材料科学基础部分名词解释
1、晶界内吸附：少量杂质或合金元素在晶体内部的分布式不均匀的，偏聚于晶界合金元素或杂质元素融入基体后与晶体缺陷产生相互作用，溶质原子在内界面缺陷区的浓度超过基体中的平均浓度。
2、菲克第一定律：在单位时间内通过垂直扩散方向的单位截面积的扩散物质与该界面处的浓度梯度成正比。
3、菲克第二定律：在非稳态扩散过程中，距离X处，浓度随时间的变化率等于该处的扩散通量随距离变化率的负值。
4、上坡扩散：溶质原子从低浓度向高浓度处扩散的过程。
5、配位数：晶体结晶中任一原子周围最近且等距离的原子个数。
6、均匀形核：在母相中自发形成新相结晶核心的过程。
7、致密度：晶体结构中原子体积与占总体积的百分数。
8、蠕变：金属材料长期处于高温条件下在低于屈服点的应力作用下，缓慢而持续不断的增加材料塑性变形的过程。
9、位错：已滑移区与未滑移区的分界部分。
10、马氏体转变：同成分、不变平面切变类型的固态转变。
11、晶体：质点（原子、分子或离子）以周期性重复方式在三维空间做有规则的排列的固体。
12、形变强化：由塑性变形引起的材料强度、硬度升高的现象。
13、间隙固溶体：将外来组元引入晶体结构，占据主晶相同间隙位置的一部分，仍保持一个晶相这种固溶体。这种固溶体称为间隙固溶体。
14、空位：未被原子占据的阵点。
15、间隙扩散：扩散原子在晶体间隙间跃迁导致的扩散。
16、包晶转变：由一个固相和一个液相形成一个新固相的转变。
17、成分过冷：由成分变化和实际温度分布两个因素决定的过冷。
18、回复：冷塑性变形金属加热时，光学显微组织发生变化前亚结构的变化。
19、晶体缺陷：实际晶体结构与理想点阵结构发生偏差的区域。
20、反应扩散：伴随有反应的扩散。
21、非均匀形核：晶胚依附在其他基体表面形成核心。
22、伪共晶：共晶点附近非共晶成分的合金非平衡凝固后得到的共晶组织。
23、再结晶：由拉长的变形晶粒变为新的轴晶粒。
24、加工硬化：从机械性能上看，形变量越大形变金属的强度和硬度越高，而塑性韧性下降的现象。
25、肖脱基空位：离位原子跑到晶体表面或晶界所形成的空位。
26、全位错：柏氏矢量等于点阵矢量的位错。
27、自扩散：纯物质晶体中的扩散。
28、孪生：切应力作用下晶体的一部分相对于另一部分沿着特定的晶面、晶体学方向产生的均匀切变过程。
29、相：体系中具有相同的物理化学性质的均匀部分。
30、攀移：刃型位错除了可以在滑移面上滑移外，还可以发生垂直于滑移面的运动。
31、柏氏矢量：为了描述位错而引起的描述晶体原子位置错动的大小和方向。
32、晶带：所有相交与某一晶向直线或平行与此直线的晶面与该晶向直线一起构成一个晶带。33，枝晶偏析：一个晶粒内部出现的化学成分不均匀现象，为晶内偏析，由于一般合金的固溶体都以树枝方式结晶。
34、莱氏体：液相通过共晶转变生成的奥氏体和渗碳体组成的共晶体。
35、柯肯达尔效应：在置换固溶体中由于两组元的原子以不同速率相对扩散而引起标记面漂移的现象。
36、空间点阵：把原子或原子团按某种规律抽象成三维空间排列的点，这些有规律排列的点称为空间点阵。
37、微观偏析：是在一个晶粒范围内成分不均匀的现象。根据凝固时晶体生长形态的不同，可分为枝晶偏析、胞状偏析和晶界偏析。
38、再结晶织构：冷塑性变形的金属在再结晶后组织中形成了具有择优取向的晶粒。
40、相图：描述系统的状态温度压力与成分之间关系的一种图解。
半导体名词解释
1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义 答：8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义 答：是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P-type wafer 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module) 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
西方经济学(宏观部分)名词解释
第十二章 一、国内生产总值是指一国或一定地区在一定时间内运用生产要素所生产的全部最终产品（物品和劳务）的市场价值的总和。这一定义包含以下六个方面的规定： 1、GDP是一个市场价值的概念。 2、GDP测度的是最终产品的价值（包括有形的物质产品与无形的劳务），中间产品价值不计入GDP。 3、GDP是一定时期内（往往为一年）所生产而不是所售卖掉的最终产品价值。 4、GDP是计算期内生产的最终产品价值，是流量而不是存量。流量是时期数，存量是时点数；流量来自存量又归入存量。 5、GDP是一国范围内生产的最终产品的市场价值，从而是一个地域概念。 6、GDP一般仅指市场活动导致的价值。 二、1、名义GDP是指用生产物品和劳务的当年价格计算的全部最终产品的市场价值。 2、实际GDP是指用从前某一年作为基期的价格计算出来的全部最终产品的市场价值。 三、GDP的局限性：1、不能反映社会成本。2、不能反映经济增长方式付出的代价。3、不能反映经济增长的效率和效益。4、不能反映人们的生活质量。5、不能反映社会收入和财富分配的状况。 第十三章 1、均衡产出是指和总需求相等的产出。也就是经济社会的收入正好等于全体居民和企业想要有的支出，即总需求与总供给相等时的产出水平。 2、边际消费倾向：MPC表示增加或减少的消费量与增加或减少的收入之比率。 3、平均消费倾向：APC指任一收入水平上消费支出在收入中的比率。 4、从家户消费函数求取社会消费函数时，要考虑一系列限制条件。 ⑴国民收入分配的不同。这将导致不同收入阶层的MPC不同。 ⑵政府的税收政策； ⑶公司未分配利润在利润中所占的比例。 5、棘轮效应：消费者易于随着收入的提高而增加消费，但不易于随着收入的降低而减少消费，以致产生有正截距的短期消费函数。 6、示范效应：指消费者的消费行为要受周围人们的消费水准影响。 7、影响消费的因素（1）、收入变动(2)、利率变动(3)、价格水平(4)、收入分配(5)、社会保障制度 8、（1）投资乘数：指收入的变化与带来这种变化的投资支出的变化的比率。 （2）政府购买支出乘数：收入变动对引起这种变动的政府购买支出变动的比率。 （3）税收乘数：收入变动对引起这种变动的税收变动的比率。 （4）政府转移支付乘数：指收入变动对引起这种变动的政府转移支付变动的比率。 （5）平衡预算乘数指政府收入和支出同时以相等数量增加或减少时国民收入变动对政府收支变动的比率。 9、乘数作用大小的限制条件：（1）是社会中过剩的生产能力的大小 （2）是投资和储蓄决定的相互独立性 （3）是货币供给量增加能否适应支出增加的需要 （4）是增加的收入不能用于购买进口货物，否则GDP增加会受到限制。 第十四章 1、资本边际效率（MEC）是一种贴现率，这种贴现率（也代表投资的预期收益率）使一项资本品的使用期内各个预期收益的现值之和正好等于该资本品的供给价格或重置成本。
材料科学基础名词解释
第二章 1.定性描述晶体结构的参量有哪些？定量描述晶体结构的参量又有哪些？ 定性：对称轴、对称中心、晶系、点阵、晶胞定量：晶胞参数，晶向指数 1.依据结合力的本质不同，晶体的键合作用分为哪几类？其特点是什么？ 共价键、离子键、金属键、范德华键、氢键。 离子键：没有方向性和饱和性，结合力很大。 共价键：具有方向性和饱和性，结合力也很大，一般大于离子键。 金属键：没有方向性和饱和性的共价键，结合力是原子实和电子云之间的库仑力。 范德华键：是通过分子力而产生的键合，结合力很弱 氢键：是指氢原子与半径较小，电负性很大的原子相结合所形成的键。 2.等径球最紧密堆积的空隙有哪两种？一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？ 六方最密堆积、面心立方紧密堆积，8个四面体空隙，6个八面体空隙 3.n个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？不等径球是如何进行堆积的？2n个四面体空隙，n个八面体空隙。 不等径球堆积时，较大球体作等径球的紧密堆积，较小的球填充在大球紧密堆积形成的空隙中。其中稍小的球体填充在四面体空隙，稍大的则填充在八面体空隙，如果更大，则会使堆积方式稍加改变，以产生较大的空隙满足填充的要求。 4.解释下列概念 晶体：是内部质点在三维空间有周期性和对称性排列的固体。 晶系：晶体根据其在晶体理想外形或综合宏观物理性质中呈现的特征对称元素可划分为立方、六方、三方、四方、正交、单斜、三斜等7类，是为7个晶系。（六三四立方，单三斜正交） 晶包：是从晶体取出反映其周期性和对称性的结构的最小重复单元。 晶胞参数：晶胞的形状和大小可以用6个参数来表示，此即晶胞参数，它们是三条棱边的长度a,b,c和三条棱边的夹角a,B,r. 空间点阵：空间点阵是一种表示晶体内部质点排列规律的几何图形。 米勒指数：是晶体的常数之一，是晶面在3个结晶轴上的截距系数的倒数比，当化为最简单的整数比后，所得出的3个整数称为该晶面的米勒指数。 离子晶体的晶格能：晶格能又叫点阵能。它是在OK时1mol离子化合物中的正、负离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量。 配位数：配位数是中心离子的重要特征。直接同中心离子(或原子)配位的原子数目叫中心离子(或原子)的配位数。 离子极化：离子极化指的是在离子化合物中，正、负离子的电子云分布在对方离子的电场作用下，发生变形的现象。离子极化能对金属化合物性质产生影响。主要表现为离子间距离缩短，离子配位数降低，同时变形电子云相互重合，使键性由离子键向共价键过渡，最终使晶体结构类型发生变化。 同质多晶和类质同晶：同质多晶是一种物质在不同热力学条件下形成两种或两种以上不同结构的现象，由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体，称为变体。类质同晶：化学组成相似的物质，在相同的热力学条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种结构称为类质同晶现象。 正尖晶石与反正尖晶石：在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据八面体空隙，则称为正尖晶石。反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。 铁电效应：有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。
半导体物理之名词解释
1.迁移率 参考答案： 单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：* q m τμ= 可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。 影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。 n p neu peu σ=+ 2.过剩载流子 参考答案： 在非平衡状态下，载流子的分布函数和浓度将与热平衡时的情形不同。非平衡状态下的载流子称为非平衡载流子。将非平衡载流子浓度超过热平衡时浓度的部分，称为过剩载流子。 非平衡过剩载流子浓度：00,n n n p p p ?=-?=-，且满足电中性条件：n p ?=?。可以产 生过剩载流子的外界影响包括光照（光注入）、外加电压（电注入）等。 对于注入情形，通过光照或外加电压（如碰撞电离）产生过剩载流子：2i np n >，对于抽取情形，通过外加电压使得载流子浓度减小：2i np n <。 3. n 型半导体、p 型半导体 N 型半导体：也称为电子型半导体.N 型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体.在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N 型半导体.在N 型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电.自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成.掺入的杂质越多,多子（自由电子）的浓度就越高,导电性能就越强. P 型半导体：也称为空穴型半导体.P 型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体.在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P 型半导体.在P 型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电.空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成.掺入的杂质越多,多子（空穴）的浓度就越高,导电性能就越强. 4. 能带 当N 个原子处于孤立状态时，相距较远时，它们的能级是简并的，当N 个原子相接近形成晶体时发生原子轨道的交叠并产生能级分裂现象。当N 很大时，分裂能级可看作是准连续
半导体物理名词解释
半导体物理名词解释
1.单电子近似：假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。 2.电子的共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动。 3.允带、禁带： N个原子相互靠近组成晶体，每个电子都要受到周围原子势场作用，结果是每一个N度简并的能级都分裂成距离很近能级，N个能级组成一个能带。分裂的每一个能带都称为允带。允带之间没有能级称为禁带。 4.准自由电子：内壳层的电子原来处于低能级，共有化运动很弱，其能级分裂得很小，能带很窄，外壳层电子原来处于高能级，特别是价电子，共有化运动很显著，如同自由运动的电子，常称为“准自由电子”，其能级分裂得很厉害，能带很宽。 6.导带、价带：对于被电子部分占满的能带，在外电场的作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流，起导电作用，常称这种能带为导带。下面是已被价电子占满的满带，也称价带。 8.（本证激发）本征半导体导电机构：对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。 9.回旋共振实验意义：这通常是指利用电子的回旋共振作用来进行测试的一种技术。该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量，并从而可求得能带极值附近的能带结构。当交变电磁场角频率W等于回旋频率Wc时，就可以发生共振吸收，Wc=qB/有效质量 10.波粒二象性，动量，能量 P=m0v E=1 2P2 m0 P=hk 1.间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
经济学名词解释整理版
1、通货膨胀税：政府因向银行透支、增发纸币来弥补财政赤字，降低人们手中货币的购买力。它一般是市场经济国家政府执行经济政策的一种工具。 2、财富效应(也称庇古效应或实际余额效应)：认为如果人们手中所持有的货币及公债等资产的实际价值增加而导致财富增加，人们更加富裕，就会增加消费支出，因而将进一步增加消费品的生产和增加就业。 3、全要素生产率（Total Factor Productivity）"，衡量单位总投入的总产量的生产率指标。分子是总产出（即，CDP），分母是资本、劳动和资源的加权平均数。全要素生产率的增长率常常被视为科技进步的指标。全要素生产率的来源包括技术进步、组织创新、专业化和生产创新等。产出增长率超出要素投入增长率的部分为全要素生产率（TFP，也称总和要素生产率）增长率。 影响经济增长的因素是多方面的：首先，经济增长是构成生产能力的诸要素综合作用的结果，决定生产能力的各种因素都影响着经济增长；其次，经济增长是整个社会发展过程的一部分，对社会发展有影响的因素也会影响到经济增长。美国经济学家丹尼森将影响经济增长的因素分为两大类：总投入量（即劳动和资本的要素投入量）以及单位投入量的产出量（即全要素生产率），其他（诸如土地、非正常因素、农业气候、劳动争议、需求强度）可以略而不计。由于全部要素生产率可以全面反映生产效率的变化，体现了技术进步的作用，因此，全要素生产率的增长常被用以表示技术进步的速度，而且在分析经济增长因素时，也常常用技术进步替换全部要素生产率这一概念。 3、流动性偏好陷阱或凯恩斯陷阱（Keynes trap）：当利率极低，人们会认为这种利率不大可能再降，或者说有价证券市场价格不大可能上升而只会跌落时，人们不管有多少货币都愿意持在手中，这种情况被称为“凯恩斯陷阱”或“流动偏
材料科学基础最全名词解释
1.固相烧结：固态粉末在适当的温度，压力，气氛和时间条件下，通过物质与气孔之间的传质，变为坚硬、致密烧结体的过程。 液相烧结：有液相参加的烧结过程。 2.金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 3.离子键：金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子，使自己成为带正电的正离子，而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子，这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。 共价键：由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。氢键：由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子（O，F，N等）相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。 弗兰克缺陷：间隙空位对缺陷 肖脱基缺陷：正负离子空位对的 奥氏体：γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。 布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外，还考虑阵点位置所构成的点阵。 不全位错：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 玻璃化转变温度：过冷液体随着温度的继续下降，过冷液体的黏度迅速增大，原子间的相互运动变得更加困难，所以当温度降至某一临界温度以下时，即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。 表面能:表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量称为表面自由能（或表面能）。 半共格相界：若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大，则在相界面上不可能做到完全的一一对应，于是在界面上将产生一些位错，以降低界面的弹性应变能，这时界面上两相原子部分地保持匹配，这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。 柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向，也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 柏氏矢量物理意义： ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说：一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说：表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。 部分位错：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 包晶转变：在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 包析转变：两个一定成分的固相在恒温（T）下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似，只是包析转变中没有液相，只有固相。 粗糙界面：界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着，这时界面称为微观粗糙界面。 重合位置点阵：当两个相邻晶粒的位相差为某一值时，若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵。 成分过冷；界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。
半导体物理考试名词解释
1. 有效质量:粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括 了半导体内部势场的作用。 2. 费米能级:费米能级是T=0 K时电子系统中电子占据态和未占据态的分界线，是T=0 K时系统中电子所能具有的最高能量。 3. 准费米能级:半导体处于非平衡态时，导带电子和价带空穴不再有统一的费米能级，但可以认为它们各自达到平衡，相应的费米能级称为电子和空穴的准费米能级。 4. 金刚石型结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式 晶体，它是由两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。每个原子周围都有4个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。 5. 闪锌矿型结构：闪锌矿型结构的晶胞，它是由两类原子各 自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。 6. N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使 之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。7. P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）， 使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。 8. 状态密度:在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子 态数 9. 费米分布函数:大量电子在不同能量量子态上的统计分布 10.非平衡载流子:半导体处于非平衡态时，比平衡态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。Δp=Δn 11.直接复合：电子从导带直接跃迁至价带与空穴相遇而复 合。 12.间接复合:电子通过禁带中的能级而跃迁至价带与空穴 相遇而复合。 13.施主能级:通过施主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能 级，被子施主杂质束缚的电子能量状态称施主能级。 14 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能 级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 15.陷阱中心:半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能 级，这些能级具有收容部分非平衡载流子的作用，杂质能级的这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。把产生显著陷阱效应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 16.复合中心：半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定 的能级，对非平衡载流子的寿命有很大影响。杂质和缺陷越多，寿命越短，杂质和缺陷有促进复合的作用，把促进复合的杂质和缺陷称为复合中心。（2分） 17等电子复合中心：等电子复合中心：在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中掺入一定量的与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子和主原子之间电负性的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心，带电中心会吸引和被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。 18.迁移率：单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物 理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：μ=qτ/m* 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。 19.漂移运动:载流子在电场作用下的运动。总漂移电流密度方程 E pq nq J J J p n p n ) (μ μ+ = + = 20.扩散运动：当半导体内部的载流子存在浓度梯度时，引起载流子由浓度高的地方向浓度低的地方扩散，扩散运动是载流子的有规则运动。电子扩散电流dx dn qD J n diff n = , 空穴扩散电流dx dp qD J p diff p - = , 21.简并半导体:对于重掺杂半导体，费米能级接近或进入导带或价带，导带/价带中的载流子浓度很高，泡利不相容原理起作用，电子和空穴分布不再满足玻耳兹曼分布，需要采用费米分布函数描述。称此 类半导体为简并半导体。满足的条件 为 22.非简并半导体:掺杂浓度较低，其费米能级EF在禁带中 的半导体;半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体 23迁移率：单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为：μ=qτ/m* 。可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。 24硅中掺金的工艺主要用于制造＿＿器件。 若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是＿＿。 25.Pn结外加反向偏压时，流过pn结的电流比由扩散理论得 到的理论结果要大，而且随外加反向偏压的增大而缓慢增加。除扩散电流外，该电流还包括＿＿。 26若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿＿。 27室温下，，已知Si的电子迁移率为， Dn为。 28在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其。 28．有效陷阱中心的位置靠近。 29.对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级Ef随 温度上升而。 30.长声学波对载流子的散射几率Ps与温度T的关系 是，由此所决定的迁移率与温度的关系为31.已知硅的禁带宽度为1.12eV，则本征吸收的长波限为 （微米），锗的禁带宽度为0.67eV，则长波限为（微米）。 32.复合中心的作用是。起有效复合中 心的杂质能级必须位于，而且对电子和空穴的俘获系数rn 和rp 须满足。 0.026 k T q V =
半导体工艺英语名词解释
半导体工艺英语名词解释 CMP CMP 是哪三个英文单词的缩写 答：Chemical Mechanical Polishing (化学机械研磨) CMP是哪家公司发明的 答：CMP是IBM在八十年代发明的。 简述CMP的工作原理 答：化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，用化学研磨液(slurry)来研磨的。为什幺要实现芯片的平坦化 答：当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管，要使这些晶体管能够正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流，这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这幺多的晶体管连接起来，平面布线是不可能的，只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中，层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化，使多层布线成为了可能。 CMP在什幺线宽下使用 答：CMP在微米以下的制程要用到。 什幺是研磨速率（removal rate） 答：研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。 研磨液(slurry)的组成是什幺 答：研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles)，以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。 为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove) 答：研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布，使得研磨后芯片上的膜厚达到均匀。 为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning) 答：研磨垫在研磨一段时间后，就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。 什幺是blanket wafer 什幺是pattern wafer 答：blanket wafer 是指无图形的芯片。pattern wafer 是指有图形的芯片。
新制度经济学部分名词解释和简答
新制度经济学 第一章绪论 名词解释 新制度经济学：是以经济学方法研究制度的构成、运行、演进及其影响的经济学。 机会主义行为：是指人具有随机应变、投机取巧、为自己谋取更大利益的行为。 不完全理论理性：诺思认为，人的理性不完全的含义：一是环境是复杂的，在经济活动交易中，人们面临的是一个复杂的、不确定的世界，而且交易越多，不确定性就越大，信息也就越不完全。二是人对环境的计算能力和认识能力是有限的，人不可能无所不知。 单选 BBBCDCB 简答题 1、新制度经济学是怎样产生的？ 1937年科斯的《企业的性质》一文首次“发现”了交易费用，为新制度经济学的产生奠定了坚实的基础。 1960年科斯的《社会成本问题》一文提出了著名的“科斯定理”，揭示了制度对资源配置的重要意义，标志着新制度经济学的形成。 2、新制度经济学研究对象是什么？ NIE是以经济学方法研究制度的构成、运行、演进及其影响的经济学。 (1) NIE对制度的构成、运行、演进及其影响的研究所使用的是“经济学”方法。 (2) NIE重点研究的是“制度的构成、运行、演进及其影响”。NIE不仅要对所有制度的构成、运行、演进及其影响的共性进行深入的研究，而且十分关注经济生活中对经济绩效至关重要的一些具体制度（如产权、契约、企业、国家等）的构成、运行、演进及其影响。 5、新制度经济学对新古典经济学关于人的行为假设有何修证和扩展？ （1）对经济人假设的扩展——人既有利己主义的一面，也有利他主义的一面 （2）从合理利己到机会主义行为及诚信假设的提出 （3）从完全理性到不完全理性的行为假设 7、新制度经济学与新古典经济学有什么联系？ A 新制度经济学坚持新古典经济学个人理性主义前提下的均衡分析框架，坚持偏好、技术、禀赋三大结构，坚持完全竞争的工具性假设。 B 引入交易成本范畴，拓展新古典经济学的分析框架。 C 运用传统的成本—收益分析方法对经济制度作局不能均衡分析和比较静态分析，以效率为标准，解释制度产生的原因及其变迁根据。 概括为：新制度经济学利用新古典经济学的理论和方法去分析制度问题，但是这种利用并不是一种简单的、照搬式的应用，而是一种修正、有发展的运用。 威廉姆森指出：“新制度经济学家认为，他们正在做的乃是对常规分析的补充，而不是对它的取代”。 8、新制度经济学与旧制度经济学是什么关系？ 差别：价值判断标准不一样、研究对象的把握不同、对新古典经济学的态度不同、在理论一般性方面的区别 创新：分析方法上的创新、理论体系上的创新、基本理论范畴上的创新、研究领域方面的创新 关系：新制度与旧制度经济学是两种完全不同的研究纲领，有着各不同的硬核和保护带，他们之间不存在“修正”关系。虽然新制度经济学与旧制度经济学有着相同的研究对象——
材料科学基础考题1
材料科学基础考题 Ⅰ卷 一、名词解释（任选5题，每题4分，共20分） 单位位错；交滑移；滑移系；伪共晶；离异共晶；奥氏体；成分过冷 二、选择题（每题2分，共20分） 1．在体心立方结构中，柏氏矢量为a[110]的位错( )分解为a/2[111]+a/2]111[. (A) 不能(B) 能(C) 可能 2．原子扩散的驱动力是：( ) (A) 组元的浓度梯度(B) 组元的化学势梯度(C) 温度梯度 3．凝固的热力学条件为：（） （A）形核率(B)系统自由能增加 （C）能量守衡（D）过冷度 4．在TiO2中，当一部分Ti4+还原成Ti3+，为了平衡电荷就出现（） (A) 氧离子空位(B) 钛离子空位(C)阳离子空位 5．在三元系浓度三角形中，凡成分位于（）上的合金，它们含有另两个顶角所代表的两组元含量相等。 （A）通过三角形顶角的中垂线 （B）通过三角形顶角的任一直线 （C）通过三角形顶角与对边成45°的直线 6．有效分配系数k e 表示液相的混合程度，其值范围是（） （A）1 ACTIVE AREA主动区(工作区) 主动晶体管(ACTIVE FRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(active area)在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由，一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOS OXIDATION)所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤．所以Active AREA 会受到鸟嘴(BIRD’S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来得小以长0.6UM 之场区氧化而言大概会有O.5 UM之BIRD'S BEAK存在也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小O.5UM Acetone丙酮 1.丙碗是有机溶剂的一种，分子式为CH30HCH3 2.性质：无色，具剌激性薄荷臭味之液体 3.用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭 4﹒毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。 5﹒允许浓度:1000ppm ADI显影后检查 After Developing Inspection之缩写 目的：检查黄光室制程;光阻覆盖→对准→曝光弓显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。 方法：利用目检、显微镜为之。 AEI蚀刻后检查 1. AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 2. AEI之目的有四： 2-1提高产品良率，避免不良品外流。 2-2达到品质的一致性和制程之重复性。 2-3显示制程能力之指针。 2-4防止异常扩大，节省成本 3. 通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。Air Shower空气洗尘室 进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃，故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。 Alignment对准 目的：在IC的制造过程中，必须经过6至10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。 B Balance of international payment 国际收支平衡表 某时期一国同外部世界的交易状况的报表，包括商品和服务的买卖、馈赠、政府交易和资本流动。 Balance of trade 贸易余额 国际收支中有关商品(或有形物品)进出口的部分。包括食品、资本品和汽车。如果包括服务和其他经常项目，则称为经常项目余额。 Balance of current account 经常项目余额 见贸易余额(balance of trade)。 Balance sheet 资产负债表 某时点一个企业的财务状况报表。其中资产列为一栏，负债加净资产在另一栏。每一项都以其实际的或估计的货币价值列出。由于净资产由资产减负债来定义，因此两栏的合计必须平衡。 Balanced budget 平衡预算 见平衡预算(budget，balanced)。 Bank，commercial 商业银行 一种金融中介。到目前为止，其突出的特点是允许客户对其所存人的款项随时随地签发支票来进行付款和提款。所有接受储蓄和支票存款的金融机构统称为储蓄机构。 Bank money 银行货币 由银行创造的货币，特别是指银行依据其准备金而成倍地扩大其支票帐户(M1的组成部分。) Bank reserves 银行准备金 见银行准备金(reserves，bank) Barriers to entry 进入壁垒 能够阻碍进入市场、导致竞争减弱或者行业内厂商数量减少的那些因素。例如法律规定、管制和产品差异等。 Barter 易货贸易 商品直接交换，而不需要使用任何物品充当货币或交易媒介。 Benefit principle(of taxation) (税收的)受益原则 认为税收与人们从政府活动中的受益应当成比例的原则。 Bond 债券 由政府或企业发行的有息证券，保证在未来特定日期还本付息。 Break-even point(in macroeconomics)(宏观经济学中的)收支相抵点 个人、家庭或社会团体的一种收入境况或收入水平。在该境况，所有的收入正好被用来消费(既没有正储蓄也没有负储蓄)。只有在更高的收入水平上才会有正储蓄。 Bretton woods system 布雷顿森林体系 见可调整钉住(adjustable peg)。 Broad money 广义货币 货币供给的一种形式或口径(也称M2，包括交易货币(M1)、银行储蓄帐户，还有其他类似交易货币的替代性资产。 Budget 预算 期末总复习 一、名词解释 空间点阵：表示晶体中原子规则排列的抽象质点。 配位数：直接与中心原子连接的配体的原子数目或基团数目。 对称：物体经过一系列操作后，空间性质复原；这种操作称为对称操作。 超结构：长程有序固溶体的通称 固溶体：一种元素进入到另一种元素的晶格结构形成的结晶，其结构一般保持和母相一致。 致密度：晶体结构中原子的体积与晶胞体积的比值。 正吸附：材料表面原子处于结合键不饱和状态，以吸附介质中原子或晶体内部溶质原子达到平衡状态，当溶质原子或杂质原子在表面浓度大于在其在晶体内部的浓度时称为正吸附； 晶界能：晶界上原子从晶格中正常结点位置脱离出来，引起晶界附近区域内晶格发生畸变，与晶内相比，界面的单位面积自由能升高，升高部分的能量为晶界能； 小角度晶界：多晶体材料中，每个晶粒之间的位向不同，晶粒与晶粒之间存在界面，若相邻晶粒之间的位向差在10°～2°之间，称为小角度晶界； 晶界偏聚：溶质原子或杂质原子在晶界或相界上的富集，也称内吸附，有因为尺寸因素造成的平衡偏聚和空位造成的非平衡偏聚。 肖脱基空位：脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位。 弗兰克耳空位：晶体中原子进入空隙形而形成的一对由空位和间隙原子组成的缺陷。 刃型位错：柏氏矢量与位错线垂直的位错。 螺型位错：柏氏矢量与位错线平行的位错。 柏氏矢量：用来表征晶体中位错区中原子的畸变程度和畸变方向的物理量。 单位位错：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 派—纳力：位错滑动时需要克服的周围原子的阻力。 过冷：凝固过程开始结晶温度低于理论结晶温度的现象。 过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 均匀形核：在过冷的液态金属中，依靠金属本身的能量起伏获得成核驱动力的形核过程。 过冷度：实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 形核功：形成临界晶核时，由外界提供的用于补偿表面自由能和体积自由能差值的能量。 马氏体转变：是一种无扩散型相变，通过切变方式由一种晶体结构转变另一种结构，转变过程中，表面有浮凸，新旧相之间保持严格的位向关系。或者：由奥氏体向马氏体转变的 一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。 2. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 3. 空穴：当满带顶附近产生P0个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，可等效为P0个具有正电荷q和正有效质量m p，速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空穴。 4. 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n0和空穴 △p=p-p0称为过剩载流子。 5.费米能级、化学势 答：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。处于热平衡的系统有统一的化学势。这时的化学势等于系统的费米能级。费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。费米能级标志了电子填充能级水平。费米能级位置越高，说明较多的能量较高的量子态上有电子。随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。 二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙3．有效复合中心的能级必靠近( A ) 禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）. 10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？ 答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。 ②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation） 14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份? 答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离) 边际替代率：在维持效用水平不变的前提下，消费者增加一单位某种商品的消费数量时所需要的放弃的另一种商品的消费数量。 边际技术替代率：在维持产量水平不变的条件下，增加一单位某种生产要素投入量时所减少的另一种要素的投入数量。 边际收益递减规律：p131 边际效用递减规律：在一定时间内，在其他商品的消费数量保持不变的条件下，随着消费者对某种商品消费量的增加，消费者从该商品连续增加的每一消费单位中所得到的效用增量。 博弈均衡：是指博弈中的所有参与者都不想改变自己的策略的这样一种相对静止的状态。P242 吉芬商品：需求量与价格成同方向变动的特殊商品。恩格尔曲线：表示消费者在每一收入水平对某商品的需求量。 收入效应：由商品的价格变动所引起的实际收入水平变动，进而由实际收入水平变动所引起的商品需求量的变动。 替代效应：由商品的价格变动所引起的商品相对价格的变动，进而由商品的相对价格变动所引起的商品需求量的变动。 寡头市场：又称寡头垄断市场，是指少数几家厂商控制整个市场的产品的生产和销售的这样一种市场组织。 古诺解：在分析两个寡头厂商的产量和价格决定问题上，假定两个厂商都准确了解市场的需求曲线，生产成本为零，并在已知对方产量的情况下，各自制订能够使得自身利润最大化的产量，双寡头竞争的最终结果是每个厂商生产市场容量的三分之一，市场的这一产量称为古诺解 规模报酬的变化：在其他条件不变的情况下，企业内部各种生产要素按同比例变化时带来的产量变化。规模经济：在企业生产扩张的开始阶段，厂商由于扩大生产规模而使经济效益得到提高。 基尼系数：在洛伦兹曲线图中，不平等面积与完全不平等面积之比，称为基尼系数。它是衡量一个国家贫富差距的标准。 机会成本：指生产者所放弃的使用相同的生产要素在其他生产用途中所能得到的最高收入。 价格歧视：以不同价格销售同一种产品。 二级价格歧视：要求对不同的消费数量段规定不同的价格。 三级价格歧视：垄断厂商对同一种产品在不同的市场上（或对不同的消费群）收取不同的价格。 纳什均衡：在一个纳什均衡里，任何一个参与者都不会改变自己的最优策略，如果其他参与者均不改变各自的最优策略。半导体名词解释
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西方经济学(微观部分)部分名词解释