针微动
UC/V
0
5
5
5
5
结论
电源未接入不能正常工作
处于正常放大工作状态
三极管内部集电结断路不能正常工作
Re短路电路能正常放大
Rb断路电路不能正常工作
三极管内部发射结断路或Re断路不能正常工作
三极管内部集电结短路或外部b、c极之间短路不能正常工作
三极管内部发射结短路或外部b、e极之间短路不能正常工作
解答：
（a）结型N沟道，UGS(off)=–4 V,IDSS=4 mA
（b）耗尽型NMOS管，UGS(off)=–4 V,IDSS=2mA
（c）增强型PMOS管，UGS(th)=–2 V
（d）耗尽型PMOS管，UGS(off)=2 V,IDSS=2 mA
2．36 已知图题2．36所示电路中FET的IDSS=5 mA，已知gm=1．34 mS，试求：
解答：
若UCE=10 V，则ICPCM/UCE=150mW/10 V=15 mA；
若IC=1mA，则UCE=PCM/IC=150mW/1 mA=150 V，此电压大于U(BR)CEO=30 V，故工作电压的极限值应为30 V。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电第四版(童诗白)答案
10
(a) 图 P2.4 解：空载时： I BQ
(b)
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 6V ；
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ，有效值约为 3.75V 。 带载时： I BQ
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 3V
；
最大不失真输出电压峰值约为 2.3V ，有效值约为 1.63V 。如解图 P2.4 所示。
5
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐 标值及 uGS 值，建立 iD 所示。
f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
， Ri
，I CQ
I BQ ，UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 ， Ro R2 // R3
图(b)： I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 ， ICQ I BQ ， R2 R3
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
， Ri
R1 //
rbe 1
， Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 U BEQ 分别求出 RL
模电(第四版)习地的题目解答
实用标准文档第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，β=100，U BE=0.7V。
模电第四版习题答案
1 思考与练习答案1.1 填空（1）单向导电性 不可以（2）0.5V 0.7V 0.1V 0.3V 硅（3）R×100或R×1K R×10K R×1K（4）变压、整流、滤波、稳压 整流（5）4 100Hz（6）变压器次级线圈 滤波电容（7）+5 -12I C =1mA 时，工作电压的极限值为100V 。
2.7 （a ）放大；（b ）截止；（c ）饱和；（3）e b c PNP 硅管 （2）c b e PNP 锗管2.13 (a ) 能 (b ) 不能 (c ) 能 (d ) 不能 (e ) 不能 (f ) 不能2.14 要保证发射结正偏，集电结反偏2.17 (1) I BQ =200μA I CQ =10mA U CEQ =14V 放大区(2) I BQ =33.3μA I CQ =2mA U CEQ =2V 放大区(3) I BQ =50μA I CQ =5mA U CEQ =9V 放大区(4) I BQ =30μA I CQ =3mA I CS ≈0.86mA I BS ≈8.6μA I BQ > I BS 饱和区2.18 (b )图为饱和失真 原因是静态工作点偏高 将R b 调小消除失真；(c )图为截止失真 原因是静态工作点偏低 将R b 调大消除失真2.19 I BQ =30μA I CQ =1.2mA U CEQ =5.88V(1) 360k Ω (2) 270 k Ω项目3 思考与练习答案3.1 （a ）不能 （b ）能 （c ）不能 （d ）不能3.2 R ＝10k Ω3.3 （1）上“－”下“＋” （2）f 0＝1.94kHz （3）二极管V D 1、V D 2用以改善输出电压的波形，稳定输出幅度。
（4）R p 用来调节输出电压的波形和幅度。
必须调节R p 使得R 2满足2 R 3> R 2>（2 R 3－R 1）。
3.5 （a ）能 （b ）不能 （c ）能 （d ）能 （e ）不能 （f ）能3.7 （a ）并联型石英晶体振荡器 （b ）串联型石英晶体振荡器3.8（1）o i u u =-（2）o i u u =3.9（a ）-0.4V ；（b ）0.8 V ；（c ）0.8 V ；（d ）6 V ；（e ）1.5 V 3.10S L F U I R =3.1121222O i R R u u R += 响，(612)O u V = ；3.13（a ）124()O i i u u u =-+；（b ）122i i O u u u +=；（c ）2144O i i u u u =-； 3.14 312463O i i i u u u u =--； 3.15 (1)R 1= 50 k Ω (2) R 1=10 0 k Ω (3) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω R 3= 100 k Ω(4) R 1= 50 k Ω R 2= 20 k Ω项目4 思考与练习答案4.3 （c ）二阶无源带阻滤波器 （d ）二阶有源带通滤波器4.4 （a ）二有源带通滤波器 （b ）二阶有源带阻滤波器（c ）二阶有源低通滤波器 （d ）二阶有源高通滤波器4.5答是使音响系统的频率特性可以控制，以达到高保真的音质；或者根据聆听者的爱好，修饰与美化声音。
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自测题
、判断下列说法是否正确，用“× 入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)
(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)
(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(√)
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)
(3)工作在放大区的某三极管，如果当( C )。
A.83B.91
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A )。A.增大；B.不变；C.减小
UD=0.7V,常温下
，电容C对交流信号可视为短路；
1.4电路如 图P1.4所示,二极管导通电压 为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？
(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其
(6)若耗尽型N沟道MOS管的 大于零，则其输入电阻会明显变小。(×)、选择正确答案填入空内。
(l)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。
A.变窄B.基本不变C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
(2)R的取值范围是多少？
解：(1)S闭合。
(2) R的范围为:
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如 并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数 图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，β。
解图Pl.8
图Pl.8
解： 答案如 解图Pl.8所示。 放大倍数分别为 和
图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是
表T1.6
(2)∵
习题
( C )元素可形成P型半导体。
22 uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的β约为
C.100
(A)。C.减小IB从12 uA增大到
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A)元素可形成N型半导体，加入A.五价B.四价C.三价
(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A.增大B.不变
的波形图，并
管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
恒流区
T2
-4
3
3
10
截止区
T3
-4
6
0
5
可变电阻区
解： 因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 各自的工作状态，如 表Tl.6最后一栏所示。
解图P1.2
解： 二极管的直流电流 其动态电阻
图P1.4
故动态电流的有效值：
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏
(4)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管
四、
伏。
、写出 图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD= 0.7V。
图T1.3
解：UO1= 1.3V, UO2= 0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5= 1.3V, UO6= -2V。已知稳压管的稳压值UZ= 6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图Tl.4所示电路中
UO1和UO2各为多少
(a)
(b)
T1.4
解： 左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故
故UO2= 5V。
UO1= 6V。
五、电路如 图T1.5所示，VCC=15 V，试问：
(1)Rb=50k时，Uo=?
(2)若T临界饱和，则Rb=?
解：(1)
= 100，UBE=0.7V。
解
图T1.5
六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如 表Tl.6所示，它们的开启电压也在表中。试分析各 管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区) ，并填入表内。
的工作状态及输出电压 的值。
1.12分别判断 图Pl.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态
图P1.9
1.10电路如 图P1.10所示，晶体管导通时
所以T处于饱和状态。
，β=50。试分析为0V、1V、3V三种情况下T
时，T截止，
因为：
所以T处于放大状态。
时，因为
时，因为
时，晶体管饱和，
(d)
MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们
与 的波形如 解图Pl.2所示。
1.2电路如 图P1.2所示，已知
(V)，试画出 与 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。
1.3电路如 图P1.3所示，已知 标出幅值。
图P1.3
解： 波形如 解图Pl.3所示。
解图P1.3
图P1.2
(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出与
解
(1)当
(2)当
10
(3)当
当
(a)
(b)
(c)
11
图P1
解:如 解图1.9。
1.11电路如 图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,，饱和管压降 ；稳压管的稳定电压,正向导通电压 。试问：当 时 ？；当 时 ？
解：当 时，晶体管截止，稳压管击穿，
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如 锗管。
解图1.9
1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：
(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解：(1)串联相接可得4种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。
(2)并联相接可得2种：0.7V；6V。
1.6已知图Pl.6所示电路中稳压管的稳定电压 ，最大稳定电流
(1)分别计算 为10V、15V、35V三种情况下输出电压 的值；(2)若时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
，最小稳定电流
解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为
6V。
时，
图Pl.6
时，
时，
0.1
(2)当负载开路时，
，故稳压管将被烧毁。
1.7在 图Pl.7所示电路中，发光二极管导通电压UD=1.5V，正向电流在5~15mA时才能正常工作。 试问：(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光？