中国科学院微电子研究所考研大纲(考研,复试,保研面试)
复旦微电子保研面试题
首先老师先叫我读了一段关于互补数字系统的英文，然后说说自己的idea，我读了2分钟，好像说不出个什么东西来，就blabla两句就结束了。
然后又用英文说自己在本科阶段学过的东西。
也是blabla几句，后来还好老师问我在lab做过的research，然后就滔滔不绝如江水了。
后来的几个问题都是和这个research有关的，由于时间问题就叫我画了一个与非门，问了想去什么方向。
就出来了。
下面保持队形。
模电的:正反馈震荡条件(我忘记答相位的条件了...)负反馈对增益和带宽的影响运放一般是开环的还是闭环的数电的:同步电路跟异步电路的区别(我答错了..应该是触发沿的区别,不是频率的区别...不过后来王sir来接话圆场了,赞王sir~)然后洪sir问了d触发器异步和同步的区别，这个知道。
还有至少几个触发器才能5分频。
我答了3个。
后面两个问题，一个是mos管的延迟时间，我不会。
随便说了个0。
1ns。
然后，工艺老师说多晶硅和单晶硅做器件哪个速度快。
然后猜错了，我说是多晶硅。
就这么多。
然后问我digital device&signal 和analog device&signal 的区别并举一个例子然后问dsp的优点答auto-id lab digital design数字设计流程逻辑综合做了哪些事情有几种逻辑功能仿真方法后仿有哪些东西哪些影响因素最后问cad有没兴趣英语部分大家都差不多，后面问了振荡器相关，电流/压负反馈、串/并联负反馈作用并挑个画图，然后问了FPGA是啥，目前的特征尺寸到多少了，最后存储器有些啥。
谈项目然后具体问问项目中的细节（电阻用哪种之类的）英语刘冉问目前大规模投产的特征尺寸是多少，我说90nm，然后他说知不知道INTEL投产的是多少，我说45nm，然后又问估计32nm什么时候投产，再问做小的话有什么问题，我说power consumption然后问leakage current主要是为什么，我说是charge sharing effect和DIBL,然后问gate current我说可以用HIGH-K 就结束了因为我在英语过程中谈到我是电工转来的，洪sir就说既然是从电工转来的那就问一个关于高频的问题（我汗，高频跟电工有关系吗，而且我没准备过高频，好在问题简单），高频电路有什么问题，我就说寄生电容云云。
2018年清华微电子所考研复试科目复试安排复试数线流程及复试经验谈
2018年清华微电子所考研复试科目复试安排复试数线流程及复试经验谈2018年考研复试即将开始，启道教育小编根基2017年复试资料，整理相关复试参考信息如下，仅供参考：一、复试科目（启道考研复试辅导班）（1）初试准考证；（2）有效身份证件原件（必须在有效期内）及一份复印件；（3）毕业证书、学位证书（应届生带学生证）原件及一份复印件；（4）大学期间成绩单原件或档案中成绩单复印件（加盖档案单位红章）。
（应届生需提供大一至大四成绩单原件）（5）考生自述（包括政治表现、外语水平、业务和科研能力、研究计划）；（6）提醒：参加微纳电子系复试笔试的同学，体检表上的报考院系填“微纳电子系”二、复试时间安排（启道考研复试辅导班）专业笔试（满分100分）安排：工学、工程硕士（含一次调剂考生）专业笔试时间：3月15日下午13:30-15:30；地点：微电子所（新所）三层B312。
复试科目：报考工学硕士微电子学与固体电子学方向的考试科目：半导体物理、器件及集成电路。
报考工学硕士集成电路与系统方向的考试科目：集成电路与系统报考工程硕士专业复试科目：集成电路与系统面试（百分制）面试由微纳电子系业务办公室统一组织。
工学、工程硕士（含一次调剂考生）面试时间: 3月16日，个人面试具体时间、地点3月16日张贴在微电子所门口。
面试地点：清华大学微电子所（新所）如果工程硕士一次调剂未录满，将组织二次调剂面试，如果工程硕士一次调剂录满，将不再组织二次调剂面试。
进入二次调剂复试的考生3月20日参加面试，个人面试具体时间、地点3月20日张贴在微电子所门口。
三、复试分数线-资格审查（启道考研复试辅导班）资格审查不合格者不能参加复试。
资格审查合格后发放复试专业课笔试准考证。
工学、工程硕士（含一次调剂考生）资格审查时间：3月15日上午10:00-10:30。
地点：微电子所（新所）二层茶歇区。
报名工程硕士二次调剂考生资格审查安排：如果工程硕士一次调剂未录满，将组织二次调剂面试，如果工程硕士一次调剂录满，将不再组织二次调剂面试。
中科院2023考试大纲
中科院2023考试大纲
中科院2023年的硕士研究生招生考试校统一命题科目考试大纲已公布，其中包含多个科目，例如《生物化学》、《高等数学》、《分子生物学》等。
以《生物化学》为例，考试大纲主要包括考试基本要求、考试形式和考试内容。
基本要求是考生需要系统地理解和掌握生物化学的基本概念和基本理论，掌握各类生化物质的结构、性质和功能及其合成代谢和分解代谢的基本途径及调控方法，理解基因表达调控和基因工程的基本理论，了解生物化学的最新进展，能综合运用所学的知识分析问题和解决问题。
考试形式为闭卷、笔试，考试时间为180分钟，试卷满分为150分。
以上信息仅供参考，具体大纲内容可以登录中国科学院大学招生信息网进行查看。
中科大研究生考纲
中科大研究生考纲中科大研究生考纲是指中国科学技术大学研究生入学考试的内容要求和考试方式。
该考纲旨在选拔出具备深厚学术素养和研究潜力的优秀学生，为他们提供深造的机会和平台。
一、考试科目中科大研究生入学考试一般包括综合素质测试和学科专业测试两个部分。
综合素质测试主要考查考生的综合素质，包括学术能力、语言表达能力、逻辑思维能力等。
学科专业测试则根据考生所报考的专业设置相应的测试科目，主要考查考生在该学科领域的基础知识和专业能力。
二、考试内容1. 综合素质测试内容综合素质测试内容包括但不限于以下几个方面：（1）语言表达能力：要求考生具备较好的中文写作和口头表达能力，能够清晰、准确地表达自己的观点和想法。
（2）逻辑思维能力：要求考生具备较好的逻辑思维能力，能够正确理解问题，分析问题的本质，提出合理的解决方案。
（3）学术素养：要求考生具备扎实的学科基础知识和学术素养，了解相关领域的前沿研究动态，具备一定的科研能力和科学精神。
2. 学科专业测试内容学科专业测试内容根据考生所报考的专业设置而定，主要考查考生在该学科领域的基础知识和专业能力。
具体内容可以包括但不限于以下几个方面：（1）基础知识：要求考生掌握该学科领域的基础知识，包括理论体系、实验技术、数据处理等。
（2）研究方法：要求考生了解和掌握该学科领域的研究方法和技巧，能够独立进行科学研究。
（3）前沿动态：要求考生了解该学科领域的前沿动态和最新研究成果，具备跟踪和应用最新科研成果的能力。
三、考试要求1. 知识掌握考生应具备扎实的学科基础知识，熟悉所报考专业的相关理论和实践内容。
要求考生对该学科领域的基本概念、原理、方法和技术有较为全面的掌握。
2. 理论应用考生应能够将所学的理论知识应用于实际问题的解决中，具备分析和解决实际问题的能力。
要求考生能够将抽象的理论知识转化为具体的实践操作。
3. 创新思维考生应具备创新思维和科学精神，能够提出新的观点和想法，具备进行科学研究的能力。
2021中国科学技术大学微电子学与固体电子学考研真题经验参考书
今天有时间说一下考研相关的东西。
1、参考书目：《政治新时器》、习题集、模拟卷、押题卷2、复习情况：一战的时候并没有把政治当回事，觉得自己是文科生，没啥问题，到九月中下旬才开始买书准备，结果就是到后期很慌乱。
其实考研政治对所有考生都一样，我一个本专业学政法的同学她看考研政治也没有感觉很轻松，写多选题的时候还是很挫败。
所以态度很重要，而且要选择一位正确的老师，老师对你的帮助很大。
二战的时候我从七月开始，每天细细的看一节，自己理解和做题，标记错题和自己易错的知识点，其实你会发现你一开始错的题，如果不及时纠正加强记忆，以后再遇到你还是会选错，所以不能马虎，留死角也不能得过且过。
到后期通过大量模拟练习基本上可以心里估算出选择题得多少分了。
其实李凡老师的教材编的真的很用心很好了，李凡老师出的模拟题和押题卷真的很像真题，我也做了其他老师和机构的模拟题，有的题真的是很没水准。
但是视频课的话，但是后期押题班的的课还是要听听的。
总之，政治就是一步一步来，稳扎稳打，最后背好押题卷记下来就是英语的复习了，我先说说大家应该买一些什么资料，资料用的《木糖英语真题手译版》+《一本单词》+蛋核英语写作和阅读网课单词是重中之重！部分强推《一本单词》，每天一节，配套视频A部分记忆，B部分巩固提高，至少看两遍！效果显著，该书总共40个单元，每天一个单元，就算从现在开始，也能看三遍吧？重要的是要坚持，如果到后期觉得浪费时间，光看A部分就好了，早上看视频，晚上睡前再巩固一下（睡觉前记单词效果真的好），基本单词就是这样，不用一个个去背，《一本单词》+平时做阅读积累的单词，足够。
阅读部分，跟着蛋核英语按部就班地复习就够了。
在暑假之前，15年之前的阅读精读一遍，要达到看着英文原文能够翻译出整篇文章的程度，当中的每个单词，都能准确说出它的意思，尤其针对长难句的翻译，要准确无误。
建议第一遍做真题阅读，一天两篇，做完，然后对答案，对照进行全文解析，翻译，对文章做全面的理解，这就是我说的精读，不用太在意正确率，越往后你的正确率会越来越高的。
中国科学院大学保研—中科院微电子研究所保研推荐免试公告
中国科学院大学保研—中科院微电子研究所保研推荐免试公告被免试推荐为硕士研究生的优秀应届本科毕业生（以下简称推荐免试生）是我所优秀生源的重要组成部分。
做好接收推荐免试生工作，是有效提高生源质量的重要措施之一，直接影响我所招生质量和招生工作的声誉，也直接关系到广大考生的切身利益，关系到我所研究生招生工作的可持续快速发展。
我所接收高等学校具有推荐免试资格的优秀应届本科毕业生免试攻读硕士学位研究生，包括学术型硕士和全日制专业学位硕士，部分推免生还可申请直接攻读博士学位（直博生）。
为保证我所接收推荐免试生的质量，规范操作程序，根据教育部和中国科学院大学有关文件精神，特发布公告如下：第一部分接收原则和组织领导1.我所招生专业目录中公布的各专业均可接收推荐免试生。
2.接收推荐免试生应遵循公平公正、全面衡量、保证质量、择优录取、宁缺毋滥的原则。
3.我所接收推荐免试生的各专业，均应保留一定的名额用于招收参加统一考试的考生。
4.接收推荐免试生工作由我所招生领导小组负责，研究生部组织实施。
中科院微电子研究所保研第二部分申请条件凡获得推荐免试资格的应届本科毕业生均可申请免试攻读硕士学位。
申请者应具备如下条件：1．有为科学事业献身的精神，有较好的科研潜力，道德品质良好，遵纪守法。
2．学生所在学校必须是教育部规定的具有当年免试生推荐资格的高校。
3．学生应获得其所在高校推荐免试资格，占用母校推荐免试生名额。
4．申请人在大学本科阶段学习成绩优异，在学期间无重修科目或补考记录，在校期间没有受过纪律处分。
5．须通过大学英语四级以上（包括四级）考试，具有较强的外语听、说、读、写应用能力。
6．具有较强的调查研究、综合分析问题、解决问题能力。
7．身体健康状况符合规定的体检标准，心理健康状况良好。
中科院微电子研究所保研第三部分申请材料推荐免试申请者应提交如下材料：（一）必须提供材料1．《中国科学院研究生院申请推荐免试生信息表》〔登陆/上<推免申请>栏，填写完《个人信息填报表》即可打印出《中国科学院研究生院申请推荐免试生信息表》〕；2．省（自治区、直辖市）高等学校招生委员会办公室盖章的《全国推荐免试攻读硕士学位研究生登记表》（录取后向所在学校领取，10月17日前交招生单位）。
中国科学院微电子研究所硕士研究生培养方案(讨论稿)
中国科学院微电子研究所硕士研究生培养方案（讨论稿）为适应创新型国家建设和社会发展对高层次人才的新要求，保证研究生培养质量，遵照《中国科学院研究生院关于修订研究生培养方案的指导意见》，结合本所实际制定本方案。
一、培养目标微电子学与固体电子学学科是电子科学与技术一级学科下属的二级学科。
微电子研究所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，面向国家在微电子领域的战略需求，加强关键技术创新与集成，承担重点科技攻关与产品开发；面向产业发展需求，建设开放平台，通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化；拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展作出贡献。
具体要求如下：1．掌握马克思主义基本理论、树立科学的世界观，坚持党的基本路线，热爱祖国；遵纪守法，品行端正；诚实守信，学风严谨，团结协作，具有良好的科研道德和敬业精神。
2．掌握坚实的“电子科学与技术”一级学科较宽厚的理论基础, 具有“微电子学与固体电子学”二级学科系统的专业知识, 能熟练运用计算机, 掌握相应的实验技术, 掌握一门外国语，具有从事科学研究工作或独立承担专门技术工作的能力。
3．硕士研究生能够熟练运用英语阅读本领域有关文献资料，并能撰写论文摘要，具有良好的英语听说能力。
4．具有健康的体质与良好的心理素质。
二、学科专业及研究方向本所在微电子学与固体电子学学科专业培养硕士研究生，该学科专业及研究方向设置如下：学科专业 研究方向1、硅器件及集成技术2、微细加工与新型纳米器件集成微电子学与固体电子学3、微波电路与化合物半导体器件4、集成电路设计与系统应用三、培养方式及学习年限硕士研究生培养采取“两段式”的培养模式，包括课程学习和科研实践两个阶段；实行导师或导师小组负责制。
导师或导师小组负责指导研究生科研工作，关心研究生政治思想品德，并在严谨治学、科研道德和团结协作等方面对研究生严格要求，配合、协助研究生教育管理部门做好研究生的各项管理工作。
中科院微电子所,面试
竭诚为您提供优质文档/双击可除中科院微电子所,面试篇一：我的面试经历我今年面试的设计，进去面试自我介绍时把自己的研究方向说一下，一般有设计、器件和工艺三种。
也可以说细一点，比如说器件想做gaas之类的，但需要对这方面有一定了解，别到时候弄巧成拙。
如果暂时还没有方向，可以不说那么细。
我进去之后，自我介绍完，老师跟我闲聊了3到4分钟，然后开始问我专业课了，一般都会问毕设，关于毕设，建议面试前找老师或者学长详细了解其中的过程，以及其中一些关键的东西。
设计的还会问有没有做过什么项目或者课程设计之类的东西。
我的话，老师问了我毕设和课程设计，刚开始问了我一个概念，我也忘了具体是什么了，我不会，我当时就跟老师这个我不会，后来在问课程设计的过程中问了我nmos和pmos谁的迁移率大？大多少？我的面试就这些了。
我们学校其他同学的一些面试情况。
一个面试设计的女生，问了信号系统的几个问题，一个是什么是线性时不变系统，还有一个是抽样定理是什么，为什么是2倍以及对于一个正弦波对其进行抽样后，要想无失真恢复其波形，最少应该在一个周期内采样几点。
还有就是问了她关于课程设计的一些东西。
一个男生也是面试设计，问了信号系统的问题，dFt与z变换的关系。
我们三个初试考的都是信号与系统，我的话老师就没问我信号系统的问题，问的问题一般来说随机性很大，老师想到什么了，就问什么了，但是问的问题跟你之前说的方向有关。
还有一个面试设计的同学，老师问了数字电路跟模拟电路的区别，d触发器的建立时间和保持时间是什么。
其他一些面试器件跟工艺的同学，器件类的,老师问了空穴与空位的区别，散射机构有哪些，这些机构的原理又是什么。
说说能带论，迁移率与什么有关，为什么。
能想起来的就这么多了。
如果面试器件的话，把半导体物理好好看一下，基本都能答出来，问的问题都很常规，复习的时候不要想着老师问的问题你都会，也不可能让你都答出来，答出个大概就行。
工艺的，问了为什么现在的半导体其材料大部分都是si以及si有哪些特性。
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中国科学院微电子研究所考研大纲（考研，复试，保研面试）本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。
半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。
要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
一、考试内容（一）半导体的电子状态：半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III－V族化合物半导体的能带结构，II－VI族化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂质和缺陷能级：硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级（三）半导体中载流子的统计分布状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体（四）半导体的导电性载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应（五）非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式（六）p-n结p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应（七）金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触（八）半导体表面与MIS结构表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响（九）异质结异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用二、考试要求（一）半导体的晶格结构和电子状态1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。
4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。
5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
7．了解III－V族化合物半导体的能带结构。
8．了解II－VI族化合物半导体的能带结构。
（二）半导体中杂质和缺陷能级1．理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
2．简单计算浅能级杂质电离能。
3．了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
4．了解III－V族化合物中杂质能级的概念。
5．理解点缺陷、位错的概念。
（三）半导体中载流子的统计分布1．深入理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。
2．深入理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。
3．深入理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
4．深入理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
5．理解并掌握一般情况下的载流子统计分布。
6．深入理解并熟练掌握简并半导体的概念，简并半导体的载流子浓度的表示方法，简并化条件。
了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应。
（四）半导体的导电性1．深入理解迁移率的概念。
并熟练掌握载流子的漂移运动，包括公式。
2．深入理解载流子的散射的概念。
3．深入理解并熟练掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系，包括公式。
4．深入理解并熟练掌握电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，包括公式。
5．深入理解电导率的统计理论。
并熟练掌握玻尔兹曼方程。
6．了解强电场下的效应和热载流子的概念。
7．了解多能谷散射概念和耿氏效应。
（五）非平衡载流子1．深入理解非平衡载流子的注入与复合的概念，包括表达式。
2．深入理解非平衡载流子的寿命的概念，包括表达式、能带示意图。
3．深入理解准费米能级的概念，包括表达式、能带示意图。
4．了解复合理论，理解直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合的概念，包括表达式、能带示意图。
5．了解陷阱效应，包括表达式、能带示意图。
6．深入理解并熟练掌握载流子的扩散运动，包括公式。
7．深入理解并熟练掌握载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式。
并能灵活运用。
8．深入理解并熟练掌握连续性方程式。
并能灵活运用。
（六）p-n结1．深入理解并熟练掌握p-n结及其能带图，包括公式、能带示意图。
2．深入理解并熟练掌握p-n结电流电压特性，包括公式、能带示意图。
3．深入理解p-n结电容的概念，熟练掌握p-n结电容表达式、能带示意图。
4．深入理解雪崩击穿、隧道击穿热击穿的概念。
5．了解p-n结隧道效应。
（七）金属和半导体的接触1．了解金属半导体接触及其能带图。
理解功函数、接触电势差的概念，包括公式、能带示意图。
了解表面态对接触势垒的影响。
2．了解金属半导体接触整流理论。
深入理解并熟练掌握扩散理论、热电子发射理论、镜像力和隧道效应的影响、肖特基势垒二极管的概念。
3．了解少数载流子的注入和欧姆接触的概念。
（八）半导体表面与MIS结构1．深入理解表面态的概念。
2．深入理解表面电场效应，空间电荷层及表面势的概念，包括能带示意图。
深入理解并熟练掌握表面空间电荷层的电场、电势和电容的关系，包括公式、示意图。
并能灵活运用。
3．深入理解并熟练掌握MIS结构的电容－电压特性，包括公式、示意图。
并能灵活运用。
4．深入理解并熟练掌握硅─二氧化硅系数的性质，包括公式、示意图。
并能灵活运用。
5．理解表面电导及迁移率的概念。
6．了解表面电场对p－n结特性的影响。
（九）异质结1．理解异质结及其能带图，并能画出示意图。
2．了解异质结的电流输运机构。
3．了解异质结在器件中的应用。
4．了解半导体超晶格的概念。
（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象1．了解半导体的光学常数，理解折射率、吸收系数、反射系数、透射系数的概念。
了解半导体的光吸收现象，理解本征吸收、直接跃迁、间接跃迁的概念。
了解半导体的光电导的概念。
理解并掌握半导体的光生伏特效应，光电池的电流电压特性的表达式。
了解半导体发光现象，理解辐射跃迁、发光效率、电致发光的概念。
了解半导体激光的基本原理和物理过程，理解自发辐射、受激辐射、分布反转的概念。
2．了解热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的珀耳帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用。
3．理解并掌握霍耳效应的概念和表示方法。
理解磁阻效应。
了解磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应。
了解声波和载流子的相互作用。
三、主要参考书目刘恩科，朱秉升，罗晋生．《半导体物理学》．西安交通大学出版社，1998。
微电子技术基础第一至第五章的全部内容，要求对书中所涉及的半导体器件类型有足够的理解，掌握相关的器件物理知识，并能用来分析和解决有关问题。
主要参考书目: 《微电子技术基础－双极场效应晶体管原理》曹培栋编著，电子工业出版社半导体集成电路第一至第二十二章的全部内容，要求掌握基本的集成电路设计方法，版图设计方法和基本的集成电路制造工艺，能设计简单的电路以及分析电路中的寄生效应。
主要参考书目: 《半导体集成电路》朱正涌编著，清华大学出版社数字电子技术基础逻辑代数基础，门电路、触发器的电路结构、工作原理及特性，组合和时序电路的分析和设计，脉冲的产生和整形，半导体存储器、可编程逻辑器件的原理及应用，数/模、模/数转换。
主要参考书目: 《数字电子技术基础》（第四版）阎石主编，高等教育出版社模拟电子技术基础电子线路中的基本概念、原理和分析方法。
掌握双极和MOS的主要电路形式、原理、特性及应用。
主要参考书目: 《模拟电子技术基础》（第三版）童诗白、华成英主编，高等教育出版社信号与系统连续时间和离散时间的信号与系统的定义、特性和分析方法；通信系统中滤波、调制及抽样理论的概念和应用；滤波器的定义和设计方法；反馈理论与应用。
主要参考书目: 《信号与系统》（第二版）（上，下），郑君里、应启珩、杨为理等著，高等教育出版社数字信号处理数字信号与数字系统的定义、特性和分析方法，快速傅氏变换FFT的特性及应用，数字滤波器的类型、结构与设计，有限字长效应。
主要参考书目: 《数字信号处理》（修订版），王世一，北京理工大学出版社。