半导体三极管β值测量仪
XJ4810晶体管特性图示仪 说明书
XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
三极管的测量方法
三极管的测量方法一、三极管的基本结构和原理三极管是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体组成。
它有三个区域，即发射区、基区和集电区，分别对应P型半导体、N型半导体和P型半导体。
其工作原理是通过控制基极电压来控制集电电流，实现信号放大或开关控制。
二、三极管的分类根据结构不同，三极管可以分为晶体管、场效应晶体管等类型。
其中晶体管又可分为PNP型和NPN型两种。
三、三极管的测量方法1. 静态参数测试静态参数测试主要包括测量三极管的放大倍数β值、截止频率fT值等参数。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于静态参数测试模式下。
（3）给定基极电压Vbe和集电电压Vce，并记录对应的集电电流Ic。
（4）根据公式计算出β值和fT值。
2. 动态特性测试动态特性测试主要包括测量三极管的增益带宽积、输入输出阻抗等参数。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于动态特性测试模式下。
（3）给定输入信号，并记录对应的输出信号。
（4）根据公式计算出增益带宽积和输入输出阻抗。
3. 温度特性测试温度特性测试主要是测量三极管在不同温度下的工作情况，以评估其稳定性和可靠性。
具体步骤如下：（1）将待测三极管安装在测试台上，并连接测试仪器。
（2）调整测试仪器，使其处于温度特性测试模式下。
（3）逐步升高或降低环境温度，并记录对应的电气参数值。
（4）根据记录数据分析出三极管的温度特性。
四、注意事项1. 选择合适的测试仪器和设备，确保测量精确可靠。
2. 在进行动态特性测试时，需要注意输入信号和输出信号之间的匹配问题，以避免误差产生。
3. 在进行温度特性测试时，需要控制好环境温度变化速率，以免影响测试结果。
4. 测量过程中需要注意安全问题，避免发生意外事故。
五、总结三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
对其进行准确可靠的测量和评估，有助于提高电路的性能和稳定性。
常用PNP三极管参数
常用PNP三极管参数PNP三极管是一种常用的半导体器件，常被用于电子电路中的放大、开关、稳压等功能。
了解其常用参数对于理解和应用该器件是非常重要的。
1.电流放大倍数（β值）：PNP三极管的电流放大倍数指的是集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）之间的比值。
它是指三极管的放大能力，一般值在10～500之间，不同型号的三极管有不同的β值。
2. 最大集电极电流（Ic max）：指在特定工作条件下，三极管所能承受的最大电流值。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
3. 最大集电极-基极电压（Vce max）：指在特定工作条件下，三极管集电极与基极之间所能承受的最大电压值。
超过该值后会导致器件击穿。
4. 饱和区和截止区：PNP三极管有两个特殊的工作区域。
饱和区指的是当基极电流（Ib）足够大，使得集电极电压（Vce）很小甚至接近零时，三极管处于饱和状态。
截止区指的是当基极电流（Ib）非常小且集电极电压（Vce）较大时，三极管处于截止状态。
5.输入电压偏置和输出电压偏置：PNP三极管的工作需要正确定义基极和发射极之间的电压偏置。
输入电压偏置指的是基极电压与发射极电压之间的差值，输出电压偏置指的是集电极电压与发射极电压之间的差值。
6. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率。
超过该值后会导致器件过热甚至损坏。
7.最大工作频率（fT）：指能够在频率上最大工作的三极管。
这个参数对于高频应用非常重要。
它取决于三极管内部结构和材料的特性。
8. 热电阻（θja）：指三极管的热耦合特性，即用于散热时三极管芯片与环境间的温度差。
热阻越小，散热效果越好，越有利于保护器件。
9.尺寸和引脚布局：PNP三极管通常有标准的引脚布局，如基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
这些尺寸和引脚布局使得三极管易于焊接和安装。
10. 各种参数受到温度影响：PNP三极管的性能受到温度的影响。
特别是电流放大倍数（β值）和最大集电极电流（Ic max）会随着温度的变化而变化。
三极管β关系公式推导由来
三极管β关系公式推导由来好家伙，今天咱们来聊聊三极管的β值，讲到这个话题，不得不说，三极管这个东西真是“高深莫测”，很多人一听就觉得“哇，这个问题好像挺复杂的”，其实你稍微捋一捋，它并没有那么神秘，关键是你得理解它背后的意思。
咱们从最基础的来，不要急，慢慢来。
三极管，顾名思义，它可是个“放大器”，就像那种大喇叭一样，能把你说的“小话”放大成“巨响”，如果说的更形象一点，三极管就像是一个“大嘴巴”，能把输入信号放大输出，厉害吧？这个放大的过程，可就离不开一个非常重要的参数——β。
你要问我，什么是β？哎呀，这个问题问得好！三极管的β就是它的“放大能力”，说白了，β值高，它就能放大得更厉害。
好比你跟朋友说话，如果你是个“低音炮”，声音小，那就像是β值低；要是你声音大，能传到好几百米远，那就是β值高。
明白了吧？不过啊，β不是天生就高的，也不是随便能提高的，它是跟三极管的工作状态有关系的。
咱们来看看它是怎么来的。
三极管是由三个半导体层构成的，分别是“发射极”，“基极”和“集电极”，每个部分的名字就像你给自己取个“江湖名”一样，各有特点。
发射极就像个“话匣子”，发射出电子，基极呢，是控制这些电子的“闸门”，集电极就像是个“接收站”，接收从发射极过来的电子。
听着有点乱？其实也不复杂，就是一个电子在里面走来走去，按照不同的电流关系，三极管就能发挥作用。
说到这里，有没有感觉到电流在三极管内部流动的图景？那就对了！这个流动的电流，和β有很大关系。
简单来说，β就是集电极电流和基极电流的比值。
举个例子，你想象你是发射极，朋友是基极，你们之间有个约定：你给朋友一些东西，朋友再把这些东西传给集电极。
每一件传给朋友的东西，朋友又能把它“放大”好几倍再交给集电极。
这个放大的能力，就体现为β值。
比如说，如果β值是100，那么基极电流流入1毫安，集电极电流就能放大到100毫安，厉害吧？不过，话说回来，β值并不是一成不变的。
它其实是受多种因素影响的，温度、三极管的制造工艺、工作电流的大小等等都会影响它的数值。
8050三级的基本管参数
8050三级的基本管参数8050三极管是一种常用的电子元件，作为一种非常重要的半导体元件，广泛应用于各种电子设备中。
对于三级管的基本参数，我们可以从以下几个方面来进行介绍。
首先，我们来看一下三极管的结构。
三极管由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和基区之间形成一个非常薄的基极结，而基区和集电区之间形成一个非常薄的集电结。
这种结构使得三极管具有非常好的放大性能和开关能力。
三极管的第一个基本参数是电流放大倍数，也叫做β值。
电流放大倍数是指输出电流与输入电流之间的比值，用来衡量三极管的放大作用。
β值越大，说明三极管的放大作用越好。
一般来说，8050三极管的β值在30到300之间。
第二个基本参数是最大耐压能力。
耐压能力是指三极管在集电结和发射结之间能够承受的最大电压。
对于8050三极管来说，其最大耐压一般在25V到60V之间。
第三个基本参数是最大集电电流。
集电电流是指从集电区流出的电流，也就是三极管的输出电流。
8050三极管的最大集电电流一般在500mA到800mA之间。
第四个基本参数是最大功率耗散。
功率耗散是指三极管在工作过程中的耗散功率，可以通过集电极电流和集电极电压之积得到。
对于8050三极管来说，其最大功率耗散一般在400mW到800mW之间。
第五个基本参数是最大工作频率。
工作频率是指三极管能够正常工作的最高频率。
对于8050三极管来说，其最大工作频率一般在100MHz到300MHz之间。
除了以上几个基本参数外，三极管还有一些其他的参数，如输入电阻、输出电阻和截止频率等。
输入电阻是指三极管的输入端对电流的阻抗，输出电阻是指三极管的输出端对电流的阻抗，而截止频率是指三极管无法正常放大电信号的最高频率。
总结起来，8050三极管的基本管参数包括电流放大倍数、最大耐压能力、最大集电电流、最大功率耗散和最大工作频率等。
这些参数决定了三极管的放大性能、开关能力和稳定性，对于电子设备的设计和应用具有非常重要的意义。
半导体器件综合测试实验报告
半导体器件综合测试实验报告1实验⽬的了解、熟悉半导体器件测试仪器，半导体器件的特性，并测得器件的特性参数。
掌握半导体管特性图⽰仪的使⽤⽅法，掌握测量晶体管输⼊输出特性的测量⽅法；测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下（磁场、霍尔电流）下的霍尔电压，并根据实验结果全⾯分析、讨论。
2实验内容测试3AX31B、3DG6D的放⼤、饱和、击穿等特性曲线，根据图⽰曲线计算晶体管的放⼤倍数；测量霍尔元件不等位电势，测霍尔电压，在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。
3实验仪器XJ4810图⽰仪、⽰波器、三极管、霍尔效应实验装置。
4实验原理4.1三极管的主要参数4.1.1 直流放⼤系数共发射极直流放⼤系数ββ=-( 4-1)(I I)/IC CEO B时，β可近似表⽰为当I IC CEOβ=( 4-2)I/IC B4.1.2 交流放⼤系数共发射极交流放⼤系数β定义为集电极电流变化量与基极电流变化量之⽐，即CE CBv i i β=?=?常数( 4-3)4.1.3 反向击穿电压当三极管内的两个PN 结上承受的反向电压超过规定值时，也会发⽣击穿，其击穿原理和⼆极管类似，但三极管的反向击穿电压不仅与管⼦⾃⾝的特性有关，⽽且还取决于外部电路的接法。
4.2霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作⽤⽽产⽣电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒⼦在磁场中受洛仑兹⼒的作⽤⽽引起的偏转。
当带电粒⼦（电⼦或空⽳）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的⽅向上产⽣正负电荷在不同侧的聚积，从⽽形成附加的横向电场。
图4-1 霍尔效应⽰意图如图4-1所⽰，磁场B 位于Z 的正向，与之垂直的半导体薄⽚上沿X 正向通以电流sI （称为控制电流或⼯作电流），假设载流⼦为电⼦（N 型半导体材料），它沿着与电流s I 相反的X 负向运动。
由于洛伦兹⼒L f 的作⽤，电⼦即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负⽅向的B 侧偏转，并使B 侧形成电⼦积累，⽽相对的A 侧形成正电荷积累。
用万用表检测常用电子元器件
三 、半 导 体 元 件 检 测 １、二极管， 极性及好坏判断。用万用表 Ｒ ×ＩＫ 挡或 Ｒ × ｌ００ 挡， 两表笔分别接触二级管两个引出脚， 如果二级管导 通 ， 表 针 指 示 数 较 小（锗 管 约 几 百 欧 ， 硅 管 为 几 千 欧）时 ， 与 黑 表笔相接的引出脚为正极。接着调换两表笔再测量， 若表针 示数很大（锗管约几百千欧， 硅管为几兆欧， ）说明该二极管是 好的， 并且先判明的极性是正确的。如果正反向电阻均为 ２ 或均为 ∞， 表明该管已经击穿或断路， 不能使用。 应当注意， 测量小功 率 二 极 管 ， 不 宜 使 用 Ｒ ×ｌ或 Ｒ × ｌＯ Ｋ 挡， 前者通过二极管电流较大， 可 能 烧 坏 管 子 ； 后 者 加 在 管子两端的反向电压太高， 容易将管子击穿。另外， 二级管是 一种非线性元件， 它的正反向电阻随万用表的种类和挡位不 同而不一样， 这是正常现象。 ２、三 极 管 （１）管 型 及 管 脚 判 别
（２）性 能 参 数 的 测 量 １． β 值 的 测 量 ， 目 前 ， 多 数 万 用 表 都 设 有 测 量 三 极 管 β 值的挡位， 具体测量方法按万用表说明书讲的去测即可。 （５００ 型万用表无此功能）。 ２． 穿 透 电 流 Ｉｃｅｏ 的 测 量 对 于 Ｎ ＰＮ 管 ， 黑 表 笔 按 Ｃ ； 红 表笔接 Ｅ ； 对于 ＰＮ Ｐ 管， 红表笔按 Ｃ ，黑表笔接 Ｅ ， 所测出的阻 值越大， 穿透电流越小。一般小功率硅管用 Ｒ ×ｌｋ 挡测量表 针 应 不 动 ， 由 于 锗 管 Ｉｃｅｏ 较 大 ， 用 Ｒ ×ｌｋ 挡 测 量 表 针 有 明 显 的偏转。 ３、普 通 晶 闸 管 １．判别晶闸管极性 小功率晶 管 外 形 和 封 装 形 式 与 半 导 体三极管类似， 三个电极较难辨认， 大功率晶闸管三个电极 区别明显， 判别容易。用万用表判别方法为： 万用表打到
半导体三极管β值测量
2010课程设计论文题目：半导体三极管β值测量仪目录一、设计任务及要求； (3)二、内容摘要； (3)三、设计思路和方案； (4)3.1基本方案； (4)3.1.1基本方案思路及框图 (4)3.1.2 恒流源与被测三极管组成的放大电路； (4)3.1.3取样电路与比较器电路； (5)3.1.4编码电路； (6)3.1.5译码电路； (6)3.1.6显示电路； (6)3.2发挥部分； (6)3.2.1发挥部分思路及框图 (7)3.2.2压控振荡电路； (7)3.2.3定时控制电路； (7)3.2.4计数电路； (8)3.2.5译码显示电路................................................................ (9)显示电路四、相关参数计算； (9)4.1基本部分； (9)4.1.1微电流源； (9)4.1.2取样电路； (10)4.1.3分压比较电路； (11)4.1.4编码电路； (13)4.1.5译码及显示电路； (14)4.2发挥部分； (14)4.2.1定时控制电路； (14)4.3整体电路图； (15)五、组装调试； (16)5.1主要仪器和器材； (16)5.2器材清单； (16)5.3调试电路的方法和技巧； (16)5.4测试的数据和波形并与计算结果比较分析； (17)5.4.1基础部分 (17)5.4.2压控振荡器的仿真波形 (18)5.4.3定时控制器的输出仿真波形 (18)5.4.4电路整体分析 (18)5.5调试中出现的故障、原因及排除方法； (19)六、总结设计电路和方案的优缺点； (19)七、收获、体会； (20)八、参考文献、附件； (21)九、附录； (21)一、设计任务及要求任务：设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。
要求：1．基本部分（1）对被测三极管的β值分三档；（2）β值的范围分别为80～120及120～160，160～200；其对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。
三极管的检测及其管脚的判别
三极管的检测及其管脚的判别使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程）现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。
但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管.我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。
以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的.大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。
手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN管.图1 三极管我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。
其形式就像下图。
中间的是基极（B极）。
图2 三极管的内部形式首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。
看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。
这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。
对于PNP管，当黑表笔(连表内电池负极)在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0。
5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1）.对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。
从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3 万用表的二极管测量档图4 判断BC337的B极和管型(1)图4 判断BC337的B极和管型(2)找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。
如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的.而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。
把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母.读数，再把它的另二脚反转，再读数.读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E极.学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速.图5 万用表上的hFE档图6 判断C，E极图7 判断C,E极2。
(完整版)三极管参数测试仪
简易半导体三极管参数测试仪
一、 任务
设计并制作一个小功率半导体三极管参数测试仪
二、 要求
1、基本要求
（1） 在V V A I CE B 10,10≈≈μ 条件下，能测出三极管的直流电流放大系
数β，并用数字显示。
测量范围50~300；测量误差的绝对值小于1100
5+N ，其中N 是直流放大倍数β的显示数值。
（2） 当B I 由10μA 变化到20μA ，CE V 保持不变，能测出三极管的交流
放大系数β，并用数字显示。
测量误差要求同（1）。
（3） 在V V CE 10=的条件下，测量三极管的集电极—发射极反向饱和电流 CEO I ，用数字显示，测量范围0.1μA~100μA ，测量误差≤10%。
（4）测量三极管的集电极—发射极间的反向击穿电压CEO BR V )(，并用数字显
示；测试条件mA I C 1=，测量范围20V~60V ，测量误差≤5%。
（5） 具有三极管管脚插错、损坏指示报警功能。
2、发挥部分
（1） 在V V CE 10=条件下，显示出三极管共射极接法输入特性曲线。
（2） 在0≈B I ，10μA ，20μA ，30μA ，=CE V 0~12V 条件下，显示出三
极管共射极接法输出特性曲线。
（3） 其他。
三、评分标准。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
课程设计名称：电子技术课程设计
题目：半导体三极管β值测量仪
专业：
班级：
姓名：
学号：
课程设计成绩评定表
课程设计任务书
一、设计题目
半导体三极管β值测量仪
二、设计任务
1.对被测NPN型三极管值分三档，80－120,120－160,160－-200三档，
并分别编号为1、2、3；
2.用四个发光二极管显示编号，处于待测时全部灭，超过200显示四个
全部亮。
三、设计计划
电子技术课程设计共1周。
第1天：选题，查资料；
第2天：方案分析比较，确定设计方案；
第3～4天：电路原理设计与电路仿真；
第5天：编写整理设计说明书。
四、设计要求
1. 画出整体电路图。
2. 对所设计的电路全部或部分进行仿真，使之达到设计任务要求。
3. 写出设计说明书。
指导教师：回立川
时间：2012年6月12日。