模拟电子技术(模电)模拟试题及答案
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是。
2．三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结为偏置，集电结为偏置。
3．当输入信号频率为和时，放大倍数的幅值约下降为中频时的倍，或者是下降了，此时及中频时相比，放大倍数的附加相移约为。
4．为提高放大电路输入电阻应引入反应；为降低放大电路输出电阻，应引入反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达，但这种功放有失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．型硅管 B．型锗管 C．型硅管 D．型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型管D．N沟道耗尽型管3．在图示2差分放大电路中，假设 = 20 ，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 ，共模输入电压为10 。
B．差模输入电压为10 ，共模输入电压为20 。
C．差模输入电压为20 ，共模输入电压为10 。
D．差模输入电压为20 ，共模输入电压为20 。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中为其输入电阻，为常数，为使下限频率降低，应( )。
A．减小C，减小 B．减小C，增大C．增大C，减小 D．增大C，增大6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A．根本共射放大电路 B．根本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．某电路输入电压和输出电压的波形如下图，该电路可能是( )。
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)
模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、仍为正弦波。
B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。
A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。
A、不定。
B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。
A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
模拟电子技术(模电)模拟试题
模拟电子技术(模电)模拟试题模拟电路复习预习方法：1、掌握基本理论：二极管、三极管的特点和用途，反馈的定义、分类、判断，功率放大的原理与分类，滤波器的基本原理，波形发生器的原理与能否起震的判断，直流电源的基本原理及构成。
2、掌握的计算：三极管放大电路的静态、动态分析，集成远放的相关计算，振荡电路频率计算，直流电源的简单计算。
3、除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。
习题一、半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于答案：C2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度答案：B3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度答案：C4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变答案：B5.N 型半导体______a 带正电b 带负电c 呈中性答案：C6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变答案：C7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄答案：C8.当环境温度升高时，二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变答案：b●9.当环境温度升高时，二极管的死区电压将______ a 升高 b 降低 c 不变答案：b10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将______ a 增大 b 减小 c 不变答案：a11.二极管的正向电压降一般具有______温度系数 a 正 b 负 c 零答案：b12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是______和______ a UD,IF b IF,IS c IF,UR答案：c13.理想二极管的主要性能指标为 ______a UD=0,IR=0,b UD =0.3V ，IR=0c UD =0.5V ，IR =IS 答案：a13.稳压管通常工作于______，来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区答案：c12.对于稳定电压为 10V 的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 ______ a 升高 b 降低 c 不变答案：c13.二极管的反偏电压升高，其结电容 ______ a 增大 b 减小 c 不变答案：b17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 ______ a 势垒电容 b 扩散电容 c无法判断答案：b18.锗二极管的死区电压约为 ______ 答案：aa 0.1Vb 0.2Vc 0.3V19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ______ a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案：c20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 ______ a 大b 小c 不变答案：b22.已知二极管的静态工作点 UD 和ID ，则二极管的静态电阻为 ______ a UD/ID b UT /ID c UD/IS 答案：a24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。
模电优秀试题含答案
模拟电子技术练习题1、差动放大器与其它放大器相比，其特点是能（ ）。
A ．克服温漂B ．稳定放大倍数C ．提高输入电阻 D.扩展通频带 2、FET 是（ ）控制器件。
A.电流B.电压C.电场D.磁场3、对某一级晶体管放大电路，要其对前一级的影响小（吸取的电流小），对后级带负载能力强，宜采用（ ）。
A.共基极放大电路B.共发射极放大电路C.共集电极放大电路D.以上电路都可以 4、要制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（ ）。
A..RC 桥式正弦波振荡电路B..LC 正弦波振荡电路C.石英晶体正弦波振荡电路D.以上电路都可以5、对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的v 。
A.放大区中部B.截止区C.放大区但接近截止区D.放大区但接近饱和区 6、负反馈放大电路的一般表达式为....1FA A A f +=，当11..>+F A 时，表明放大电路引入了（ ）。
A ．负反馈B ．正反馈C ．自激振荡 D.干扰7、已知输入信号的频率为10KHZ~12KHZ ，为了防止干扰信号的混入，应选用（ ）滤波电路。
A ．高通 B ．低通 C ．带通 D.带阻 8、负反馈放大电路产生自激振荡条件是（ ）。
A ．1..=F AB ．1..-=F AC ．1..>F A D. 1..<F A 9、在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。
A ．1WB ．0.5WC ．0.2W D.无法确定 10、PN 结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定11．当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E （ ） 。
A. >，> B.<，< C. =，= D.≤，≤ 12、 共模抑制比越大表明电路（ ）。
A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.输入信号中差模成分越大D.抑制温漂能力越大 13、负反馈所能抑制的干扰和噪音是（ ）。
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。
5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。
3 V ，则这只三极管是（ A )。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。
PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高B 。
输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。
RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。
A. 基本共射放大电路 B 。
基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。
已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。
过零比较器 D 。
滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。