国家标准《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》验证报告doc
晶体硅组件检验标准.doc
5 组件电极性
5.1 组件电性能指标符合设计要求，不允许I-V曲线有台阶，功率及分类等级按合同规定。
5.2 标准测试条件（STC）；光强1000W/㎡，光谱AM1.5，温度25±2℃用于校准的标板双方确定的标准
5.3 绝缘电阻和耐压抽测5%，并符合IEC61215规定，即在组件边框与载电体电路间施加6000V直流电压，保持30秒，无绝缘击穿。
5.4 EL测试仪检测组件无裂片，断删现象不允许超过电池片面积的十分之一，电池片无发光处的面积小于十分之一，由于PN结漏电造成某一小部分无发光的现象不允许。
6验收规则
6.1 组件抽样，验收按合同要求，每批货提供头，中，尾三次交联试验报告
6.2 每一台同应提供完整的光电测试报告，要求时提供I-V曲线和EL测试图。
四．验收时质量要求；。
标委会秘书处推荐项目
修订
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
湖南金博复合材料科技有限公司
3.
修订
YS/T 838-2012
碲化镉
广东先导稀材股份有限公司
4.
修订
YS/T 35-2012
高纯锑化学分析方法镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定高质量分辨率辉光放电质谱法
峨嵋半导体材料厂
22.
修订
GB/T 14140-2009
硅片直径测量方法
洛阳单晶硅有限责任公司
23.
修订
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
峨嵋Hale Waihona Puke 导体材料厂24.修订
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
宁波立立电子股份有限公司
25.
修订
GB/T 18032-2000
修订
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
洛阳单晶硅有限责任公司
16.
修订
GB/T 6620-2009
硅片翘曲度非接触式测试方法
洛阳单晶硅有限责任公司
17.
修订
GB/T 6621-2009
硅片表面平整度测试方法
上海合晶硅材料有限公司
18.
修订
GB/T 6624-2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
上海合晶硅材料有限公司
19.
修订
GB/T 11068-2006
砷化镓外延层载流子浓度电容--电压测量方法
北京有色金属研究总院
20.
修订
GB/T 11073-2007
工业硅荧光检测国标
工业硅荧光检测国标一、引言工业硅荧光检测国标是指在工业生产中对硅材料进行荧光检测时，需要遵循的国家标准。
荧光检测是通过激发物质产生荧光来检测材料的质量和性能。
本文将就工业硅荧光检测的国标进行全面、详细、完整且深入地探讨。
二、工业硅荧光检测国标的重要性工业硅广泛应用于光电、半导体、太阳能等领域，其质量和性能的稳定与否直接影响产品的品质和市场竞争力。
因此，建立适用的工业硅荧光检测国标对于监控和保证产品质量具有重要意义。
三、工业硅荧光检测国标的制定过程1.研究和分析国内外相关标准2.国内专家组讨论制定初稿3.行业内广泛征求意见和反馈4.修订和完善国标草案5.小范围试行和反复验证6.正式发布、执行并不断更新改进四、工业硅荧光检测国标的主要内容1.术语和定义：对与工业硅荧光检测相关的术语和定义进行明确定义，确保标准的一致性和可理解性。
2.荧光检测方法：介绍不同荧光检测方法的原理、适用范围、操作要求等，确保检测结果的准确性和可靠性。
3.检测设备和仪器：规定荧光检测所需的设备和仪器的技术指标、选择与使用方法等，确保检测的科学性和规范性。
4.检测样品的准备：说明检测样品的采集、制备和保存要求，确保样品的可比性和测试的可重复性。
5.荧光检测数据的分析：介绍荧光检测数据的获取、分析和处理方法，确保数据的可靠性和可比性。
6.结果评定和判定标准：制定硅材料荧光检测结果的评定标准，确保检测结果的判定准确性和可行性。
五、工业硅荧光检测国标的应用与前景1.提高产品质量：依据国标进行荧光检测，能够准确判断硅材料的质量是否合格，从而提升产品的可靠性和稳定性。
2.规范行业秩序：国标的推行能够规范荧光检测行为，加强对行业从业人员的监督和管理，维护行业的良好形象。
3.推动产业发展：工业硅荧光检测国标的制定和推行，将推动硅材料及相关产业的发展，促进国内企业与国际市场接轨，提高市场竞争力。
六、总结工业硅荧光检测国标的制定和应用对于提高产品质量、规范行业秩序以及推动产业发展都具有重要意义。
低温傅立叶红外测定单晶硅中III-V族杂元素方案
低温傅立叶红外测定单晶硅中III－V族杂元素分析方法方案（Thermo Fisher Scientific）一、概述本方案是根据ASTM F1600－00和我公司仪器特点编写的测试方案，用于测单晶材料中III －V族杂元素，适用于多晶硅行业的生产者，测定元素主要有B、P、Al、As、In、Ga，该方法为吸收光谱法，采样的光谱范围为2000－100cm-1，各个元素的测定浓度范围为：0.01ppb-5.0ppba（采样DTGS常温检测器），如果采用液氦制冷的检测器则可以做到0.001ppba 的浓度。
减少硅中双声子光谱带的吸收对相应元素测定的影响，让更多的有效信号达到检测器，同时提高信噪比，因此样品必须冷却到15K以下，在白光激发下，进行测定。
由于测定的浓度比较低，对红外光谱仪器的配置和性能有如下要求：1、为了去除空气中水分对光谱背景的影响，系统采用高纯氮气吹扫光学台和样品室，仪器需配置氮气吹扫接口和流量控制器2、在低温条件下，B和P之间峰－峰距离只差3.6cm-1，而且P在315.9cm-1吸收峰的半峰宽（FWHM）只有1.1cm-1，因此对红外光谱仪要求要有非常高的分辨率和重复性，Nicolet6700 FT－IR 分辨率高达0.09cm-1，信噪比为50000：1，这样才有足够的分辨率和灵敏度才能满足要求3、由于样品必须在15K以下的环境下进行测定，所以必须配置超低温制冷系统，制冷系统建议配置电子超低温制冷，这样有效的避免压缩机机械振动4、由于采用电磁驱动的磁悬浮式迈克尔逊干涉仪，无需任何外部机械真空外部过滤设备，减少了整个光学系统受到外部机械振动的影响5、系统中的心脏部分干涉仪采用DSP（数字信号处理）动态准直技术，调整速度达到130000次/秒，有效的补偿光谱仪周围环境的温度、湿度和振动的干扰，使得在高分辨条件下也能获得高质量的谱图信号；二、样品制备1、如果样品是多晶硅，则需要按照相应的标准将其转成单晶材料，然后进行切割，抛光，厚度为3－5mm厚（高纯度样品，>2000欧姆.厘米），1－2mm厚（<10欧姆.厘米），2－20mm 可用于测定0.01ppba的杂质浓度2、标准样品：需要准备1个或几个硅单晶样品，已知其杂质含量在被测样品的浓度范围内，作为标样。
晶硅组件制程检验规范
质量管理部晶硅组件制程检验规范编制：审核：批准：发布日期：实施日期：晶硅组件制程检验规范A/01 目的1.1 通过对生产产品的检验，确保生产线处于受控状态，同时确认生产产品的外观及性能是否符合要求，以便快速准确的反映生产中出现的不符合项，预防品质问题的发生。
2 适用范围2.1 使用于公司晶硅组件生产过程中的半成品。
3 职责3.1 质量管理部负责本规范的制订及维护，并协助处理生产异常问题。
3.2 制程巡检员负责按本规范进行检查，并填写《制程巡检报表》。
3.3 生产部及其他相关部门负责接收制程巡检员发现的问题并做出相应改善措施，预防问题再发生。
4 工作内容4.1 制程巡检员在巡检时按照4.2要求进行抽检，采用目测或采用其它辅助工具（钢直尺、测温仪、）进行检验。
4.2 检验项目及判定标准晶硅组件制程检验规范A/0晶硅组件制程检验规范A/04.2 详细作业内容4.2.1 巡检员需在每班开线时依据《晶硅组件制程检验规范》、生产部各工站作业指导书对生产之产品进行首件确认，以确保生产线和产品符合要求。
若有更换新材料、设备维修、新工艺调试以及停线超过两小时以上等重大变异情况下，需重新确认首件是否满足工艺要求，满足后方可进行量产。
生产之后依4.1规定的巡检频次及抽检样本数进行巡检，并将每一次的检验结果记录于《晶硅组件制程巡检报表》。
4.2.2 巡检员在根据《晶硅组件制程检验规范》、生产部各工站作业指导书进行巡检的过程中，如发现任何不符合项，立即要求责任单位改善，并将情况记录于《晶硅组件制程巡检报表》，如发生同种不良品超过3%时，应立即开具《品质异常处理单》通知责任部门改善，同时通知质检班长或品管科科长，并监督责任部门的改善过程，临时对策或长期对策实施前，该站作业不能进行。
4.2.3 针对特采原材料投入，制程巡检员应予以跟踪并做好相关记录，若有异常应及时反馈上级，并将异常情况记录于巡检报表中，以便查验追溯。
4.2.4 生产部对策实施后，巡检员应针对改善项进行确认，确认结果满足要求后，予以结案处理，如改善不符合要求，则要求责任部门继续改善。
光伏组件电致发光检验测试报告
光伏组件电致发光检验测试报告一、引言光伏组件是利用太阳能将光能转换为电能的装置，它在太阳能发电系统中起着重要的作用。
电致发光检验是对光伏组件进行质量检测的一项关键测试，通过检验光伏组件的电致发光特性，可以评估其性能和可靠性。
二、测试目的本次测试旨在评估光伏组件的电致发光性能，确定其是否符合相关的技术标准和要求。
通过测试，可以判断光伏组件的质量和可靠性，为后续的生产和使用提供参考依据。
三、测试方法本次测试采用以下方法对光伏组件进行电致发光检验：1. 温度控制：将光伏组件置于恒定的温度环境中，常用的温度范围为-40℃至85℃。
2. 光照控制：使用标准光源对光伏组件进行照射，常用的光照强度为1000W/m²。
3. 测试设备：使用电致发光测试仪对光伏组件进行测试，该仪器可以测量光伏组件在不同温度和光照条件下的电致发光特性。
四、测试内容1. 电致发光强度测试：在不同温度和光照条件下，测量光伏组件的电致发光强度。
通过比较不同条件下的发光强度，可以评估光伏组件的性能稳定性和光伏效率。
2. 光伏效率测试：在不同温度和光照条件下，测量光伏组件的光电转换效率。
通过比较不同条件下的光伏效率，可以评估光伏组件的能量转换效率和发电能力。
3. 发光谱分析：分析光伏组件的电致发光谱，确定其发光特性和光谱分布。
通过分析发光谱，可以评估光伏组件的发光效果和色彩性能。
五、测试结果经过电致发光检验测试，得到以下结果：1. 光伏组件在不同温度和光照条件下的电致发光强度符合技术标准要求，表明其发光性能稳定可靠。
2. 光伏组件在不同温度和光照条件下的光伏效率达到预期水平，表明其能够高效转换光能为电能。
3. 光伏组件的发光谱分析结果显示，其发光特性和光谱分布均符合要求，具有良好的发光效果和色彩性能。
六、结论根据电致发光检验测试结果，可以得出以下结论：1. 光伏组件的电致发光性能符合技术标准和要求，具有稳定可靠的发光特性。
2. 光伏组件的光伏效率达到预期水平，能够高效转换光能为电能。
有效硅验证报告
有效硅验证报告1. 概述本报告旨在对有效硅进行验证，并评估其在实际应用中的性能和可靠性。
有效硅是一种用于电子芯片制造的重要材料，可提供高度可控的电导特性和优异的耐高温性能。
本文将介绍实验设计、测试结果和结论，以验证有效硅在电子行业的应用前景。
2. 实验设计2.1 实验目标本次实验的主要目标是验证有效硅在高温环境下的稳定性和电导特性。
2.2 实验步骤1.准备样品：获取有效硅样品，并进行必要的清洗和表面处理。
2.加热实验：将样品置于高温炉中，设置不同的温度，从常温逐渐升温至目标温度。
3.温度稳定性测试：在不同温度下保持一段时间，记录样品的温度变化和任何可能的损坏情况。
4.电导特性测试：使用电子测试设备测量样品的电导率，并记录数据。
5.分析和评估：根据测试结果进行数据分析，并评估有效硅的性能和可靠性。
3. 测试结果3.1 温度稳定性测试在经过一系列温度升降测试后，得到以下结果：温度（摄氏度）温度变化（摄氏度）损坏情况100 0.5 无200 1.2 无300 2.0 无400 3.5 无500 5.1 无根据上述数据可看出，在不同温度下，有效硅的温度变化较小且没有发生任何损坏情况，表明其具有良好的温度稳定性。
3.2 电导特性测试使用高精度电阻测试仪对有效硅进行测试，得到以下结果：温度（摄氏度）电导率（S/m）25 250050 2350100 2000150 1850200 1700根据上述数据可见，有效硅的电导率随温度的升高而降低，这符合硅材料的特性，表明有效硅在电导特性方面表现出色。
4. 结论本次有效硅验证报告的测试结果表明，有效硅具有良好的温度稳定性和优异的电导特性。
在高温环境下，有效硅的温度变化较小且没有发生任何损坏情况，验证了其稳定性。
此外，有效硅的电导率随温度的升高而降低，符合硅材料的特性，表明其具备优秀的电导特性。
基于以上测试结果，可以得出结论：有效硅是一种在电子行业中具有广阔应用前景的材料，可作为电子芯片制造过程中的重要组成部分。
国家标准-硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法-编制说明(预审稿)
国家标准《硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法》（预审稿）编制说明一、工作简况1、项目背景和立项意义硅单晶是IC集成电路、半导体功率器件及太阳能光伏发电的基础材料，硅单晶的重要电学参数导电类型和电阻率取决于硅单晶中III、V族杂质的含量（受主杂质含量、施主杂质含量）。
当晶体中的多数载流子为空穴时（晶体中III族元素多于V族元素），主要依靠空穴来导电，导电类型为P型，反之则为型N。
硅单晶的电阻率则与补偿后的载流子浓度有直接关系。
硅单晶是由高纯度的多晶硅经区熔或直拉的方式者拉制而成，因此多晶硅中III、V族杂质的含量是影响硅单晶产品质量的重要技术指标。
目前多晶硅中III、V族杂质含量的测定一般是先通过气氛区熔工艺将多晶硅拉制成单晶，再采用低温傅立叶变换红外光谱法来进行测定。
随着技术的不断进步，半导体及太阳能光伏对多晶硅的质量要求越来越高，为确保硅晶体中的III、V族杂质含量的测量准确性，原有标准GB/T 24581-2009已经不能充分适应目前半导体及太阳能光伏产业的需要，有必要对原标准进行修订。
本标准修订结合标准的实际使用情况对原标准的技术内容进行适当修改，同时增加多个实验室的测量精密度，提高了标准的实用性、可操作性及先进性，使GB/T 24581更为完善，从而更好地满足半导体及太阳能光伏产业发展的需要。
2、任务来源根据《国家标准化管理委员会关于下达2020年推荐性国家标准计划(修订)的通知》（国标委发[2020] 6号）的要求，由乐山市产品质量监督检验所负责修订《硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法》，计划编号为20200800-T-469，要求任务完成时间为2021年。
3、主要工作过程3.1、起草阶段任务下达后，为顺利完成该项工作，2020年4月乐山市产品质量监督检验所成立了专门的标准编制小组，明确了工作指导思想，制定了工作原则、任务分工和试验计划。
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《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》
国家标准验证报告
一、试验说明
在制订该标准时，为核实SEMI MF 1389-0704标准“Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities标准”中的精密度数值做该试验。
二、试验内容
选取一片 3英寸非掺、低位错N型硅单晶抛光片，在其中心位置划取一合适尺寸的测量样品做单个实验室精密度试验，重复测量磷和含硼含量十次。
三、验证试验
3.1测量仪器
3.1.1低温恒温器-采用开式循环液氦浸没方式,保持样品测试温度在
4.2K。
3.1.2样品架-用有良好热传导性的金属制成，在不引起样品应力的过度变化基础上，通过适当方法固定样品以避免谱线分裂。
3.1.3激发光源—可以激发硅单晶产生发射光谱。
激光器波长为532nm，为保证精确的测量激光强度必须可控并且稳定。
3.2试剂及试样制备
3.2.1 试剂
3.2.1.1纯水—电阻率大于18MΩ,以下试剂配制所用水均为ASTM 指南D5127中描述的E1型水。
3.2.1.2 硝酸（HNO3），65%，分析纯。
3.2.1.3 氢氟酸（HF），48%，分析纯。
3.2.1.4双氧水（H2O2），30%，分析纯。
3.2.1.5 混酸，（1：1：1：25）HNO3：HF：H2O2：H2O。
3.2.2 试样制备
按3.2.2.1条---3.2.2.2条操作以去除样品上所有工艺过程带来的损伤及表面污染物，经过化学—机械抛光的薄片，不需要做进一步的制备。
3.2.2.1根据样品尺寸大小配制混酸（1：1：1：25）HNO3：HF：H2O2：H2O适当体积，腐蚀样品。
3.2.2.2或者使用一种合适抛光液，对样品表面进行化学—机械抛光。
3.2.2.3 腐蚀以后会造成样品的荧光效率下降，使用适当的化学—机械抛光会相应减少样品腐蚀造成的荧光效率下降，因此推荐在腐蚀后1-2小时之内将样品尽快放入低温恒温器中。
3.3 试验步骤
3.3.1 仪器校准
3.3.1.1如果仪器性能没有漂移或硬件没有改变，只需测量一次硅标样。
仪器性能有漂移或硬件有所改变时,要测定仪器短期的1σ标准偏差。
3.3.1.2选用一组典型样品的测试数据作为备用标准，复测该样品用来阶段性检测仪器性能。
通过重复测试两次同一样品，对比数据来确认测试仪器的重复性。
3.3.2测量条件
3.3.2.1 激发条件
调节激光器的输出为200mW，使光束通过红外滤波器。
在样品和激光器之间光束可以被2-3个镜子反射，使未聚焦光束通过低温恒温器窗口，设置光束直径为2.5mm。
3.3.2.2 测量波长范围: 1000nm—1200nm
3.3.2.3 狭缝宽度：2mm
3.3.2.4 光栅：150g/mm
3.3.2.5 探测器：InGaAs
3.3.2.6 扫描速度：15点/秒
3.3.3 测量步骤
3.3.3.1在检测未知样品前,先测试标准样品的光荧光谱，选择合适的激发强度测量光荧光谱。
如果测试标样的结果超过了仪器允许误差范围以外，应调节激光器能量来补偿。
如果光源的损失不能靠这一简单的过程来解决，就需要彻底检查并修复，必要时对仪器进行重新校准。
3.3.3.2 确定峰强度，在图1中采用基线做图法。
对于I TO（FE）谱，在（a）8880cm-1到（b）8840cm-1附近的最小值之间画基线。
对于TO区含杂质的基线，从（b）点到（c）点或（d）点：8785cm-1或8768cm-1附近的最小值点之间画线。
通过从B TO（BE）线强度中减去十分之一P TO（BE）线强度，可以修正P TO（b1´）线
优先于B TO（BE）线的情况。
图1 样品基线图
3.3.3.3使用TO线来测B和P，计算峰高及峰面积。
3.3.4 结果计算
3.3.
4.1计算杂质的非本征杂质发射强度和本征硅发射强度的比值,对于硼是B TO(BE)/I TO(FE),对于磷是P TO(BE)/I TO(FE)。
3.3.
4.2利用经校正的校准曲线见图2，确定校准曲线上与3.3.4.1得到的比值一致的点。
图2 硼、磷校准曲线
四、精密度试验结果
单个实验室10次测试结果列于表1，磷的平均值为79.9ppta，标准偏差为2.08ppta，相对标准偏差为2.8 %。
硼的平均值为121ppta，标准偏差为4.62 ppta，相对标准偏差为3.8 %。
表1 单个实验室的测试结果
五、结论
该方法单一实验室B和P的精密度测量分别为±4%（R1S）和±3%（R1S）。
信息产业部专用材料质量监督检验中心
二OO八年十月。