最新有关DDR DDR2 DDR3内存频率的问题详解教学内容
DDR和DDR2,DDR3的区别
DDR和DDR2，DDR3的区别以及如何从外观上分辨出来(图文) 内存现在有三种DDR,DDR2,DDR3.三种有什么不同呢.怎么从外观上来分辨呢.
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR
内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
1.防呆缺口 DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；
DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；
DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.
2、DDR内存的颗粒为长方形
DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一3、使用电压不同
DDR2的电压1.8V
DDR3的电压1.5V。
ddr.ddr2.ddr3区别
我怎么选择内存条呢？一一为大家介绍：内存类型：主流型号分：DDR ; DDR2 ; DDR3 淘汰型号SD 内存各类型之间不能同时使用，因为主板的内存槽子各不相同。
不同型号内存不能混用，一般主板只有一种类型内存槽，也存在过渡主板有二种类型内存槽子。
但不能同时插二种型号内存2.最大带宽，可根据此处选择内存型号，在CPU-Z图中的SPD一项可以查看到一代DDR内存条总共3种频率PC2100(133MHZ)-传输类型为DDR266 内存大小有512M 1G可选PC2700(166MHZ)-传输类型为DDR333 内存大小有512M 1G可选PC3200(200MHZ)-传输类型为DDR400 内存大小有512M 1G可选二代DDR2内存条总共4种频率PC2 3200(200MHZ)-传输类型为DDR2 400 内存可以选择DDR2 533PC2 4200(266MHZ)-传输类型为DDR2 533内存可以选择1G 2GPC2 4300(266MHZ)-传输类型为DDR2 533内存可以选择1G 2GPC2 5300(333MHZ)-传输类型为DDR2 667内存可以选择1G 2GPC2 6400(400MHZ)-传输类型为DDR2 800内存可以选择1G 2G三代DDR3内存条总共2种频率PC3 8500(533MHZ)-传输类型为DDR3 1066内存可以选择1G 2GPC3 10600(666MHZ)-传输类型为DDR3 1333内存可以选择1G 2G 4G以上型号为主流大多数用户的需求。
如果您不能确定请联系客服一代DDR、二代DDR2、三代DDR3内存互不通用，插槽插不进去就是型号不对，拔插内存请一定要先切断电源，稍等几分钟，开机并确认已经插好关于兼容性的说明：电脑配件的领域中，不管是显卡、主板还是内存条，都会存在着3%的未知因素造成不兼容等等问题，同样的品牌不同批次出厂，不同芯片以及不同的颗粒位数，都有可能造成不兼容的问题产生，也有可能内存与内存之间的兼容问题，也有可能有主板与内存之间的兼容问题，具体是什么原因造成不兼容，目前官方还没有一个正确的说法。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3、DDR2和DDR（又称为DDR1）是计算机系统中常见的内存标准。
它们在工作原理和技术上有一些区别，下面是关于它们的详细介绍。
1. DDR3（Double Data Rate 3）：DDR3是一种内存技术标准，它是DDR2的升级版本。
DDR3相比于DDR2有更高的带宽和更低的功耗。
工作原理：DDR3内存的工作原理是在时钟的上升沿和下降沿两个时刻读取数据，因此它被称为双倍数据率。
数据传输速度是时钟速度的两倍，例如DDR3-1600的内存模块实际传输速度为3200MB/s。
技术区别：-电压：DDR3的工作电压为1.5V，比DDR2的电压低，可以节省功耗并降低发热。
-带宽：DDR3的带宽比DDR2更高。
DDR2的带宽是每个内存信号线上每个时钟周期传输的位数乘以时钟速度，而DDR3通过使用更高的时钟速度和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR3的寻址能力比DDR2更高，可以支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR3支持更高的内存频率，从800MHz到2133MHz以上。
2. DDR2（Double Data Rate 2）：DDR2是DDR的升级版，它具有更高的频率、更低的功耗和更高的密度。
工作原理：DDR2内存也是在上升沿和下降沿两个时刻读取数据，实现双倍数据率传输。
技术区别：-电压：DDR2的工作电压为1.8V，比DDR的电压低，能够降低功耗。
-带宽：DDR2的带宽比DDR更高。
DDR2使用更高的频率和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR2具有更高的寻址能力，能够支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR2的内存频率从400MHz到1066MHz。
3. DDR（Double Data Rate）：DDR是首个双倍数据率内存技术的标准，它在之前的SDRAM的基础上提高了数据传输速率和带宽。
工作原理：DDR内存是在上升沿读取数据。
DDR2_DDR3知识汇总
DDR2上有三根--ODT\CAS\OCD的作用除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。
DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。
使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
不过，OCD技术在普通的应用领域所发挥的作用并不明显，而在服务器上使用，它的功能才能被充分发挥出来。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。
我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。
它大大增加了主板的制造成本。
实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。
因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。
DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。
使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。
在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。
原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。
由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
不过要注意的是，Posted CAS功能的优势只有在那些读写命令非常频繁的运作环境下才能体现，对于一般的应用来说，开启Posted CAS功能反而会降低系统的整体性能。
内存知识：全面认识DDR1~DDR3内存技术参数
内存知识：全面认识DDR1~DDR3内存技术参数来源: 时间: 2010-05-24 作者: apollo内存是电脑重要的部件之一，内存的质量和性能直接影响计算机的运行速率，所以了解内存的技术参数，对我们平时购买内存或组装电脑会有很大帮助。
下面我们就来详细说说内存的技术参数。
内存种类目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。
DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2内存第二代DDR内存DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。
DDR3内存第三代DDR内存DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。
即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。
内存SPD芯片内存SPD芯片SPD（Serial Presence Detect）： SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器），容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。
DDR系列基础知识讲解ppt课件
读取时预充电时序图：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。自动预充电时的开始 时
间与此图一样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时，A10地 址
线要设为高电平（允许自最动新版预整理充ppt 电）。可见控制好预充电启动时间很重要， 33
图形解析
• SDRAM
读取时数据掩码操作，D最QM新在版整两理pp个t 周期后生效，突发周期的第二笔数据被取消34
最新版整理ppt
26
特性分析
在写入时，以DQS的高/低电平期中部为数据周期分割点，而不是上/下沿，但 数据
的接收触发仍为DQS的上/下沿，DQS是双向信号，读内存时，由内存产生DQS 的沿和数据的沿对齐，写入内存时，由外部产生，DQS的中间对应数据的 沿
，即此时DQS的沿对应数据最稳定的中间时刻；
虽然可以让数据是连续的最传新版输整理，ppt 但每次都要发送列地址与命令信息，控制资 31 源占
图形解析
• SDRAM
突发连续读取模式：只要指定起始列地址与突发长度，寻址与数据的读取自 动进
行，而只要控制好两段突最发新版读整理取ppt 命令的间隔周期（与BL相同）即可做到连续 32 的突
图形解析
就 是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽）； 存储单元数量=行数*列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）*L-Bank的数量 也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆 （英文简写M，精确值是1048576），W代表每个存储单元的容量，也就是
SDRAM芯片的位宽，单位是bit； DDR SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽（芯片I/O口位宽）的一倍； DDR2 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的四倍； DDR3 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍； DDR4 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍。
DDR2_DDR3知识汇总
DDR2_DDR3知识汇总DDR2和DDR3是两种不同的内存标准，下面将对它们的主要特点和区别进行汇总。
1.DDR2和DDR3的速度和带宽不同。
DDR2的速度一般为400MHz至1066MHz，而DDR3的速度一般为800MHz至2133MHz，带宽也相应增加。
这意味着DDR3的速度和数据传输效率更高，可以更快地处理数据。
2.DDR2和DDR3的电压不同。
DDR2的工作电压为1.8V，而DDR3的工作电压降低到1.5V，这意味着DDR3的功耗更低，能够减少电能消耗。
3.DDR2和DDR3的显著区别在于时钟速率的延迟和预取长度。
DDR2的时钟速率延迟为5-6个时钟周期，而预先读取的数据长度为4个字节。
而DDR3的时钟速率延迟更低，一般为9-11个时钟周期，而预先读取的数据长度可以达到8个字节。
4.DDR3拥有更大的存储容量。
DDR2的单个模块最大容量为2GB，而DDR3的单个模块最大容量可达16GB。
这意味着DDR3可以提供更大的存储空间，并且支持更高的容量需求。
5.DDR2和DDR3的引脚数目和排列方式也不同。
DDR2有240个引脚，而DDR3有204个引脚。
此外，DDR3的引脚排列方式更加紧凑，可以在更小的空间中放置更多的内存。
6.DDR3还引入了新的特性，如校正插装和增强的预取能力。
校正插装（ECC）是一种错误检测和纠正技术，可以提高数据的可靠性。
增强的预取能力可以提高内存的读取效率，减少等待时间。
总的来说，DDR3相较于DDR2在速度、功耗、存储容量和功能上有明显的改进。
然而，DDR3的主板和处理器需要支持DDR3的技术以进行兼容。
在选择内存时，需要根据自己的需求和硬件设备的兼容性来决定使用DDR2还是DDR3。
Ddr2,ddr3,ddr4内存的读写速率
Ddr2,ddr3,ddr4内存的读写速率DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）为双信道两次同步动态随机存取内存。
DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍），DDR2的I/O频率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。
举例：核心频率同样有133～200MHz 的颗粒，I/O频率提升的影响下，此时的DDR2传输速率约为533～800 MT/s不等，也就是常见的DDR2 533、DDR2 800等内存规格。
DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）为双信道三次同步动态随机存取内存。
DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。
DDR3传输速率介于800～1600 MT/s之间。
此外，DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。
DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供电电压1.2V以及更高的带宽，DDR4的传输速率目前可达2133～3200 MT/s。
DDR4 新增了4 个Bank Group 数据组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性，Bank Group 数据组可套用多任务的观念来想象，亦可解释为DDR4 在同一频率工作周期内，至多可以处理4 笔数据，效率明显好过于DDR3。
另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。
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DDR2可以看作是DDR技术标准的一种升级和扩展：DDR的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说在一个时钟周期内必须传输两次数据。
而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率再为数据频率的一半，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据频率也能达到800MHz—也就是所谓的DDR2 800。
目前，DDR2内存分为DDR2 400和DDR2 533，还有DDR2 667和DDR2 800，其核心频率分别为100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为200MHz、266MHz、333MHz和400MHz，等效的数据传输频率分别为400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其对应的内存传输带宽分别为3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec，按照其内存传输带宽分别标注为PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。
PS:不列颠应该是britain,如果指英国应该说UK，光说English其他人会不高兴的，比如irish,welsh。
DDR3与DDR2的不同之处
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。
而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA 封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
3、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。
DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。
DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。
另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。
DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。
所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。
这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
5、新增功能——ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。
这个引脚
通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
6、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。
一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。
7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-“refresh” Temperature）
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。
不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-“refresh”）。
当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。
而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。
不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-“refresh” Temperature）。
通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。
对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。
8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-“refresh”）
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。
这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。
9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。
在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。
因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。
除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了。