光电子习题1

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张永林第二版《光电子技术》课后习题答案解析

张永林第二版《光电子技术》课后习题答案解析

1.1可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少?波长:380~780nm 400~760nm频率:385T~790THz 400T~750THz能量:1.6~3.2eV1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么?为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量?为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应,分析光电敏感器件的光电特性,以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算,常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。

辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。

根本区别在于:前者是物理(或客观)的计量方法,称为辐射度量学计量方法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射量进行物理的计量;后者是生理(或主观)的计量方法,是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算,称为光度参数。

因为光度参数只适用于0.38~0.78um的可见光谱区域,是对光强度的主观评价,超过这个谱区,光度参数没有任何意义。

而量子流是在整个电磁辐射,所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处,将λ~λ+dλ范围内发射的辐射通量dΦe,除以该波长λ的光子能量hν,就得到光源在λ处每秒发射的光子数,称为光谱量子流速率。

1.3一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5m的高处,用照度计测得正下方地面的照度为30lx,求出该灯的光通量。

Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx1.4一支氦-氖激光器(波长为632.8nm )发出激光的功率为2mW 。

该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm 。

求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。

若激光束投射在10m 远的白色漫反射屏上,该漫反射屏的发射比为0.85,求该屏上的光亮度。

32251122()()()6830.2652100.362()()22(1cos )()0.362 1.15102(1cos )2(1cos 0.001) 1.4610/cos cos cos 0()0.3v m e v v v v v v v v v v v K V lmd I d S Rh R RI cd dI I I L cd m dS S r d M dS λλλλλππθλπθπθθπλ-Φ=Φ=⨯⨯⨯=Φ∆Φ==Ω∆Ω∆∆Ω===-∆Φ===⨯--∆∆====⨯∆Φ==52262 4.610/0.0005lm m π=⨯⨯'2'''222''2'2'100.0005(6)0.850.850.85cos 0.85155/cos 2v v v v v v v v l m r mP d r M E L dS lr L d dM l L cd m d dS d πθπθπ=>>=Φ===⋅⋅Φ====ΩΩ1.6从黑体辐射曲线图可以看书,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长 随温度T 的升高而减小。

光电子学课程习题集答案

光电子学课程习题集答案
Leabharlann 第二章 介质中的光增益
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1.在增益介质中,一束光从X=0处出发,光强 为I0。经过5CM后光强增加一倍。当光强达到 8I0时,光所传播的距离是多少?
解:利用增益系数表达式
当x=5时,I(5)=2I(0). 当I(x)=8I(0)时,仍可认为G属于小信号增益,则
则辐射能量 e e t 0.293 60 0.510 8.96W
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4. 解:线性函数表示总辐射功率为I 0 的光谱中,其中落在频率
~ d
内的辐射功率与总功率之比随频率的分布情况 。
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v2 c 0 2
11.解: 1nm
v1
8
c 0 2
c v N 2 , 2 0 4
则:
C 3 10 m / s
vN
0 =0.5 m时,
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6。实现光放大的必要条件是什么,负温度状 态的概念是什么?
答:粒子数反转是得到光放大的必要条件(见书P39)。 当出现粒子数反转时,如果在形式上使用热平衡分布公式, 就会得到负温度状态的概念。与粒子数反转相对应的等效 温度为:
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9. 经典物理观点:跃迁所发出的电磁波不是单色波,而是分 布在中心频率附近的一个小的频率范围的单色波的组合, 在谱图上正好表现为一定宽度。 量子力学观点:由测不准关系,在某一时刻,粒子所处的 能级也是不确定的,即能级不是单一的,跃迁的结果也就 相当发出了多种不同频率的光子,形成了谱线宽度。自发 辐射过程中这种增宽效益是不可避免的,也是谱线宽度所 能达到的最低值,因而决不存在线宽为0的情况,即不可 能发出绝对的单色光。 由此可见,没有绝对单一波长的光波存在。

光电子技术课后习题答案

光电子技术课后习题答案

第一章1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。

试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。

解:因为ΩΦd d ee I =, 且 ()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=-===Ω⎰22000212cos 12sin c R R l l d d rdSd c πθπϕθθ 所以⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π2. 如图所示,设小面源的面积为∆A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为∆A c ,到面源∆A s 的距离为l 0。

若θc 为辐射在被照面∆A c 的入射角,试计算小面源在∆A c 上产生的辐射照度。

解:亮度定义:r r ee A dI L θ∆cos =强度定义:ΩΦ=d d I ee可得辐射通量:Ω∆=Φd A L d s s e e θcos在给定方向上立体角为:20cos l A d c c θ∆=Ω则在小面源在∆A c 上辐射照度为:20cos cos l A L dA d E cs s e e e θθ∆=Φ=3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。

答:由θcos dA d d L e ΩΦ=得θcos dA d L d e Ω=Φ,且()22cos rl A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d rlrdrl L E πθπ=+=⎰⎰∞20022224. 霓虹灯发的光是热辐射吗?l 0SR c第1.1题图L e ∆A s ∆A cl 0 θsθc第1.2题图不是热辐射。

霓虹灯发的光是电致发光,在两端放置有电极的真空充入氖或氩等惰性气体,当两极间的电压增加到一定数值时,气体中的原子或离子受到被电场加速的电子的轰击,使原子中的电子受到激发。

光电子技术基础习题答案

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光电子技术基础习题答案第一章绪论1.光电子器件按功能分成哪几类?每类大致包含哪些器件?光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储器件。

光源器件分成电磁波光源和非电磁波光源。

电磁波光源主要包含激光和非线性光学器件等。

非电磁波光源包含照明设备光源、表明光源和信息处理用光源等。

光传输器件分为光学元件(如棱镜、透镜、光栅、分束器等等)、光波导和光纤等。

光控制器件包括调制器、偏转器、光开关、光双稳器件、光路由器等。

光探测器件分成光电导型探测器、光伏型探测器、冷伏型探测器、各种传感器等。

光存储器件分成光盘(包含cd、vcd、dvd、ld等)、光驱、光盘塔等。

2.谈谈你对光电子技术的认知。

光电子技术主要研究物质中的电子相互作用及能量相互转换的相关技术,以光源激光化,传输波导(光纤)化,手段电子化,现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化为特征,是一门新兴的综合性交叉学科。

3.谈谈光电子技术各个发展时期的情况。

20世纪60年代,光电子技术领域最典型的成就就是各种激光器的相继问世。

20世纪70年代,光电子技术领域的标志性成果是低损耗光纤的实现,半导体激光器的成熟特别是量子阱激光器的问世以及ccd的问世。

20世纪80年代,发生了大功率量子阱阵列激光器;半导体光学双稳态功能器件的获得了快速发展;也发生信汇偏光纤、光纤传感器,光纤放大器和光纤激光器。

20世纪90年代,掺铒光纤放大器(edfa)问世,光电子技术在通信领域取得了极大成功,形成了光纤通信产业;。

另外,光电子技术在光存储方面也取得了很大进展,光盘已成为计算机存储数据的重要手段。

21世纪,我们正步入信息化社会,信息与信息交换量的爆炸性快速增长对信息的收集、传输、处置、存储与表明都明确提出了紧迫的挑战,国家经济与社会的发展,国防实力的进一步增强等都更加依赖信息的广度、深度和速度。

⒋举出几个你所知道的光电子技术应用实例。

例如:光纤通信,光盘存储,光电显示器、光纤传感器、光计算机等等。

光电子技术基础与应用习题答案

光电子技术基础与应用习题答案
6 第六章 光电探测技术(十一、十二讲)
7 第七章 光电显示技术(十三、十四、十五讲) 8 第八章 光通信无源器件技术(十六、十七、十八、十九讲) 9 第九章 光盘与光存储技术(二十、二十一、二十二讲) 10 第十章 表面等离子体共振现象与应用的探究(二十三讲) 11 第十一章 连续可调太赫兹超常材料宽带低损超吸收器(二十四讲)
8. 从麦克斯韦通式(2-28)出发,推导波动方程(2-44)。
1. 填空题:
第二章 习题答案(1)
第二章 习题答案(2)
第二章 习题答案(3)
6. 输出波长为=632.8nm的He-Ne激光器中的反射镜是在玻璃上交替涂覆ZnS和 ThF2形成的,这两种材料的折射率系数分别为1.5和2.5。问至少涂覆多少个双层 才能使镜面反射系数大于99.5%?
6. 输出波长为=632.8nm的He-Ne激光器中的反射镜是在玻璃上交替涂覆ZnS和 ThF2形成的,这两种材料的折射率系数分别为1.5和2.5。问至少涂覆多少个双层 才能使镜面反射系数大于99.5%?
7. 有m个相距为d的平行反射平面。一束光以倾角投射至反射面。设每一反射平面 仅反射一小部分光,大部分光仅透射过去;又设各层的反射波幅值相等。证明 当sin=/2d时,合成的反射波强度达到最大值,这一角度称为Bragg角。
第三章复习思考题(13)
4. 简述题 (8)简述光谱线展宽的分类,每类的特点与光谱线线型函数的类型。
第三章复习思考题(14)
4. 简述题 (8)简述光谱线展宽的分类,每类的特点与光谱线线型函数的类型。
4. 简述题
第三章复习思考题(15)
第三章复习思考题(16)
4. 简述题 (10)激光器按激光工作介质来划分可分为几类?各举出一个 典型激光器,并给出其典型波长、转换效率、典型优点。

光电子技术及应用(第2版)章节习题及自测题参考答案

光电子技术及应用(第2版)章节习题及自测题参考答案

光电子技术及应用(第2版)章节习题及自测题参考答案第一章习题参考答案一、单选题1.ABCD2.ABC3.ABC4.D5.B6.C7.B8.B9. A 10.A二、填空题11.500,30012.无线电波,.红外光,可见光和紫外光,X 射线,γ射线13.0.77---1000μm ,近红外,中红外和远红外14.泵浦源,谐振腔和激活介质15.频率,相位,振幅及传播方向16.受激辐射,实现粒子数反转,谐振腔;方向性好,相干性好,亮度高 17.935μm18.919.125103.1--⋅⋅⨯s m kg20.三、计算题21.解:(1)根据距离平方反比定律2/R I E e e =,太阳的辐射强度为sr W R E I e e /10028.3252⨯==。

得到太阳的总功率为W I e e 26108.34⨯==Φπ(2)太阳的辐射亮度为()sr cm W A I L e ./10989.127⨯== 太阳的辐射出射度为27/1025.6m W L M e e ⨯==π 太阳的温度为K M T e 57614==σ22.解:222z r r ='=,22cos cos z r z+'='=θθ,r d r dS '∆'=ϕ 由:2cos cos r BdS S d d dE θθ'='Φ'=2202222022)(2cos 2z R RB z r r d r z B r d r r B E R R+=+'''=''=⎰⎰ππθπ 23.解:设相干时间为τ,则相干长度为光束与相干时间的乘积,即c L c ⋅=τ 根据相干时间和谱线宽度的关系c L c v ==∆τ1 又因为00γλλv ∆=∆,λc v =0,nm 8.6320=λ由以上各关系及数据可以得到如下形式:单色性=101200010328.6108.632-⨯===∆=∆nm nm L v v c λλλ 24.证明:若t=0时刻,单位体积中E 2能级的粒子数为n 20,则单位体积中在t→t+dt 时间内因自发辐射而减少的E2能级的粒子数为:2122122120A t dn A n dt A n e dt --==故这部分粒子的寿命为t ,因此E2能级粒子的平均寿命为212120020211A t tA n e dtn A τ∞-==⎰ 25.解:设两腔镜1M 和2M 的曲率半径分别为1R 和2R ,121m,2m R R =-=工作物质长0.5m l =,折射率 1.52η=根据稳定条件判据:(1) 其中(2) 由(1)解出2m 1m L '>>由(2)得所以得到: 2.17m 1.17m L >>第二章习题参考答案011 1 21L L ''⎛⎫⎛⎫<-+< ⎪⎪⎝⎭⎝⎭() l L L l η'=-+10.5(1)0.171.52L L L ''=+⨯-=+一、选择题1.ABCD2.D3.ABCD4.AC5.ABCD6.A7.A8.A9.A 10. B二、 是非题911.√ 12.× 13.× 14.× 15.√ 16.√三、 填空题17.大气气体分子及气溶胶的吸收和散射;空气折射率不均匀;晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关,当晶体被施加电压后,将引起束缚电荷的重新分布,并导致离子晶格的微小形变,从而引起介电系数的变化,并最终导致晶体折射率变化的现象。

光电子技术-习题解答

光电子技术-习题解答

1. 什么是光电子技术?当前光电子技术备受重视的原因是什么?答:光电子技术是研究从红外波、可见光、X射线直至γ射线波段范围内的光波。

电子技术,是研究运用光子和电子的特性,通过一定媒介实现信息与能量转换、传递、处理及应用的科学。

因为光电子技术的飞速发展,使得光电子技术逐渐成为高新科学技术领域内的先导和核心,在科学技术,国防建设,工农业生产、交通、邮电、天文、地质、医疗、卫生等国民经济的各个领域内都获得了愈来愈重要的应用,特别是正逐渐进入人们的家庭,因此光电子技术备受重视。

2. 什么叫光的空间相干性?时间相干性?光的相干性能好差程度分别用什么衡量?它们的意义是什么?答:空间相干性是指在同一时刻垂直于光传播方向上的两个不同空间点上的光波场之间的相干性,空间相干性是用相干面积Ac来衡量,Ac愈大,则光的空间相干性愈好。

时间相干性是指同一空间点上,两个不同时刻的光波场之间的相干性,用相干时间t c=L c/c来衡量,t c愈大,光的时间相干性愈好。

3. 世界上第一台激光器是由谁发明的?它是什么激光器?它主要输出波长为多少?答:1960年5月16日、美国梅曼博士、红宝石激光器、6943Å。

4. 自发辐射与受激辐射的根本差别是什么?为什么说激励光子和受激光子属同一光子态?答:差别在有没有受到外界电磁辐射的作用;因为有相同的频率、相位、波矢和偏振状态。

5. 为什么说三能级系统实现能态集居数分布反转要比四能级系统困难?答:因为三能级系统的上能级为E2,下能级为E1,在E2上停留的时间很短,而四能级系统在E3上呆的时间较长,容易实现粒子数反转。

6. 激光器的基本组成有哪几部分?它们的基本作用是什么?答:组成部分:工作物质、泵浦系统、谐振腔工作物质提供能级系统、泵浦源为泵浦抽运让粒子从下能级到上能级条件、谐振腔起正反馈作用7. 工作物质能实现能态集居数分布反转的条件是什么?为什么?对产生激光来说,是必要条件还是充分条件,为什么?答:工作物质要具有丰富的泵浦吸收带,寿命较长的亚稳态,要求泵浦光足够强;必要条件,因为它还以kkk谐振腔内以提供正反馈。

光电子技术复习题(一)

光电子技术复习题(一)

一.单项选择题1. 光电转换定律中的光电流与 BA 温度成正比B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比2. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是 AA 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度短B 超声波频率高,光波平行声波面入射,声光作用长度短C 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度长D 超声波频率低,光束与声波面间以一定角度入射,声光作用长度短3.光束调制中,下面属于外调制的是 ABDA 声光调制B 电光波导调制C 半导体光源调制D 电光强度调制4.红外辐射的波长为[ d ] A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm5.激光具有的优点为相干性好、亮度高与[ b ]A 多色性好B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱6.能发生光电导效应的半导体是 cA本征型和激子型 B本征型和晶格型C本征型和杂质型D本征型和自由载流子型7.光敏电阻的光电特性由光电转换因子γ描述,在强辐射作用下AA. γ=0.5B. γ=1C. γ=1.5D. γ=28.电荷耦合器件分 [ A ]A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD9.光通亮φ的单位是[ C ]A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C流明 (lm) D坎德拉(cd)10.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光与红外光谱区 B可见光与紫外光谱区 C可见光区 D 可见光与红外光谱区13.光视效能Kλ为最大值时的波长是AA.555nm B.666nm C.777nm D.888nm14.可见光的波长范围为[C ]A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm15.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和C ]A 计算B 显示C 检测D 输出16. 辐射通亮φe的单位是[B ]A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)二.填空题1. 光在大气中传播,将会使光速的能量衰减,其主要因素来源于大气衰减、大气湍流效应。

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一·光电子技术1)谐振子处于n ψ态下,计算()212⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆x x x ,()212⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆p p p ,?=∆⋅∆p x解:()2/1222/1222/12)(]2[x x x x x x x x x -=+-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆同理可得出:()2/1222/12)(p p p p p -=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆由本征函数的正交归一性可知:)(0)(1{*n m n m dx n m ≠==⎰∞+∞-ψψ由厄密(Hermite )多项式递推关系得:)]()2)(1()()12()()1([21)()](21)(2[1)(222211x n n x n x n n x x x n x n x x n n n n n n n +-+-+++++-=++=ψψψαψψψαψ则由以上三个公式可以得出:⎰⎰∞+∞-+-∞+∞-=++==0)](21)(2[1)(11**dx x n x n x dx x x n n n n n ψψαψψψ dx x n n x n x n n x dx x x x n n n n n n⎰⎰+∞∞-+∞∞-+-+++++-==)]()2)(1()()12()()1([21)()(222*2*2ψψψαψψψ ⎰+∞∞-+=dx x n x n n )()12(21)(2*ψαψ)12(212+=n α又 ωαm =2x ∴)12(212+=n αωωm n m n )21(212+=+= 由厄密(Hermite )多项式的求导公式可得:]212[)(11+-+-=n n n n n x dx d ψψαψ ])2)(1()12()1([2)(22222+-++++--=n n n n n n n n n x dx d ψψψαψ 则0]212[)()(11**=+--=∇-=⎰⎰+-dx n n i dx ih P n n n n n ψψαψψψwm n mw n n n dxn n n n n dx ih P n n n nn n)21(2)12(2)12()]12([2])2)(1()12()1([2)()(22222222*22*2+=+=+=+--=++++---=∇-=⎰⎰+-ααψψψαψψψ因此可以得出:()212122212])21[()(mwn x x x x x +=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆,()212122212])21[()(w m n p p p p p +=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆)21(.+=∆∆∴n p x2)荷电q 的谐振子,受到外电场ε的作用,x q x m x V εω-=2221)( (1)求能量本征值和本征函数。

解:222222222)(2121)(mwq mw q x mw x q x m x V εεεω--=-= 则令222'22,mw q E E mw q x X εε+=-=,哈密顿算符222222222212mw q X mw dx d m H ε-+-=∧ 因此本征函数为ψψψ'22222212E X mw dx d m =+- ,其中222'22,mwq E E mw qE x X ε+=-= 则特征解为:2202/)()(x X x Xn n n eH N X -=ψ, ,.....2,1,0,)21('=+=n w n E n 能量本征值为:,......2,1,0,2)21(2222222'=-+=-=n mw q w n mw q E E nn εε 3)设粒子在下列势阱中运动,⎪⎩⎪⎨⎧><∞=.0,21,0,)(22x x m x x V ω 求粒子能级。

解:由已知条件可知,粒子不能穿过0<x 区域,所以0<x 时,0)(=x n ψ 由函数的连续性可知:0)0(=n ψ 而当0>x 时,2221)(x m x V ω=,此时与一维线性谐振子的情况相符。

此时又有0)0(=n ψ,因此可知偶宇称情况不成立,振子只具有,..)2,1,0(12=+=k k n 的奇宇称情况。

所以,.....2,1,0,)223()21(=+=+=k w k w n E 或者,.....5,3,1,)21(=+=n w n E4)利用测不准关系估算谐振子的基态能量。

解:假设该谐振子为沿x 轴方向的一维线性谐振子,则该谐振子的能量为:22222212/2121x mw m p kx mv E +=+=由于振子在平衡位置附近振动,所以取p p x x ≈∆≈∆,,则222)(212)(x mw m p E ∆+∆=因为测不准关系为:2. ≥∆∆p x ,取等号,则xp ∆=∆2因此2222)(21)(8x mw x m E ∆+∆= 因为当位于基态时能量E 最小,因此:0)()(4)(23222=∆+∆-=∆x mw x m x d E d 此时mw x 2 =∆,则基态能量为:w E 21min = 若当谐振子处于三维状态下,同理可得:w E ox 21=,w E w E oz oy 21,21== 谐振子处于三维状态下的基态能量为:w E E E E oz oy ox 23=++=二·光电子技术1.已知厄米算符z L 有三个本征值,按序排列为 -,0,,在z L 表象中,y L 的矩阵为⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛--=0000022ˆi i i i L y ,(a )求y L 的本征值和归一化本征函数,(b )以它们为基组,可以建立y L 表象,求从z L 表象到y L 的么正矩阵,(c )并求出z L 在y L 表象中的矩阵表示。

解:z Z L L 在∧自身表象中的矩阵表示为:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-=1000000010000000 z L 这是一个对角阵,对角元即本征值。

z L ∴表象的基组在z L 表象中得表示为:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡==001 z l ,⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡==0100z l ,⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=-=100 z l (a )设y L 在z L 表象中得本征矢为⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡c b a ,本征值方程为: ⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡--c b a c b a l c b a i y λ 010******** 其中 λ=y l 为本征值,待定。

此式也可改写成:0202202=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡-----c b a i i ii λλλ (a ) 方程解为:022202=-----λλλi ii i 将行列式展开后得出:03=+-λλ,1,0±=λ于是y l 也有三个本征值,按从大到小的次序排列为: -=,0,y l 分别以1,0,1-=λ代入(a )式,解出a,b,c 的关系,再归一化1),,(***=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡c b a c b a对归一化常数选取适当的不定因子(取α=0),可有:⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡-==212221i l y ,⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡==220220y l ,⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡--=-=212221i l y(b )以这三个本征矢作列向量,所构成的矩阵就是从z L 表象到y L 的么正变换矩阵:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡---=12120212121i iS (c )y L 在自身表象中得表示为对角的,对角元即本征值,z L 在y L 表象中得表示可由S L S L z z +='求出(实际地做三个矩阵的乘法),结果为:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-=010*******,0000000'' z y L L ⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡--=000002'i i i i L z2.证明:ˆˆˆˆˆˆ,cos sin ,,sin cos Ni N i φφφφ⎡⎤⎡⎤=-=⎣⎦⎣⎦证明: )(21cos ∧∧-∧+=φφφi i e e ;)(21sin ∧∧-∧-=φφφi i e e i∴],[21],[21)](21,[]cos ,[∧∧∧∧-∧∧-∧∧∧+=+=φφφφφi i i i e N e N e e N N ;],[21],[21)](21,[]sin ,[∧∧∧∧-∧∧-∧∧∧-=-=φφφφφi i i i e N ie N i e e i N N又 ∧∧+=∧a N e i 11φ;11ˆ+=∧+-∧N a e i φ;aa N ˆ],[-=∧∧;]ˆ,[+∧a N =+a ˆ ∴=∧∧],[φi e N =+-=+=+∧∧∧∧∧∧∧∧1],[11]11,[N a a N N a N N ∧-φi e=∧-∧],[φi eN =+=+=+∧++∧∧∧+∧1ˆ]ˆ,[11]11ˆ,[N aaN N N aN ∧-φi e∴],[21],[21]cos ,[∧∧-∧∧∧∧+==φφφi i e N e N N =--=+-=∧∧∧∧--)(2121)(21φφφφi i i i e e e e ∧-φsin i],[21],[21]sin ,[∧∧-∧∧∧∧-=φφφi i e N i e N i N =∧--=+=--∧∧∧∧φφφφφcos )(221)(21i e e i e i e i i i i i三·光电子技术1. 何为电光晶体半波电压?半波电压由晶体那些参数决定?解:光波在光晶体中传播时,当光波的两个垂直分量Ex’,Ey’的光程差为半个波长时(对应的相位差为180度)所需要加的电压,称为半波电压。

半波电压由晶体的折射率,波长,晶体厚度,非线性系数决定。

2. 一纵向运用的KDP 电光调制器,长为2cm ,折射率n =2.5,工作频率为1000kHz 。

试求此时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。

解:渡越时间 τ=cnL=2.5⨯0.02÷(3⨯108)≈1.67⨯10-10S 相位延时∆ϕ(t )=e e m mi m i t t i t d t E n ac τττωτωωϕ)1()(---∆=''⎰ 其中f m =τ414=nL c ωm =τπ2 3. 在电光调制器中,为了得到线性调制,在调制器中插入一个λ/4波片,波片的轴向如何设置最好?若旋转λ/4波片,它所提供的直流偏置有何变化?解:其快慢轴与晶体的主轴x 成45︒角,从而使E x ’和E y ’两个分量之间产生π/2固定相位差。

总相位差为∆ϕ=∆θ+∆ϕm 其中△ϕm = πV/V π 获得线性调制,调制器的电压偏置T =50%的工作点上。

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