材料科学基础选择题版
(完整版)材料科学基础试卷
一、填空题1、晶体的三种缺点（点缺点、线缺点、面缺点）2、铸锭三晶区（表层细晶区、柱状晶区、中心等轴晶区）3、按原子地点固溶体分类为（置换固溶体和缝隙固溶体）4 过冷液相中的（结构起伏和能量起伏）是形核的基础5、金属内部由一种晶体转变成另一种晶体结构的转变成（同素异构体转变）6、亚共析钢在常温下的组织和相分别为（珠光体和铁素体、铁素体和渗碳体）7、使用第二相粒子起增强作用的增强方式是（弥散增强）二、选择题1、密积聚结构的致密度为（ B ）2、下述晶体缺点中属于线缺点的是（Ｂ）Ａ空位Ｂ位错Ｃ晶界Ｄ缝隙原子4、固溶体的不均衡凝固可能造成（ A ）A 晶内偏析B 晶相偏析C 会合缩孔D 缩松4、铸铁与碳钢的差别在于有无（ A ）A 莱氏体 B珠光体 C铁素体 D奥氏体5、以下图是（ C）的结果Ａ单滑移Ｂ多滑移Ｃ交滑移Ｄ三、判断题1、面心立方结构是原子的2、点缺点是一种稳固缺点，在必定温度3、铁素体是 C 在α -Fe 的4、在实质系统中，纯金属的5、溶剂与溶质原子价电子数越大增强成效越好四、名词解说1、螺型位错答：一个晶体的某一部分相对于其他部发散生滑移，原子平面沿着一根轴线回旋上涨，每绕轴线一周，原子面上涨一个晶面间距。
因为位错周边的原子是按螺旋形摆列的，因此叫咯型位错。
2、共析转变答：必定成分的固相在必定温度下分解为别的两个必定成分的固相的转变过程。
3均匀形核答：液相中各个地域出现新晶核的几率都是同样的，这类形核方式即为均匀形核。
4加工硬化答：在塑性变形过程中，跟着金属内部组织的变化，金属的力学性能也将产生显然的变化，即跟着变形程度的增添，金属的强度、硬度增添，而塑性、韧性降落。
5、变质办理答：在浇铸前去液态金属中加入形核剂，促进形成大批的非均匀晶核来细化晶粒。
五、简答题1、刃性位错特色答：（1、刃性位错有一额外半原子面（2、位错线是一个拥有必定宽度的修长晶格畸变管道，此中既有正应变，又有切应变。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 材料科学中，材料的基本组成单元是（）。
A. 分子B. 原子C. 离子D. 电子答案：B2. 金属的塑性变形主要是通过（）来实现的。
A. 弹性变形B. 位错运动C. 相变D. 断裂答案：B3. 在材料科学中，硬度的定义是（）。
A. 材料抵抗变形的能力B. 材料抵抗磨损的能力C. 材料抵抗压缩的能力D. 材料抵抗拉伸的能力答案：B4. 材料的热处理过程中，淬火的主要目的是（）。
A. 提高硬度B. 增加韧性C. 减少变形D. 提高导电性答案：A5. 以下哪种材料不属于复合材料？A. 碳纤维增强塑料B. 钢筋混凝土C. 不锈钢D. 玻璃钢答案：C二、填空题（每空1分，共20分）1. 材料的强度是指材料在受到______作用时，抵抗______的能力。
答案：外力；破坏2. 材料的断裂韧性是指材料在______条件下，抵抗______的能力。
答案：裂纹存在；断裂3. 材料的疲劳是指材料在______作用下，经过______循环后发生断裂的现象。
答案：交变应力；多次4. 材料的导热性是指材料在______条件下，抵抗______的能力。
答案：温度梯度；热量传递5. 材料的电导率是指材料在单位电场强度下，单位时间内通过单位面积的______。
答案：电荷量三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述材料的弹性模量和屈服强度的区别。
答案：弹性模量是指材料在弹性范围内，应力与应变的比值，反映了材料抵抗形变的能力。
屈服强度是指材料在受到外力作用下，从弹性变形过渡到塑性变形时的应力值，反映了材料抵抗塑性变形的能力。
2. 描述材料的疲劳破坏过程。
答案：材料的疲劳破坏过程通常包括三个阶段：裂纹的萌生、裂纹的扩展和最终断裂。
在交变应力作用下，材料内部的微裂纹逐渐扩展，当裂纹扩展到一定程度，材料无法承受继续增加的应力时，就会发生断裂。
3. 什么是材料的热处理？请列举几种常见的热处理方法。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、选择题1. 材料科学中的“四要素”是指（）。
A. 组织、性能、加工、应用B. 材料、结构、性能、加工C. 材料、结构、性能、应用D. 结构、性能、加工、应用答案：C2. 下列哪种材料属于金属材料？（）。
A. 铝合金B. 碳纤维C. 聚氯乙烯D. 陶瓷答案：A3. 材料的硬度是指（）。
A. 材料抵抗变形的能力B. 材料抵抗破坏的能力C. 材料抵抗穿透的能力D. 材料抵抗摩擦的能力答案：A4. 材料的疲劳是指（）。
A. 材料在高温下的性能变化B. 材料在重复应力作用下的性能变化C. 材料在腐蚀环境下的性能变化D. 材料在高压下的的性能变化答案：B5. 材料的蠕变是指（）。
A. 材料在低温下的性能变化B. 材料在长期静载荷作用下发生的缓慢持久变形C. 材料在高速下的的性能变化D. 材料在潮湿环境下的性能变化答案：B二、填空题1. 材料的_________是指材料在受到外力作用时，能够承受的最大应力，是材料的重要性能指标之一。
答案：强度2. 材料的_________是指材料内部微观结构的排列方式，它直接影响材料的宏观性能。
答案：晶体结构3. 材料的_________是指材料在一定条件下，能够进行塑性变形而不断裂的性质。
答案：韧性4. 材料的_________是指材料在高温下保持性能不变的能力，对于高温环境下使用的材料尤为重要。
答案：热稳定性5. 材料的_________是指材料对电磁场的响应能力，对于电子和通信领域的材料尤为重要。
答案：电磁性能三、简答题1. 请简述材料科学中的“相图”及其作用。
答：相图是用来描述在不同温度、压力和成分比例下，材料可能存在的不同相（如固态、液态、气态）之间的平衡关系的图表。
它可以帮助科学家和工程师了解和预测材料在特定条件下的行为，对于材料的设计、加工和应用具有重要的指导意义。
2. 何为材料的“疲劳寿命”？请举例说明。
答：材料的疲劳寿命是指材料在反复应力作用下能够承受循环次数的总和，直到发生疲劳破坏为止。
材料科学基础期末试题及答案
材料科学基础期末试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 材料科学中，下列哪项不是材料的基本性质？A. 强度B. 硬度C. 导电性D. 可塑性答案：D2. 金属的塑性变形主要通过哪种机制进行？A. 位错运动B. 晶界迁移C. 扩散D. 相变答案：A3. 陶瓷材料的主要特性是什么？A. 高导电性B. 高塑性C. 高硬度和低热膨胀系数D. 高韧性答案：C4. 以下哪种合金的制备方法不属于固溶合金？A. 钢B. 黄铜C. 铝合金D. 马氏体不锈钢答案：D5. 玻璃材料的主要成分通常是什么？A. 硅酸盐B. 氧化物C. 碳化物D. 氮化物答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述材料的疲劳现象及其影响因素。
答：材料的疲劳现象是指在低于材料屈服强度的循环载荷作用下，材料发生损伤并最终导致断裂的现象。
影响疲劳的因素包括应力幅度、循环次数、材料的微观结构、环境条件等。
2. 描述金属的腐蚀过程及其防护措施。
答：金属的腐蚀是金属与周围环境发生化学反应，导致材料性能下降的过程。
常见的腐蚀类型有化学腐蚀和电化学腐蚀。
防护措施包括使用耐腐蚀材料、涂层保护、阴极保护等。
3. 解释什么是相变以及它在材料科学中的重要性。
答：相变是指材料在外界条件（如温度、压力）变化下，从一种相态转变为另一种相态的过程。
相变对材料的物理性能和化学性能有重要影响，如钢的淬火和回火过程就是通过相变来改变其微观结构和宏观性能。
三、计算题（每题25分，共50分）1. 给定一个金属棒，其长度为L，截面积为A，材料的杨氏模量为E。
当施加一个力F时，金属棒发生弹性变形，求金属棒的伸长量ΔL。
答：根据胡克定律，ΔL = F * L / (A * E)。
2. 假设一个立方体材料样品在三个正交方向上受到相同的应力σ。
如果材料的泊松比为ν，求该立方体样品在三个方向上的应变ε。
答：根据材料力学的一般关系，εx = εy = εz = σ / E，其中E是杨氏模量。
材料科学基础试卷
材料科学基础试卷一、选择题1. 在以下选项中，哪个是材料科学研究的基本目标？A. 提高材料的性能和寿命B. 制定新的材料标准C. 推动材料的商业化应用D. 减少材料的生产成本2. 下列哪个属于材料科学的主要研究内容？A. 材料的机械性能B. 材料的表面处理技术C. 材料的市场价值评估D. 材料的生产工艺3. 晶体结构的表征常用的方法是什么？A. 透射电子显微镜（TEM）B. 扫描电子显微镜（SEM）C. 傅里叶变换红外光谱（FTIR）D. X射线衍射（XRD）4. 以下哪项不是观察材料中晶体缺陷的常用方法？A. 透射电子显微镜（TEM）B. 扫描电子显微镜（SEM）C. 热重分析仪（TGA）D. X射线衍射（XRD）5. 玻璃是一种无序非晶体，其特点是什么？A. 有定型的几何结构B. 具有较高的强度和硬度C. 没有明确的熔点D. 可通过加热重新晶化二、简答题1. 请简述材料科学的定义和研究对象。
材料科学是研究材料的组成、结构、性能和制备工艺等方面的学科。
它的研究对象包括金属、陶瓷、聚合物、复合材料等各种材料的性质和行为。
2. 简要介绍一下晶体和非晶体的区别。
晶体具有有序的、周期性的原子结构，其原子排列呈现规则的几何形态。
非晶体则没有明确的周期性结构，其原子排列无序。
3. 请简述材料的力学性能和热学性能分别指的是什么。
材料的力学性能指材料在外力作用下的表现，包括强度、硬度、韧性等。
热学性能指材料在温度变化下的行为，包括热膨胀系数、热导率等。
4. 请列举一种主要的材料表面处理技术，并简述其原理。
一种主要的材料表面处理技术是阳极氧化。
其原理是将金属材料作为阳极，通过在电解液中施加电流，使得金属表面产生氧化反应形成氧化膜，从而提高材料的耐腐蚀性和表面硬度。
5. 简述材料的疲劳破坏机理。
材料的疲劳破坏是在交变载荷作用下产生的、逐渐发展的、具有累积性的破坏。
其机理是在应力作用下，材料内部会逐渐形成裂纹，裂纹扩展到一定程度后导致材料断裂。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、名词解释（每题5分，共25分）1. 晶体缺陷2. 扩散3. 塑性变形4. 应力5. 比热容二、选择题（每题2分，共20分）1. 下列哪种材料属于金属材料？A. 玻璃B. 塑料C. 陶瓷D. 铜2. 下列哪种材料属于陶瓷材料？A. 铁B. 铝C. 硅酸盐D. 聚合物3. 下列哪种材料属于高分子材料？A. 玻璃B. 钢铁C. 聚乙烯D. 陶瓷4. 下列哪种材料属于半导体材料？A. 铜B. 铝C. 硅D. 铁5. 下列哪种材料属于绝缘体？A. 铜B. 铝C. 硅D. 玻璃三、简答题（每题10分，共30分）1. 请简述晶体结构的基本类型及其特点。
2. 请简述塑性变形与弹性变形的区别。
3. 请简述材料的热传导原理。
四、计算题（每题15分，共30分）1. 计算一个碳化硅晶体的体积。
已知碳化硅的晶胞参数：a=4.05 Å，b=4.05 Å，c=8.85 Å，α=β=γ=90°。
2. 计算在恒定温度下，将一个100 cm³的铜块加热100℃所需的热量。
已知铜的比热容为0.39J/(g·℃)，铜的密度为8.96 g/cm³。
五、论述题（每题20分，共40分）1. 论述材料科学在现代科技发展中的重要性。
2. 论述材料制备方法及其对材料性能的影响。
答案：一、名词解释（每题5分，共25分）1. 晶体缺陷：晶体在生长过程中，由于外界环境的影响，导致其内部结构出现不完整或不符合理想周期性排列的现象。
2. 扩散：物质由高浓度区域向低浓度区域自发地移动的过程。
3. 塑性变形：材料在受到外力作用下，能够产生永久变形而不恢复原状的性质。
4. 应力：单位面积上作用于材料上的力。
5. 比热容：单位质量的物质温度升高1℃所吸收的热量。
二、选择题（每题2分，共20分）1. D2. C3. C4. C5. D三、简答题（每题10分，共30分）1. 晶体结构的基本类型及其特点：晶体结构的基本类型有立方晶系、四方晶系、六方晶系和单斜晶系。
材料科学基础试题及答案
材料科学基础试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1．在体心立方结构中，柏氏矢量为a[110]的位错( A )分解为a/2[111]+a/2[111].(A) 不能(B) 能(C) 可能2．原子扩散的驱动力是： ( B )(A) 组元的浓度梯度 (B) 组元的化学势梯度 (C) 温度梯度3．凝固的热力学条件为：（ D ）（A）形核率(B)系统自由能增加（C）能量守衡（D）过冷度4．在TiO2中，当一部分Ti4+还原成Ti3+，为了平衡电荷就出现（ A）(A) 氧离子空位 (B) 钛离子空位 (C)阳离子空位5．在三元系浓度三角形中，凡成分位于（ A ）上的合金，它们含有另两个顶角所代表的两组元含量相等。
（A）通过三角形顶角的'中垂线（B）通过三角形顶角的任一直线（C）通过三角形顶角与对边成45°的直线6．有效分配系数ke表示液相的混合程度，其值范围是（ B ）（A）1<ke<k0 （B）k0<ke<1 （C）ke< k0 <17．A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则（ A ）（A）A 组元的扩散速率大于B 组元（B）与（A）相反（C）A、B两组元的扩散速率相同8．A和B组成的二元系中出现α和β两相平衡时，两相的成分（x）-自由能（G）的关系为（ B ）（A）Gα= Gβ （B）dGα= dGβ（C）GA= GB9．凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下那种方法？（ B ）（A）加入形核剂（B）减小液相的过冷度（C）对液相进行搅拌10．菲克第一定律表述了稳态扩散的特征，即浓度不随（ B ）变化。
（A）距离（B）时间（C）温度二、名词解释（20分，每题4分）全位错：伯什矢量等于点阵矢量的位错。
再结晶：经受形变的材料在加热时发生的以无畸变晶粒取代变形晶粒的过程珠光体：铁碳合金共析转变的产物，是共析铁素体和共析渗碳体的层片状混合物。
石德珂材料科学选择题
《材料科学基础》选择题第一章 材料结构的基本知识1、原子结合健中 B 的键的本质是相同的A 、金属键与离子键B 、氢键与范德瓦尔斯键C 、离子键与共价键2、钨、钼熔点很高，其结合键是 A 的混合键A 、金属键和离子键B 、金属键和共价键C 、离子键和共价键3、MgO 、Al2O3等的结合键是 C 的混合键A 、金属键和离子键B 、金属键和共价键C 、离子键和共价键4、工程材料的强度与结合键有一定的联系，结合键能高的其强度也 A 些。
A 、高B 、低5、激活能反应材料结构转变 B 的大小；A 、动力B 、阻力6、材料处于能量最低状态称为 A ；A 、稳态结构B 、亚稳态结构7、一般而言，晶态结构的能量比非晶态要 B ；A 、高B 、低C 、相等第二章 材料的晶体结构1. 氯化铯（CsCl ）为有序体心立方结构，它属于 CA 、体心立方B 、面心立方C 、简单立方点阵；2. 理想密排六方结构金属的c/a 为 BA 、1.6B 、2(2/3)1/2 ；C 、2/33. 对面心立方晶体而言，表面能最低的晶面是 cA 、 (100);B 、(110)，C 、(111)；D 、(121)4. 下列四个六方晶系的晶面指数中，哪一个是错误的： CA 、(1322)；B 、(0112)；C 、(0312) ；D 、(3122)5. 面心立方结构的铝中，每个铝原子在本层（111）面上的原子配位数为 BA 、12；B 、6；C 、4；D 、36. 简单立方晶体的致密度为 CA 、100%B 、65%C 、52%D 、58%7. 立方晶体中（110）和（211）面同属 D 晶带A 、[110]B 、[100]C 、[211]D 、[111]8. 立方晶体中（111）和（101）面同属 D 晶带A 、[111]B 、[010]C 、[011]D 、]011[9.原子排列最密的一族晶面其面间距A、最小B、最大10.六方晶系中和(1121)晶面等同的晶面是 AA、(1211)面；B、(1112)面；C、(1211)面；D、(2111)面11.配位数是指晶体结构中： BA、每个原子周围的原子数；B、每个原子周围最邻近的原子数；C、每个原子周围的相同原子数；D、每个原子周围最邻近的和次近邻的原子数之和12.密排六方与面心立方均属密排结构，他们的不同点是： DA、晶胞选取方式不同；B、原子配位数不同；C、密排面上，原子排列方式不同；D、原子密排面的堆垛方式不同13.在立方晶系中，与(101)、(111)同属一晶带的晶面是： dA、(110); Bb、(011); C、(110); D、(010)14.TiC与NaCl具有相同的晶体结构，但它们不属于同一类中间相，这是因为： DA、TiC是陶瓷，NaCl是盐；B、NaCl符合正常化合价规律，TiC不符合正常化合价规律；C、TiC中电子浓度高，D、NaCl的致密度高15.立方晶体中（110）和（310）面同属 D 晶带A、[110]B、[100]C、[310]D、[001]16.14种布拉菲点阵： AA、按其对称性分类，可归结为七大晶系；B、按其点阵常数分类，可归结为七大晶系；C、按阵点所在位置分类，可归结为七大晶系D；、按其几何形状分类，可归结为七大晶系17.与（113）和（112）同属一晶带的有： CA、(112),B、(221)C、(110)D、(211)18.引入空间点阵概念是为了： CA、描述原子在晶胞中的位置，B、描述晶体的对称性，C、描述晶体结构周期性，D、同时描述晶体结构周期性和对称性19.有A、B两晶体，下面几种说法中正确的是 C ；A、所属空间点阵相同，则此两晶体的结构相同；B、晶体结构相同，它们所属空间点阵可能不同；C、晶体结构不同，它们所属空间点阵必然不同；D、所属空间点阵不同，晶体结构可能相同20.体心立方晶体中间隙半径比面心立方中的小，但BCC的致密度却比FCC低，这是因为： DA、BCC中原子半径小，B、BCC中的密排方向<111>上原子排列比FCC密排方向上的原子排列松散，C、BCC中的原子密排面{110}的数量太少，D、BCC中的原子配位数比FCC中原子配位数低21.组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是： BA、两组元的电子浓度相同，B、两组元的晶体结构相同，C、两组元的原子半径相同，D、两组元的电负性相同，22.晶体结构和空间点阵的相互关系 CA、空间点阵的每一阵点代表晶体中的一个原子；B、每一种空间点阵代表唯一的一种晶体结构；C、晶体结构一定，它所属的空间点阵也唯一地被确定；D、每一种晶体结构可以用不同的空间点阵表示23.晶体中配位数和致密度之间地关系是 AA、配位数越大，致密度越大；B、配位数越小，致密度越大；C、配位数越大，致密度越小，D、两者之间无直接联系24.离子晶体和纯金属晶体各有配位数的概念，两者的含义： CA、完全相同，B、不同，离子晶体的配位数是指最近邻的同号离子数，而纯金属晶体的配位数是指最近邻的原子数，C、不同，离子晶体的配位数是指最近邻的异号离子数，而纯金属晶体的配位数是指最近邻的原子数，D、不同，离子晶体的配位数是指最近邻的异号离子数，而纯金属晶体的配位数是指最近临和次近邻的原子数之和25.在离子晶体中 BA、阳离子半径大于阴离子半径；B、阴离子半径大于阳离子半径；C、阳离子半径与阴离子半径相等；D、阳离子半径可以大于阴离子半径；也可以小于阴离子半径；26.硅酸根四面体中的氧离子 CA、只属于一个硅酸根四面体；B、可以被多个硅酸根四面体共用；C、只能被两个硅酸根四面体共用；D、可以被四个硅酸根四面体共用第三章高分子材料的结构1.已知聚氯乙烯的平均相对分子质量是27500，则其平均聚合度是（A ）。
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材料科学基础选择题版集团文件发布号：（9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-1、极化会对晶体结构产生显着影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。
（A）共价键向离子键（B）离子键向共价键（C）金属键向共价键（D）键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子配位数（）。
（A）增大，降低（B）减小，降低（C）减小，增大（D）增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。
（A）5 （B）6 （C）4 （D）34、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。
（A）全部四面体（B）全部八面体（C）1/2四面体（D）1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。
（A）全部四面体（B）全部八面体（C）全部立方体（D）1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。
（A）八面体空隙的半数（B）四面体空隙的半数（C）全部八面体空隙（D）全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（D）。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）810、硅酸盐晶体的分类原则是（B）。
（A）正负离子的个数（B）结构中的硅氧比（C）化学组成（D）离子半径11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。
（A）岛状结构（B）层状结构（C）链状结构（D）架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。
（A）同质多晶（B）有序—无序转变（C）同晶置换（D）马氏体转变13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。
（A）岛状结构（B）层状结构（C）链状结构（D）架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（A）。
（A）沸石>萤石>MgO （B）沸石>MgO>萤石（C）萤石>沸石>MgO （D）萤石>MgO>沸石15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。
（A）2 （B）4 （C）6 （D）816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A）连接。
（A）共顶（B）共面（C）共棱（D）A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。
（A）弗仑克尔缺陷（B）肖特基缺陷（C）杂质缺陷（D）A+B18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
（A）攀移（B）攀移（C）增值（D）减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
（A）负离子空位（B）间隙正离子（C）间隙负离子（D）A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
（A）正离子空位（B）间隙负离子（C）负离子空位（D）A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。
（A）稳定晶格（B）活化晶格（C）固溶强化（D）A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。
固溶体有有限和无限之分，其中（B）。
（A）结构相同是无限固溶的充要条件（B）结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件（C）结构相同是有限固溶的必要条件（D）结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。
（A）点缺陷（B）线缺陷（C）面缺陷（D）A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。
（A）热缺陷（B）杂质缺陷（C）非化学计量缺陷（D）A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。
（A）线性增加（B）呈指数规律增加（C）无规律（D）线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。
讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。
（A）杂质质点大小（B）晶体（基质）结构（C）电价因素（D）A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。
（A）外力（B）热应力（C）化学力（D）结构应力28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为（A），其符号表示为（）。
（A）刃位错；⊥（B）刃位错；VX （C）螺位错；（D）刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。
（A）正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小（B）正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加（C）正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加（D）正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（A）。
（A）间隙和空位质点同时成对出现（B）正离子空位和负离子空位同时成对出现（C）正离子间隙和负离子间隙同时成对出现（D）正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。
（A）位错不一定是直线（B）位错是已滑移区和未滑移区的边界（C）位错可以中断于晶体内部（D）位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。
（A）螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移（B）刃位错只作滑移，螺位错只作攀移（C）螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移（D）螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（D）因素的影响。
（A）组成（B）温度（C）时间（D）A+B+C34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（）。
（A）降低；增加（B）不变；降低（C）增加；降低（D）增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。
（A）降低；增加（B）不变；降低（C）增加；降低（D）增加；不变36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B），随温度下降而（）。
（A）增大，降低（B）降低，增大（C）增大，增大（D）降低，降低37、由结晶化学观点知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。
（A）极性共价键（B）离子键（C）共价键（D）金属键38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为（D）。
（A）1 （B）2 （C）3 （D）439、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的桥氧数为（B）。
（A）2.5 （B）3 （C）3.5 （D）440、如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。
（A）加和效应（B）混合碱效应（C）中和效应（D）交叉效应41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A）。
（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。
（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（C）的过程。
（A）可逆与突变（B）不可逆与渐变（C）可逆与渐变（D）不可逆与突变44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（C）。
（A）突变性（B）不变性（C）连续性（D）A或B45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。
（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。
（A）二分之一（B）三分之二（C）四分之一（D）五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出10－6体积分数的晶体的时间是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。
（A）愈困难（B）愈容易（C）质量愈好（D）质量愈差48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。
聚合程度越低，形成玻璃（A）。
（A）越不容易（B）越容易（C）质量愈好（D）质量愈差49、当熔体中负离子集团以（C）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。
（A）低聚合（B）不聚合（C）高聚合（D）A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于Y值。
在形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。
（A）增大；不变（B）降低；增大（C）不变；降低（D）增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于（A）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。
（A）较高（B）较低（C）相同（D）A或C51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正常位置的上、下位移，称为（B）。
（A）表面收缩（B）表面弛豫（C）表面滑移（D）表面扩张52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。
（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（A）。
（A）不同；相同（B）相同；相同（C）相同；不同（D）不同；不同54、粘附剂与被粘附体间相溶性（C），粘附界面的强度（）。
（A）越差；越牢固（B）越好；越差（C）越好；越牢固（D）越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C，这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。
（A）收缩（B）弛豫（C）双电层（D）B+C56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（），断裂强度（A）。