电路基础与集成电子技术-第5章习题解答
电子技术基础课后习题答案五章
第五章集成运算放大器5-1 什么是直接耦合放大器？它试用于那些场合？与阻容耦合放大器相比有哪些优点？答：用来放大缓慢变化的信号或某个直流量的变化（统称为直流信号）的放大电路，称为直流放大器。
适用于放大缓慢变化的低频信号和交流信号，与阻容耦合放大器相比能够放大缓慢的低频信号，不紧能够放大直流信号，也可以放大交流信号。
5-2 直接耦合放大器有什么特殊问题？在电路上采取什么办法来解决？答：直接耦合放大器采用直接耦合方式，因而带来了前后级的静态工作点相互影响，相互牵制的特殊问题。
因此在电路的V2的射级上加接了R e2 ，抬高了V2管的射级电位，或者将R e2换成稳压二极管V Z ，采用NPN和PNP管组成的互补耦合电路。
5-3 解释：共模信号、差模信号、共模放大倍数、差模放大倍数、共模抑制比。
答：共模信号：在差分放大电路中，把大小相等，极性相同的输入信号称为共模信号；差模信号：在差分放大电路中，把大小相等，极性相反的输入信号称为差模信号；共模放大倍数：在差分放大电路中，共模放大倍数为双输出端的差值，为零，这样更好的抑制了零点漂移现象。
差模放大倍数：在差分放大电路中，差模放大倍数为双输出端的差值，放大倍数为A vd = -βvOvI = -βRcrbe，该电路多用一只三极管以换取对零点漂移的抑制共模抑制比：差模放大倍数与共模放大倍数的比值称为共模抑制比K CMR =AvdAvc当电路完全对称时A vc为零，则共模抑制比K CMR 无穷大。
5-4 集成运放由哪几部分组成？试分析其作用。
答：集成运放主要由以下部分组成输入级：由差分电路组成，应用该电路的目的是力求较低的“零飘”和较高的共模抑制比；中间级：高增益的电压放大电路组成；输出级：三极管射极输出器互补电路组成；偏置电路：为集成运放各级电路提供合适而稳定的静态工作点。
5-5 集成运放有哪些常用参数？解释这些参数的含义。
答：（1）开环差模电压放大倍数 A VO无反馈时集成运放的放大倍数。
集成电子技术基础浙大版习题答案二篇 5章
第五章习题题2.5.1 静态RAM与动态RAM相比，各有什么特点?比较内容静态RAM 动态RAM存储容量小存储容量更大功耗较大更小存取速度快更快价格贵便宜题RAM，则：(1)该RAM有几根数据线?(2)该RAM有几根地址线?解：一个基本存储单元存放有一位二进制信息，一个字节为8位二进制信息，32768=215=212×8=212×23。
所以：(1) 有8根数据线；(2) 有12根地址线，一次访问一个字节，即8位数据。
题2.5.3 RAM的容量为256×４字位，则：(1)该RAM有多少个存储单元?(2)该RAM每次访问几个基本存储单元?(3)该RAM有几根地址线?解：一个基本存储单元存放有一位二进制信息，所以1024字位容量就有：(1) 1024个基本存储单元；(2) 由四个基本存储单元组成一个4位的存储单元，所以，该存储器每次访问4个基本存储单元；(3) 有256=28，所以有8根地址线。
题2.5.4 试用256×４字位的RAM，用位扩展的方法组成一个256*8字位的RAM，请画出电路图。
解：256×４字位的RAM只有4位数据线，要扩大成8位时应采用位扩展的方法实现。
将8位地址线、片选线、读/写控制线并联，RAM（1）的4位作扩展后8位的高4位，RAM（2）的4位作为扩展后的低4位，组成扩展后的8位数据输出。
其扩展的连接电路如图所示：题2.5.5 C850是64*1字位容量的静态RAM，若要用它扩展成一个128*4字位容量的RAM，需要几块C850?并画出相应的电路图。
解：该题原地址为64=26为6位，现要有128=27，需用7位地址线，因此要用地址扩展；数据线只有1位，现需要4位数据，同时要进行数据位扩展；所以要有8块C850是64*1字位容量的静态RAM。
其连接后的电路如图所示：题2.5.6 按照编程工艺不同，只读存储器大致可分为哪几类?各有什么特 点?解： 熔丝/反熔丝型，EPROM 型，E 2PROM 型，Flash Memory 型等。
电路基础、电子技术与元器件教案——第5章 放大器
第5章放大器【学习要点】：本章主要介绍二极管和三极管的基本特性，重点讨论各种放大器的电路结构、工作原理及分析方法。
学习本章时，应适当放慢学习速度，打好基础。
把认识电路、掌握电路工作原理及元件的作用放在第一位。
在此基础上，再理解电路的定量分析。
本章内容十分重要，是全书的重点，望读者认真学习。
5.1 二极管和三极管5.2 基本共射放大器5.3共集放大器与共基放大器5.4 负反馈放大器5.5 直流放大器5.6 功率放大器5.7 放大器中的噪声5.1 二极管和三极管一半导体介绍1.本征半导体本征半导体是指化学成分纯净的半导体。
半导体中有两种基本导电粒子，一种是电子，另一种是空穴。
电子带负电，空穴带正电。
2. 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可形成杂质半导体。
杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体两种。
3. PN结在一块半导体上，一头做成P型，另一头做成N型，就会形成PN结。
1）PN结加正向电压就会导通；2）PN结加反向电压就会截止。
PN结还具有一定的电容效应，这种电容称为PN结的结电容。
二.二极管1.二极管的结构及符号将PN结加上金属引脚和外壳后，就成了二极管，如图（a）所示，图（b）是它的符号。
二极管有点接触型、面接触型和平面型三大类。
2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指二极管两端所加的电压与流过二极管的电流之间的关系，这种关系可以用伏安特性曲线来描述。
1）正向特性当二极管两端所加的正向电压较小时，正向电流几乎为零，此工作区域称为死区。
当正向电压增大到V F时，二极管开始导通，因此，常将V F称为门坎电压或死区电压（硅管的V F 约为0.5V，锗管为0.2V）。
当正向电压大于V F时，正向电流迅速增加（图中AB段），此时，二极管充分导通，呈现的正向电阻很小。
2）反向特性当二极管两端加反向电压时，反向电流几乎为零，且在较大的范围内不随反向电压的变化而变化。
但当反向电压增加到一定程度（V R）时，反向电流剧增，二极管反向击穿。
电路与电子技术基础第五章习题答案
uS
解：电压表的读数为正弦电压的有效值。 用相量图求解，设电流为 I = I∠0 ，电阻电压与电流同相，电感电压超前电流 90°，电容电
o
(b)
解：原电路的相量模型如题图 5-4(b)所示，输入阻抗为
Z = 2+
(1 + j 2ω )(− j 1 + j 2ω − j
1 1
ω = 2+
)
ω
1 + j (−4ω 3 + ω ) ω − j (2ω 2 − 1) 2 = + ω + j (2ω 2 − 1) ω − j (2ω 2 − 1) ω 2 + (2ω 2 − 1) 2 × Ω
2ω − j
=
8ω 4 − 6ω 2 + 3 + j (−4ω 3 + ω ) 4ω 4 − 3ω 2 + 1
当ω=0 时，Z=3Ω
《电路与电子技术基础》第五章参考答案
第6页
5-12
电路如题图 5-5 所示， 电压源均为正弦电压， 已知图(a)中电压表读数为 V1： 30V，
V2：60V；图(b)中的 V1：15V，V2：80V，V3：100V。求电源电压 US。
• • R R 应改为 U R = U R + ωL R + jωL • • •
改为 U m = U Lm + U rm ， 即用最大值相量表示也是正确的。 式 U m = U Lm + U rm 是不正确的， 5-4 电路如题图 5-2(a)所示，问频率ω为多大时，稳态电流 i(t)为零？
电子技术基础第五、六章单元测试
第五、六章单元测试一、填空题1、直流放大器产生零点漂移的原因是：（1）（2）。
2、集成运算放大器是，内部主要有四部分组成。
（1）；（2）；（3）和（4）。
3、差模信号是指，共模信号是指。
差分放大电路的共模抑制比K CMR的含义是，数学表达式为。
K CMR越大，抑制零漂的能力。
4、在实际差分电路中的R e对不产生电流负反馈作用，仍保持较高的，对有较强的抑制能力。
5、一个理想运放，应具备下列条件是（1）输入电阻；（2）输出电阻；（3）开环电压放大倍数；（4）共模抑制比。
6、根据集成运放的理想条件，直接推导出的两个重要结论，一是，二是。
7、集成运放在应用时，电路中需加保护电路。
常用的保护电路有（1），（2），（3）。
8、集成运放在使用中常见的故障为（1），（2），（3）。
9、功率放大器的种类有（1）、（2）和（3）。
其中功放管的静态工作点在交流负载线上的位置类最高，类最低。
10、目前，应用较为广泛的是无变压器耦合的，常见的有与两种形式。
11、在无变压器耦合的功放电路中，输入信号较小时，造成输出波形在正负相交处造成波形失真，通常把这种失真叫。
为消除这类失真，常在两功放管的基极之间串入，以供给两管一固定的。
12、OCL功放电路，通常要用供电。
OTL电路则省去了电源，在它的输出端加接了一只。
该元件的作用是①，②。
13、为保护功率管安全，除限制功放管的最大集电极电压和电流外，同时还应限制。
14、输出功率较大的功放电路，常采用作为功放管。
它的组合原则是①，②。
这种功放管的电流放大系数为。
15、在使用集成功放电路时，为判断集成电路是否正常工作，一般的方法是测量，再与比较即可。
16、集成功放具有小，轻，可靠和方便的优点。
17、使用集成功放电路，主要应了解它的特性和线路。
18、一般集成电路的管脚编号顺序，可将集成块刻有型号的一面朝上，然后按依次编号。
19、电压放大器中的三极管通常工作在状态下，功率放大器中的三极管通常工作在参数情况下。
电子技术基础(于宝明)第五章 习题答案
第五章 习 题5.1 由于功率放大电路中的BJT 常处于接近极限工作状态，因此，在选择BJT 时必须特别注意哪三个参数？答：1．功率BJT 的的散热2．器件工作不应进入二次击穿区3．使用时要降低额定值5.2 与甲类功率放大电路相比，乙类互补对称功率放大电路的主要优点是什么？ 答：输出功率越大管耗低，效率高。
5.3 乙类互补对称功率放大电路的效率在理想情况可达到多少？ 答：乙类互补对称功率放大电路的效率在理想情况可达到：%5.784πP P ηV o ≈== 5.4 设采用双电源互补对称电路，如果要求最大输出功率为5W ，则每只功率BJT 的最大允许管耗P CM 至少应大？ 答：W 15X 2.0P 2.0R V π1P o L 2CC 2T1m ==×=≈ 5.5 设放大电路的输入信号为正弦波，问在什么情况下，电路的输出出现饱和及截止的失真？在什么情况下出现交越失真？用波形示意图说明这两种失真的区别。
答：1、甲类电路中在输入信号过大的情况下电路的输出端出现饱和及截止的失真：信号正半周使得NPN 管饱和。
信号负半周使得NPN 管截止。
而乙类放大器只会出现饱和失真。
2、甲类电路没有交越失真。
乙类放大器在U BB 之间电压小于2U BE 时会出现交越失真。
5.6 在输入信号为正弦波作用下，互补对称电路输出波形是否有可能出现线性（即频率）失真？为什么？答：在输入信号过大的情况下，出现饱和失真后，产生了新的频率。
所以互补对称电路输出波形出现了线性失真。
5.7 在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率高？答：甲类：180乙类：90甲乙类：180～2705.8 在图所示电路中，设BJT 的β=100，U BE =0.7V ，U CES =0，I CEO =0，电容C 对交流可视为短路。
输入信号u i 为正弦波。
（1）计算电路可能达到的最大不失真输出功率P om ；（2）此时R b 应调节到什么数值？（3）此时电路的效率η=？试与工作在乙类的互补对称电路比较。
电路基础与集成电子技术-5.3 放大电路静态工作点的计算求解法.ppt
V CC
V CC
R cRc
VTVT R Re e
RL Uo
第5章 基本放大电路
2010.02
例5.b：试画出图中电路的直流通路和交流通路。
Rb1
C1 +
Ui
V CC
Rc
+ C2
VT
Rb1Rb1Rb1
C1 +
Rc RcRc V CC
+ C2
VTVTVT
VDD
R g1
Rd
VT + C2
C1 +
U i Rg2
R
RL
+
Uo
CS
VDD
R g1
Rd
VT + C2
C1 +
U i Rg2
R
RL
+
Uo
CS
(a) 采用增强型管
(b) 采用耗尽型管
图 场效应管放大电路的分压偏置
第5章 基本放大电路
2010.02
自给偏压共源组态场效应管放大电路如图所示，电路 中应只能用耗尽型MOSFET。
容量足够大。试计算静态工作点，并讨论晶体管的工作状态。
R b1
C1 +
.
Ui
V CC
Rc
+ C2
VT
RL
R e1
.
Uo
R e2 +
Ce
图5.3.6 例5.4电路图
解：
因只有一个上偏置电阻，无须 用戴文宁定理进行变换，可写出
I BQ
V 'CC UBE
R 'b (1 )Re
电工电子技术基础习题解答
第1章 习 题1-1 判断题1．电荷的定向移动形成电流。
（ √ ） 2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。
（ √ ）3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大。
（ √ ）4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。
（ × ）5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。
（ × ））果在B 、C 解：因为A1、A2是串联关系，流过的电流相等；电位的排序为：B ＞C ＞D3 有两条长度为1 km 、截面积为2 mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？解：（1）铝导线常温下的电阻： =⨯⨯⨯==--63610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω（2）铜导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为：4 有两只灯泡，额定功率都为40W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上，哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？解：，“电阻（3）小电珠2.5 V/0.75 W 。
解：（1）白炽灯泡220 V/100 WR=U 2/P =484ΩI=U/R=0.455A（2）白炽灯泡220 V/60 WR=U 2/P =806.7ΩI=U/R=0.27A（3）小电珠2.5V/0.75WR=U2/P=8.3ΩI=U/R=0.302A比较：功率等于电压和电流之积，相同电压下电流越大功率越大，电压不同电流大功率不一定大。
6．炭膜电阻的瓦数有2W、1W、1/2W、1/4W、1/8W及1/16W等各种规格。
现需用阻值4.7kΩ、电流10mA的电阻一只，应选用多大瓦数的电阻？解：W，图1-32 题8图解：（1）电阻炉中电流I炉=P/U=600/200=4A（2）灯中电流I灯=U/R=200/(400/14)=7A（3）E0E0=200+（R0+2R l）I=200+0.5×11=205.5VU=E0-R0I=205.5-1.1=204.4V9．有一两室一厅单元住房，已知房内供电电压U=220V，使用电器分别为：电冰箱一台，耗电量120W；彩色电视机一台，耗电量130W；微波炉一台，耗电量720W；各种灯具最大耗电量500W；空调耗电量1200W；电热水器耗电量1200W；其它用电器总耗电量1000W。
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第5章基本放大电路习题解答【5-1】填空、选择正确答案1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端，同时防止偏置电流被信号源旁路；C．将输入交流信号加到晶体管的基极。
2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中：A．只有直流；B．只有交流；√ C．既有直流，又有交流。
3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。
（I CQ，I CQ）4．下列说法哪个正确：A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；√B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。
5．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。
（越好）6．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。
（饱和区）7．在共漏基本放大电路中，若适当增加g m，放大电路的电压增益将（）。
（基本不增加）8．在共射基本放大电路中，若适当增加，放大电路的电压增益将（）。
（基本不增加）9．在共漏（或共射）基本放大电路中，适当增大R d（或R c），电压放大倍数和输出电阻将有何变化。
√ A．放大倍数变大，输出电阻变大；B．放大倍数变大，输出电阻不变；C．放大倍数变小，输出电阻变大；D．放大倍数变小，输出电阻变小。
10．有两个电压放大电路甲和乙，它们本身的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。
对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。
哪个电路的输入电阻大？（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小9，输出信号就越大。
在负载开路的条件下，也就是排除了输出电阻的影响，只剩下输入电阻这一个因素。
甲、乙两个放大电路电压放大倍数相同，甲的输出小，说明甲的输入电阻小，乙的输入电阻大。
）k负载电阻后，输出 11．某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4V，接入3Ω电压的有效值降为3V，据此计算放大电路的输出电阻。
( )k；√A．1Ωk；B．1.5Ωk；C．2Ωk。
D．4Ω12．有一个共集组态基本放大电路，它具有如下哪些特点：( )A．输出电压与输入电压同相，电压增益略大于1；√ B．输出电压与输入电压同相，电压增益稍小于1，输入电阻大和输出电阻小； C．输出与输入同相，电压增益等于1，输入电阻大和输出电阻小。
【5-2】分别画出题图5-2所示各电路的直流通路与交流通路。
()a()b()c题5-2电路图解：直流通路，见解图5-2(a)。
( )a( )b( )cDDRRCCRRCCRR解图5-2(a)交流通路，见解图5-2(b)。
( )( )( )解图5-2(b)【5-3】在题图5-3所示电路中，已知U GSQ=2V-，管子参数I DSS＝4mA，U GS(off)= 4V-。
设电容在交流通路中可视为短路。
1. 求电流I DQ和电阻R s；2. 画出中频微变等效电路，用已求得的有关数值计算A u、R i和R o（设r ds的影响可以忽略不计）；3. 为显著提高｜A u｜，最简单的措施是什么？图5-3 题5-3电路图解：1. 场效应管是耗尽型，漏极电流可由下式算出 GSQ 22DQ DSS GS(off)2(1)4(1)mA 1mA 4U I I U -=-=⨯-=-GSQDQ2k U R I =-=Ω2. DSS GS m P GS(off)2(1)1mS I Ug U U =-= 33.32111011s m d m u -=⨯+⨯=+-=R g R g AΩ==M 1g i R RΩ≈=k 10d o R R3. 为显著提高|A u |，应在R 两端并联旁路电容。
【5-4】场效应管放大电路如题图5-4所示，其中R g1=300Ωk ，R g2=120Ωk ，R g3=10ΩM ，R =R d =10Ωk ，C s 的容量足够大，V DD ＝16V ，设FET 的饱和电流mA 1DSS =I ，夹断电压U p =U GS(off) = -2V ，求静态工作点，然后用中频微变等效电路法求电路的电压放大倍数。
若C s 开路再求电压放大倍数。
图5-4 (a) 题5-4电路图解：1. 求静态工作点该放大电路采用耗尽型场效应三极管，分压偏置电路。
由于栅极回路无静态电流，所以R g3中无电流，故R g1和R g2分压点的电位与栅极电位相等，这种分压偏置可以提高放大电路的输入电阻。
由电路得： s D g2g1g2DD S G GS R I R R R V U U U -+=-=DS DD d D ()U V R R I =-+2PGS DSS D )1(U U I I -= 上述三个方程联立求解，可得两组解： 第一组：I D =0.46mA U GS = -0.6V 第二组：I D2=0.78mA U GS2= -3.8V ＜U p第二组数据不合理，故工作点为：I D =0.46mA ，U GS = -0.6V 2. 用微变等效电路求电压放大倍数微变等效电路如解图5-4(a)；&&解图5-4(a) 5-4题的中频微变等效电路 解图5-4(b) 无C S 的微变等效电路i gso m gs dU U U g U R ==-&&&&umdAg R =-& 对转移特性曲线方程式求导数，可得 m 0.69mS g =≈A u =－6.9 3. C S 开路时的电压放大倍数C S 开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。
如果没有学习反馈， 仍然可以用微变等效电路法求解。
放大电路微变等效电路如解图5-4(b)。
gs m s d U g I I &&&≈= s s gs i R I U U &&&+=o d d m gs dU I R g U R =-=-&&& 于是m gs d m gs d o m d u i gs s s gs m gs s m s0.871g U R g U R U g R A U U I R U g U R g R --====-=-+++&&&&&&&&&【5-5】有一个场效应管放大电路如题图5-5所示，已知I DSS ＝4mA 、U GSQ ＝－2V 、U P ＝U GS(off)＝－4V 、V DD ＝20V 。
试求： 1. 静态漏极电流I DQ ； 2. R s1之值和R s2最大值； 3. 中频电压放大倍数； 4. 输入电阻和输出电阻。
解：&图5-5(a) 题5-5电路图 图5-5 (b) 中频微变等效电路1．电路由是N 沟道结型场效应管构成，采用自给偏压电路。
由公式 2GS D DSS GS(off)(1)U I I U =-可以求出 I D =1mA2. 电路采用自偏压GS D s12V U I R =-⨯=-， 所以， R s1＝2ΩkR s2越大，U DS 越小，大到一定程度，就不能保证场效应管工作在恒流区。
工作在恒流区的条件是栅漏间电压比夹断电压小，即 GDGS DS GS(off)U U U U =-≤所以 DSmin GS GS(off)242V U U U =-=-+= 又因为 DS DD D d s1s2()U V I R R R =-++s2max DD DSmin D d s1[()/]6k R V U I R R =---=Ω3. 为求电压放大倍数，应先求跨导 DSS GS m GS(off)GS(off)2(1)1mS I Ug U U =-=图5-5的微变等效电路，如解图5-5(b)所示。
此可求出 m du m s1s2 1.11()g R A g R R =-=-++4. 求输入电阻和输出电阻gii g m s2i m gs s2m s1s2g 33M 11()R U R R g R U g U R g R R R ====Ω--++&&&上式在变换过程中，使用了i gs m gs s1s2()U U g U R R =++&&&这一关系，略去了i I &在R s2上的压降。
o d 10k R R ≈=Ω【5-6】电路如题图5-6，场效应管的r ds >>R d ，要求： 1. 画出该放大电路的中频微变等效电路； 2. 写出A u 、R i 和R o 的表达式；3. 定性说明当R s 增大时，A u 、R i 和R o 是否变化，如何变化？4. 若C s 开路，A u 、R i 和R o 是否变化，如何变化？写出变化后的表达式。
图5-6 题5-6电路图解：此题的场效应管为增强型，所以要用增强型的转移特性曲线方程 2GS(th)GSQ DO DQ )1(-=U U I IDD g2GSQ G S DQ s g1g2V R U U U I R R R =-=-+DSQDD s d DQ ()U V R R I =-+由以上三个式子可求出电路的静态工作点。
1. 略2. 电压增益 uA &=–g m （R d // R L ） 对转移特性曲线方程求导数，可得DO DQ GS(th)m 2I I U g =输入电阻 )//(g2g1g i R R R R += 输出电阻 o d R R ≈3. R s 的增大，会使U GS 有所下降，静态工作点的I D 下降，g m 有所减小，A u 有所下降，对R i 和R o 没有什么影响。
4. C s 开路，对静态工作点没有影响，但电压增益下降，此时电压增益为m d L um s(//)1g R R A g R =-+& C s 开路时，由于栅极是绝缘的，对I i 没有影响，仍由R i =R g +(R g1//R g2)决定；对R o 没有什么影响。
【5-7】 电路如题图5-7所示，元件参数已给出，V CC ＝12V 、晶体管的＝50、U BE =0.7V ，求：1. 静态工作点。
2. 中频电压放大倍A u ；3. 求放大电路的输入电阻R i ；4. 求放大电路的输出电阻R o ；=V12CC R b1C 1R b2e R eC2C R c =50βR L-++-Ωk 2Ω10k Ωk 20Ωk 9.3Ωk 2iU &oU &+++图5-7 题5-7电路图解：1.b2CCCCb1b24V R V V R R '==+bb1b2// 6.67k R R R '==Ω CCBE BQ be 30.4μA (1)V U I R R β'-=='++CQ BQ 1.52mA I I β==CEQ CC CQ c e () 5.92V U V I R R =-+=2．晶体管的发射结电阻为be bb EQ26(mV)(1)1.17k r r I β'=++=Ω 则中频电压放大倍数 L u be56.4R A r β'=-=-3．放大电路的输入电阻 R i = R b1// R b2// r be =0.995k4．放大电路的输出电阻 R o R c =2 k【5-8】 电路如题图5-8所示，设V CC ＝15V ，R b1=60Ωk 、R b2=20Ωk 、R c =3Ωk 、R e =2Ωk 、R s =600Ω，电容C 1、C 2和C e 都足够大，＝60，U BE =0.7V ，R L =3Ωk 。