(完整word版)模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时，二极管反向饱和电流将（A ）。
A 增大B 减小C 不变D等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（D ）A.处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D.已损坏olEV■dV odOV3.某放大电路图所示.设V>>V B E，L CE"0,则在静态时该三极管处于（B ）A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D.区域不定4.半导体二极管的重要特性之一是（B ）。
（A）温度稳定性（B）单向导电性（C）放大作用（D）滤波特性5.在由NPNffi BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生失真。
（A）截止失真（B）饱和v失真（C）双向失真（D）线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压L D= 0.7V,关于输出电压的说法正确的是（B ）。
A : u ii=3V, u i2=0.3V 时输出电压为3.7V。
B : w=3V, u i2=0.3V时输出电压为1VC : u ii=3V, *=3V时输出电压为5V。
D :只有当u ii=0.3V, u i2=0.3V时输出电压为才为IV。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q 点移动到Q点可能的原因是A :集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻C :基极电源+V B B电压变高D:基极回路电阻F b 变高。
（C ） 。
A.共射电路B.共基电路11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△ usi =80mV, △ us2=60mV 则差模输入电压△ [ id 为（B ）A. 10mVB. 20mVC. 70mVD.140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合， 可以在信号源与低阻负载间接入8 .直流负反馈是指（C ）A.存在于RC 耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中的负反馈D. 耦合电路中的负反馈9 .负反馈所能抑制的干扰和噪声是（B ）A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 噪声C.反馈环外的干扰和噪声D.只存在于直接反馈环内的干扰和输出信号中的干扰 和噪声10 .在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为 （A ）A. —2.5VB. — 5VC. —6.5VD.7.5VRrC.共集电路D. 共集-共基串联电路13.在考虑放大电路的频率失真时，若普为正弦波，则u0（ D ）A.有可能产生相位失真B. 有可能产生幅度失真和相位失真C. 一定会产生非线性失真D. 不会产生线性失真14.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（A）。
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。
a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。
a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1．-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整？⑶若 , 和 的 ， ，
，假设 、 、 中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时 ？②如果电路中有一个二极管开路， 是否为正常值的一半？③如果 为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
（5）假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ，图d的输入电阻为60k ，输出电阻为50 ，当用图a和d构成两级放大电路，其输入信号取自内阻为200 的电压源信号，输出端带4k 负载时，试问：由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大，还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大？
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
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模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
A. 共射电路B. 共基电路C. 共集电路D. 共集-共基串联电路13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( D )A. 有可能产生相位失真B. 有可能产生幅度失真和相位失真C. 一定会产生非线性失真D. 不会产生线性失真14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( A )。
A. 开环或正反馈状态B. 深度负反馈状态C. 放大状态D. 线性工作状态15. 多级负反馈放大电路在( A )情况下容易引起自激。
A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小C. 闭环放大倍数很大D. 放大器的级数少16. LC 正弦波振荡电路如图1-9所示，该电路( D )。
A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡B. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡C. 满足振荡条件能产生正弦波振荡D. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡图1-9 图1-1017. 图1-10所示电路出现故障，经测量得知V E=0，V C=V CC，故障的可能原因为( D )。
A. R c开路B. R c短路C. R e短路D. R b1开路18. 与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功率放大方式的主要优点是( C )。
A. 不用输出变压器B. 不用输出端大电容C. 效率高D. 无交越失真19. 共模抑制比K CMR越大，表明电路( C )。
A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 抑制温漂能力越强D. 输入信号中的差模成分越大20. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带( B )。
A. 变宽B. 变窄C. 不变D. 与各单级放大电路无关21. 双端输入.双端输出差分放大电路如图所示。
已知静态时，V o =V c1－V c ２＝０，设差模电压增益100vd =A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为( D )。
A. 125mVB. 1000 mVC. 250 mVD. 500 mV22. 对于图所示的复合管，假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为( D )。
A.2CEO CEO I I =B. 21CEO CEO CEO I I I +=C. 1CEO CEO I I =D.21)1(CEO CEO CEO I I I ++=β23. 某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选( A )。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈24. 多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带( B )。
( A)变宽 ( B)变窄 ( C)不变 ( D)与单级放大电路无关25. 电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻( D )。
( A)等于零 ( B)比直流等效电阻小( C)等于直流等效电阻 ( D)远远大于直流等效电阻26. 放大电路产生零点漂移的主要原因是( A )。
( A)采用了直接耦合方式( B)采用了阻容耦合方式( C)采用了正.负双电源供电( D)增益太大27. 二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为( D )。
( A)20dB/十倍频程( B)-20dB/十倍频程( C)40dB十倍频程( D)-40dB/十倍频程28. 当有用信号的频率低于100Hz时，应采用( A )滤波电路。
( A)低通 ( B)高通 ( C)带通 ( D)带阻29. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后( C )，则说明引入的反馈是正反馈。
Ａ输入电阻增大Ｂ输出电阻增大Ｃ净输入量增大Ｄ净输入量减小30.若要求放大电路取用信号源的电流小，而且输出电压基本不随负载变化而变化，在放大电路中应引入的负反馈类型为( B )。
A 电流串联B 电压串联C 电流并联D 电压并联31.如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管( C )。
A、击穿B、电流为0C、电流过大使管子烧坏D、正常导通32. 差分放大器左管输入电压+100mV，右管输入-300mV，其共模输入(B)。
A、100mVB、-100mVC、200mVD、-200mV33. 电流串联负反馈电路的放大参量为 ( D )。
A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、转移电阻D、转移电导34. 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ( A )。
A 恒流区B 可变电阻区C 夹断区D 击穿区35. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ( C )。
A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响36. 差动放大电路的主要特点是 ( A )。
A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
37. 互补输出级采用射极输出方式是为了使 ( D )。
A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强38. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ( C )。
A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻39. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后( B )，则说明引入的是负反馈。
A输入电阻增大 B净输入量减小 C 净输入量增大D输出量增大40.在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足( D )才能起振。
A A V= 1B A V= 3C A V＜ 3D A V＞341．滞回比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生( A )次跃变。
A 1B 2C 3D 0 42．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是( B )A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器C．fs<f<fp时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器D．fs<f<fp时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器二.填空题1．当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β 增大 ，反向饱和电流I CBO 增大 ，I B 不变时，发射结正向电压V BE 减小 。
2．某差动放大电路的输入信号,10,2021mV v mV v i i -== 则该差动放大电路的差模信号=id v 30 mV, =ic v 5 mV 如果该差动放大电路的差模增益为100倍，共模增益为10倍，则输出电压为 3050 mV 。
3. 某放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图可知，该电路的中频电压增益Vm A = 100倍。
上限截止频率f H = 2×106 Hz ，下限截止频率f L = 20Hz 。
4. 串联负反馈只有在信号源内阻 很小 时，其反馈效果才显著，并联负反馈只有在信号源内阻 很大 时，其反馈效果才显著。
5. 图16中各电路的交流反馈类型和极性( 反馈组态)分别为：图( a)为 电流串联负反馈，图( b)为 电流并联负 反馈，图( c)为 电压并联负 反馈。
6. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时，宜选用低通滤波器；当希望抑制50Hz交流电源的干扰时，宜选用带阻滤波器；当希望抑制1kHz以下的信号时，宜选用高通滤波器。
7．饱和失真与截止失真属于非线性失真，而幅频失真与相频失真属于线性失真。
8．负反馈按采样和求和方式的不同有四种类型分别为电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。
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9．正弦波振荡电路的起振条件为1A&F=10．为避免产生交越失真，互补推挽功率放大电路一般工作在甲乙类类状态。
11．理想运放工作在线性区时有两个主要的特点，分别为虚短和 虚断 。
12．在串联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为 L ；而在并联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为 R 。
13．放大器的输入电阻反映放大器 向信号源索取电流的大小 ；而输出电阻反映出放大器的 带负载的能力 能力。
14. 场效应管被称为单极型晶体管是因为 场效应管仅靠多数载流子导电 。
15. 晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 饱和 区时，b C I I β<。