半导体器件模拟
半导体器件模拟及数值分析（ＰＤＦ）
主要内容2.12.22.32.1 器件模拟的基本方程组2.1.3 载流子输运的基本方程2.1.3.2小尺寸半导体器件的载流子输运方程(a) (b)图2.1 半导体中的载流子过冲. (a) GaAs材料, (b) Si材料2.1 器件模拟的基本方程组2.1.6光波导方程由Maxwell 方程组同样可以导出在半导体材料中传输的光波的电场分量E 所满足的方程：式中n 为材料的折射率，k 0 =2π/λ，λ是波长。
对于沿z 方向传播的波，式中β是波沿z 方向的传播常数，可得到Helmholtz 方程为，2022=+∇E E k n )(exp ),,(),,,(z t j E E E t z y x z y x βω−=E 222/,/ββ−=∂∂−=∂∂z j z 所以,)(22022=−+∇E E βk n T 式中,22222//y x T ∂∂+∂∂=∇2.3 半导体器件的分级模拟2.3.1 问题目的提出判断一个半导体器件模拟软件优劣的指标是功能全、精度高、速度快和便于用户使用。
功能全主要指能处理问题面广，便于用户使用则主要指程序输入参数形式简单，并以交互或对话方式工作。
实际开发半导体器件模拟软件时要考虑这两点，但这不是衡量半导体器件模拟方法本身优劣的指标。
衡量半导体器件模拟方法优劣的指标是速度快、精度高。
在半导体器件的计算机模拟中，除了从指标要求出发选取好的方法外，在给定精度的条件下，还经常使用分级模拟技术以减少计算时间和提高计算速度。
2.3 半导体器件的分级模拟2.3.3 分级模拟的意义随着工件条件的变化，模型方程的复杂性越来越高，相应地，模拟的复杂性也越来越高。
对于复杂的模拟问题，往往需要采用分级模拟的方法，该方法包括两点：（1）根据具体的工作条件，选用级别较低的模型方程，以在保证精度的条件下大大减少计算时间。
（2）利用低一级的解作为初值。
由于低一级的解是本级的很好近似，这样做将有效减少计算时间。
半导体器件电学性模拟silvacoatlas介绍
x.max=1 y.min=-0.005 y.max=0 x.max=4 y.min=-0.005 y.max=0 x.max=7 y.min=-0.005 y.max=0
定义掺杂
doping n.type concentration=5e16 uniform y.min=0 y.max=0.03 doping n.type concentration=1e13 uniform y.min=0.03 y.max=1
x、y坐标的起始位置、终止位置以及 网格空间间隔。
网格的疏密决定仿真结果的精确程度。
y.mesh loc=-0.01 y.mesh loc=0 y.mesh loc=0.03 y.mesh loc=0.1 y.mesh loc=1
spac=0.002 spac=0.005 spac=0.005 spac=0.005 spac=0.5
器件最终结构
用tonyplot输出仿真结果
t GaN_0.log
定义材料特性
material ni.min=1e-10 taun0=1e-9 taup0=1e-9 mobility fmct.n GaNsat.n
选定物理模型
models srh fermi print
定义接触类型
contact name=gate contact name=source contact name=drain
用Atlas语法直接进行器件描述，然后进行器件性能仿真。
Atlas器件仿真步骤
• 启动Atlas软件 • 网格的定义 • 材料区域的定义 • 电极、掺杂、材料特性和模型特性等的定义 • 器件输出特性（I-V曲线）的仿真 • 用tonyplot输出仿真结果
启动Atlas软件
半导体器件模拟试题一
B 7．P型半导体中的多数载流于是_______。
A．电子 B．空穴 C．电荷 D．电流
A
8．N型半导体中的多数载流于是_______。 A．自由电子 B．空穴 C．电荷
D．电流
D 9．在晶体硅锗中，参于导电的是_______。
A．离子 B．自由电子 C．空穴 D．B和C
D
10．关于P型半导体的下列说法，错误的是_______。 A．在二极管中，由P型半导体引出的线是二极管的阳极 B．空穴是多数载流子 C．在NPN型晶体管中，基区是P型半导体 D．在纯净的硅晶体中掺入五价元素磷可形成P型半导体
17．下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是_______。 A．P端接十5V，N端经电阻接十7V B．N端接十2V，P端经电阻接十7V C．P端接一3V，N端经电阻接十7V D．P端接十1V，N端经电阻接十6V
B 18．在半导体PN结两端加_______就可使其导通
A．正向电子流 B．正向电压 C．反向电压 D．反向电子流
D
13．在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是____。
A．自由电子电流 B．空穴电流
C．离子电流
D．A和B
A
14．关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是_______。 A．无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B．P型半导体中只有空穴导电 C．N型半导体中只有自由电子参与导电 D．在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
_______。 A．随反向电压的增加而减少 B．随反向电压的增加而增大 C．随反向电压的增加而基本不变 D．随反向电压的减小而减小
B 26．二极管的反向电流随着温度的_________而________。
第一节 半导体器件模拟技术
第一节半导体器件模拟技术一、半导体器件概述1、半导体器件定义半导体器件（semiconductor device）通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。
绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。
利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。
三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。
晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。
根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。
除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。
这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。
此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。
在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。
随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。
微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C（U3）I等系统中已得到广泛的应用。
2、分类2.1晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个PN结。
在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。
这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。
当PN结的P端（P型半导体那边）接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。
半导体器件模拟仿真
athena - 考虑过程 必需对器件生成的外在条件、物理过程进行描述。
材料定义、
结构定义指令 athena之外的另一种可以生成器件信息的工具。
与devedit类似，用atlas器件仿真器语言编写器件信息。 与devedit不同的是需要编程操作，没有图形操作界面。
2. 熟悉并学会使用器件仿真软件 （1）学习如何用仿真语句编写器件的结构特征信息 （2）学习如何使用atlas器件仿真器进行电学特性仿真
3. 对半导体工艺仿真及器件仿真中所用到的模型加以了解
4*. 利用工艺器件仿真软件，培养和锻炼工艺流程设计和新器件 开发设计等方面的技能。
6. 半导体器件仿真的历史发展
仿真系统
*.str文件 指定工作条件下的 结构文件。包含器 件的载流子分布、 电势分布、电场分 布等信息。
输出端
指令的输入通过deckbuild 软件窗口传送至仿真器
*.log *.str等输出文件通过tonyplot软件窗口来查看 Atlas器件仿真部分
athena 工艺仿真器
Athena概述
用途：开发和优化半导体制造工艺流程。
电路模拟用器件模型参数
IC电路仿真
(IC Circuit Simulation)
3. 有什么用？
一方面，充分认识半导体物理学，半导体器件物理学等这些抽象 难懂的理论基础知识在半导体工业中的实际应用。加强理论教学 的效果。
仿真也可以部分取代了耗费成本的硅片实验，可以降低成本，缩 短了开发周期和提高成品率。也就是说，仿真可以虚拟生产并指 导实际生产。
功能: （1）勾画器件。 （2）生成网格。(修改网格) 既可以对用devedit画好的器件生成网格，或对athena工艺仿真生成含有网格信息的 器件进行网格修改。
半导体器件模拟仿真
2. 在整个学科中所处的位置是什么？
从纵向来讲，和其他CAD类或仿真类课程一样，它是基础理论知 识和实际生产的链接点。 从横向来讲， 电路模拟、工艺模拟、器件模拟之间的关系可以用下 面的结构图来表示
本门课程 重点学习部分
工艺仿真
(Process Simulation)
器件仿真
(Device Simulation)
一、概论：半导体仿真概述 Introduction of Semiconductor Simulation
1. 这门课是研究什么的？
（1）什么是仿真？ 仿真和另外一个词汇建模（modeling）是密不可分的。 所谓建模就是用数学方式抽象地总结出客观事物发展的一般规律。 仿真是在这个一般规律的基础上，对某事物在特定条件下的行动 进行推演和预测。 因此可以说建模是仿真的基础，仿真是随着建模的发展而发展的。 建模和仿真的关系可以比作程序设计中算法和语言的关系。
3. 对半导体工艺仿真及器件仿真中所用到的模型加以了解 4*. 利用工艺器件仿真软件，培养和锻炼工艺流程设计和新器件 开发设计等方面的技能。
6. 半导体器件仿真的历史发展
1949年： 半导体器件模拟的概念起源于此年肖克莱（Shockley）发表的论文， 这篇文章奠定了结型二级管和晶体管的基础。但这是一种局部分 析方法，不能分析大注入情况以及集电结的扩展。 1964年： 古默尔（H.K.Gummel）首先用数值方法代替解析方法模拟了一维 双极晶体管，从而使半导体器件模拟向计算机化迈进。 1969年： D．P．Kennedy和R.R.O’Brien第一个用二维数值方法研究了JFET。 J．W．Slotboom用二维数值方法研究了晶体管的DC特性。 从此以后，大量文章报导了二维数值分析在不同情况和不同器件 中的应用。相应地也有各种成熟的模拟软件，如CADDET和 MINIMOS等。
半导体器件的模拟设计及验证
半导体器件的模拟设计及验证半导体器件是现代电子科技领域中的重要组成部分。
在数字电路、模拟电路、射频电路等各类电路中均有广泛应用。
由于半导体器件的特殊性质，其模拟设计及验证需要特定的技术手段和方法，下面将对这一话题进行探讨。
一、半导体器件分析与模拟半导体器件的模拟设计与验证，首先需要对器件内部的物理过程进行分析和模拟。
现代集成电路中常见的半导体器件有晶体管、MOS场效应管、二极管等。
这些器件在工作时遵循不同的物理规律，例如PN结的电子和空穴的扩散漂移、场效应管的电荷积累效应等。
我们可以利用数学方法对这些物理过程进行建模，进而在计算机上实现器件的仿真。
二、半导体器件的模拟设计当确定了半导体器件内部物理过程的模型和仿真方法后，我们就可以开始进行半导体器件的模拟设计。
模拟设计的主要目的是通过理论计算得到理想的电器参数，并通过多次推导优化得到与实际工艺相符的电器参数。
具体的步骤包括：1. 制定模拟设计方案：制定器件的设计方案，例如电极的布局、电极宽度、材料选择等。
设计方案需要考虑器件的特定用途以及实际工艺流程的要求。
2. 电路与结构仿真：对确定后的器件设计方案，在电路仿真软件中建立对应的电路模型，进行仿真计算，获得电器特性参数。
3. 仿真参数优化：根据仿真结果，进行仿真参数优化，调整设计方案，进行多次仿真，直至获得与实际工艺流程相符的仿真结果。
4. 器件制造流程：根据完成后的器件仿真结果，确定器件的制造流程，制造真实半导体器件。
5. 实验测试验证：对制造好的器件进行实验测试验证，进行器件的检测和分析，确保其所具备的电学性能与预期的一致。
三、半导体器件的验证在设计和制造过程中，我们需要对半导体器件进行验证，以保障制造的半导体器件符合设计要求。
半导体器件的验证主要可以分为两个方面：电学行为测试和非电学行为测试。
1. 电学行为测试对于半导体器件的电学行为，我们需要进行电参数测试。
电参数包括直流电阻、交流电阻、开路电压等，这些参数是半导体器件的基本物理属性，需要精确测试。
半导体器件的结构设计与模拟分析
半导体器件的结构设计与模拟分析半导体器件是电子设备中的重要组成部分，它具有半导体材料的特性，可用于控制电流和电压。
半导体器件的结构设计和模拟分析是开发高性能电子设备的关键。
本文将介绍半导体器件的结构设计和模拟分析的基础知识，并探讨如何优化半导体器件的性能。
一、半导体器件的结构设计半导体器件的结构设计是指根据器件的功能和性能要求，选择合适的材料和制造工艺进行设计和制造。
半导体器件的主要结构如下：1. PN结PN结是半导体器件最基本的结构之一，由P型半导体和N型半导体构成。
在PN结内，P型半导体中的空穴会流向N型半导体中的电子，从而形成一个正向电流。
而在反向电压下，PN结内仅有少量的载流子流动，因此能够用于控制电流和电压。
2. 二极管二极管是一种基本的半导体器件，由PN结构成。
当二极管正向偏置时，电子会流向P型半导体，而空穴会流向N型半导体，电流得以通过。
而在反向偏置时，少量的载流子也能产生较大的电场，从而形成了一个高电阻，能够起到限流的作用。
3. 晶体管晶体管是一种由PNP结或NPN结构成的三极管，它是指控制电流的大量半导体器件的核心部分。
晶体管分为BJT（双极型晶体管）和FET（场效应晶体管）两种类型，其中FET又分为MOSFET和JFET。
晶体管的结构非常复杂，但它的基本原理是改变控制电流的大小来控制电路的电流和电压。
4. MOSFETMOSFET是最常用的一种FET，它的结构包括P型半导体、N型半导体和金属栅极。
当电子通过P型半导体流到N型半导体时，它们必须先通过金属栅极，从而使栅极和N型半导体之间形成一个电场。
这个电场可以控制电子的流动，从而起到调制电流的作用。
二、半导体器件的模拟分析半导体器件的模拟分析是采用计算机数值模拟方法，对半导体器件的电场、电流、温度、功率等参数进行预测和优化的过程。
半导体器件的模拟分析在设计过程中非常重要，它能够帮助工程师深入了解器件的性能，并在设计和制造时发现和解决问题。