VASP-INCAR参数设置
VASP参数设置详解解读
VASP参数设置详解计算材料2010-11-30 20:11:32 阅读197 评论0 字号：大中小订阅转自小木虫，略有增减软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l 计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l 计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l 计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l 计算材料的光学性质l 计算材料的磁学性质l 计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l 表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l 从头分子动力学模拟l 计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR ,POSCAR,POTCAR ,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：对所计算的体系进行注释：SYSTEM●定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWA V●定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF●定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW–分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG●定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT●其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
incar中gga参数
incar中gga参数"incar" 是 VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）软件中的一个输入文件，用于控制计算的各种参数。
而 "gga" 则代表广义梯度近似（Generalized Gradient Approximation），是一种处理交换-相关能的方法。
在 VASP 的 "incar" 文件中，可以通过设置一些参数来控制 GGA 相关的计算。
下面我将从不同角度来解释 "incar" 中的 "gga" 参数。
首先，"gga" 参数在 "incar" 文件中用于指定交换-相关泛函的类型。
在 VASP 中，可以设置 "gga" 参数为不同的值，如 "PE"（Perdew-Wang 91交换相关泛函）、"RP"（RevPBE交换相关泛函）等，以选择不同的交换-相关泛函来进行计算。
不同的泛函对于材料性质的计算会产生不同的影响，因此合理选择 "gga" 参数是非常重要的。
其次，"gga" 参数还可以影响计算的精度和速度。
不同的交换-相关泛函对计算的精度和收敛性会有所影响，有些泛函可能会导致计算更加耗时，而有些则可能会加快计算速度。
因此，在选择"gga" 参数时，需要权衡计算的精度和速度，以便在保证结果准确的前提下尽量提高计算效率。
此外，"gga" 参数还与磁性材料的计算有关。
对于包含磁性原子的体系，选择合适的 "gga" 参数对于计算磁性性质是至关重要的。
不同的交换-相关泛函对磁性材料的计算结果会产生不同的影响，因此需要根据具体的研究对象来选择合适的 "gga" 参数。
INCAR参数选择
INCAR参数选择选择适合的INCAR参数对于有效进行DFT计算至关重要。
INCAR文件是VASP软件中控制计算的重要输入文件之一，包含了数百个参数选项。
以下是几个常见的参数，对于选择INCAR参数提供了一些建议。
1.ENCUT：ENCUT参数用于控制平面波截断能量（eV），决定了计算中平面波展开的最大能量。
通常情况下，ENCUT的值越大，计算结果的精度越高。
选择合适的ENCUT值需要考虑计算系统的性质以及计算资源。
一般而言，对于大型系统，推荐使用较高的ENCUT值，如300-500eV，而对于小型系统，200-300eV已经足够。
2.ISMEAR和SIGMA：ISMEAR参数用于设定能级的展宽方式，决定了计算中用于计算Fermi能级附近态密度的展宽方式。
SIGMA参数用于控制展宽的大小。
常见的取值有0、1、-5，对应于Gaussian展宽、Fermi-Dirac展宽和Methfessel-Paxton展宽。
选择合适的ISMEAR和SIGMA值需要考虑计算中能级分布的准确性和计算速度。
通常而言，ISMEAR=0和ISMEAR=-5配合较小的SIGMA值可以获得较高的计算精度。
3.NELM和NELMIN：NELM参数用于设定迭代循环的最大步数，决定了计算达到收敛所需迭代的次数。
NELMIN参数用于设定跳过的迭代步数，决定了VASP在开始迭代前保持步数的次数。
选择合适的NELM和NELMIN值需要考虑计算系统的复杂性和计算资源。
通常情况下，NELM的值越大，收敛所需的计算时间越长。
一般而言，NELM和NELMIN的值可以设置为10-100。
4.EDIFF和EDIFFG：EDIFF参数用于设定能量收敛的标准，决定了计算能量的精度。
EDIFFG参数用于设定离子弛豫的收敛标准，决定了离子弛豫的精度。
选择合适的EDIFF和EDIFFG值需要考虑计算精度和计算时间。
通常情况下，EDIFF的值越小，计算收敛所需的计算时间越长。
incar中溶剂化参数设置
在VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）中，INCAR文件是用来控制整个VASP计算的参数文件。
对于溶剂化参数的设置，你需要考虑以下两个方面：
1. ENCUT：这个参数用于控制截断能，它决定了波函数展开的基组大小。
一般来说，ENCUT越大，计算越精确，但计算时间也会增加。
通常，ENCUT的值在200-400eV之间。
2. ISMEAR：这个参数用于控制波函数和电荷密度的混合与平滑。
ISMEAR=-5表示使用Fast Fourier Transform（FFT）进行混合与平滑，而ISMEAR=0则表示不进行混合与平滑。
至于溶剂化参数的具体设置，你需要根据具体的计算需求和体系来决定。
一般来说，你需要先确定溶剂的种类和浓度，然后根据这些信息来设置相应的溶剂化参数。
需要注意的是，VASP是一个非常复杂的软件包，对于初学者来说可能有一定的难度。
如果你对VASP的使用还不熟悉，建议先参考相关的教程和文档，或者寻求专业人士的帮助。
VASP全参数设置详解
VASP参数设置详解软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l 计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l 计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l 计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l 计算材料的光学性质l 计算材料的磁学性质l 计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l 表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l 从头分子动力学模拟l 计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR ,POSCAR,POTCAR ,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：对所计算的体系进行注释：SYSTEM定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWAV定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW –分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
如何用VASP计算晶格常数
如何用VASP计算晶格常数VASP是一款常用的第一性原理计算软件，可用于计算各种物理和化学性质，包括晶格常数。
本文将通过详细的步骤指导如何使用VASP计算晶格常数。
1.准备工作：在使用VASP计算晶格常数之前，需要准备以下文件：-INCAR文件：包含所有计算参数的输入文件。
- POSCAR文件：包含体系的原子坐标和晶格常数的输入文件。
可以使用外部软件生成，例如Materials Studio、VESTA等。
-POTCAR文件：包含原子势能信息的文件。
-KPOINTS文件：用于定义k点网格，用于计算能带结构。
可以使用自动生成工具进行生成。
2.设置INCAR文件：打开INCAR文件，设置以下参数：-ENCUT：截断能。
一种势能截断参数，对计算结果影响较大。
可通过多次计算逐渐增大其值，直到结果收敛为止。
- ISMEAR：用于定义电子占据数的方法。
常用的选项有Gaussian和Methfessel-Paxton。
- SIGMA：在使用ISMEAR选项为Gaussian时，用于定义宽度的参数。
一般选择小于0.2 eV。
- PREC：定义计算的精度级别。
常用的设置有Low、Normal和High。
-NSW：定义离子进行多少步的迭代。
-ISTART和ICHARG：对于初始的计算，将其设置为0。
-EDIFF：收敛判据。
设置一个合适的值，使得计算结果收敛。
3.设置POSCAR文件：打开POSCAR文件，设置晶体的结构参数。
可以手动输入原子的坐标，或者复制其他软件生成的文件内容。
4.设置POTCAR文件：在VASP的安装目录中，找到POTCAR文件夹，并将需要使用的原子势能文件复制到当前工作目录中。
注意保持POTCAR文件的顺序和POSCAR文件中原子的顺序一致。
5.设置KPOINTS文件：打开KPOINTS文件，在其中设置k点的信息。
k点的密度对计算结果的精度有一定影响，可以根据具体需求进行调整。
在这里，我们将只计算晶格常数，因此可以选择较低的k点密度。
vasp计算差分电荷密度的incar
vasp计算差分电荷密度的incar
最近，为解决在材料科学研究中存在的各种实际问题，通过VASP的计算差分
电荷密度（DCD）成为研究者的热门话题。
VASP是一款由著名材料科学家和分子科
学家提供支持与帮助的量子机器研究及应用软件，是一款基于DFT（密度泛函理论）技术领先的全电子结构计算软件。
DCD被用于计算体系的总体电荷密度的差异，它
能够反映体系的小尺度改变，加深人们对材料和反应机理的理解。
VASP计算DCD的incar工具包中包含了 ICUT-多种能量收敛和定义收敛能量、EDIFF-控制优化收敛，ISHFT-对密度收敛设置它的抹累和精度以及ICHARG-定义分
子和电荷密度的初始化值等参数，这些参数均采用改进的有效泛函和核型来计算DCD。
如此能更有效地获得更好的精度，从而有效控制体系间的电荷差异，从而提
高结构分析的准确性。
由此可见，VASP的DCD计算能力在材料和反应机理的分析研究中发挥了非常
重要的作用，可以有效改善电学特性，提高分子设计与制备，以及电子结构表征的准确性，因此受到许多材料科学研究者的高度重视和关注。
VASP参数设置详解要点
VASP参数设置详解要点VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种第一原理计算程序，用于计算材料性质和从头计算材料结构。
在进行VASP模拟时，合理设置参数非常重要，它们决定了模拟的准确性和效率。
下面将详细讨论几个关键的VASP参数设置要点。
1.设置能量截断（ENCUT）：ENCUT是控制计算中的平面波能量截断的参数。
它应该尽量接近真实波函数的动能截断，以保证计算结果的准确度。
选择合适的ENCUT值非常关键，过低的值可能导致计算不收敛，过高的值则会造成计算时间过长。
一般建议从400eV开始进行尝试，然后根据计算的收敛性和计算结果调整。
2.设置k点密度（KPOINTS）：k点密度是控制倒空间采样的参数。
k点密度越高，计算结果越准确，但计算时间也会增加。
为了在准确性和效率之间取得平衡，可以根据材料的对称性和大小进行合理的选择。
一般情况下，对于晶体，k点密度可以使用Reciprocal Space的自动生成程序，对于分子系统，可以使用Gamma Point + Monkhorst Pack方案。
3.设置电子步的最大迭代次数（NELM）：NELM是控制电子步迭代收敛性的参数。
它决定了算法进行多少次最大迭代。
在计算过程中，电子步的总数是非常关键的。
如果电子步的迭代次数不足，可能会导致计算不收敛。
通常可以从60次开始进行尝试，如果计算结果不收敛，可以增加NELM的值。
4.设置计算精度（PREC）：PREC参数是控制计算精度的参数。
该参数取值从粗到细分别为Low，Medium，High和Accuracy。
选择适当的计算精度可以在减少计算时间和提高计算结果准确性之间取得平衡。
一般情况下，可以从Medium开始尝试。
5.设置自洽迭代的收敛判据（EDIFF）：EDIFF是控制自洽迭代收敛性的参数。
当自洽迭代前后两次总能量的变化低于EDIFF时，认为自洽迭代收敛。
合理设置EDIFF可以保证计算结果的准确性。