超频内存时序表
电脑内存时序
举例9-9-9-27，一般1600的条子spd出厂就这么设置的前面2个9对性能很重要，第2个9又比第1个9重要，比如说我要超1866或者2133，设置成9-10-X-X基本没有问题，但是设置成10-9-X-X就开不了机了，很多条子都这样子的，比如说现在很火的3星金条。
第3位9基本上是打酱油的了，设置成9,10,11都对性能木有太大影响。
第4位数字基本就无视好了，设置21-36对测试都没变化，原来稳定的还是稳定，原来开不了机的还是开不了。
以前的ddr2时代对内存的小参数很有影响，现在ddr3了，频率才是王道哦。
2133的-11-11-11-30都要比1866的-9-9-9-27测试跑分的多。
当然平时用是感觉不出来的。
最后我再鄙视下金士顿的XX神条马甲套装，当年不懂事大价钱买的，就是YY用的，1.65v上个1866都吃力，还要参数放的烂。
对性能影响最大的是CL第一个9对性能影响最大。
l第二个9对超频稳定性影响最大最普通的ddr3 1333内存都可以1.5V运行在7-8-6-1666 CR1，77Z博士：一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-15、DDR3-1066为7-7-7-20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！土老冒：俺想知道博士所说的5-5-5-18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。
Z博士：这4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。
第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。
第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。
第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。
内存时序的调节
由于CPU外频锁定在200(倍频20)，那么对于我所选用的内存条，根据几种既定的频率比(FSB:RAM)比较合适的频率为:1600(2：8)和2000(2：10)。
发个我自己的图， [ /cache/banner/1027841.png ]
，如图可以看到内存在1600频率下时序为7-7-7-20 1T(7-7-7-20-5-89
1T)，个人建议主要调整前6个参数值，其它的参考之前的解释微调，或者直接AUTO。
1.DRAM CAS Latency(tCL)：内存CAS
Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
上面已经说过，当内存频率提高，特别是过了标称值的时候，就需要以增加内存小参值为代价。
(1)若你内存工作的频率是小于等于你的内存标称值的，那么可以认为你的内存工作时序可以至少跑到标称的水平，比如我选择的内存在1600频率之下，先设定内存时序为7-7-7
1T，其他AUTO，若能成功进入系统并且通过memory test，那说明你的内存时序是OK的，我当时貌似是7-7-7-24-5-89
11.DRAM Timing
Mode：内存首命令延迟设定用选项，对内存性能影响较大，放宽到2N(2T)可适当提升内存超频频率，通常设置为1N(1T)。
-1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
超详细！搞懂内存条颗粒频率时序，附DDR4内存条推荐
本内容来源于@什么值得买APP，观点仅代表作者本人 ｜作者：电脑叫兽一、读懂内存命名很多电脑小白在看到内存名字的时候都一脸懵逼，一长串的名字只能看懂品牌名。
后面的“DDR4、3200”等参数，根本看不懂。
我们以芝奇皇家戟这根内存为例，其名为“芝奇皇家戟DDR4 3600 32GB”。
“芝奇”相信大家都知道，是这根内存条的名字。
“皇家戟”则是芝奇品牌下的一个系列，除了“皇家戟”之外，还有“幻光戟”、“焰光戟”等。
不一样的系列命名，不同的系列名称也代表着不同的市场定位。
“DDR4”的意思是第四代DDR内存，选购内存时要选择跟主板内存接口类型相同的内存，DDR3内存与DDR4内存的接口是不一样的。
像“2666”、“3000”、“3200”等数字，代表着内存频率，单位为MHz。
数字越大，代表着内存速度越快，性能也就越高。
最后的“xx GB”，代表内存的容量。
二、内存跟硬盘的差别上面我们了解完内存了，可能还会有很多人有疑问。
为什么一块500GB的固态硬盘卖五六百，而一根16GB的内存条也能卖五六百？2.1 原理上的区别内存，即内部存储器。
内存是计算机系统中硬盘数据和CPU数据交换的中转站，属于临时存储器。
内存上的电容是会缓慢放电的，放电到一定程度就会导致数据发生变化，这也是关机断电后会导致内存中数据丢失的原因。
而硬盘，属于外出存储器，它可以长期的存储数据，不受断电的影响，存储容量大。
2.2 功能上的区别在功能上，我们可以把内存条看成一个连接CPU与硬盘的“中介”。
比如我们打开Photoshop这款软件，首先是内存从硬盘中读取Photoshop这款软件的文件，写入到硬盘当中。
因为内存的读写速度要比硬盘快的多，所以CPU会跟内存进行数据的交换，而不是跟硬盘进行数据交换。
2.3 速度上的区别下图是同一台电脑硬盘跟内存的读写速度跑分图，图上可以看到内存的读写性能是硬盘的二三十倍。
（作图为硬盘跑分，右图为内存跑分）三、内存条的组成内存中最重要的元件就是颗粒，就是下图中黑色的小方块。
内存时序
内存时序内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。
简介一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
参数简介存取时序行存取列存取预充电tRCD tCAS(R)1tRP tCAS(W)tCAS(R)2tCAS(R)3tRAS上面的表格展示的是一次普通的DRAM存储周期。
首先，行地址信息会被送到DRAM 中，经历了tRCD这段时间之后，行地址已经进行了“选通”。
由于现在的存储器一般是SDRAM，我们可以一次多多个列提取信息，而每一次读取需要tCAS(R)这么多的时间。
当列操作结束时，DRAM需要tRP这么多的时间进行预充电，以便为下一次存取操作做准备。
而一般来说，tRAS>tRCD + tCAS + 2，这是因为需要留足够的时间给存取的数据去“流动”。
经过这样的了解，我们可以通俗的理解这几个参数：tCAS：列寻址所需要的时钟周期（周期的数量表示延迟的长短）tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值tRP：在下一个存储周期到来前，预充电需要的时钟周期tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期BIOS参数手动设置一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Manual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
内存时序的调节
内存时序的调节所谓内存时序，它是一种参数，一般存储在内存条的SPD上。
大家经常会看到DDR3内存时序为7-7-7-20，8-8-8-22，9-9-9-24，下面先介绍下各部分小参分别代表的含义。
先给出一个完整的内存时序(例)：7-7-7-20-4-89-10-7-20-0 1T，接下来按顺序对应一一介绍。
1.DRAM CAS Latency(tCL)：内存CASLatency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
2.DRAM RAS to CASDelay(tRCD)：行寻址到列寻址延迟时间，该参数设置也对内存带宽影响较大，数值越小性能越好，保守设置通常是7-9。
3.DRAM RAS PRETime(tRP)：内存行地址控制器预充电时间，该参数设置对内存带宽影响较大，数值数值越小性能越好，保守设置通常是7-9，该数值通常可设置为比DRAMRAS to CAS Delay少1个数值。
4.DRAM RAS ACT Time(tRAS)：内存行有效至预充电的最短周期，该数值对内存带宽有微弱的影响，保守设置通常为20-24。
5.DRAM RAS to RAS Delay(tRRD)：行单元到行单元的延时，该数值越小越好，建议设置为5-7。
6.DRAM REF CycleTime(tRFC)：SDRAM行刷新周期时间，该数值对内存带宽影响较大，通常设置为60，放宽该参数可适当提升内存超频频率，如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率是，建议该数值放宽到88或以上。
7.DRAM WRITE Recovery Time(tWR):写恢复延时，该数值轻微影响内存带宽，通常该参数设置8-12左右即可。
8.DRAM READ to PRE Time(tRTP)：内存预充电时间，通常设置8-12之间。
内存时序
内存时序设置详解与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。
同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400工作频率为200MHz。
FSB与内存频率的关系首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。
FSB/MEM比率实际运行频率对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。
而其他的设置都是异步的。
同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。
如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
内存时序设置内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。
下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
涉及到的参数分别为：CPC : Command Per ClocktCL : CAS Latency ControltRCD : RAS to CAS DelaytRAS : Min RAS Active TimingtRP : Row Precharge TimingtRC : Row Cycle TimetRFC : Row Refresh Cycle TimetRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)tWR : Write Recovery Time……及其他参数的设置CPC : Command Per Clock可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
英睿达 超频时序设置
英睿达超频时序设置
超频时序设置是指调整显卡的工作频率和电压，以提高性能。
以下是一些常见的超频时序设置方法：
1. 显卡稳定性测试：在进行超频之前，首先需要测试显卡的稳定性。
可以使用一些常见的显卡稳定性测试软件，例如FurMark或3DMark，来测试显卡在默认设置下的稳定性。
2. 超频工具：英睿达（NVIDIA）显卡通常附带了一个超频工具，例如NVIDIA GeForce Experience。
这些工具提供了一种简单的方法来调整显卡的性能设置。
您可以使用这些工具来调整核心频率、显存频率和电压等参数。
3. 核心频率：核心频率是显卡的工作频率，通常以MHz为单位。
通过增加核心频率，可以提高显卡的性能。
然而，过高的频率可能会导致显卡不稳定或崩溃。
因此，在增加核心频率之前，建议逐步增加，并进行稳定性测试。
4. 显存频率：显存频率是显卡内存的工作频率，也通常以MHz 为单位。
通过增加显存频率，可以提高显存带宽，从而提升显卡的性能。
与核心频率一样，增加显存频率也需要逐步增加，并进行稳定性测试。
5. 电压调整：在一些高级的超频操作中，您还可以尝试调整显卡的电压。
增加电压可以为显卡提供更多的电力，从而支持更高的频率。
然而，增加电压也会导致显卡发热增加，因此需要谨慎操作。
6. 温度监控：超频可能导致显卡温度升高。
因此，在进行超频之后，应该密切关注显卡的温度。
可以使用一些温度监控软件，例如GPU-Z或MSI Afterburner，来监控显卡的温度。
内存时序设置详解
内存时序设置详解内容概要关键词：内存时序参数设置导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。
本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。
与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。
同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。
FSB与内存频率的关系首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。
FSB/MEM比率实际运行频率1/1 200MHz1/2 100MHz2/3 133MHz3/4 150MHz3/05 120MHz5/6 166MHz7/10 140MHz9/10 180MHz对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。
而其他的设置都是异步的。
同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。
如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。
内存时序设置内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。
下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
涉及到的参数分别为：∙CPC : Command Per Clock∙tCL : CAS Latency Control∙tRCD : RAS to CAS Delay∙tRAS : Min RAS Active Timing∙tRP : Row Precharge Timing∙tRC : Row Cycle Time∙tRFC : Row Refresh Cycle Time∙tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)∙tWR : Write Recovery Time∙……及其他参数的设置CPC : Command Per Clock可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
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内存时序一种参数，一般存储在内存条的SPD上。
2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。
由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。
这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。
但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。
因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。
目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。
CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。
CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。
注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。
RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示\"行寻址到列寻址延迟时间\"，数值越小，性能越好。
对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。
在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。
建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。
Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。
这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。
降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。
如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。
该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。
如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。
为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
Row Precharge Timing(tRP)可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。
Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示\"内存行地址控制器预充电时间\"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。
tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。
对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。
如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。
只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。
值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。
大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。
因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。
如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。
然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。
因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。
该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。
tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。
建议从17开始依次递减来测试该值。
大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)可选的设置：Auto，0-7，每级以1的步幅递增。
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示\"行单元到行单元的延时\"。
该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。