二极管、三极管部分----习题分解
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
模拟电子线路(模电)二极管和三极管
1.2 半导体二极管
结构
二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
——成为硬件电路设计人才
学好模电、数电、单片机、DSP等。 初步具备 “看、算、选、干”能力
三、学什么？（What）
系 细化 电 细化 器 统 路 件 1、本课程研究内容： 各种半导体器件的性能、电路及应用 2、具体研究对象：
（1）按处理信号：1)模拟(A) 2)数字(D) （2）按信号频率：1)高频 2)中频 3)低频
耗尽层宽度一定
PN结
2. PN结的单向导电性
1.1 半导体的基本知识
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F
N型半导体 P型半导体 空间电荷区 耗尽层 N型半导体 P型半导体 + + + + － － － － + － + + + － － － 正向电流 － － － + － + + + － － － + － + + + + － － － + + + － － + － － + + + － 内电场 E
，所有的价电子都紧紧束 缚在共价键中，不会成为 自由电子，因此本征半导 体的导电能力很弱，接近
二极管习题
12、５习题详解１2—1电路如图12-15所示，求电位U0，二极管得正向压降忽略不计。
解：因为压差大得二极管优先导通，所以ＶD1先导通，导通后U O＝0V，VD２、VD３截止。
12-2 在图12-１6中,试求下列几种情况下得输出端电位V0及各元件中流过得电流：(1)ＵA=+10V，U B＝0V;（2)UＡ=+6V,U B＝+５、８Ｖ；（３）U A＝UＢ=＋5V。
设二极管得正向电阻为零，反向电阻为无穷大。
解：（1)二极管ＶD1导通，则VＤ2截止,。
（２)设VＤ1与ＶD2两管都导通，应用结点电压法计算UＯ：可见VD２管能导通。
(3)VＤ1与VD２两管都能导通1２—3 求图12—１7所示各电路得输出电压值，设二极管正向压降ＵＤ＝0、7V。
解:U O1≈3Ｖ-0、7V＝２、３V (VＤ导通）；UＯ2＝０(VD截止)；U O３≈—3V+０、7V=—２、3V （VＤ导通)；U O４≈３V （ＶD截止）;U O５≈3V—0、7V=2、3V（VD导通);U O6≈—3V（VD 截止)。
1２-４电路如图12—1８所示，已知u i ＝５ｓｉn ωt （V ）,二极管压降不计，试画出u ｉ与ｕO 得波形，并标出幅值。
解：（ａ）u ｉ＞２V 时,VD 导通,；ｕi 〈２V 时,V Ｄ截止，u o =ｕi 。
(b) u i 〉２V 时，ＶＤ截止，；u ｉ〈2V 时，ＶＤ导通，u o =u i .(c) u i 〉2Ｖ时,VD 导通，u o =u ｉ；ｕi 〈2Ｖ时,VD 截止,u o ＝2V. 波形分别如图12-1９中（a ）、（b)与（c ）所示. １2－5 现有两只稳压管，它们得稳定电压分别为６Ｖ与8V ，正向导通电压为0、7Ｖ。
试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值?各为多少？(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少？分别画出电路图。
解：(1)两只稳压管串联时如图1２-2０中（a ）、(b ）、（c)、(d)所示,分别得出稳压值为1、４Ｖ、6、7V 、8、7V 与14V 等四种稳压值. (2）两只稳压管并联时如图１２-２0（ｅ）、（ｆ)、（g)所示，稳压值为0、７Ｖ;如图12-20(h ）所示就是，稳压值为6V.以上得稳压管电路在使用中要接限流电阻，这里未画出. 12-6在图12－２1所示电路中，已知，2CW4稳压管得参数为：稳定电压，最大稳定电流，求:5V -5V2V2V2Vu i u ou ou o(a)(b)(c)图12-19 习题12-4的波形tttt（1）开关S断开时，流过稳压管得电流就是多少？（2）开关S闭合，电压表V与电流表、得读数各为多少？,流过稳压管得电流又就是多少?（3）开关S闭合，当电压升高１0%,再求各表读数。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
二极管,三级管基础知识培训教材
PN结及其单向导电性
• PN结的形成 • PN结的单向导电性
PN结的形成
• 在一块晶凡两边分别形成P型和N型半导 体。 图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼) 离子，带负电； 代表失去一个电子的五价杂 质(例如磷)离入带正电。由于P区有大量空穴 (浓度大)，而N区的空穴极少(浓度小)，因此空 穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。 P
在一定范围内，外电场愈强，正向电 流(由P区流向N区的电流)愈大，这时PN 结呈现的电阻很低。正向电流包括空穴电 流和电子电流两部分。空穴和电子虽然带 有不同极性的电荷，但由于它们的运动方 向相反，所以电流方向一致。外电源不断 地向半导体提供电荷，使电流得以维持。
PN结的单向导电性
• 若给PN结加反向电压，即外电源的正端接N区， 负端接P区，则外电场与内电场方向一致，也 破坏了扩散与漂移运动的平衡。 • 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子 移走，使得空间电荷增加，空间电荷区变宽， 内电场增强，使多数载流子的扩散运动难以进 行。但另一方面，内电场的增强也加强了少数 裁流于的漂移运动，在外电场的作用下，N区 中的空穴越过PN结进入P区， P区中的自由电 子越过PN结进入N区，在电路中形成了反向电 流(由N区访向P区的电流)。
半导体二极管
• • • • • 二极管的基本结构和类型 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的应用 常用二极管类型
二极管的基本结构和类型
• 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半 导体二极管。 从P区引出的电极称为阳极（正 极），从N区引出的电极称为阴极（负极）。 • 按结构分二极管有点接触型和面接触型两类。
D
（c）符号
在使用二极管时，必须注意极性不能接错，否则 电路非但不能正常工作，还有毁坏管子和其他元件的 可能。
二极管及三极的极性的判断
《电子技术基础》教案图2.1.3二极管的开关作用原理：二极管的单相导电性，二极管正偏时二极管内部呈现较小的电二极管反偏时二极管内部呈现很大电阻（如上图）。
方法:指针式万用表检测二极管的极性:步骤一：将万用表置在欧姆档步骤二：选择合适的量程，一般将万用表置于RX100档或RXIk,校正调零步骤三：将万用表两表笔分别接二极管的两个引脚上，测阻值，并做记录R1步骤四：对调两表笔，再测阻值，记作R2步骤五：如果二级管无损坏，比较R1和R2,必定一大一小，以阻值较小的一次测量为准，则黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2、用数字式万用表判断二极管正负极方法方法一：用电阻档测量步骤一：将万用表置在欧姆档步骤二：将万用表两表笔分别接二极管的两个引脚上，测阻值，并做记录R1步骤三：对调两表笔，再测阻值，记作R2步骤四：如果二级管无损坏，比较R1和R2,必定一大一小，以阻值较小的一次测量为准，则红表笔接的是二极管的正极，黑表笔接的是二极管的负极。
特别强调：数字式万用表和指针式万用表用电阻档判断二极管正负极的方法的不同点只是在于红黑表笔的接法不同。
一、用万用表判断二极管极性的方法1、 相当于开关闭合（a ）S相当于开关断开（b ）用指针式万用表判断二极管正负极方法图2.1.1二极管的结构方法二：用二极管档测量二极管的正负极步骤一：将数字式万用表表置于二极管档步骤二：将万用表两表笔分别接二极管的两个引脚上，若显示屏显示“1”以下数字时，说明二极管正向导能，红表笔接的是正极，黑表笔接的是负极。
此时显示的数字为二极管的下向压降，单位为V。
（若显示的电压为0.5—0.7V时，说明被测管是硅管；若显示电压为0.1—0.3,则被测管是锗管）步骤三：若赤示的数字为“1”，则说明二极管处于反向截止状态，红表笔接的是负极，黑表笔接的是正极。
二、用万用表判断二极管正负极代表性的题目用数字式万用表检测二极管，应将数字式万用表置于二极管挡，两表棒分别接二极管的两个电极，若显示“1”以下的数字时，说明二极管处于正向导通状态，此时红表棒接的是正极，黑表棒接的是负极；若显示的是数字是“1”，则说明二极管处于反向截止状态，红表棒接的是^极，黑表棒接的是^极；若正、反两次测量显示的数字都为“1”，则二极管已是开路（填“开路”或短路）。
二极管、三极管及整流与放大电路
复习与自我检测（五）二极管、三极管及整流与放大电路一、学习要点1.半导体的基本知识（1）半导体的特性导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
半导体能得到广泛应用，是由于它的导电能力会随温度、光照或所掺杂质的不同而显著变化。
（2）PN结的单向导电性当在PN结两端加上正向电压时，因外加电场的方向与内电场的方向相反，削弱了内电场，打破了PN结中的动态平衡状态，使载流子的扩散运动大于漂移运动，形成较大的扩散电流，PN结导通。
当在PN结两端加上反向电压时，因外加电场的方向与内电场的方向相同，增强了内电场，也打破了PN结中的动态平衡，使少数载流子的漂移运动大于多数载流子的扩散运动，形成较小的反向电流，可以认为PN结截止。
2.半导体二极管二极管的正向电流是多数载流子的扩散电流，其值较大（毫安级），但正向电压只有零点几伏，说明二极管的正向电阻较小。
当正向电压大于死区电压后，电流增加较快。
二极管正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为0.6-0.7V；锗管约为0.2-0.3V。
反向电流是少数载流子的漂移电流，其值随温度的上升增长得很快，并且只要外加反向电压在一定范围内，反向电流基本上维持不变，和反向电压的数值无关（反向电阻高）。
当反向电压增大到击穿电压时，反向电流突然增大，管子被击穿而损坏。
二极管的参数反映了它的电性能，是合理选择与正确使用的依据。
对正向而言，有最大整流电流I OM，使用时不得超过。
对反向而言，有最高反向工作电压U RM和反向饱和电流I R3.稳压管是工作于反向可逆击穿状态下的二极管。
稳压管的反向击穿特性曲线很陡，它的特点是在一定的电流范围内的电压稳定不变。
4.单相桥式整流电路整流电路的任务是把交流电变换成直流电，完成这一任务主要靠二极管的单向导电作用，所以通常二极管是构成各种整流电路的核心元件。
5.滤波电路滤波原理利用储能元件滤掉单向脉动电压中的交流分量，即保留直流分量，使负载电压脉动减小。
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模拟电子技术部分习题及答案——直流稳压电源项目一、二极管与三极管的基础知识二极管习题一、熟悉概念与规律1．半导体2．P型半导体3．N型半导体4．PN结5．单向导电性6．整流二极管7．稳压二极管8．发光二极管9．开关特性10．三极管11．三极管的饱合特性12．三极管的截止特性13．三极管的放大特性二、理解与计算题1．当温度升高时，二极管的正向压降_ 变小，反向击穿电压变小。
2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。
A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用3. 有两个2CW15 稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B——7.5V）。
8V；B、7.5V；C、15.5V4．稳压管DW稳压值为5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI 为12V时，DW和VD 是否导通，V0 为多少？R电阻的作用。
答：DW和VD 不导通，V0 为5.3V，R电阻的作用是分压限流。
5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？（）6．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。
A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mA7．图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。
8．图所示的电路中，Dz1 和Dz2 为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V 和7V，且具有理想的特性。
由此可知输出电压Uo 为_______。
9．二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。
10．图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。
11．电路如图所示。
已知v2 有效值足够大，合理连线，构成5V 的直流电源。
12．桥式整流滤波电路，以知ｖ21=20×1.414Sinωt(V)。
在下列情况时,说明Ｖo 端对应的直流电压平均值Ｖo(av)应为多少。
（1）电容C 因虚焊未接上。
（2）有电容但ＲL 开路。
（3）整流桥中有一个二极管因虚焊断路，有电容C，ＲL=∞。
13．设二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大，判断如图所示电路的输出端电压：（）A、—3V；B、—8V；C、5V；D、8V。
14．如果电阻R 的阻值为1 千欧，问：二极管的电流正向电流为（）。
（填空）15．PN 结具有，偏置时导通，偏置时截止。
16．直流稳压电源的作用就是将转换为。
小功率直流稳压电源一般由、、和四部分组成。
17．常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后两端电压基本保持约______V 不变；锗二极管的死区电压约______V，导通后两端电压基本保持约______V 不变。
18．二极管2AP7 是类型，2CZ56 是类型，2CW56 是类型，2CK70是类型，2CC122 是类型，1N4007 是类型，1N4148 是类型，1N5401 是类型。
正常情况下稳压管工作在区，具有稳压作用。
19．硅二极管两端加上正向电压时立即导通。
（）20．当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时，二极管才能导通。
（）21．二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
（）22．用万用表欧姆挡粗测2AP9 时用RX10 档。
（）23．在输出电压相同的情况下，桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大电流可以相同。
（）24．同硅管相比，锗管的参数更易受温度的影响。
( )25．半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
（）26．稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流Z I 。
（）27．半导体二极管反向击穿后立即烧毁。
（）28．用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时，测试方法和判别依据完全一样。
（）29．2CZ 型二极管，以下说法正确的是（）A．适用于小信号检波B．适用于整流C．适用于开关电路30．对于晶体二极管，下列说法正确的是（）A.正向偏置导通,反向偏置截止B.导通时可等效为一线性电阻C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小D. 反向击穿后立即烧毁31．题图1.5.1 所示电路，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）A.VD 导通，UAO=6VB.VD 导通，UAO=-6VC.VD 截止，UAO=9VD. VD 导通，UAO=－9V32．硅二极管正偏时，正偏电压0.7V 和正偏电压0.5V 时，二极管呈现的电阻值（）A．相同B 不相同C 无法判断33．用模拟万用表RX1K 档测二极管，若红笔接阳极，黑笔接阴极，读数为50K，表笔对换测得电阻一样大，则该二极管（）A．内部已断，不能使能B．内部已短路，不能使用C．没有坏，但性能不好D．性能良好34.如题图1.5.2 所示电路：1）该电路正常工作时，输出电压o u 为多少？2）若要电路正常工作，变压器次级电压2 u 的最小值是多少？最大值是多少？3）如果变压器次级电压2 u 的有效值为15V，则整流、滤波后电压3 u 的数值大略为多少？若测得3 u 为13.5V 左右，分析故障原因与部位，并列出检修的步骤。
36．硅稳压管稳压电路如题图1.5. 3 所示。
已知硅稳压管VD 的稳定电压Uz＝10V、动态电阻和反向饱和电流均可以忽略，限流电阻R=RL＝1kΩ，未经稳压的直流输入电压Ui＝24V。
（1）试求Uo、Io、I 及Iz；（2）若负载电阻RL 的阻值减小为0.5K，再求Uo、Io、I 及Iz。
三极管习题一、熟悉概念与规律1．三极管2．三极管的饱合特性3．三极管的截止特性4．三极管的放大特性二、理解与计算题1．三极管具有、和特性。
2．三极管的IE、IB、IC 之间的关系是。
β= 。
3．各三极管电极的实测对地电压数据如下：图A 是管，工作在状态；图B 是管，工作在状态。
4．放大电路要不失真地放大交流信号必须使放大器设置，以保证三极管放大信号时，始终工作在区。
5．（）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体N 型或P 型构成的所以e 极和c 极可以互换使用。
6．三极管多级放大电路中，已知ÀV1=20、ÀV2=-10、ÀV3=1、总的电压增益ÀV= - ；ÀV1 是放大器；ÀV2 是放大器；ÀV3 是放大器。
7．三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管所处的状态是（）。
A、放大状态B、饱和状态C、截止状态8．测得某NPN 管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
9．用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。
10．某晶体管的iB 从20μA 变到40μA 时，对应的iC 从1.55mA 变化到3.05mA，则该管的β 为（）。
A、β=75B、β=50C、β=100D、β=77.511．测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示，其中硅材料的NPN 管是（）。
二、基本放大电路基础知识习题作业1.按要求填写下表。
2.分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图23.画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图34.电路如图4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。
利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
图 4 5.电路如图5所示，已知晶体管 ＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
（1）正常情况（2）Rb1短路（3）Rb1开路（4）Rb2开路 （5）RC 短路图 56.电路如图6所示，晶体管的 ＝80，'bb r =100Ω。
分别计算RL ＝∞和RL ＝3k Ω时的Q 点、uA 、Ri 和Ro 。
图67.在图6所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图 78.若由PNP 型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P3.7（a ）、（b ）、（c ）所示，则分别产生了什么失真？9.已知图9所示电路中晶体管的β ＝100，rbe=1k Ω。
（1）现已测得静态管压降UCEQ ＝6V ，估算Rb 约为多少千欧；（2）若测得i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻RL 为多少千欧？图910. 电路如图10所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA 、Ri 和Ro ；（2）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图1011.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：图11（1）1u A =o1U /i U ≈? 2u A =o2U /i U ≈?（2）画出输入电压和输出电压ui 、uo1、uo2 的波形；12.电路如图12所示，晶体管的β＝80，rbe=1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出RL ＝∞和RL ＝3k Ω时电路的u A 和Ri ；（3）求出Ro 。
图 1213.电路如图13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、u A 、Ri 和Ro ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C3开路，则i U ＝？o U ＝？图1314. 图14所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bb r =100Ω，UBEQ ≈0.7。
试计算RW 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ ，以及动态参数Ad 和Ri 。
图1415.如图15所示的差动放大电路中，设晶体管β1=β2=80，r`bb=200Ω，其他参数标在图上，试求：（10分）（1）画出直流通路，求静态时的ICQ1、ICQ2和UO（2）画出差模输入时的微变等效电路，并求接入负载RL=24K Ω时的差模电压放大倍数Avd ，差模输入电阻rid 和输出电阻rod图1517.电路如图15所示，已知场效应管的低频跨导为gm ，试写出u A 、Ri 和Ro 的表达式。
图17。