2010年上海交通大学材料科学基础考研试题(回忆版)
上海交大历年考研真题
同学，你好！如果你打算考上海交大，那么请你花几分钟看下这份文档，这将改变你的一生！本人为交大在校学生，以下资料都是自己历年来在交大收集的第一手资料，全都出自于历届学长学姐，本人花高价收购而来！虽然市面上还有很多人可提供这些科目资料，但他们很多人本身就不是来自交大，对交考研根本不了解。
当然其中也有一些来自交大，但他们大都离开交大好几年了，交大自07年开始考研就已经改革，而他们提供的一些资料早已不适合现今交大的考研。
考研不同于高考，高考科目全部都是统编，但考研专业课的考试确实一门很大的学问，我这的资料很多都来自官方版权威的资料（网上很多电子其实都是照片，而且真题答案都是请人做的，不少答案都是错的，而我这边的材料都来自往年交大自己办考研班的时候发的资料，绝对权威），还有一部分是从历届学长学姐那收购而来，如果有必要我可以帮你找学长和你交流，最主要的是可以为你提供交大考研专业课的信息，这样就可以使你和交大的学生站在同一起跑线上，不会输在专业课的起跑线上，相对于别的同学外校考研，那你就更有优势了！考研也是一种投资，投资好了，你就会得到相当大的回报，可能你会觉花钱就会觉得不值，但当你以一两分的优势就力压群雄的话，那时你就会发现发这份钱很值了，考研每一分都对你很重要，而我所希望做的就是让你专业课的起点至少和交大本部学生一样高，绝不让考研输在专业课上！现在我已经可以提供以下科目资料，如果这下面有你要报考的专业的话，无疑这对你来说是一个最大的喜讯！如果你需要这些资料，请联系yangweitu@或QQ1449791880或上海交大考研淘宝店/!资料还是实时更新中，如果这里没有你想要的资料，也可来邮询问是否已经收集到你想要的资料！●上海交通大学<经济学>考研专业课资料（代码841）●上海交通大学/上海交大<金融学844>历年考研真题和辅导资料最近和一些同学接触后，让我感觉我很有必要写出如下这段话，如果大家有时间的话，就看看吧！大家都是怀揣梦想的有志者，都希望都过各种渠道获得最多最好的专业课资料，但这个市场鱼龙混杂，资料质量参差不齐，一份好的资料可以助你一臂之力，但一份差的资料也有可能影响你的一生。
2010年中国科学技术大学材料科学基础考研试卷
五、图2所示的T i02-Alz03二元相图〈等压〉。
根据图2回答下列问题：（共
25分）
(1)Ti02和Alz03之间形成中间化合物AhTiO s，请问该中间化合物的熔点是多少？Al 2TiOs是一致熔〈稳定〉化合物吗？(5分〉
(2）描述成分点为50%{M叫〉的体系的平衡降温过程（从2000°C降低到室温〉，指出在此过程中，体系在平衡状态下所经历的自由度为0的相变反应（反应式和反应名称〉。
(10分〉
(3）由图2可见，纯组分Ti02的熔点高达1880°C，随着Alz03的加入，Ti02与AhO J 形成固溶体，固溶体的熔点比纯组分Ti02的低，请阐述熔点降低的原因。
（5分〉
(4）在高温下，AhO J 固溶到Ti02中，可能在Ti02陶瓷中产生点缺陷，写出缺陷产生的方程式。
（5分）
1670° 却∞Ti02 ss + Liq. L问uid
1840°
a.+U塑·－τ＝
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1000←。
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图2.Ti02-Ah03二元相图
房试科目：材料科学基础第4页共6页。
2012上交材料真题独家回忆版
2012年上海交通大学827材料科学基础真题回忆版（by 欧阳雪峰）一、选择题（25x3）这部分的题目与往年相比更加注重对课本基础的理解，没有与往年考试的重题，出题风格略有变化。
因此大家看课本的同时要加强理解，不能停留在记忆知识点的层面。
1、三元相图中水平截面投影图和垂直截面投影图的作用正确的是a) 垂直截面图可以表示浓度随温度变化的关系；b) 垂直截面图可以表示相变温度；c) 投影图可以表示相变浓度随温度变化的关系；2、过冷度与临界晶核半径、形核功的关系a) 过冷度越大，临界晶核半径越小，形核功越小；b) 过冷度越小，临界晶核半径越小。
形核功越大；c) 等等类似的。
3、根据相图不能判断合金性能是a)工艺性b)使用性能d)机械性能4、铁碳相图在700摄氏度不可能出现的组织a)a+P b)P+Fe3C d)Ld5、 ZrO2中部分离子被Ca2+取代时会产生什么空位a)Zr离子空位b)O离子空位6、判断相界。
A,B两相晶体结构相同，A相只有2、3个原子厚度，B相1cm,晶格常数相差10%，会形成的相界a)共格b）半共格c)非共格7、高分子熔点与晶片厚度的关系a) 晶片厚度越小，熔点越高b) 晶片厚度越大，熔点越高8、高分子支化、交联对高分子力学性能的影响a)这个看一下课本；9、乌尔夫网确定晶向晶面夹角的条件10、以下物质CaF2、Al2O3,CsCl,NaCl点阵类型与其他不同的是a) CaF2 b) Al2O311、液晶态结构形成的结构条件12、固溶体中溶质原子的分布为偏聚态、无序分布状态、有序排列时的能量大小a)偏聚最大b)无序最大d)有序最大13、回复、再结晶阶段性能变化的特点（如参与应力的释放、点缺陷下降）哪个正确a)应力释放b）点缺陷下降c)。
14、晶粒长大尺寸与第二相粒子尺寸和体积分数的关系a)第二相粒子尺寸越小，体积分数越大，晶粒尺寸越小b)第二相粒子尺寸越小，体积分数越小，晶粒尺寸越小c)第二相粒子尺寸越小，体积分数越大，晶粒尺寸越大15、滑移时只有单一的滑移系开动的阶段是哪个阶段a)易滑移阶段b)先行硬化阶段c)抛物线型硬化阶段二、计算题（15x5）这部分的题目往年基本上是晶体、位错、扩散、相图、简述各一道题。
西安交通大学804材料科学基础2010年(回忆版)考研专业课真题试卷
西安交通大学
2010年硕士学位研究生入学材料科学基础考试试题
一、晶面和晶向（每小题10分，共20分）
1、在一个立方晶胞内画出下列指数的晶面和晶向
（110）（11￣1）（2_2_0）【1￣01】【2￣21】
2、写出图中六方晶胞内ABCDEFA晶面的密勒-布拉菲指数，并按图中箭头方向写出ABCDEFA晶面与晶胞表面的交线的密勒-布拉菲指数。
二、判断正误（1*20）
1、运用三元系变温截面图，可以分析合金的平衡结晶过程得知不同温度时合金中的平衡相，并可计算出各平衡相的质量分数。
2、晶体结构不同的晶体可能具有相同的晶体点阵。
2。
上交材料科学基础考研模拟试题
考试科目：上海交通大学-材料科学基础 科目代码：827
（共 4 页）
（A）154.4Mpa（B）283.3Mpa
（C）1．由纯A和A-B固溶体形成的互扩散偶（柯肯达尔效应），下列表述正确的是：______ （A）俣野面两侧的原子扩散化学势相等，μAA=μA-BA，μAB=μA-BB （B）该扩散为上坡扩散 （C）空位迁移方向与标记面漂移方向一致 （D）该过程的扩散机制主要是间隙机制 12．原子的扩散式一种无规则行走，故扩散距离(x)与扩散时间(t)关系为_____ （A）x ∝Dt （B）x ∝Dt2（C）x2∝Dt（D）x∝D-1t 13．某金属凝固时的形核功为ΔG*，其临界晶核界面能为ΔG，则ΔG*和ΔG的关系为：______
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础–3（共四页）
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础–4（共四页）
23．下列固态相变中，成分和结构均发生变化的是：______
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础– 1（共四页）
2015 年硕士研究生入学考试模拟· 827· 材料科学基础– 2（共四页）
（A）贝氏体转变（B）调幅分解（C）多晶型转变（D）G.P.区的形成 24．铁素体（bcc，点阵常数ab=0.287nm）与奥氏体（fcc，bcc，点阵常数af=0.365nm）间可形成K-S关系 （[111]b∥[110]f，（110）b∥（111）f），则在（110）b半共格界面上的位错间距为：______ （A）1.34nm（B）6.74nm（C）3.85nm（D）0.65nm 25．温度升高，金属和半导体材料电阻变化的一般规律是：______ （A）都升高（B）金属的电阻降低，半导体的电阻升高 （C）都降低（D）金属的电阻升高，半导体的电阻降低
2010年上海交通大学参考书目
《中国工艺美术史新编》尚刚编著，高等教育出版社；《外国现代设计史》钱凤根、于晓红编著，西南师范大学出版社，《艺术设计概论》李砚祖编著
635传播学原理
《传播学原理》（第二版复旦大学出版社2009年7月）；《大众传媒素养论》陈先元著上海交通大学出版社2005
636影视艺术理论
《影视艺术鉴赏》吴贻弓、李亦中主编北京大学出版社2004；《中国电视史》郭镇之著文化艺术出版社1997
601药物化学基础
（每门150分，任选二门，共300分）《基础有机化学》邢其毅主编，高等教育出版社；《药物化学》双语教材李绍顺主编，科学出版社，2009；《天然药物化学》（第5版）吴立军主编，人民卫生出版社。
602药剂学基础
（每门150分，任选二门，共300分）《药剂学》第6版，崔福德主编（药学专业用），人民卫生出版社，2007.7；《物理化学》（上下册）第四版天津大学物理化学教研室编，王正列等修订，高等教育出版社；《基础有机化学》邢其毅主编，高等教育出版社；《生物化学》(第５版)吴梧桐主编（药学专业用），人民卫生出版社2006.7
《自动控制理论与设计》(新世纪版)徐薇莉、曹柱中、田作华编上海交通大学出版社2005；《现代控制理论基础》施颂椒、陈学中、杜秀华编著高等教育出版社2005；《自动控制原理》胡寿松编著科学出版社第四版
817自动控制原理
633美术史论
《中国绘画史》王伯敏著，上海人民美术出版社，1982年；《艺术的故事》贡布里希著，范景中译，林夕校，三联书店，1999年；《艺术风格学——美术史的基本概念》海因里希·沃尔夫林著，潘耀昌译，中国人民大学出版社，2004年；《希腊人的艺术》，温克尔曼著，邵大箴译，广西师范大学出版社，2001年
613城市规划原理
上海交通大学材料科学基础专业考试大纲
上海交通大学材料科学基础专业考试大纲一、专业科目与代码：827材料科学基础二、指定参考书《材料科学基础》（第3版）徐祖耀等上海交通大学出版社《材料科学基础辅导与习题》（第3版）蔡珣等上海交通大学出版社三、827材料科学基础考试大纲一、复习要求：要求考生掌握金属材料的结构、组织、性能方面的基本概念、基本原理；理解金属材料的结构、组织、性能之间的相互关系和基本变化规律。
二、主要复习内容：（一）晶体学基础理解晶体与非晶体、晶体结构与空间点阵的差异；掌握晶面指数和晶向指数的标注方法和画法；掌握立方晶系晶面与晶向平行或垂直的判断；掌握立方晶系晶面族和晶向族的展开；掌握面心立方、体心立方、密排六方晶胞中原子数、配位数、紧密系数的计算方法；掌握面心立方和密排六方的堆垛方式的描述及其它们之间的差异。
重点：晶体中原子结构的空间概念及其解析描述(晶面和晶向指数)。
（二）固体材料的结构掌握波尔理论和波动力学理论对原子核外电子的运动轨道的描述。
掌握波粒两相性的基本方程。
掌握离子键、共价键、金属键、分子键和氢键的结构差异。
了解结合键与电子分布的关系和键合作用力的来源。
掌握影响相结构的因素。
了解不同固溶体的结构差异。
重点：一些重要类型固体材料的结构特点及其与性能的关系。
三、晶体中的缺陷掌握缺陷的类型；掌握点缺陷存在的必然性；掌握点缺陷对晶体性能的影响及其应用。
理解位错的几何结构特点；掌握柏矢量的求法；掌握用位错的应变能进行位错运动趋势分析的方法。
掌握位错与溶质原子的交互作用，掌握位错与位错的交互作用。
掌握位错的运动形式。
掌握位错反应的判断；了解弗兰克不全位错和肖克莱不全位错的形成。
重点：位错的基本概念和基本性质。
四、固态中的扩散理解固体中的扩散现象及其与原子运动的关系，掌握扩散第一定律和第二定律适用的场合及其对相应的扩散过程进行分析的方法。
掌握几种重要的扩散机制适用的对象，了解柯肯达尔效应的意义。
掌握温度和晶体结构对扩散的影响。
2019上海交通大学考研817、827材料科学基础、831、 837高分子化学与物理与838复习全析(含真题)
2019上海交通大学仪器科学与技术考研817自动控制原理、827材料科学基础、831生物化学、 837高分子化学与高分子物理与838有机化学复习全析（含真题）《2019上海交通大学考研827材料科学基础复习全析》（含真题，共三册）全书内容紧凑权威细致，编排结构科学合理，为参加2019上海交通大学考研的考生量身定做的必备专业课资料。
《2019上海交通大学考研827材料科学基础复习全析》本书依据以下参考书目：《材料科学基础》(胡赓祥第三版）-----------2018上海交通大学官方指定参考书目------------《材料科学基础》(第三版）胡赓祥、蔡珣、戎咏华主编上海交通大学出版社2010本书旨在帮助报考上海交通大学考研的同学通过教材章节框架分解、配套的课后/经典习题讲解及相关985、211名校考研真题与解答，帮助考生梳理指定教材的各章节内容，深入理解核心重难点知识，把握考试要求与考题命题特征。
通过研读演练本书，达到把握教材重点知识点、适应多样化的专业课考研命题方式、提高备考针对性、提升复习效率与答题技巧的目的。
同时，透过测试演练，以便查缺补漏，为初试高分奠定坚实基础。
适用院系：机械与动力工程学院：核能与核技术工程（专业学位）电子信息与电气工程学院：仪器科学与技术、电子科学与技术、仪器仪表工程（专业学位）、电子与通信工程（专业学位）材料科学与工程学院（含塑性研究院）：材料科学与工程、材料工程（专业学位）生物医学工程学院（含Med-X研究院）：生物医学工程、生物医学工程（专业学位）、适用科目：827材料科学基础内容详情本书包括了以下几个部分内容：Part 1 - 考试重难点：通过总结和梳理《材料科学基础》(胡赓祥第三版）等教材的各章节复习和考试的重难点，建构教材宏观思维及核心知识框架，浓缩精华内容，令考生对各章节内容考察情况一目了然，从而明确复习方向，提高复习效率。
Part 2 - 教材配套经典习题与解答：针对《材料科学基础》(胡赓祥第三版）等教材的经典习题配备详细解读，以供考生加深对教材基本知识点的理解掌握，做到对上交考研核心考点及参考书目内在重难点内容的深度领会与运用。