拓扑绝缘体
拓扑绝缘体材料

拓扑绝缘体材料拓扑绝缘体是一类具有特殊电子结构和拓扑保护性质的材料。
它们在固体物理学和凝聚态物理学中引起了广泛的关注和研究。
拓扑绝缘体的发现为实现高温超导和量子计算等领域的应用提供了新的可能性。
拓扑绝缘体的特殊之处在于其电子能带的带隙内存在着非平凡的拓扑结构。
这些拓扑结构可以保护材料表面或边缘的电子态不受杂质或缺陷的影响,使其具有极高的导电率。
与传统的绝缘体不同,拓扑绝缘体的导电性主要来自于其表面或边缘的拓扑保护态,而非体内的能带。
拓扑绝缘体的电子结构可以通过拓扑不变量来描述。
最常用的拓扑不变量是所谓的Z2不变量,它刻画了材料的拓扑性质。
对于一个二维拓扑绝缘体,其Z2不变量只能取0或1两个值,分别对应于平凡绝缘体和拓扑绝缘体。
而对于三维拓扑绝缘体,其Z2不变量可以取更多的值,因此在拓扑绝缘体的分类和研究中具有重要意义。
拓扑绝缘体的研究不仅在理论上具有重要意义,也在实验上取得了许多突破。
最早被发现的拓扑绝缘体是二维的量子自旋霍尔效应材料,如HgTe/CdTe量子阱。
这些材料在低温下表现出非常高的霍尔导电性,且只有边缘态进行传导。
近年来,研究人员还发现了一类三维的拓扑绝缘体,如Bi2Se3和Bi2Te3等材料。
这些材料在室温下就表现出拓扑保护的表面态,具有巨大的应用潜力。
拓扑绝缘体的发现引发了许多新的研究方向和领域。
一方面,科学家们希望进一步理解和揭示拓扑绝缘体的本质和特性。
另一方面,他们也在探索拓扑绝缘体的应用。
拓扑绝缘体的拓扑保护性质可用于实现高效的能量转换和传输,因此在能源领域具有重要意义。
此外,拓扑绝缘体还可以用于构建量子比特和实现量子计算,为量子信息领域带来了新的可能性。
虽然拓扑绝缘体在理论和实验上取得了一些重要进展,但仍然存在许多挑战和问题。
例如,如何制备高质量的拓扑绝缘体材料,以及如何有效地控制和调控其拓扑性质等。
这些问题需要在材料制备、表征和器件设计等方面进行深入的研究和探索。
拓扑绝缘体作为一类具有特殊电子结构和拓扑保护性质的材料,具有重要的科学意义和应用价值。
拓扑绝缘体

拓扑绝缘体简介拓扑绝缘体(Topological Insulator)是凝聚态物理学中一种新兴的物质态,于2005年首次被发现。
与传统绝缘体不同的是,拓扑绝缘体的表面存在由量子效应产生的绝缘态,而体内则是导电的。
拓扑绝缘体在电子学、光学、磁学等领域具有广泛的应用前景。
原理理解拓扑绝缘体的基本原理需要先了解拓扑相变和边界态的概念。
在凝聚态系统中,对称性破缺或量子相变会导致拓扑不变量的改变。
而边界态是指在材料表面或界面位置上出现的特殊能级,它们具有与材料体内不同的能谱结构。
拓扑绝缘体的特殊之处在于,无论是边界态还是体内态都具有稳定的拓扑保护性质。
这是因为拓扑绝缘体的边界态与体内态之间存在空间隔离,边界态中的电子能级被空间反演对称性所保护,而体内态中的电子能级则受到体态拓扑不变量的保护。
目前,实现拓扑绝缘体的方法主要有两种:材料设计和量子干涉。
通过精心设计晶体结构和选择适当的杂质掺杂,可以实现拓扑绝缘体的制备。
此外,在一些量子系统中,通过调控量子干涉效应,也可以实现拓扑绝缘体的产生。
材料设计材料设计是实现拓扑绝缘体的一种重要方法。
通过选择不同的材料组合和晶体结构,可以实现表面态绝缘体能级与体态能级之间的空间隔离。
一种常见的材料设计方法是利用拓扑绝缘体的重要代表材料——拓扑绝缘体,例如砷化铋(Bi2Se3)和砷化锑(Sb2Te3)。
这些材料的拓扑绝缘体性质主要来自于其特殊的能带结构。
量子干涉量子干涉是另一种实现拓扑绝缘体的方法。
通过在材料体系中引入量子干涉效应,可以调控能带结构,从而实现拓扑绝缘体。
例如,通过使用过渡金属氧化物(Transition Metal Oxide)界面,可以利用量子干涉效应产生拓扑绝缘体。
拓扑绝缘体在电子学、光学和磁学等领域具有广泛的应用前景。
在电子学领域,拓扑绝缘体的边界态具有高度的迁移率和长寿命,对于制备高速、低功耗的电子器件具有重要意义。
例如,利用拓扑绝缘体的边界态可以实现高效的电子输运和信息传输。
拓扑绝缘体的理论和应用

拓扑绝缘体的理论和应用拓扑绝缘体是一种新型的材料,它的电子运动是具有拓扑特征的。
与普通的绝缘体相比,它具有更加丰富的物理性质,因此在电子学、能源等领域的应用具有巨大的潜力。
一、拓扑绝缘体理论介绍拓扑绝缘体是一种新型的物质,它在电子运动上具有拓扑结构。
通常来讲,拓扑绝缘体的各个层次之间是有差异的,这种差异体现在材料的能带结构上,电子的状态会在材料之间发生跃迁。
拓扑结构比较复杂,可以从三个角度进行理解。
第一个角度是相位的变化,这种变化发生在能带间,材料的自旋与动量之间存在拓扑相位的变化,通过这种变化,材料可以保持自主导电,并且不容易受到杂质的影响。
第二个角度是能带之间的反转现象,一些材料中的电子可以通过一种特殊的过程,将反演能带的状态完全覆盖在普通的狄拉克态之上,形成强耦合量子效应。
这一强耦合量子效应可以在材料中产生独特的物理性质,包括领头效应、约束能、强关联等。
最后一个角度是拓扑保护,拓扑保护是一种特殊的材料保护机制,可以通过拓扑边界来保护材料中的电流,即便材料表面上排列着大量的夹杂和杂质分子,电流也可以顺利地穿过这些杂质分子,表现出强大的抵抗干扰的能力。
二、拓扑绝缘体的特性1、拓扑保护及狄拉克锥拓扑保护是拓扑绝缘体的一种核心特性,其通过在材料内部的特殊拓扑结构构建安全的电子运输通道。
对于分数量子霍尔体,边界状态将在外基体地形特征保护下产生,以保留量子霍尔效应下的精细平衡。
在位于电子上方的导带巨大磁场下,编织磁通线的贯穿磁输运使得中间的拓扑绝缘体具有巨大的抗杂质能力。
同样,相对于这个工作流,拓扑绝缘体的区域在通常波长下表现出了极大的反射度和透射度。
与此同时,拓扑绝缘体中的电子还表现出了一个非常特殊的性质,即狄拉克锥。
所谓狄拉克锥,就是说拓扑绝缘体中的电子可以在光带上拥有一定的数量,而且他们为空穴。
这些空穴称之为狄拉克锥。
在介绍数学方法的基础上,锥唯一在光带的带底拥有一定的数量,这允许在其处可以形成大量的配对效应,这通常与光带的内部自旋激发形成很强的耦合。
拓扑绝缘体:新型量子材料

拓扑绝缘体:新型量子材料随着科学技术的不断发展,人们对于材料的研究也越来越深入。
近年来,一种新型的量子材料——拓扑绝缘体引起了科学界的广泛关注。
拓扑绝缘体具有特殊的电子结构和导电性质,被认为是未来电子学和量子计算的重要候选材料。
一、拓扑绝缘体的基本概念拓扑绝缘体是一种特殊的材料,其电子结构在拓扑空间中具有非平凡的拓扑性质。
与传统的绝缘体和导体不同,拓扑绝缘体在体内具有导电的表面态,而体内则是绝缘的。
这种特殊的电子结构使得拓扑绝缘体具有许多独特的性质和应用潜力。
二、拓扑绝缘体的特点1. 表面态:拓扑绝缘体的最显著特点是其表面态。
由于拓扑绝缘体的体内是绝缘的,而表面却是导电的,因此表面态成为了拓扑绝缘体的重要特征。
这种表面态具有特殊的电子结构,能够在边界上传导电流,而在体内则被禁止。
2. 拓扑保护:拓扑绝缘体的表面态具有拓扑保护的特性。
即使在存在杂质或者边界扰动的情况下,表面态的导电性质仍然保持不变。
这种拓扑保护使得拓扑绝缘体具有很高的稳定性和抗干扰能力。
3. 量子霍尔效应:拓扑绝缘体的表面态可以展现出量子霍尔效应。
量子霍尔效应是一种只在二维材料中出现的现象,其特点是在外加磁场的作用下,电流只能沿着材料的边界流动,而在内部则是绝缘的。
拓扑绝缘体的表面态可以模拟二维材料的量子霍尔效应,从而展现出类似的导电性质。
三、拓扑绝缘体的应用前景1. 量子计算:拓扑绝缘体的特殊电子结构使其成为量子计算的理想平台。
拓扑绝缘体的表面态具有拓扑保护的特性,可以有效地抵抗外界的干扰,从而保持量子比特的稳定性。
这为实现高效、稳定的量子计算提供了新的可能性。
2. 电子学器件:拓扑绝缘体的导电性质使其在电子学器件方面具有广阔的应用前景。
拓扑绝缘体的表面态可以用来传导电流,而体内则是绝缘的,这为设计新型的电子器件提供了新的思路和方法。
3. 自旋电子学:拓扑绝缘体的表面态还具有特殊的自旋结构,可以用来实现自旋电子学。
自旋电子学是一种利用电子的自旋来进行信息存储和处理的新兴领域,拓扑绝缘体的出现为自旋电子学的发展提供了新的材料基础。
拓扑绝缘体简介

拓扑绝缘体简介作者:吕衍凤, 陈曦, 薛其坤, Lü Yanfeng, Chen Xi, Xue Qikun作者单位:低维量子物理国家重点实验室,清华大学物理系,北京100084刊名:物理与工程英文刊名:Physics and Engineering年,卷(期):2012,22(1)参考文献(22条)1.E.H.Hall查看详情[外文期刊] 18792.K.v.Klitzing;G.Dorda;M.Pepper查看详情[外文期刊] 19803.D.J.Thouless;M.Kohmoto;M.P.Nightingale;M.den Nijs查看详情[外文期刊] 19824.M.Z.Hasan;C.L.Kane查看详情 20105.X.-L.Qi;S.-C.Zhang查看详情 20106.C.L.Kane;E.J.Mele查看详情[外文期刊] 20057.B.A.Bernevig;T.L.Hughes;S.-C.Zhang Quantum spin Hall effect and topological phase transition in HgTe quantum wells[外文期刊] 2006(5806)8.M.K(o)nig;S.Wiedmann;C.Brune;A.Roth,H.Buhmann,L.W.Molenkamp,X.-L.Qi,S.-C.Zhang Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum Wells[外文期刊] 2007(5851)9.L.Fu;C.L.Kane;E.J.Mele查看详情[外文期刊] 200710.D.Hsieh;D.Qian;L.Wray;Y.Xia,Y.S.Hor,R.J.Cava,M.Z.Hasan A topological Dirac insulator in a quantum spin Hall phase.[外文期刊] 2008(7190)11.D.Hsieh;Y.Xia;L.Wray;D.Qian,A.Pal,J.H.Dil,J.Osterwalder,F.Meier,G.Bihlmayer,C.L.Kane,Y.S.Hor,R.J.Cav a,M.Z.Hasan查看详情 200912.H.J.Zhang;C.X.Liu;X.L.Qi;X.Dai,Z.Fang,S.-C.Zhang查看详情 200913.Y.Xia;D.Qian;D.Hsieh;L.Wray,A.Pal,H.Lin,A.Bansil,D.Grauer,Y.S.Hor,R.J.Cava,M.Z.Hasan查看详情[外文期刊] 200914.J.Moore查看详情 200915.Y.L.Chen;J.G.Analytis;J.-H.Chu;Z.K.Liu,S.-K.Mo,X.L.Qi,H.J.Zhang,D.H.Lu,X.Dai,Z.Fang,S.C.Zhang,I.R.Fisher,Z.Hussain and Z.X.Shen查看详情 2009 16.Y.Y.Li;G.Wang;X.G.Zhu;M.H.Liu,C.Ye,X.Chen,Y.Y.Wang,K.He,L.L.Wang,X.C.Ma,H.J.Zhang,X.Dai,Z.Fang,X.C.X ie,Y.Liu,X.L.Qi,J.F.Jia,S.C.Zhang and Q.K.Xue查看详情 201017.T.Zhang;P.Cheng;X.Chen;J.F.Jia,X.C.Ma,K.He,L.L.Wang,H.J.Zhang,X.Dai,Z.Fang,X.C.Xie and Q.K.Xue查看详情 200918.P.Cheng;C.L.Song;T.Zhang;Y.Y.Zhang,Y.L.Wang,J.F.Jia,J.Wang,Y.Y.Wang,B.F.Zhu,X.Chen,K.He,L.L.Wang,X.D ai,Z.Fang,X.C.Xie,X.L.Qi,C.X.Liu,S.C.Zhang and Q.K.Xue查看详情[外文期刊] 201019.R.Yu;W.Zhang;H.J.Zhang;S.C.Zhang,X.Dai Z.Fang查看详情[外文期刊] 2010regime[外文期刊] 2008(1)21.L.Fu;C.L.Kane查看详情[外文期刊] 200922.J.C.Y.Teo;C.L.Kane查看详情[外文期刊] 2009引用本文格式:吕衍凤.陈曦.薛其坤.Lü Yanfeng.Chen Xi.Xue Qikun拓扑绝缘体简介[期刊论文]-物理与工程2012(1)。
拓扑绝缘体:新型量子材料

拓扑绝缘体:新型量子材料拓扑绝缘体是一种具有特殊电子结构的新型材料,在固体物理领域引起了广泛关注。
它们具有独特的电子性质,既有传统绝缘体的特征,又具备导电边缘态和表面态,被认为是一种重要的量子材料。
本文将介绍拓扑绝缘体的基本概念、性质和应用。
什么是拓扑绝缘体?拓扑绝缘体是一种新型量子材料,其特殊之处在于其电子能带拓扑结构导致了表面态或边界态的存在。
在拓扑绝缘体中,能带之间存在带隙,同时在系统的边界或界面会出现无能隙的态,这些态在由晶格周期性重复单元构成的晶体中是保护的,不易受外界扰动破坏。
这种特殊的电子结构赋予拓扑绝缘体许多奇特的性质,例如高效的表面导电、自旋极化等。
拓扑绝缘体的分类根据拓扑性质和对称性,拓扑绝缘体可以分为不同类别。
最常见的包括三维拓扑绝缘体和二维拓扑绝缘体。
三维拓扑绝缘体中,电子在空间中穿梭时会出现表面态;而二维拓扑绝缘体则主要指具有边界态的材料。
此外,根据其对称性质,拓扑绝缘体还可分为时间反演对称保护的和非时间反演对称保护的两类。
前者包括了大部分已知的拓扑绝缘体材料,后者则在非常特殊的条件下出现。
拓扑绝缘体的发现与研究历程拓扑绝缘体作为一种新奇的量子材料,在近年来得到了广泛研究。
最早关于拓扑绝缘体的概念可以追溯到20世纪80年代,但直到近年来,随着实验技术和理论方法的进步,科学家们才成功合成并验证了一系列具有拓扑性质的材料。
其中,最著名的是锡-碲(SnTe)这种三维拓扑绝缘体材料。
通过对其晶格结构和电子能带进行精确计算和实验证实,锡-碲是第一个被确认为三维拓扑绝缘体的物质。
这一发现引发了科学界对拓扑物态学领域研究热潮,各种新型拓扑材料被相继发现。
拓扑绝缘体的应用前景由于其独特的电子结构和性质,拓扑绝缘体在量子信息、纳米电子学、量子计算等领域具有广泛应用前景。
例如,利用表面态或边界态可以实现高效自旋输运,在量子计算中可以用于构建拓扑量子比特等。
此外,由于边界态具有高度迷离度,在光伏器件、热电材料等能源转换领域也有潜在应用价值。
凝聚态物理学:拓扑绝缘体的表面态与拓扑超导体

凝聚态物理学:拓扑绝缘体的表面态与拓扑超导体拓扑绝缘体和拓扑超导体作为凝聚态物理学领域的研究热点,近年来引起了广泛的关注。
它们具有特殊的电子性质,为实现新型电子器件和量子计算提供了新的可能性。
本文将介绍拓扑绝缘体的表面态以及拓扑超导体的基本概念和重要性。
一、拓扑绝缘体的表面态拓扑绝缘体是一种特殊的绝缘体材料,其内部具有绝缘体的性质,但在材料表面却存在能谱中的特殊态。
这些特殊态被称为表面态或边界态,其存在是由材料拓扑性质决定的。
与普通的绝缘体材料不同,在拓扑绝缘体中,表面态是由材料的拓扑不变量保护的,即使在存在杂质或者扰动的情况下,表面态仍然保持稳定。
拓扑绝缘体的表面态具有几个独特的特性。
首先,表面态是不可局域化的,即它们在材料表面上延伸开来,而不会与材料内部的态发生混合。
其次,表面态处于能带隙中,因此不会发生散射和电荷传输。
最重要的是,表面态的能谱是非简并的,这意味着不同的自旋态和动量态可以共存。
这一特性在实现拓扑量子计算中具有重要的意义。
二、拓扑超导体的基本概念和重要性拓扑超导体是指在绝对零度附近存在超导态,并且其能带中存在拓扑不变量的超导体材料。
与普通的超导体不同,拓扑超导体具有非零的拓扑不变量,表明其在超导态下存在特殊的拓扑性质。
拓扑超导体的研究对于理解拓扑物态和量子计算具有重要意义。
首先,拓扑超导体能够实现零能边界态,这是由于其拓扑性质保护了边界态的稳定存在。
这些零能边界态被称为Majorana费米子,其有着特殊的统计性质和非阿贝尔的编织操作,被认为是实现拓扑量子比特的理想平台。
其次,拓扑超导体具有拓扑不变性,这意味着在超导态和正常态之间存在相变点。
这一相变点是由于超导能带的拓扑结构改变所引起的,并且在相变点附近存在非常奇特的量子相:拓扑超导态、拓扑绝缘态等。
研究这些量子相的性质和相互作用对于发展量子信息技术和量子计算具有重要意义。
总结拓扑绝缘体的表面态和拓扑超导体作为凝聚态物理学研究的重要方向,拥有特殊的电子性质和量子相。
拓扑绝缘体与拓扑半金属方忠

拓扑绝缘体与拓扑半金属什么是拓扑绝缘体?拓扑绝缘体是一种物理学中的概念,它指的是具有绝缘体的电子传导性质,但却存在着非平凡拓扑的物理性质。
它的本质在于,电子在固体中的运动不仅取决于晶格结构和化学成分,还与时间反演对称性的破缺有关。
因此,拓扑绝缘体在项目个人、拓扑电子学等领域具有广泛的应用。
拓扑绝缘体与量子霍尔效应在拓扑绝缘体的研究中,量子霍尔效应是最先被发现的拓扑现象之一。
量子霍尔效应指的是,当二维电子系统面对外加磁场时,会产生一种新的电导现象。
在这个过程中,电子会沿着材料表面沿着固定的方向运动,这种电导现象与普通的电导现象不同,因为它是由霍尔效应引起的,并且只有在特定的条件下才会观察到。
拓扑绝缘体与托普分数除了量子霍尔效应以外,拓扑绝缘体还与托普分数密切相关。
托普分数指的是一种将各种物理现象进行分类的方法,它可以区分不同的拓扑相,在物理学中具有很大的作用。
拓扑绝缘体的分类正是依赖于托普分数的。
拓扑半金属及其特性拓扑半金属是与拓扑绝缘体类似的一种物理现象,它介于一般的金属和拓扑绝缘体之间。
拓扑半金属的表面电子在某些方向上有导电性,而在另外一些方向上则是绝缘的。
相比于一般的金属,在拓扑半金属中导电性也有关联。
一般情况下,金属的电导性来源于自由电子。
但在拓扑半金属中,则可能存在非常规的电子能带。
这些非常规能带可以由物理学中的拓扑量子数描述,因此被称为“拓扑能带”。
拓扑绝缘体与拓扑半金属的研究现状目前,拓扑绝缘体与拓扑半金属的研究已经成为了物理学中一个非常重要的领域。
在这个领域中,研究人员使用各种各样的实验手段与理论模型,努力探求物质中的拓扑性质。
这些工作不仅有助于深入理解基本物理学中的概念,也为人们创造出更先进的材料和电子器件打下了基础。
,拓扑绝缘体与拓扑半金属是物理学家们在近几十年中共同努力的结果。
它们的性质和应用非常广泛,已经成为了物理学中非常重要的研究领域之一。
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能带理论
• 晶格周期性势场中运动粒子的薛定谔方程
• 布洛赫定理
具有晶格周期性
导体和绝缘体的能带示意图
• 其中( a) 为导体, ( b) 为普通绝缘体, ( c) 为量子霍尔绝缘体, ( d) 为时 间反演不变的拓扑绝缘体。 • 图中黑色实线代表费米面, 虚线代表边缘态, 对于绝缘体来说, 费米面 处在禁带之中。当样品有边界时, 禁带之间存在着受到拓扑保护的边 缘态( 如( c) 和( d) ) , 这些边缘态连接体系的价带顶和导带底。
整数量子霍尔效应
人们在研究强磁场中的二维电子气时, 发现它的横向霍尔电导在外磁场改 变时会在e2 / h 的整数倍处出现平台。(von Klit, Thouless等人(TKNN) 在一篇奠基性的文章中利用久保公式计 算了二维周期性晶格系统的霍尔电导。这不仅揭示了整数霍尔电导的拓 扑来源, 而且也开启了拓扑学在凝聚态物理中应用的大门。
参考文献1
REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME 82, OCTOBER– DECEMBER 2010 Colloquium: Topological insulators M. Z. Hasan* Joseph Henry Laboratories, Department of Physics, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA C. L. Kane† Department of Physics and Astronomy, University of Pennsylvania, Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA Published 8 November 2010
1983 年, 人们证明TKNN的第一类陈数可以被 用来对定义在复数域上的任意维的哈密顿量 进行拓扑分类。
边缘态
无隙手性边缘模式
边缘模式数量
有效场理论
手性费米子不能反向散射
拓扑绝缘体的边缘态示意图
( a) 破坏时间反演的整数霍尔系统; ( b) 时间反演不变的自旋霍尔绝缘体, 其中的灰色实线和灰色虚线是一对时间反演共轭对。
参考文献2
拓扑绝缘体
物理科学1401 贺佳俊
主要内容
• 简介:能带理论 • 整数量子霍尔效应 • 拓扑绝缘体的边缘态
绝缘体
不善于传导电流的物质
拓扑绝缘体
拓扑绝缘体是一种内部绝缘,界面允许电荷移动的材料。在拓扑绝缘体的 内部,电子能带结构和常规的绝缘体相似,其费米能级位于导带和价带之间。在拓 扑绝缘体的表面存在一些特殊的量子态,这些量子态位于块体能带结构的带隙之中, 从而允许导电。这些量子态可以用类似拓扑学中的亏格的整数表征,是拓扑有序的 一个特例。拓扑保护的边缘状态(一维)在碲化汞/碲化镉量子阱中被预言,随后 由实验观测证实。很快拓扑绝缘体又被预言存在于含铋的二元化合物三维固体中。 类似的边缘效应同样出现于量子霍尔效应之中,但仅在强垂直磁场,低温的二维系 统中出现。 拓扑绝缘体是一种具有新奇量子特性的物质状态,是物理学的重要科 学 前沿之一。传统上固体材料可以按照其导电性质分为绝缘体、导体和半金属,其中 绝缘体材料在其费米能处存在着有限大小的能隙,因而没有自由载流子;金属材料 在费米能级处存在着有限的电子态密度,进而拥有自由载流子;半金属材料在费米 能处没有能隙,但是费米能级处的电子态密度仍然为零。而拓扑绝缘体是一类非常 特殊的绝缘体,从理论上分析,这类材料的体内的能带结构是典型的绝缘体类型, 在费米能处存在着能隙,然而在该类材料的表面则总是存在着穿越能隙的狄拉克型 的电子态,因而导致其表面总是金属性的。拓扑绝缘体这一特殊的电子结构,是由 其能带结构的特殊拓扑性质所决定的。