模电期中考试试卷及答案 苏州大学应用技术学院
苏州大学 模拟电子技术 课程期中试卷
共 5 页
考试形式 闭 卷 2013 年 11 月
院系 年级 专业 学号 姓名 成绩
一．选择题 （每小题1分，共10分） 1．三极管工作于放大区时 （ A ）
A. 发射结正偏，集电结反偏
B. 发射结正偏，集电结正偏
C. 发射结反偏，集电结反偏
D. 发射结反偏，集电结正偏
2．某放大器的放大倍数为Av=1000，则其分贝表示值为 （ C ）
A. 40dB
B. 30dB
C. 60dB
D. 50dB
3．温度影响放大电路的静态工作点，使静态工作点不稳定，其主要原因是温度影响了放大电路中的
（D ）
A. 电阻
B. 电容
C. 电感
D. 三极管
4．硅NPN 型BJT 处于放大状态时，其V BE 一般为 （ B ）
A. 0.2V
B. 0.7V
C. –0.2V
D. 0V
5．杂质半导体导电能力强是因为 （ D ）
A ．原子增多 B. 离子增多 C. 体积增大 D. 载流子增多
6．稳压管又叫 （ B ）
A ．二极管 B. 齐纳二极管 C. MOS 管 D. 整流管 7．输入信号频率等于放大电路的上限截止频率H f 时，放大倍数约降为中频时的 （ D ） A. 1/2 B. 1/3 C. 1/3 D. 1/2
8．三极管的三种基本放大电路中，基极输入、集电极输出的放大电路组态是 （ B ）
A. 共集电极组态
B. 共射极组态
C. 共基极组态
D. 三种都是
9．二极管的电流和电压在某一静态工作点附近作微小变化时，可以采用以下模型分析 （ D ）
A ．理想模型 B. 恒压降模型 C. 折线模型 D. 小信号模型
10．一两级放大器，第一级增益20dB ，第二级40dB ，总增益为 （ D ） A. 40 dB B. 20 dB C. –60 dB D. 60 dB 二．（10分）一个三极管放大电路中，测得BJT 三个引脚1、2、3对地电压分别为U1=0.7V ，U2=0V , U3=5V ，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT 为NPN 还是PNP 管，是硅管还是锗管。
1-----基极、2-----发射极、3-----集电极。 此BJT 为NPN 硅管。 三．（15分）二极管电路如图1，二极管是理想的（采用理想模型）， （1）分析二极管的导通条件，即
i v 在什么范围内二极管导通，在什么
范围内二极管截止（6分）
（2）分别画出二极管导通和截止时，图1的等效电路（4分） （3）若t v
i ωsin 5=（V ），绘出o v 的波形（5分）。
图1
（1）（6分）i v >-3V 导通 （2）（4分）
（3）（5分）
四．（15分）图2所示二极管电路中，设二极管是理想的， V V CC 10-=，V V DD 20=（正负极性见图）， （1）当1D 断开时，求A 、B 、C 三点对地电压A V 、B V 、
C V （9分）
（2）试判断1D 导通还是截止？（6分） （1）（9分）
V V R R R V DD A 3
8
656=+=
V V R R R V DD C 5
22
434=+=
V V R R R V CC BC 12
12
-=+=
V V V V C BC B 517
=+= 图2
（2）（
6分）
B A V V <，1D 截止
五．（10分）说明二极管V-I 特性的4种简化模型的名称，并分别画出4种电路模型图。
理想模型 恒压模型 折线模型 小信号模型
R1
18K R2
2K
R3
39K R411K
R5130K
R620K
D1
++_
_
V CC
DD
A
B
C
六．（15分）图3为三极管共射电路的小信号等效电路，已知Ωk R b 240=，晶体管100=β，
Ω=200'bb r ，静态工作点mA I EQ 6.2=，Ωk R R L C 3.4==，
（1）求be r （5分） （2）求v A （5分） （3）求i R ，o R （5分）
图3
（1）k I r r EQ
bb be 2.126
)1('=++=β（5分）
（2）179)
||(-=-
=be
L c V r R R A β（5分）
（3）k r R Ri be b 2.1||== k R o 3.4=（5分）
七．（15分）一三极管共射放大电路如图4，50=β，
（1）画出直流通路，并计算静态工作点BQ I 、CQ I 、EQ I 和CEQ V （8分） （2）分别画出交流通路和小信号等效模型（7分）
+
_
v v s
o
（1）（8分）
直流通路如右上图所示。
V Vcc R R R
V BQ 3212
=+= ， mA R V V I I e BEQ BQ EQ CQ 9.1=-== ，
CEQ e C CQ CC
V R R I V ++=)(， V V CEQ 6=
（2）（7分）
八．（10分）图5为NXP 公司（恩智浦半导体，原Philips 半导体）三极管2PD601ART 数据手册上的特性曲线，
（1）说明横坐标和纵坐标分别代表什么，这是三极管的什么特性曲线（5分）
（2）说明直流电流放大倍数β的定义，并求出Q 点处的β值。根据特性曲线，说明三极管β是否为常数（5分）
图5
（1）横坐标和纵坐标分别代表C-E 电压和集电极电流；
曲线是三极管共射连接的输出特性曲线（5分） （2）共射直流电流放大系数β
B C
B CEO
C I I I I I ≈
-=
β 202500.08
β==
三极管β不是常数（5分）
模电期末考试题
《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L
哈工大模电期末考试题及答案
一、 填空（16分） 1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√，错误的画× （1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。 （ × ） （2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。 （ × ） （3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为01 2f RC π=的信号，反馈信 号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。 （ × ） 第 1 页 （共 8 页） C C R R + + + +R R 3 4 o U ?f U ?t 图1
试 题： 班号： 姓名： 二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300?。回答下列各问： （1） 请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基） （2） 计算放大电路的静态工作点。 （3） 画出微变等效电路。 （4） 计算该放大电路的动态参数：u A ，R i 和R o （5） 若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。 图2 答：（1）是共射组态基本放大电路 （1分） （2）静态工作点Q ： Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ， （2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分） （3）微变等效电路 o （4分） （4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 （2分） Ri=R b //r be ≈1.33K ?; （2分） Ro ≈Rc=2K ? （2分） （5）是饱和失真，应增大R b （1分）
模电期中考试试卷及答案 苏州大学应用技术学院
苏州大学 模拟电子技术 课程期中试卷 共 5 页 考试形式 闭 卷 2013 年 11 月 院系 年级 专业 学号 姓名 成绩 一．选择题 （每小题1分，共10分） 1．三极管工作于放大区时 （ A ） A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 发射结反偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 2．某放大器的放大倍数为Av=1000，则其分贝表示值为 （ C ） A. 40dB B. 30dB C. 60dB D. 50dB 3．温度影响放大电路的静态工作点，使静态工作点不稳定，其主要原因是温度影响了放大电路中的 （D ） A. 电阻 B. 电容 C. 电感 D. 三极管 4．硅NPN 型BJT 处于放大状态时，其V BE 一般为 （ B ） A. 0.2V B. 0.7V C. –0.2V D. 0V 5．杂质半导体导电能力强是因为 （ D ） A ．原子增多 B. 离子增多 C. 体积增大 D. 载流子增多 6．稳压管又叫 （ B ） A ．二极管 B. 齐纳二极管 C. MOS 管 D. 整流管 7．输入信号频率等于放大电路的上限截止频率H f 时，放大倍数约降为中频时的 （ D ） A. 1/2 B. 1/3 C. 1/3 D. 1/2 8．三极管的三种基本放大电路中，基极输入、集电极输出的放大电路组态是 （ B ） A. 共集电极组态 B. 共射极组态 C. 共基极组态 D. 三种都是 9．二极管的电流和电压在某一静态工作点附近作微小变化时，可以采用以下模型分析 （ D ） A ．理想模型 B. 恒压降模型 C. 折线模型 D. 小信号模型 10．一两级放大器，第一级增益20dB ，第二级40dB ，总增益为 （ D ） A. 40 dB B. 20 dB C. –60 dB D. 60 dB 二．（10分）一个三极管放大电路中，测得BJT 三个引脚1、2、3对地电压分别为U1=0.7V ，U2=0V , U3=5V ，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT 为NPN 还是PNP 管，是硅管还是锗管。 1-----基极、2-----发射极、3-----集电极。 此BJT 为NPN 硅管。 三．（15分）二极管电路如图1，二极管是理想的（采用理想模型）， （1）分析二极管的导通条件，即 i v 在什么范围内二极管导通，在什么 范围内二极管截止（6分） （2）分别画出二极管导通和截止时，图1的等效电路（4分） （3）若t v i ωsin 5=（V ），绘出o v 的波形（5分）。 图1
模拟电路期末试卷及答案
《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）
模电期中测试题
模电期中测试题参考答案 、填空题：（20分） 1最常用的半导体材料有 __________ 和_________ 。硅；锗 2、在半导体中，参与导电的不仅有______ ，而且还有_________ ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。自由电子；空穴 3、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成________________ 半导体。N （电子型） 4、P型半导体中__________ 是多数载流子，_____________ 是少数载流子 空穴、自由电子 5、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的 __________ ，少子的浓度主要取决于 __________ 。浓度；温度 6、当PN结正向偏置时，PN结处于_________ 状态；当PN结反向偏置时，PN结处于___________ 状态，可见，PN结具有______ 性。导通、截止、单向导电性 7、要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在__________ 区。反向击穿 8晶体三极管工作在放大状态的外部条件是 ________ 、_________ 。 发射结正偏、集电结反偏 9、当三极管工作在_____ 区时，关系式I C I B才成立；当三极管工作在 _区时，I C 0 ;当三极 管工作在_________ 区时，U CE 0。 放大区、截止区、饱和区 10、__________ 衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。 频率响应二、选择题：（20分） 1在如图所示电路中，工作于正常导通状态的二极管是（C） A. 乩 C. -100V -50? 57 ― 4V \ OV R TV O———fel ---- c o --------------- --------- o o ------------- _I I_O VI 72 73 lkQ 2、图示电路中当开关S闭合后，H1和H2两个指示灯的状态为（C）。 A. H1 H2均发光 B. H1 H2均不发光 C. H1发光、H2不发光 D. H1不发光、H2发光
中南大学模电试卷及答案
中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 放大器，A u2是 放大器，A u3是 放大器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝ 。 5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为 滤波器， 其通带放大倍数为 ，截止频率为 。 6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）
模拟电路考试题及答案【精】
自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档
模拟电子技术期中考试题
模拟电子技术期中考试题 1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分） （1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。 （2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。 （3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。 （4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。 （5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。 （6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。 （7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。 （8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。 2.简答题：（每小题10分，也可任意选作） （1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？ 答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。如果需要显示的电信号频率为1kHz时，周期是频率的倒数，应为1ms，根据一个周期显示信号应占3~5格的原则，应选择0.2ms这一档位，信号波一个周期就会占用横向5格，满足要求。 （2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？ 答：函数信号发生器在电子线路中，可以产生一个一定波形、一定频率和一定幅度的电信号提供给实验电路作输入信号。测量该电信号的幅度时，应用电子毫伏表的读数为准。 （3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？ 答：电子线路中电信号的频率往往占用相当宽泛的频带，而普通交流电压表只适用于测量50 Hz的工频交流电，对不同频率的信号测量会产生较大的误差。电子毫伏表则是测量电子线路中的交流电压有效值时，不会受频率变化的影响而出现误差的电子仪器，因此测量电子线路中的电压需用电子毫伏表。电子毫伏表的读数是所测电压的有效值。 3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分） （1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C＝3kΩ，R B1＝80kΩ，Array R B2＝20kΩ，R E＝1kΩ，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设 U BE=0.7V）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。 解：静态分析是画出放大电路的直流通道后，求出直 流通道中的I BQ、I CQ和U CEQ。 画直流通道的原则：放大电路中所有电容开路处理，
模电期中(附答案)
一、填空（10个） 1、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 少数温度无关 2、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。 反向正向 3、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。共射极共集电极共基极 4、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件 βIb 电流 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制元件。 g m u gs 电压 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。 增加增加 7、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。增加也增加 8、两个放大系数β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（）。 β2 9、在共基、共集、共射三种放大电路中输出电阻最小的电路是（）；既能放大电流，又能放大电压的电路是（）。 共集共射 10、当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为（）型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。 耗尽增强
二、简答（2个） 1、下图图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。 二极管D导通，-3V 二、指出下图所示各放大电路的名称，并画出它们的交流电路（图中电容对交流呈现短路）。 共集电极放大电路共基极放大电路
三、计算（2个） 1、电路如下图所示，试求：1、输入电阻； 2、放大倍数。 50K 300 2、三极管放大电路如下图所示，已知三极管的U BEQ=0.7V，β=100，各电容在工作频率上的容抗可不计。（！）求静态工作点I CQ、U CEQ；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au=uo/ui；（4）求输入电阻Ri和输出电阻Ro。 (1)I CQ=2.2mA U CEQ=2.1V (2)
模电期末考试题及答案
(10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深， 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流： 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电， N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路： 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放， 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B
《模拟电子技术基础》期中测试题
《模拟电子技术基础》期中测试题 一、填空题：（40分） １．在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体，加入五价 元素可形成 n 型半导体。 2.当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层变 zai ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层变宽 。 3.二极管最主要的特性是 单向导电 。在常温下，硅二极管的开启电压约 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ；锗二极管的开启电压约 0.1 V ，导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。 4.为保证三极管处于放大状态，其发射结必须加正向 偏置电压，集电结必须加 反向 偏置电压。 5．场效应管是一种 亚 控器件，它利用 善缘电压 控制漏极电流i D 。 6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真，它属于 饱和 失真，消除该失真要 增大 Rb 的阻值。 7.某三极管的极限参数P CM ＝150mW,I CM =100mA,U (BR)CEO =30V,若它的工作电 压U CE ＝10V,则工作电流I C 不得超过 mA ；若工作电压U CE =1V ，则工作 电流不得超过 mA ；若工作电流I C ＝1mA,则工作电压不得超过 V 。 8.图1.8(a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为 型和 型，用半导体材料 和 制成，电流放大系数β分别为 和 。
图1.8 图1.9 9.根据图 1.9中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。 10.三极管处于放大状态时，是工作在其特性曲线的放大区；场效应管工作在放大状态时，是工作在其特性曲线的恒流区。 11．集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路，它的放大倍数非常高，但是各级静态工作点Q是相互的。12．互补对称输出电路容易产生交越失真，主要因为两个对称三极管特性有电压，在回路加偏置电压可消除该失真。 13．阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，能够放大高频信号。 14.为提高输入电阻，减小零点漂移，通用集成运放的输入级大多采用电路；为了减小输出电阻，输出级大多采用电路。
模拟电子技术期中考试题及答案
2013－2014学年第(2)学期期中考试答案 课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术 :（共52分，每空2分） 1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）； 该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ， ， C ．400）。 V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 。 a ）所示电路的幅频响应特性如图（ b ）所示。影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小 的因素是 A 。 （A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容） H L V CC ( a ) ( b ) f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9） f ＝ f L 时，o U 与i U 相位关系是 C （A. 45? B. -90? C. －135?）。 5V ；接入2k 负载后，输出电压降为 0.5K 。 班 级 学 号 姓 名
R L 12E 48 2610 5．为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。 （1）．电压放大倍数 u A >10，并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。 （2）．电压放大倍数 u A >10，并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。 （3）．电压放大倍数 u A ≈1，输入电阻 i R>100kΩ的电路是 B 。 L ( a ) L ( b ) L ( c ) 6．放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示，直流负载线和Q点也标在图上（设U BEQ＝0.7V）。 （1）电源电压V CC= 12 V， c R= 2 Ω k， b R= 377 Ω k；最大不失真输出电压幅值= om U 4.5 V；； 为获得更大的不失真输出电压， b R应减小（增大、减小） （2）若Ω =K R6 L ，画出交流负载线，要标出关键点的数值；(2分) 7. 欲将方波电压转换成三角波电压，应选用哪种运算电路 B 。 A.比例运算电路 B.积分运算电路 C.微分运算电路 D.加减运算电路 8．定性判断图中各电路是否具备正常放大能力，若不具备，则修改电路，使之具备正常放大能力的条件。修改时只能改变元器件的位置和连接关系，不能改变元器件的类型和增减元器件数量。
模拟电子技术试卷五套(含答案)
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。 A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri C．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri 6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复 合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选 频网络和( )。 A．基本共射放大电路B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路B．微分运算电路C．过零比较器D．滞回比较器 三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1 、rbe1，V2的b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
模电试卷及答案
一、VD1,VD2为理想二极管，其导通电压为0V，电路如图所示，画出u O的波形。（15分） 二、判别题：（21分） 1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值，试确定它们的电极和三极管的类型。 （a）①5V ②1.2V ③0.5V （b）①6V ②5.8V ③1V （c）①-8V ②-0.2V ③0V 2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈，这些反馈是否能够 （1）稳定输出电压（） （2）稳定输出电流（） （3）增加输出电阻（） （4）增加输入电阻（） （5）增大静态电流（） （6）稳定静态电流（） 三、某两级阻容耦合放大电路如图所示，已知β1= β2=40，试求：（24分） （1）各级电路的静态工作点； （2）各级电压放大倍数Au1，Au2和总电压放大倍数Au； （3）放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro； （4）后级采用什么电路？有什么优点？
四、OTL电路如图所示，电容C足够大，三极管的饱和压降U CES=1V，求：（15分） （1）电路中VT1、VT2工作在哪一种方式？ （2）R1、VD1、VD2的作用是什么？ （3）电位器RP的作用是什么？ （4）负载R L上能够得到的最大不失真输出功率P omax是多少？ 五、如图所示电路属长尾式差动放大器。已知VT1、VT2为硅管。β=100，试计算（15分） （1）电路静态工作点Q； （2）差模电压放大倍数A ud； （3）差模输入电阻R id和输出电阻R od。
六、判断图示电路中反馈是何种交流反馈类型，若满足深度负反馈条件，求电压放大增益。（15分） 七、运算放大器应用电路如图所示，图中运放均为理想运放，U BE=0.7V。（15分）（1）求出三极管c、b、e各极对地电位； （2）若电压表读数为200mV，试求出三极管的β值。 九、具有放大环节的串联型稳压电路如图所示，已知变压器副边u2的有效值为16V，三极管VT1、VT2的β1= β2 =50，U BE1=U BE2=0.7V, U Z=+5.3V，R1=300Ω，R2=200Ω，R3=300Ω，Rc2=2.5kΩ。（15分） （1）估算电容C1上的电压U1=？ （2）估算输出电压Uo的可调围。
模电-2012期中考试试卷+答案
物理与电信工程学院2011－2012学年（二）学期期中考试 《模拟电子电路》试题 年级班级姓名学号 一、填空题(9小题，每空1分，共28分) __变大_____，发射结压降变 1. 当温度升高时，晶体三极管集电极电流I c 小，共射电流放大倍数___变大______。 2. PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 3. 本征半导体掺入 +5 价元素可生成N型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于空穴，二极管的最主要特性是单向导电性。 4.NMOS管的衬底是__P______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位___低_____的电位上。 5. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4kΩ。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为40 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为66 dB。 R0 //R L / R0 =3/4 解得R0=4kΩ 6.在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是__共基_____，不能放大电压、可以放大电流的是__共集_____，输入电阻最小的是__共基_____，输出电阻最小的是__共集_____。 7. 结型场效应管的栅源极间必须加_反向______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加__反向____偏置电压才能正常放大。 8. 三极管的共射输出特性可以划分为三个区：饱和区、截止区和放大区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应
使三极管工作在放大区内。当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。 9. 二极管电路如图所示，设二极管具有理想特性，图中二极管是V1截止，V2导通(导通还是截止)，U AO= -6 V。 二、判断题（8小题，每题1分，共8分） 1. 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 ( 对 ) 2. 半导体中的空穴带正电。（对） 3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。（错） 4. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（错） 5. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（对） 6. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（错）。 7. 若耗尽型N沟道MOS管的U 大于零，则其输入电阻会明显变小。（错） GS 8. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（错） 三、选择题（10小题，每空2分，共30分） 1. N型半导体主要是依靠（ A ）导电。 A、电子 B、空穴 C、少数载流子 D、原子 2. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（ E ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 3. 在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是（ B ），既能放大电流，又能放大电压的电路是（ C ）。