1.工艺简介
1959年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片
摩尔定律 ：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个 月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
CMOS工艺特征尺寸发展进程
1957年 120um 1999 180nm 2001 130nm 2003 90nm 2005 65nm 2008 45nm 2010 32nm 2012 22nm
线性集成电路：又叫放大集成电路，如运算放大器、电 压比较器、跟随器等。
非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路。
数模混合集成电路(Digital - Analog IC) ： 例如 数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。
按应用领域分类
标准通用集成电路
通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大
2. 晶圆直径(Wafer Diameter)
当前主流8英寸 —12英寸晶圆。
1 inch =2.54 cm
尺寸从2吋～12吋成比例增加的晶圆
第1课
集成电路工艺基础
术语
Wet cleans 清洗 Photolithography 光刻 Ion implantation (in which dopants are embedded in the wafer creating regions of increased (or decreased) conductivity) 离子注入 Dry etching 干法刻蚀 Wet etching湿法刻蚀 Plasma ashing 等离子刻蚀 Thermal treatments 热处理 Rapid thermal anneal Furnace anneals Thermal oxidation Chemical vapor deposition (CVD) Physical vapor deposition (PVD) Molecular beam epitaxy (MBE) Electrochemical deposition (ECD). Chemical-mechanical planarization (CMP) Wafer testing Wafer backgrinding (wafer减薄)
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光刻过程: 1．涂光刻胶 2．掩膜对准 3．曝光 4．显影 5．刻蚀：采用干法刻蚀（Dry Etching） 6．去胶：化学方法及干法去胶 (1)丙酮中，然后用无水乙醇 (2)发烟硝酸 (3)等离子体的干法刻蚀技术
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光刻过程:
光源
5×Mask
Lens
Chuck Table Wafer
复习
电子、空穴 PN结、结电容 MOS管、电流电压、阈值电压、晶体管结构….. NPN，PNP晶体管、beta值…
集成电路的分类
–器件结构类型 –集成度 –电路的功能 –应用领域
按器件结构类型分类
• Bipolar： –NPN PNP CMOS ： – 互补MOS
•
NMOS+PMOS
• •
BiCMOS ： Bipolar+ CMOS BCD Bipolar+ CMOS +DMOS
0.8—0.35μm称为亚 微米，
0.25μm及其以下称为 深亚微米 ， 0.18 μm以下为超深 亚微米，
0.05μm及其以下称 为纳米级
Intel 公司第一代CPU—4004
电路规模：2300个晶体管 生产工艺：10um 最快速度：108KHz
插槽类型：LGA 2011 CPU主频：3.3GHz 最大睿频：3.9GHz 制作工艺：32纳米 二级缓存：6*256KB 三级缓存：15MB 核心数量：六核心 十二线程 核心代号：Sandy Bridge 热设计功耗(TDP)：130W 适用类型：台式机 倍频：36倍 内核电压：0.6-1.35V
要求： 1：本科以上学历 2：2年以上工作经验 3：良好的英语沟通和书写能力 4：良好的人际沟通能力 。
参考文献
模拟： 1、模拟电路版图的艺术 Alan Hastings 著 张为 等 译 电子工业出版社 （实践性好）
2、“集成电路版图基础” Christophet Saint , Judy Saint 著 李伟华，孙伟锋 译 清华大学出版社 数字(感兴趣可看看，不要求) 1、专用集成电路设计实用教程 虞希清 著， 浙江大学 出版社 2、高级ASIC芯片综合 Bhatnagar 著 张文俊 译 ，清 华大学出版社
Die preparation Wafer mounting 晶圆贴膜 Die cutting 芯片切割 IC packaging 封装 Die attachment 芯片固定 IC bonding Wire bonding Thermosonic bonding Flip chip Wafer bonding Tab bonding IC encapsulation 塑封 Baking 烘烤 Plating 电镀 Laser marking 激光打标 Trim and form 弯脚成型 IC testing
0
• 淀积PGS与淀积多晶硅相似，只是用不同的化学反 应过程，这里不一一介绍了。
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化学汽相 沉积CVD
化学汽 相沉积 CVD
淀积铝
AL
离子束
wafer
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钝化工艺
• 在集成电路制作好以后，为了防制外部杂质，如潮气、腐 蚀性气体、灰尘侵入硅片，通常在硅片表面加上一层保护 膜，称为钝化。 • 目前，广泛采用的是氮化硅做保护膜，其加工过程是在 450°C以下的低温中，利用高频放电，使SiN4 和 NH3 气 体分解，从而形成氮化硅而落在硅片上。
课程目标 模拟IC版图工程师
• 应聘条件： 1.有CMOS，BIPOLAR和DMOS等工艺版图经验，能熟练使用 cadence等版图工具进行版图、DRC、LVS等工作; 2.深刻理解CMOS和BIPOLAR工艺, ESD保护电路, LATCHUP的 产生机制; 3.进行集成电路（主要是模拟电路部分）的版图设计。进行版图 的DRC、LVS规则检查，提取版图的寄生参数; 4.熟知Unix操作系统者优先。
• STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片 表面。 • STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅 片内部。
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离子注入
离子注入
淀积工艺
淀积工艺主要用于在硅片表面上淀积一层材料，如金 属铝、多晶硅及磷硅玻璃PSG等。 1、金属化工艺 淀积铝也称为金属化工艺，它是在真空设备中进行 的。在硅片的表面形成一层铝膜。
集成电路版图设计
吉新村
教3-100（10）
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课程目标
• 招聘职位：【海思】版图工程师 招聘人数：3人 工作地点：上海 岗位职责： 协同电路设计人员完成产品设计，责模块级和TOP 级版图布 局和设计、负责版图的物理验证、寄生参数提取及tapeout工作. • 招聘要求： 1、 全日制本科及以上学历，微电子、半导体物理等相关专业， 具有大中型芯片设计、半导体制造、电子类企业/研究所，或业 务强相关企业的研发类芯片开发经验。 • 2、熟练使用cadance、mentor、springsoft、synopsys等EAD软 件；熟练使用Unix/Linux系统,以及工作环境的建立；具有一定的 修改lvs / drc验证文件的能力；熟练使用assure、calibre进行版 图验证和寄生参数提取；
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• 步进投影，分辨率通常在几十纳米至几微米之间。 • 国外品牌主要以荷兰ASML，日本Nikon和 Canon • 我国 上海微电子装备有限公司SMEE 90nm 12英寸
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ASML2010年公布的EUV Tools Roadmap
硅 片 清 洗 装 置
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2、淀积多晶硅
• 淀积多晶硅一般采用化学汽相淀积（LPCVD）的方 法。利用化学反应在硅片上生长多晶硅薄膜。 • 适当控制压力、温度并引入反应的蒸汽，经过足够 长的时间，便可在硅表面淀积一层高纯度的多晶硅 。
采用
SiH
4
在700°C的高温下，使其分解：
C 700 SiH 4 Si 2 H 2 ~
的标准系列产品。这类产品往往集成度不高，然而社会 需求量大，通用性强。 专用集成电路 根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的 集成电路简称ASIC（Application Specific Integrated Circuit)，其特点是集成度较高功能较多，功耗较小，封 装形式多样。
描述集成电路工艺技术水平的
三个技术指标
1. 特征尺寸 (Feature Size) / （Critical Dimension）
特征尺寸定义为器件中最小线条宽度 (对MOS器件而言，通常指器件栅极所决定的沟道长度)
减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。 特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。 集成电路的特征尺寸向深亚微米发展，目前国内的规模化生产是 0.18μm、0.13μm工艺， Intel目前Core i7 3770 工艺22 nm 。
检 测 工 序
precision thin film, resistivity, CD and step height measurement.
检查晶圆
第四节 CMOS集成电路加工过程简介
一、硅片制备
二、前部工序
Mask 掩膜版
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CHIP
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• CMOS 工艺简介
•
CMOS 集 成 电 路 电 路 中 ， 主 要 元 件 是 ； PMOS,NMOS,R,C,L及金属连线。 • MOS是 Metal Oxide Semiconductor Silicon • MOS管有三种主要材料：金属、二氧化硅及硅构成
大豆蛋白浓缩加工工艺
醇法大豆浓缩蛋白加工工艺及实践醇法大豆浓缩蛋白是在低温脱脂大豆粕 (白豆片 )基础上,使用含水食用酒精脱除可溶性碳水化合物,获得的蛋白干基含量在65%以上的商业化产品。
在此基础上,如果再将所得到的醇法大豆浓缩蛋白通过均质、热处理等手段加以物理改性,就可以获得醇法功能性大豆浓缩蛋白的商品化产品。
它与传统的大豆分离蛋白及酸洗法大豆浓缩蛋白相比具有生产过程污染小,价位低,功能性强,豆腥味低等诸多优点。
本文结合实际工作经验以及以色列Hayes公司的技术说明,对醇法功能性大豆浓缩蛋白的加工工艺、操作要点、主要设备、产品性能做一简要介绍。
1 醇法大豆浓缩蛋白制备工艺1.1 工艺流程1.1.1 浸出系统白豆片→筛选→环型浸出器浸出→ 挤压预脱溶→↓↓↓碎末酒精浸出液混合溶剂系统湿粕脱溶→干燥、磨粉→大豆浓缩蛋白粉↓溶剂气体回收系统1.1.2 混合溶剂系统酒精浸出液→薄膜蒸发→ 糖蜜→提取大豆异黄酮、皂甙→喷雾干燥→饲料级糖蜜粉1.1.3 溶剂气体回收系统环型浸出器→冷水冷凝器→冷冻液冷凝器→低压风机平衡罐薄膜蒸发器→冷水冷凝器→冷冻盐水冷凝器→真空泵湿粕脱溶罐→节能器→水冷凝器→冷冻盐水冷凝器→真空泵1.2 工艺说明该工艺流程与溶剂法提取植物油十分相似。
但酒精与水的共沸点(常压下共沸点为78.15℃)高于正己烷(69℃),酒精的蒸发潜热是正己烷的近2.5倍,因此酒精溶剂气体的回收会消耗更大的能量。
考虑到换热器的传热系数,通常所需的加热面积更小,而冷却面积会更大一些。
同时,由于豆粕在含水酒精溶液中会吸水溶胀并且浸出速率相对较低,因此对于同样的浸出能力,用醇洗豆粕方法制备浓缩蛋白所需的浸出器体积要比传统油脂工业用的正己烷萃取豆坯的浸出器大很多倍,造成设备投资相对较大。
在溶剂消耗方面,先进的酒精浸出系统可以使溶剂消耗在30kg/t物料以下,仍高于6号溶剂浸出油脂系统的2kg/t物料以下。
酒精浸出湿粕和含水酒精结合较紧密是造成消耗偏高的主要原因。
炼钢工艺简介(1)
氧气顶吹转炉炼钢法的特点
• 利于自动化生产和开展综合利用 • 氧气顶吹转炉炼钢冶炼时间短，生产率高
，其机械化程度较高，有利于实现生产过程 的自动化，也有利于开展综合利用，如回收 煤气、炉尘（做烧结矿原料）等。
炼钢工艺简介(1)
四、炼钢基本原理
炼钢基本原理
一、什么叫钢
一般把碳小于2.11％的铁碳合金称为钢。 二、什么叫炼钢
炼钢工艺简介(1)
氧气顶吹转炉炼钢法的特点
• 原料消耗少，热效率高、成本低 • 氧气顶吹转炉炼钢的金属消耗一般为1100～1140
公斤／吨钢，稍高于平炉（但在良好燥作情况下 ，金属消耗与平炉接近）。但由于顶吹转炉的热 源是利用铁水本身的物理热和化学热，热效率高 ，不需外加热源，因此在燃料和动力消耗方面均 较平炉、电炉低。由于氧气顶吹转炉炼钢法具有 高的生产率和低的消耗，所以钢的成本也较低。
四、一炼钢技术经济指标
一炼钢在今年前几个月与国内部分同类生产厂指标相比， 在钢铁料消耗、日历作业率上差别较大.而与全国平均水平相 比各项指标均好于同时期的全国平均水平。 ➢ 钢铁料消耗比莱钢高21kg/t，比全国平均低了7.4 kg/t ➢ 日历作业率上比南京低15.56%，比全国平均高2.64％ ➢ 氧气消耗比莱钢高３.７８m3/t，比全国平均低3.85m3/t。 ➢ 转炉冶炼周期比安阳多１.５６min,比全国平均低6.9min。 ➢ 炉衬寿命比莱钢略低。 ➢ 具体对比数据见附表。
➢音频化渣技术：2000年转炉与上海工业大学合作开发的音 频化渣技术，该项技术能根据炉内反应的声音，分析炉渣 的性质，及时指导氧枪枪位控制，促进化渣
炼钢工艺简介(1)
➢ 转炉数据静态模拟控制：2001年，转炉与上海阿塞克自动 化公司合作，开发出转炉数据静态模拟控制系统，使小转炉 炼钢局部实现自动化，降低了劳动强度，改善了生产环境， 提高了转炉作业率及生产效率。
一种焦炉煤气脱硫副产硫膏提纯制硫磺的工艺方法
一种焦炉煤气脱硫副产硫膏提纯制硫磺的工艺方法一、焦炉煤气脱硫副产硫膏提纯制硫磺的工艺简介1.工艺特征：本工艺采用焦炉煤气脱硫副产硫膏提纯制硫磺的工艺，通过焦炉脱除煤气中的二氧化硫，由焦炉煤气脱硫副产硫膏进行提纯，最终产出99.5%以上纯度的硫磺。
2.技术要求：本工艺要求焦炉煤气中二氧化硫含量低于100mg/Nm3以下，最终产品硫磺精度要求99.5%以上。
3.特点：本工艺采用焦炉煤气脱硫副产硫膏提纯制硫磺的工艺，可有效的脱除煤气中的二氧化硫，使所产硫磺达到较高的纯度；同时本工艺采用提纯法，可降低生产成本，提高经济效益。
二、工艺流程1.煤气清理：采用连续流式排电极微粒除尘器进行煤气清理，以消除煤气中的微尘，进而减少煤气脱硫副产硫膏成品中毛毛状颗粒，同时还可以把有害微粒去除；2.煤气脱硫：采用化学吸收方法，在改造后的吸收塔中，以稳定配比的高浓度氧强烈搅拌和吸收剂一起进入吸收塔，进行脱硫；3.提纯硫膏：将煤气脱硫后的硫膏经过脱水、破碎及筛分的过程，通过磁铁粉末选择磁性材料进行提纯；4.硫磺制备：将提纯硫膏细粉放入整流炉中，受高温作用，水分煮沸，使硫膏中的水分分离出来，排出；最后加入适量的石灰烧制，使其熔点提高至1300℃，从而获得高纯度的硫磺。
三、操作中注意事项1.焦炉：应每天定期进行检查，定期进行除积灰清理，以提高煤气中二氧化硫的脱除效率；2.吸收塔：对吸收塔的冷凝器部件要进行定期的清洗，及时更换吸收剂，以使其能够达到较高的吸收率；3.脱水、破碎及筛粉：应按生产要求使用特定的设备，进行脱水、破碎及筛粉，以保证最终产品的质量；4.硫磺化设备：应定期检测熔点，并根据要求进行调整，以保证最终产品的美观性及纯度。
可发性聚苯乙烯一步法生产悬浮工艺简介
可发性聚苯乙烯一步法生产悬浮工艺简介一、前言（一）可发性聚苯乙烯简介可发性聚苯乙烯树脂，英文简称（EPS），通称聚苯乙烯和苯乙烯系共聚物。
其是由苯乙烯单体在一定量的纯水中，在一定温度下加入引发剂、分散剂、稳定剂、发泡剂后进行悬浮聚合制得的一种新型高分子材料。
主要分为普通型、高倍型和阻燃型三种类型。
经预发、熟化和模塑成形即可制得泡沫塑料制品。
具有质轻、价廉、导热率低、吸水性小、电绝缘性能好、隔音、防潮、成型工艺简单等优点，广泛用作包装、保温、隔热建筑装磺等方面的材料［1］。
（二）可发性聚苯乙烯生产工艺发展概况在国外，可发性聚苯乙烯（EPS）的生产开始于40年代，其制备工艺现有一步浸渍法（一步法）和二步浸渍法（二步法）。
自50年代由德国BASF公司开发EPS 珠粒生产工艺后, 泡沫塑料由于成型工艺及设备简易可行, 并可制成各种形状、不同密度的产品, 因而发展迅速。
70年代以来，国外一步法工艺开发的主要类型如下：聚合后期加发泡剂法，以日本日立化成公司为例，以在聚合转化率80％-85％时压入发泡剂最好。
“一锅煮法”，以德国BASF公司为代表，将包括发泡剂在内的所有物料一次加入，采用较好的配方设计和控制技术，可制得粒径分布窄的珠粒产品。
种子聚合选用可发性聚苯乙烯（EPS）、聚苯乙烯（PS）、聚氯乙烯（PVC）等作为聚合种子，得到合乎要求的可发性聚苯乙烯珠粒。
以日本钟渊化学公司为例，将离心收集的一定规格可发性聚苯乙烯细颗粒作为聚合的种子，分散在分散介质中，然后进行悬浮聚合。
在实际生产中，国外大量采用的仍是聚合后期加发泡剂法。
在国内，60年代才开始可发性聚苯乙烯技术的开发工作，随后实现工业化，但采用的方法为二步法，且规模都很小，只有千吨级水平。
80年代以前国内一直用传统的二步法工艺。
90年代初先后引进荷兰Shell公司一步法生产工艺在上海高桥化工厂和金陵石化公司塑料厂投产, 开创了我国一步法工艺的先河。
在该工艺中，PS珠粒的浸渍是在聚合过程中一起完成的。
味精的生产工艺流程简介
1味精的生产工艺流程简介味精的生产一般分为制糖、谷氨酸发酵、中和提取及精制等4个主要工序。
1．1液化和糖化因为大米涨价，目前大多数味精厂都使用淀粉作为原材料。
淀粉先要经过液化阶段。
然后在与B一淀粉酶作用进入糖化阶段。
首先利用一淀粉酶将淀粉浆液化，降低淀粉粘度并将其水解成糊精和低聚糖，应为淀粉中蛋白质的含量低于原来的大米，所以经过液化的混合液可直接加入糖化酶进入糖化阶段，而不用像以大米为原材料那样液化后需经过板筐压滤机滤去大量蛋白质沉淀。
液化过程中除了加淀粉酶还要加氯化钙，整个液化时间约30min。
一定温度下液化后的糊精及低聚糖在糖化罐内进一步水解为葡萄糖。
淀粉浆液化后，通过冷却器降温至60℃进入糖化罐，加入糖化酶进行糖化。
糖化温度控制在60℃左右，PH值4．5，糖化时间18-32h。
糖化结束后，将糖化罐加热至80 85℃，灭酶30min。
过滤得葡萄糖液，经过压滤机后进行油水分离(一冷分离，二冷分离)，再经过滤后连续消毒后进入发酵罐。
1．2谷氨酸发酵发酵谷氨酸发酵过程消毒后的谷氨酸培养液在流量监控下进入谷氨酸发酵罐，经过罐内冷却蛇管将温度冷却至32℃，置入菌种，氯化钾、硫酸锰、消泡剂及维生素等，通入消毒空气，经一段时间适应后，发酵过程即开始缓慢进行。
谷氨酸发酵是一个复杂的微生物生长过程，谷氨酸菌摄取原料的营养，并通过体内特定的酶进行复杂的生化反应。
培养液中的反应物透过细胞壁和细胞膜进入细胞体内，将反应物转化为谷氨酸产物。
整个发酵过程一般要经历3个时期，即适应期、对数增长期和衰亡期。
每个时期对培养液浓度、温度、PH值及供风量都有不同的要求。
因此，在发酵过程中，必须为菌体的生长代谢提供适宜的生长环境。
经过大约34小时的培养，当产酸、残糖、光密度等指标均达到一定要求时即可放罐。
1．3 谷氨酸提取与谷氨酸钠生产工艺该过程在提取罐中进行。
利用氨基酸两性的性质，谷氨酸的等电点在为pH3．0处，谷氨酸在此酸碱度时溶解度最低，可经长时间的沉淀得到谷氨酸。
常见面条的制作工艺
以下是常见面条的制作工艺，供大家参考。
1、工艺流程
面粉→添加增筋剂→和面→熟化→轧片→切条→成品
↑
盐、水
2、操作简介
1）各种物料比例：面粉1公斤，食盐10克（1%），增筋剂5克（0.5%），水0.3公斤（30%）。
2）添加增筋剂：把增筋剂撒在面粉中，搅拌混匀。
3）和面：先把食盐在水中溶解，然后加入面粉中和面呈絮状。
4）熟化：将和好的面絮静置10分钟左右，让蛋白质充分吸水形成面筋。
5）轧片：将熟化好的面絮在面条机上连续轧片，直至面片光滑为止。
注：先调整轧面机的辊间距为宽，逐渐变窄，最后调整到合适的间距，轧出要切割的面片。
6）切条：将轧好的面片放入切条机切成需要的面条。
黄金工艺介绍
黄金首饰的一般加工工艺流程:熔金→倒模→抛光→执模→压光→车花→QC（检测)→成品入库黄金首饰主要生产工艺流程简介：（1）熔金:利用乙炔火焰烧石英坩埚（耐高温埚）内的(未锻造)黄金，使乙熔炼成适合加工饰品的单件配料件。
(2)倒模：利用高周波或中周波离心浇铸机将黄金配料熔化后再倒入石膏模中浇铸出铸件。
(3）抛光：使用磁力抛光机或滚筒抛光机将铸件表面产生光泽的加工过程.（4)执模:利用戒指铁、坑铁等辅助工具对铸件进行焊接、锉、锤,以修整铸件在铸造过程中的变形及表面粗糙.(5）压光：用玛瑙笔接触金面并磨擦工件，使工件表面产生光亮。
(6)车花:使用装有钻石车花刀的车花机在制品表面作图案性的批花雕刻。
2、黄金首饰损耗原因及环节：熔金——倒模--抛光——执模——压光—-车花损耗原因：①熔金时产生损耗（温度高、时间长、黄金氧化挥发就多）。
②烧铸过程③锉、修整外形等工序造成的损耗④车花时微碎粒流失损耗。
K（黄）金首饰加工工艺知识及工艺流程：进口黄金→啤蜡模→种树→灌粉印模→焗粉→配料→倒模→滚筒抛光→执模→炸金→研磨机抛光→车花→执边→打磨→电金→QC(检测)→成品1、入库主要生产工艺流程简介：(1）啤蜡模：按客户所订款式规格要求，将出蜡机内的蜡灌到胶模(模具）内,啤成符合要求的蜡模。
（2）种树：将蜡模焊接到蜡杆（俗称到树杆）上。
（3)灌粉印模:将焊好的蜡模树放入钢筒内，灌入石膏粉（俗称注粉)，并用抽真空机抽去粉内的空气气泡,以防止铸造出来的K金首饰出现沙眼(小孔）。
（4）焗粉：将已注好粉的蜡树连同钢筒一齐放到电炉内加热除蜡(高温挥发)使粉温达到K 金倒模温度（约680℃左右)，需时8小时左右.(5）配料熔金：将足金原料与补口（用于K金首饰的一种合金原料)按比例混合熔在一起形成K金料,如进口的是K金原料就可直接熔炼成加工饰品的适合单件生产。
（6)倒模：将K（黄)金料按每盅工件所需的重量，放到真空吸索倒模机或离心倒模机，经过1100度高温熔成液体后,将粉盅（装已焗粉的盅)内的工件挟到倒模机内，利用倒模机使K金液体注入到粉盅的工件中，倒模成所需K金托.(7）滚筒抛光：将已倒模好的金托经滚筒机抛光使其外表达到一定的光亮度。
变压器工艺介绍范文
变压器工艺介绍范文变压器是将电能由一电压等级转变为另一电压等级的电气设备。
它是电力系统中非常重要的设备之一，用于电能的输送与分配。
变压器工艺是指在变压器制造过程中所采用的工艺和技术。
变压器的工艺包括以下几个方面：1.材料选择：变压器的核心由硅钢片组成，因其具有较低的磁滞损耗和涡流损耗而被选择为变压器制作的主要材料。
此外，还需要选择适当的绝缘材料、线圈材料和冷却材料。
2.铁芯的制作：铁芯是变压器的主要核心部分，用于通导磁场。
制作铁芯的过程包括将硅钢片剪切成所需的形状，并通过堆叠或螺旋方式将它们组装在一起。
在组装过程中，需要确保铁芯的良好接触，以减少磁阻损耗。
3.线圈的绕制：变压器中有两个主要的线圈，即一次侧线圈和二次侧线圈。
这些线圈通过绝缘材料分隔，并以特定顺序将导线绕制在铁芯上。
绕制线圈的过程需要精确的绕线技术，以确保线圈的正确匝数和互补。
4.绝缘处理：由于变压器在工作过程中承受高压和高温，因此绝缘处理是至关重要的。
绝缘材料需要经过特殊的涂覆和固化过程，以提高其绝缘性能和耐热性。
5.冷却系统：变压器需要通过冷却系统来保持其运行温度。
常见的冷却系统包括油冷却和风冷却。
油冷却使用绝缘油来吸收和分散变压器产生的热量，而风冷却则采用散热器和风扇来散发热量。
6.测试和质量控制：在变压器制造过程中，需要进行一系列的测试来确保其质量。
这些测试包括电气测试、绝缘测试、温度测试等。
同时，还需要进行质量控制来确保每个制造过程都符合相应的标准和要求。
总的来说，变压器工艺是一个复杂的制造过程，需要严格的工艺和技术。
只有通过合理的工艺设计和严格的质量控制，才能保证变压器的高效运行和长期稳定性。
醇醚生产工艺简介[1]
此类 反应 器 是上海 凯诺 通科 技有 限公 司开 发研
制， 换热系统类似 于 Ｂ Ｕ Ｓ Ｓ 反应器 ， 与导热水换 热并副
产低 压蒸气 。在 生产大宗醇醚产 品时， 具有 Ｐ ｒ ｅ ｓ ｓ 装 置 的所有优 点， 又有 Ｂ Ｕ Ｓ Ｓ 反应器 的特 点 ： 装 置设计很 紧凑 ， 占地 面积 小， 循环系统 消除了死角 ， 便于更换产 品 品种 ， 更换 品种 时一 般无 需洗 釜 ， 用Ｎ ： 吹 净 即可 ， 减少 污水 处理 量 ，特 殊换热 器用 反应热 发生 副产蒸
对 公用 工程要求 高 。
１ ９ ９ ８年北京 罗克普 朗克 公 司引进 了一套该 反应
器。
产Ｎ Ｐ — ｌ ０ ， 由于其 良好 的渗 透 性 、 乳化 性 以及 良好 的 去污性 ， 主要应用 于工业洗涤剂及 助剂行业 。
ｉ ． １ ． ２ 循环 喷雾反应 器 该类 反应器是 意大利 Ｐ ｒ ｅ ｓ ｓ公司专利 ， 自 １ ９ ６ ２ 年在 乙氧 基化反应 投入使用 以来 已发展 到第 四代 ， 反 应器根据所 需分子量 大小要求 ， 设计成单 循环或 双循 环 结构 ， 单 循 环产 品 的增 长 比为 Ｉ： ６ ， 双 循 环 为 ｉ：
反应器预先用n置换然后把环氧乙烷计量加入反应器生产时雾化充满整个反应器上端空间再用计量泵将计量的起始剂催化剂加入反应器喷嘴形成雾状使其与雾状环氧乙烷反应反应物料经换热器与导热油换热移走热量后再循环至反应器中反应期间反应压力保持在0205mpa之间温度保持在120180原料加入后继续循环一定时间使单体完全转化达一定压力后反应结束
和我 国上海 凯诺通 公司的立式倒瓶状 反应 器 。
１ ． １ ． １ 回 路 反 应 器
大有光FDY涤纶长丝生产工艺知识(一)
大有光FDY涤纶长丝生产工艺知识(一)随着科学技术的日益发展，许多新型工艺逐渐出现在我们的生活中。
其中，涤纶长丝生产技术是一项非常受欢迎的生产工艺，它被广泛应用于各种领域。
下面，我们将详细介绍一下大有光FDY涤纶长丝生产工艺知识。
一、FDY涤纶长丝生产工艺简介FDY即为Full Drawn Yarn，涤纶长丝是指以聚酯为原料，经过拉伸、捻合、加捻、冷却等工艺制成的长丝。
FDY涤纶长丝工艺是在聚酯原料加工过程中，通过预加工丝、拉伸、捻合、缩成及带绞等工艺使材料变成所需的FDY长丝。
涤纶长丝依据其单纤维的细度，可以分为近纺涤纶长丝（即FDY）和直纺涤纶长丝（即POY）两大类。
二、FDY涤纶长丝生产工艺流程1. 染色：将聚酯原料加工成纺丝原料后，需要对其进行染色处理。
2. 预加工丝：将染好色的聚酯原料通过拉伸机残长度拉伸成0.4倍长度的预加工丝。
3. 加捻：在预加工丝的基础上进行加捻，制成加捻线。
4. 热定型：将加捻线在热窖中定型，使其维持所需形态。
5. 带绞：将未定型的加捻线拉到带绞机上，进行绞合，制成带绞线。
6. 拉伸：将带绞线拉伸到所需长度，在同时控制速度和张力的情况下，制成FDY涤纶长丝。
7. 卷绕：将拉好的长丝卷绕在纱锭上，最终成品完成。
三、FDY涤纶长丝生产工艺特点1. 生产高效：FDY涤纶长丝的生产工艺相比之前的工艺更为高效。
在一定的生产时间内，可以制造出更多的产品。
2. 产品质量好：FDY涤纶长丝生产工艺可以使产品质量更好。
其产品具有更高的强度、韧性和柔软度。
3. 可塑性强：FDY长丝的弹性和可塑性非常强，能够适配多种材质。
四、FDY涤纶长丝应用范围FDY涤纶长丝具有广泛的应用范围，主要被用于各种纤维制品的生产中，如：运动鞋材料、座椅面料、汽车内饰、羽绒服、被子填充材料等。
其产品具有很好的质量，质量稳定性高，使用寿命较长。
总之，FDY涤纶长丝生产工艺具有很高的生产效率，同时保证了产品质量的稳定性和可靠性。