TD的车充芯片的PPT介绍
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TD技术--汽车模具表面超硬改性技术
效现象。适合于汽车、钢管、机械、电子、金属加工、标准件等行业 ； 2、与基体冶金结合，表现出最优异的抗剥离性； 3、可重复处理； 4、不论工件形腔如何复杂，都能形成均匀的被覆层，且处理过程中相对 传统工艺模具变形较小； 5、光洁度度在Ra0.4以内与处理前无变化。
•TD技术简介
•10
十、主要技术指标
工业应用：国内数十家用户信息填制的《用户信息反馈表》 相同工况下平均提高10倍以上。
•TD技术简介
•12
十二、耐磨试验－－磨痕对比
•VC的TD涂层耐磨性比Cr12MoV基体提高44.9倍
•TD技术简介
•13
十三、耐磨试验－－磨痕OM形貌
•未经TD处理
•TD技术简介
•TD处理后
•14
十四、试样磨痕宽度及最大磨损深度参数
五、镶块模具采用TD工艺时应注意的事项
粉末渗硼
变形小，生产周期短，可以 加工大的工件，成本低。 生产周期短，成本低。
成本低。
钨钴类硬质合金
基体的一致性好。
劣势
涂层薄，硬化层不均匀，绕镀性不 好，易剥离，只能加工小件。
涂层薄，硬化层不均匀，绕镀性不 好，易剥离，只能加工小件，生产 过程不环保。
硬度不高，不耐磨，易剥离。
硬度不高、不耐磨、不环保。 硬度不高，不耐磨，硬化层不均匀
•TD技术简介
•4
四、TD还有哪些功效？
耐磨 优于硬质合金 耐腐蚀 优于镀铬或者不锈钢材料 超导 等同或接近于超导材料
•TD技术简介
•5
五、拨开TD神秘的面纱
TD是一种化学热处理，化学是一名精确的科学。TD的工艺过 程其实就是一个氧化还原反应的一个过程。任何东西掌握了就不 再神秘。 以单渗钒为例： 铝、镁还原金属氧化物，获得活性金属原子 10Al＋3V2O5==5 Al 2 O3＋6[V] 以上反应获得活性钒原子[V]，实现渗钒。
•TD技术简介
•10
十、主要技术指标
工业应用：国内数十家用户信息填制的《用户信息反馈表》 相同工况下平均提高10倍以上。
•TD技术简介
•12
十二、耐磨试验－－磨痕对比
•VC的TD涂层耐磨性比Cr12MoV基体提高44.9倍
•TD技术简介
•13
十三、耐磨试验－－磨痕OM形貌
•未经TD处理
•TD技术简介
•TD处理后
•14
十四、试样磨痕宽度及最大磨损深度参数
五、镶块模具采用TD工艺时应注意的事项
粉末渗硼
变形小，生产周期短，可以 加工大的工件，成本低。 生产周期短，成本低。
成本低。
钨钴类硬质合金
基体的一致性好。
劣势
涂层薄，硬化层不均匀，绕镀性不 好，易剥离，只能加工小件。
涂层薄，硬化层不均匀，绕镀性不 好，易剥离，只能加工小件，生产 过程不环保。
硬度不高，不耐磨，易剥离。
硬度不高、不耐磨、不环保。 硬度不高，不耐磨，硬化层不均匀
•TD技术简介
•4
四、TD还有哪些功效？
耐磨 优于硬质合金 耐腐蚀 优于镀铬或者不锈钢材料 超导 等同或接近于超导材料
•TD技术简介
•5
五、拨开TD神秘的面纱
TD是一种化学热处理，化学是一名精确的科学。TD的工艺过 程其实就是一个氧化还原反应的一个过程。任何东西掌握了就不 再神秘。 以单渗钒为例： 铝、镁还原金属氧化物，获得活性金属原子 10Al＋3V2O5==5 Al 2 O3＋6[V] 以上反应获得活性钒原子[V]，实现渗钒。
新能源汽车电气技术(第2版)课件：新能源汽车充电系统的认知
二、新能源汽车充电技术概况
新能源汽车，特别是纯新能源汽车的充电技术，最关键的问题是如何能实现高效率的快速 充电。这关系到充电器的容量和性能，电网的承载能力和动力蓄电池的承受能力等。随着动 力蓄电池本身的充放电速度的不断提高，充电系统的性能也在不断地改进，以满足在多种不 同的应用情况下的快速充电需求。由于电力的储运和使用比汽油方便得多，充电设备的建造 也呈现出多样性和灵活性，既可以为集中式的充电站，也可以设置在马路边、停车场、购物 中心等任何方便停车的地方。除了固定充电装置以外，新能源汽车还带有车载充电器，可以 在夜间从家里的市电插座进行充电，甚至还可以在用电高峰期把电力逆变后返送回电网。目 前根据不同的汽车动力蓄电池电压和容量、充电速度要求，以及电网供电容量等因素的考量， 固定充电器的容量一般在15KW到100KW的范围，输出电压一般为50V到500V。车载充电器容 量则在3KW左右。
三、充电系统基本术语
5.充电口或充电插口（Charging port或Charging Socket）
指安装在新能源汽车及插电式混合动力汽 车上的电气插座，通常位于保护盖后面。充电 端口或充电插口的技术标准必须与插入车辆的 充电插头一致，才能进行充电。
三、充电系统基本术语
6.充电电缆（Charging cable）
六、充电系统的组成
3.DC/DC变换器 DC/DC变换器相当于传统车的发电机，将动力蓄电池的高压电转为低压电给蓄电池及 低压系统供电。具有效率高、体积小、耐受恶劣工作环境等特点。 DC/DC变换器工作首先需要整车On档上电或充电唤醒上电，然后动力蓄电池完成高压 系统预充电流程，最后VCU发给DC/DC变换器使能信号，DC/DC变换器开始工作。
三、充电系统基本术语
3.充电器（Charger） 指将电气设备或其他电能供应设备输出的 交流电，转变成直流充电电流的设备。车 载充电器安装在车辆上，而非车载充电器 则是EVSE的一部分。
中国移动“和对讲”业务产品介绍(课堂PPT)
移动集团服务器组
移动网络
移动网络
移动GGSN网 关
PoC服务 器
视频中转服务器
移动GGSN网 关
GPRS GPRS
移动基站
2020/7/31
PoC终端
PoC终端
移动基站
4
系统优势
采取半双工通信方式，呼 叫建立时间较普通电话大 大缩短，用户即按即说， 一键实现群组呼叫。
承载于移动数据网络，实现 全国范围使用、跨省调度。
的对讲产品。
随着移动通信技术的发展，LTE 方案的完善和运营商对4G网络的战略 部署，更是为PoC对讲提供了一个可 靠发展的平台。未来，PoC对讲将完 全取代传统对讲，进入手机对讲的新 时代。
业务概述
2020/7/31
3
组网结构
PoC业务运营网络主要由核心交换机、主备XPS服务器（PoC服务器） 和EMS管理服务器和X PA管理服务器组成。移动版本使用的是中国移动集 团PoC后台服务器。
支持T卡加密（公安三所适配）
重力，距离，光线，陀螺仪，指南 针，高度计，气压计
待机时间/连续通话时间
3100mAh电池：持续对讲：时间大于8小时； 待机时间：大于210小时（单卡），大于200 小时（双卡）
支持
对讲
支持
通过背夹扩展二代证读取，指纹采 集等
紧急呼救
支持，按下紧急呼救键，可与控制中心联络
•主叫与被叫建立PoC 通信，同一时刻只允 许其中一方发言。
•被叫用户可由主叫用 户从联系人列表或群 组成员列表中选取。
•被叫用户应答模式有： “自动应答”及“手 动应答”两种。
在集群呼叫过程中， 参与呼叫的用户能 够收到与集群通话 状态相关的各种提 示信息。
移动网络
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移动GGSN网 关
PoC服务 器
视频中转服务器
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GPRS GPRS
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2020/7/31
PoC终端
PoC终端
移动基站
4
系统优势
采取半双工通信方式，呼 叫建立时间较普通电话大 大缩短，用户即按即说， 一键实现群组呼叫。
承载于移动数据网络，实现 全国范围使用、跨省调度。
的对讲产品。
随着移动通信技术的发展，LTE 方案的完善和运营商对4G网络的战略 部署，更是为PoC对讲提供了一个可 靠发展的平台。未来，PoC对讲将完 全取代传统对讲，进入手机对讲的新 时代。
业务概述
2020/7/31
3
组网结构
PoC业务运营网络主要由核心交换机、主备XPS服务器（PoC服务器） 和EMS管理服务器和X PA管理服务器组成。移动版本使用的是中国移动集 团PoC后台服务器。
支持T卡加密（公安三所适配）
重力，距离，光线，陀螺仪，指南 针，高度计，气压计
待机时间/连续通话时间
3100mAh电池：持续对讲：时间大于8小时； 待机时间：大于210小时（单卡），大于200 小时（双卡）
支持
对讲
支持
通过背夹扩展二代证读取，指纹采 集等
紧急呼救
支持，按下紧急呼救键，可与控制中心联络
•主叫与被叫建立PoC 通信，同一时刻只允 许其中一方发言。
•被叫用户可由主叫用 户从联系人列表或群 组成员列表中选取。
•被叫用户应答模式有： “自动应答”及“手 动应答”两种。
在集群呼叫过程中， 参与呼叫的用户能 够收到与集群通话 状态相关的各种提 示信息。
汽车充电系统知识 教学PPT课件
技术提示：
发电机输出的电压和电流取决于以下几个因素：
1.转动速度：发电机输出的电压和电流是随发电机转速的增加而增 加的，直到达到发电机的最大输出电流。一般来说发电机的转速 比发动机的转速快2～3倍。
2.绕组匝数：定子线圈的匝数越多发电机输出的电压和电流就越强， 同时定子绕组的连接方式（Y形或△形）也影响发电机的最大输出。
● 小制作：自制电磁铁。 ● 材料：5号直流电池一节、漆包线一米、铁 ● 钉一枚、细铁屑若干。 ● 目的：通过制作电磁铁深刻体会电生磁。
（3）磁生电
闭合电路的一部分导体在强弱变化的磁场中， 导体就会产生电流，产生的电流叫做感应电流。 闭合电路中的ab部分在蹄型磁铁中间左右摆动， 蹄型磁铁N极和S极中间有磁力线，ＡＢ左右摆 动不断的切割磁力线，这是闭合电路中就会产生 电流，电流表的指针就会左右摆动，这种现象叫 磁生电。
技术提示：
充电指示灯对汽车充电系统起监控、指示的作用。当闭合点火 开关时充电指示灯点亮，指示发电机没有发电；当发动机启动后且 发电机的发电量高于蓄电池电压时充电指示灯熄灭，指示充电系统 工作正常。
充电指示灯采用发光二极管照明指示，其标志如 图所示。有的汽车上不采用充电指示灯，采用电流 表或电压表来监控、指示充电系统的工作，
3.磁场强度：如果磁场强度越大，则发电机输出的电压越高，电流 越大；反之发电机输出的电压低电流小。
（7）三极管 1）NPN型三极管(硅管)
当基极b的电压高于发射极e的电压小于 0.7V以下时，NPN型三极管处于截止状态， 即c与e之间没有电流通过。
当基极b的电压高于发射极e的电压大于0.7V以上时，NPN型 三极管处于导通状态，即c与e之间有电流通过，并且基极b的电压与 发射极e的电压差越大，c与e之间的电流越大，直到三极管的额定电 流为止，电流的方向是从c流向e。
车规芯片 基础知识-概述说明以及解释
车规芯片基础知识-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容应该是对整篇文章的概括和引入。
可以简要介绍车规芯片的基本概念和作用，并提出本文的核心内容和结构安排。
下面是一个关于"车规芯片基础知识"文章概述的示例：引言车规芯片作为汽车电子技术中的关键组成部分，发挥着至关重要的作用。
随着汽车工业的快速发展和智能化水平的提升，车规芯片在实现智能驾驶、车联网和信息娱乐等方面发挥越来越大的作用。
本文旨在介绍车规芯片的基础知识，包括其定义和作用、分类以及基本原理。
通过深入了解车规芯片的关键概念和技术原理，我们能更好地理解车规芯片在汽车电子系统中的应用和优势。
本文的结构安排如下：首先，我们将在第2部分介绍车规芯片的定义和作用，详细解释它在汽车电子系统中的重要性。
其次，我们将在第3部分讨论车规芯片的分类，涵盖不同类型的芯片及其特点。
最后，在第4部分，我们将深入探讨车规芯片的基本原理，揭示其内部的工作机制和设计原则。
通过对车规芯片基础知识的全面了解，我们可以更好地把握汽车电子技术的发展趋势和前沿，进一步探索车规芯片的研究和应用领域。
在结论部分，我们将对车规芯片的重要性进行总结，强调其在未来智能交通系统中的潜力，同时提出进一步研究和发展车规芯片的建议。
车规芯片是实现智能出行的关键技术之一，相信通过本文的阐述，读者能够获得对车规芯片的全面认识，深入了解其基本知识和应用前景。
文章结构部分主要介绍了整篇文章的组织结构以及各部分的内容概要。
下面是对文章结构部分的内容进行编写：1.2 文章结构本文将按照以下结构展开对车规芯片的基础知识进行探讨：2. 正文正文部分是本文的核心内容，将详细介绍车规芯片的相关知识。
主要包含以下几个方面：2.1 车规芯片的定义和作用本部分将对车规芯片进行定义，并介绍其在汽车行业中的重要作用。
通过阐述车规芯片在车辆电子系统中的应用领域和功能，帮助读者全面了解车规芯片的作用价值。
汽车级电压基准芯片-概述说明以及解释
汽车级电压基准芯片-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以介绍汽车级电压基准芯片的背景和意义。
以下是一个参考范例：概述随着汽车电子技术的飞速发展，现代汽车已经成为了集成电子设备和各种高级功能的移动计算平台。
在这个复杂的汽车电子生态系统中，稳定的电压供应对于保证各种电子设备的正常运行至关重要。
汽车级电压基准芯片（Automotive Voltage Reference Chips）作为一种关键的电子元件，旨在为车辆电子系统提供可靠的电压基准。
本文将对汽车级电压基准芯片进行深入研究，并探讨其在车辆电子系统中的作用和设计要点。
首先，我们将回顾车辆电子系统的发展历程，了解其在驾驶安全性、车辆性能和乘客体验方面的提升。
随后，我们将重点介绍汽车级电压基准芯片的作用，包括其在电源管理、传感器测量和通信系统中的应用。
然后，我们将详细讨论汽车级电压基准芯片的设计要点，包括精度、稳定性、温度系数和功耗等关键指标。
通过对汽车级电压基准芯片的全面研究和分析，我们可以更好地理解其在车辆电子系统中的重要性。
汽车级电压基准芯片的稳定和可靠性将为车辆电子设备的正常运行提供强有力的保障，同时也可以提高整个车辆电子系统的性能和效率。
值得注意的是，随着自动驾驶、电动化和智能交通等领域的快速发展，汽车级电压基准芯片将扮演更加重要的角色，并逐渐成为汽车电子技术的核心组成部分。
在接下来的章节中，我们将系统地介绍汽车级电压基准芯片的作用和设计要点。
通过深入探讨其原理和特性，我们可以为汽车电子系统的设计和开发提供有价值的参考。
最后，我们将总结本文的主要内容，并展望汽车级电压基准芯片在未来发展中的潜力。
通过本文的研究和讨论，相信读者对于汽车级电压基准芯片的重要性和应用前景将有更加清晰的认识。
1.2文章结构1.2 文章结构本文主要通过以下几个部分来探讨汽车级电压基准芯片的相关内容。
第一部分是引言，我们将对汽车级电压基准芯片这一主题进行概述，介绍其在车辆电子系统中的作用和重要性，同时说明本文的目的。
TD技术--汽车模具表面超硬改性技术
TD技术简介
22
二十二、本工艺与其他比较先进的强化 技术的主要参数和性能对比
强化方法 表面成分 TD VCV NbC QPQ(氮化) Fe2N-Fe3 渗硼(粉末) FeB Fe2B CVD TiN TiC PVD TiN TiC 硬质合金 钨、钴类
热处理方式
硬化层厚度/um
盐浴
6～15
气体 盐浴
国 产 日本 美国 进口 德国 英国 韩国
TD技术简介
CrWMn Cr12
Cr12MoV等
SKD-11 DC-53 DC-54 D2 D6 A2
X120Cr12 X165CrMoV12 BD2 BD2A
STD11
15
十六、选择TD的理由
（一）、成本理由
直接成本 工件的使用寿命大大提高，降低了制作费用 间接成本 经TD处理后的模具加工的产品废次品率大幅降低,且不用经常 拆装、维修模具，劳动效率大幅提高。 用作机械部件、标准件其使用寿命大幅延长，提高了设备的利用率。
（二）、专业领域的使用： 标准件、机械部件、石化、钢铁、机械、航 空航天、金属加工等行业对一些既要求高耐磨又要求高韧性的特殊零 部件。
（三）、部分领域取代硬质合金:
1、硬质合金韧性差； 2、硬质合金加工难度大、成本高、周期长。
TD技术简介
18
十八、TD在汽车车身及其底盘件的应用
横梁 天窗 车门 A、B柱 油底壳 底盘连接件 纵梁 翼子板 天窗 车身 侧门防撞梁 … …
国外工业发达国家的应用超过75% 国内应用不到百万分之一
TD技术简介
8
九、技术特点
1、模具表面硬度大大提高，全面解决冷作模具磨损、拉毛等面疲劳失
效现象。适合于汽车、钢管、机械、电子、金属加工、标准件等行业； 2、与基体冶金结合，表现出最优异的抗剥离性； 3、可重复处理； 4、不论工件形腔如何复杂，都能形成均匀的被覆层，且处理过程中相对 传统工艺模具变形较小； 5、光洁度度在Ra0.4以内与处理前无变化。
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future technology smart chip future technology smart chip smart chip future technology smart chip
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宣讲人：某某某 时间：20XX.XX
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肖特基和散热片
大电容
大功率多口充推荐方案
20V/3.2A
AC(交流电) 传统反激架构 TD1730 TD9517 USB 5V/2.4A
TD9517
USB 5V/2.4A
or
Adapter 20V/3.2A
TD9517
USB 5V/2.4A
TD9517
USB 5V/2.4A
8A+
15uH
打嗝模式
TD1730
Syn
35V
130 – 220KHz
8A+
22uH
DFN3 x 3易过认证， 10 打嗝模式
补充 1. TD1482A，TD1484A ，TD1529, TD1519, TD2778, 为P2P。 2. TD1728， TD1729，TD1730 为P2P。频率若要一致，只需微调 OCSET对地电阻阻值。
外围器件-电感
外围器件-肖特基
10uH
不需要
100uH
SS14
100uH的单价要高 0.3RMB以上
SS14报价在0.1RMB 左右
TD1609 5V/1A全功能方案
1. 2. 3. 4. 5. 6. 内置Pmos，Buck异步降压控制器。 最大持续负载电流1.8A。 输入最高电压40V，输出电压1.23 – 12V可调。 PFM模式，轻载高效。 150KHz开关频率易过认证。 短路打嗝模式，支持短路自恢复。打嗝电流800mA，没有发热。
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TD1728/1729/1730 - 5V/2.4A以上车充方案
1. 2. 3. 4. 外置双Nmos，Buck同步降压控制器。 PFM和PWM模式，超高负载效率，最大持续负载电流25A。 可调开关频率（TD1730,130 – 220KHz），支持易过认证。 可调过流保护值。短路自锁（TD1728），短路打嗝自恢复 （TD1730）。打嗝电流800mA，没有发热。 5. 稳定并高效率搭配TDM3420 实现3.4A输出应用，搭配TDM3424实 现3.4A以上（4.8A及以上等应用）。 6. DFN 3 x 3小封装节省空间。
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT89
TDM3422
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT223
Q2/14
= Mass Production
Q3/14
= In Progress
Q4/14
Q1/15
Mosfet 型号参数列表I
Rds（on）
TD1730 + 20V/3A
<<
5V/12A
Total:
典型应用及demo board
TD1730 + （TD3428 x 2） + 78L05 + （TD9517 x 6）
推荐： 10A以下用2个TD3428， 10 – 15A 用3个TD3428（上1下2）,15 – 25A用4个TD3428
多口USB充电器方案介绍
传统多口旅充
变压器
高压mos和散热片
AC输入
100 – 240V交流电
缺点： 1. 4口USB输出， 3 – 5A 的电流已经不能满足现 5VUSB输出 代多个设备的大电流充 3 – 5A 直流 电需求。 2. 架构决定当输出电流大 于等于4A时，效率低 且发热严重。 3. 没有单口限流，输出短 路则有可能烧坏外设产 品，或是关断输出，全 部端口不能p
Mosfet Roadmap
TDM2302
Nmos,20V,20mOhm,5A ,SOT23-3L
TDM3426
Nmos,30V,30A,10mOhm, SOT89
Mosfet Products Family
30
35
5
SOT-23-3L
TDM3426
Single-N
30V
±20V
10
30
SOT89
TDM3428
Single-N
TDM2305
Pmos,-20V,60mOhm,-3.5A ,SOT23-3L
TDM3428
Nmos,30V,35A,10mOhm, TO252
TDM2306
Nmos,30V,30mOhm,5A ,SOT23-3L
TDM3420
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT23-6
TDM3424
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TD2778 - 5V/2.4A车充方案
1. 2. 3. 4. 5. 内置双Nmos，Buck同步降压控制器。 最大持续负载电流2.4A。 200KHz开关频率，电流模式环路控制更易过认证。 效率高达93%（12V输入，5V/2.4A输出）。 Soft – start 时间可调，避免启动瞬间的尖峰电流。
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TD2780 - 5V/2.4A限流可调车充方案
1. 2. 3. 4. 5. 6. 内置双Nmos，Buck同步降压控制器。 最大持续负载电流2.4A。 200KHz开关频率，电流模式环路控制更易过认证。 效率高达93%（12V输入，5V/2.4A输出）。 输出限流可调。 Soft – start 时间可调，避免启动瞬间的尖峰电流。
1uF
1uF 0.1uF 2.2uF 1uF 1nF 100R100MHz 3.3uH 470uF 680uF 100K 2.2 100K 2.2 470K 10K 15K 2.4K
0.005
0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.2 1.2 0.1 0.1 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 4.401
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TD1529 Vs MC34063
TD1529 输入电压 开关频率 输出最大电流 效率（12V输入，5V/1A 输出） 过温保护 过流保护 32V 340KHz 1.6A 92% 支持 支持 MC34063 18 – 30V 100KHz 0.8 – 1.2A 78% 不支持 支持 备注
型号 架构 VDS(V) VGS(V) Vgs@10V TDM2302 Single-N 20V ±10V Vgs@4.5V 20 5 SOT-23-3L 最大电流（A） 封装 备注
TDM2305
Single-P
-20V
±12V
60
-3.5
SOT-23-3L
TDM2306
Single-N
30V
±20V
5V/2.4A以上车充选型表格
型号 架构 最大输入电压 开关频率 最大电流 电感感值 封装 备注 DFN3 x 310 DFN3 x 310 短路自锁
TD1728
Syn
35V
290 – 430KHz
8A+
15uH
TD1729
Syn
35V
290 – 430KHz
Quote(RMB) 0.15 1.2 0.7 0.7 0.005
5V/12A (RMB) 肖特基 高压mos 变压器 散热片 大电容 Total 2 3 3 3 1 12
20V/3A (RMB) 0.5 0.8 2 1 0.5 4.8
Cap
Cap Cap Cap Cap Cap Inductor Inductor Iron Cap Pol1 Cap Pol1 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2
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TD1728/1729/1730 – Layout指导
1. 先摆放功率器件。H-Mos，L-Mos，电感等。高频输入电 容的正极与2个Mos环路尽可能小（上管D端，下管s端） 2. 。输入大电容靠近HMos D端，输出大电容靠近电感的输 出端。 3. Hgate， Lgate， LX三条线要宽至少20mil，且尽量短。 其中，Hgate，LX快速切换时为同相位，可靠近或走差分 线。Lgate为相反相位，尽量远离Hgate和LX。 4. FB走线尽量避免高频信号。例如：Hgate，Lgate，LX等。 5. 小信号器件尽量靠近控制器。例如：BST电容，VCC对地 电容，FB电阻等。 6. 输入端加磁珠。LX对GND连2.2Ohm电阻和1nF电容。 （安规需要） 7. 输出电容端可以考虑再加一个共模电感到输出端。 （安 规需要）
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泰德产品方案介绍
2014/12
Agenda
1. 车充方案介绍 2. 多口充电器方案介绍 3. Mosfets Roadmap
车充方案介绍
型号 架构 最大输入电压 开关频率 最大电流 电感感值 封装 备注
TD1482A Syn 23V 340KHz 2A 22uH SOP8
TD1484A
Syn
23V
340KHz
3.2A
22uH
SOP8-PP 小电容，小电 感，低成本不 易过认证
TD1519A
Syn
32V
600KHz
2.1A
6.8uH
SOP8
TD2778
Syn
32V
200KHz
2.4A
33uH
TD2780
Syn
32V
200KHz
2.4A
33uH
高效率,易过 SOP8-PP 认证,LX对地 需并联一个肖 特基 限流可调，高 SOP8-PP 效率,易过认 证（即将量产）
TD1501H
Asyn
56V
150KHz
3A
68uH
TO220/263
大电容
大功率多口充推荐方案
20V/3.2A
AC(交流电) 传统反激架构 TD1730 TD9517 USB 5V/2.4A
TD9517
USB 5V/2.4A
or
Adapter 20V/3.2A
TD9517
USB 5V/2.4A
TD9517
USB 5V/2.4A
8A+
15uH
打嗝模式
TD1730
Syn
35V
130 – 220KHz
8A+
22uH
DFN3 x 3易过认证， 10 打嗝模式
补充 1. TD1482A，TD1484A ，TD1529, TD1519, TD2778, 为P2P。 2. TD1728， TD1729，TD1730 为P2P。频率若要一致，只需微调 OCSET对地电阻阻值。
外围器件-电感
外围器件-肖特基
10uH
不需要
100uH
SS14
100uH的单价要高 0.3RMB以上
SS14报价在0.1RMB 左右
TD1609 5V/1A全功能方案
1. 2. 3. 4. 5. 6. 内置Pmos，Buck异步降压控制器。 最大持续负载电流1.8A。 输入最高电压40V，输出电压1.23 – 12V可调。 PFM模式，轻载高效。 150KHz开关频率易过认证。 短路打嗝模式，支持短路自恢复。打嗝电流800mA，没有发热。
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TD1728/1729/1730 - 5V/2.4A以上车充方案
1. 2. 3. 4. 外置双Nmos，Buck同步降压控制器。 PFM和PWM模式，超高负载效率，最大持续负载电流25A。 可调开关频率（TD1730,130 – 220KHz），支持易过认证。 可调过流保护值。短路自锁（TD1728），短路打嗝自恢复 （TD1730）。打嗝电流800mA，没有发热。 5. 稳定并高效率搭配TDM3420 实现3.4A输出应用，搭配TDM3424实 现3.4A以上（4.8A及以上等应用）。 6. DFN 3 x 3小封装节省空间。
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT89
TDM3422
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT223
Q2/14
= Mass Production
Q3/14
= In Progress
Q4/14
Q1/15
Mosfet 型号参数列表I
Rds（on）
TD1730 + 20V/3A
<<
5V/12A
Total:
典型应用及demo board
TD1730 + （TD3428 x 2） + 78L05 + （TD9517 x 6）
推荐： 10A以下用2个TD3428， 10 – 15A 用3个TD3428（上1下2）,15 – 25A用4个TD3428
多口USB充电器方案介绍
传统多口旅充
变压器
高压mos和散热片
AC输入
100 – 240V交流电
缺点： 1. 4口USB输出， 3 – 5A 的电流已经不能满足现 5VUSB输出 代多个设备的大电流充 3 – 5A 直流 电需求。 2. 架构决定当输出电流大 于等于4A时，效率低 且发热严重。 3. 没有单口限流，输出短 路则有可能烧坏外设产 品，或是关断输出，全 部端口不能p
Mosfet Roadmap
TDM2302
Nmos,20V,20mOhm,5A ,SOT23-3L
TDM3426
Nmos,30V,30A,10mOhm, SOT89
Mosfet Products Family
30
35
5
SOT-23-3L
TDM3426
Single-N
30V
±20V
10
30
SOT89
TDM3428
Single-N
TDM2305
Pmos,-20V,60mOhm,-3.5A ,SOT23-3L
TDM3428
Nmos,30V,35A,10mOhm, TO252
TDM2306
Nmos,30V,30mOhm,5A ,SOT23-3L
TDM3420
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT23-6
TDM3424
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TD2778 - 5V/2.4A车充方案
1. 2. 3. 4. 5. 内置双Nmos，Buck同步降压控制器。 最大持续负载电流2.4A。 200KHz开关频率，电流模式环路控制更易过认证。 效率高达93%（12V输入，5V/2.4A输出）。 Soft – start 时间可调，避免启动瞬间的尖峰电流。
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TD2780 - 5V/2.4A限流可调车充方案
1. 2. 3. 4. 5. 6. 内置双Nmos，Buck同步降压控制器。 最大持续负载电流2.4A。 200KHz开关频率，电流模式环路控制更易过认证。 效率高达93%（12V输入，5V/2.4A输出）。 输出限流可调。 Soft – start 时间可调，避免启动瞬间的尖峰电流。
1uF
1uF 0.1uF 2.2uF 1uF 1nF 100R100MHz 3.3uH 470uF 680uF 100K 2.2 100K 2.2 470K 10K 15K 2.4K
0.005
0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.2 1.2 0.1 0.1 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 4.401
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TD1529 Vs MC34063
TD1529 输入电压 开关频率 输出最大电流 效率（12V输入，5V/1A 输出） 过温保护 过流保护 32V 340KHz 1.6A 92% 支持 支持 MC34063 18 – 30V 100KHz 0.8 – 1.2A 78% 不支持 支持 备注
型号 架构 VDS(V) VGS(V) Vgs@10V TDM2302 Single-N 20V ±10V Vgs@4.5V 20 5 SOT-23-3L 最大电流（A） 封装 备注
TDM2305
Single-P
-20V
±12V
60
-3.5
SOT-23-3L
TDM2306
Single-N
30V
±20V
5V/2.4A以上车充选型表格
型号 架构 最大输入电压 开关频率 最大电流 电感感值 封装 备注 DFN3 x 310 DFN3 x 310 短路自锁
TD1728
Syn
35V
290 – 430KHz
8A+
15uH
TD1729
Syn
35V
290 – 430KHz
Quote(RMB) 0.15 1.2 0.7 0.7 0.005
5V/12A (RMB) 肖特基 高压mos 变压器 散热片 大电容 Total 2 3 3 3 1 12
20V/3A (RMB) 0.5 0.8 2 1 0.5 4.8
Cap
Cap Cap Cap Cap Cap Inductor Inductor Iron Cap Pol1 Cap Pol1 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2
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TD1728/1729/1730 – Layout指导
1. 先摆放功率器件。H-Mos，L-Mos，电感等。高频输入电 容的正极与2个Mos环路尽可能小（上管D端，下管s端） 2. 。输入大电容靠近HMos D端，输出大电容靠近电感的输 出端。 3. Hgate， Lgate， LX三条线要宽至少20mil，且尽量短。 其中，Hgate，LX快速切换时为同相位，可靠近或走差分 线。Lgate为相反相位，尽量远离Hgate和LX。 4. FB走线尽量避免高频信号。例如：Hgate，Lgate，LX等。 5. 小信号器件尽量靠近控制器。例如：BST电容，VCC对地 电容，FB电阻等。 6. 输入端加磁珠。LX对GND连2.2Ohm电阻和1nF电容。 （安规需要） 7. 输出电容端可以考虑再加一个共模电感到输出端。 （安 规需要）
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泰德产品方案介绍
2014/12
Agenda
1. 车充方案介绍 2. 多口充电器方案介绍 3. Mosfets Roadmap
车充方案介绍
型号 架构 最大输入电压 开关频率 最大电流 电感感值 封装 备注
TD1482A Syn 23V 340KHz 2A 22uH SOP8
TD1484A
Syn
23V
340KHz
3.2A
22uH
SOP8-PP 小电容，小电 感，低成本不 易过认证
TD1519A
Syn
32V
600KHz
2.1A
6.8uH
SOP8
TD2778
Syn
32V
200KHz
2.4A
33uH
TD2780
Syn
32V
200KHz
2.4A
33uH
高效率,易过 SOP8-PP 认证,LX对地 需并联一个肖 特基 限流可调，高 SOP8-PP 效率,易过认 证（即将量产）
TD1501H
Asyn
56V
150KHz
3A
68uH
TO220/263