内存的时序以及内存时序优化
内存时序的调节
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
12.对于BIOS中内存时序部分未提及的几项参数，一般设为AUTO即可。
以上是对参数的解释，在说明调节参数的细节之前，我想声明几点：
1.内存性能最重要的标志就是它的频率，相比之下内存时序显得并不是那么重要，适当调节的确会有提升，但是不会像调节频率来的那么明显。当然作为一个DIY爱好者，榨干系统的每一分性能才是最终目标。这里一个评测大家可以参考下，[ /157/1570442.html此网页不属于本网站，不保证其安全性 继续访问 取消 不再提示我 /157/1570442.html 传送门 ]
上面已经说过，当内存频率提高，特别是过了标称值的时候，就需要以增加内存小参值为代价。
(1)若你内存工作的频率是小于等于你的内存标称值的，那么可以认为你的内存工作时序可以至少跑到标称的水平，比如我选择的内存在1600频率之下，先设定内存时序为7-7-7 1T，其他AUTO，若能成功进入系统并且通过memory test，那说明你的内存时序是OK的，我当时貌似是7-7-7-24-5-89 1T，那接下来继续缩小部分参数值(注意：一个一个调整，一元变量和多元变量的道理)，比如设定7-7-7-21(20)1T，看能否稳定，依旧是进系统，测试(重复枯燥的劳动，所以说需要耐心...)若能稳定，那就继续，比如7-7-7-21(20)-5-60 1T，这个我没能成功；若不能稳定就略微的加小参值，比如7-8-7-21(20)，以此类推找到稳定的最小值。
电脑内存频率与时序的优化
电脑内存频率与时序的优化随着科技的不断发展，电脑内存的性能也变得越来越重要。
内存频率和时序的优化成为了提升电脑性能的关键因素之一。
本文将探讨电脑内存频率与时序的优化方法，以帮助读者更好地了解如何提升电脑性能。
一、什么是内存频率和时序在开始讨论优化方法之前，我们首先需要了解内存频率和时序的含义。
内存频率指的是内存存储单元的传输速率，通常以兆赫兹（MHz）为单位表示。
内存频率越高，数据的传输速度就越快，电脑性能也就越好。
时序则是指内存模块在处理数据时的时间延迟。
内存模块需要按照特定的时序来读取和写入数据，这个过程经历了多个时钟周期。
时序的优化可以减少内存的读写延迟，从而提升电脑的处理速度。
二、内存频率与时序的关系内存频率和时序之间存在一种权衡关系。
一般情况下，内存频率越高，性能也越好，但时序也会相应变差。
而较低的内存频率则可能会降低性能，但可以通过优化时序来提高电脑的处理速度。
因此，在优化电脑内存时，我们需要综合考虑内存频率和时序，选择一个平衡点，以取得最佳的性能表现。
三、内存频率与时序的优化方法1.升级内存条内存条是影响电脑性能的重要组成部分，更换高频率的内存条是提升性能的一种方法。
选择高频率的内存可以增加数据传输速度，提高电脑的响应速度。
2.调整内存频率在电脑的BIOS设置中，我们可以调整内存频率来提升性能。
首先，检查主板和内存条的兼容性，确保内存条支持更高的频率。
然后，在BIOS中找到内存频率设置项，将其调整到合适的数值。
不过，需要注意的是，频率过高可能会导致电脑不稳定，所以需要进行适当的压力测试和稳定性测试。
3.优化内存时序优化内存时序可以减少读写延迟，提升电脑性能。
通过调整内存条的时序参数，可以加快数据的读取和写入速度。
在BIOS设置中，可以找到时序相关的设置项，根据内存条的要求和电脑的实际情况，适当调整这些参数。
4.使用双通道内存现代电脑主板支持双通道内存的配置，使用双通道内存可以提高数据传输速度。
内存时序以及内存时序优化
内存时序以及内存时序优化内存时序是指计算机执行指令时，读取、写入内存的操作所遵循的时间顺序。
内存时序优化是指通过改进内存的读写性能，提高计算机的运行效率。
下面将介绍内存时序以及内存时序优化的相关内容。
一、内存时序1.内存的基本操作计算机内存是存储数据的重要组成部分，包括读操作和写操作两种基本操作。
读操作是指从内存中读取数据到CPU中进行处理，写操作是指将CPU中的数据写入到内存中进行存储。
2.内存读操作的过程内存读操作主要包括以下步骤：（1）指令发出：CPU向内存发出读指令。
（2）地址传递：CPU将要读取的地址传递给内存。
（3）数据传递：内存将地址对应的数据传递给CPU。
（4）数据接收：CPU接收到数据并进行处理。
3.内存写操作的过程内存写操作主要包括以下步骤：（1）指令发出：CPU向内存发出写指令。
（2）地址传递：CPU将要写入的地址传递给内存。
（3）数据传递：CPU将要写入的数据传递给内存。
（4）数据存储：内存将数据存储到地址对应的位置。
4.内存时序的要求内存时序要求读操作和写操作都需要在一定的时间范围内完成，以保证数据的正确性。
内存时序的主要指标包括存储器访问速度、存储周期、存储步骤等。
1.提高存储器访问速度存储器访问速度是影响内存时序的一个重要因素。
可以通过提高内存的工作频率、增加缓存大小等方式提高存储器的访问速度，以减少内存读写操作的延迟。
2.优化存储周期存储周期是内存读写操作中一个重要的时序参数，指的是相邻两次操作间的时间间隔。
通过调整存储周期的大小，可以在保证数据一致性的前提下，尽可能地缩短内存读写操作的时间。
3.优化存储步骤内存读写操作需要经过多个步骤，包括地址传递、数据传递等。
可以通过优化这些步骤的执行顺序、并行执行等方式，减少内存读写操作的总时间。
4.高级内存时序优化技术除了上述常见的内存时序优化手段，还有一些高级技术可以进一步提高内存的读写性能。
例如预取技术，可以提前将可能会使用到的数据加载到缓存中，以减少内存访问的延迟。
电脑内存频率和时序解析
电脑内存频率和时序解析现如今，电脑已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。
而在选择电脑时，我们经常会听到关于内存频率和时序的说法。
那么，什么是内存频率和时序？它们对电脑性能有何影响？今天，我将为大家一一解析。
内存频率，即内存时钟频率，是指内存模块每秒钟能够完成的数据传输次数。
它通常用单位MHz来表示，越高的频率意味着内存模块每秒钟能够传输更多的数据，从而使得电脑能够更快地处理任务。
内存频率是电脑性能的重要指标之一。
那么，内存时序又是什么呢？内存时序是指内存模块在完成数据传输时所需要的时间。
它通常由一串数字来表示，比如16-18-18-36。
其中，第一个数字代表的是CAS延迟，即内存存取操作的延迟时间；后面三个数字分别代表的是tRCD、tRP和tRAS，它们分别代表了不同的时间间隔。
通过控制这些数字，我们可以调整内存模块的性能。
那么内存频率和时序到底哪个更重要呢？其实，并没有一个固定的答案。
在大多数情况下，内存频率的提升比时序的调整对性能的提升更为明显。
毕竟，频率决定了内存模块每秒钟能够传输的数据量，而时序只是影响了内存模块内部操作的速度。
因此，如果你的电脑主要用于进行大量数据处理的任务，那么优先考虑内存频率可能更加合适。
然而，对于一些特定的应用场景来说，内存时序的调整也可以带来一定的性能提升。
比如在游戏中，内存时序的优化可以减少内存访问等待的时间，从而提高游戏的流畅度和响应速度。
所以，如果你是一位热衷于游戏的玩家，不妨适当关注一下内存时序的选择。
当然，无论是内存频率还是时序，我们在选择时都要权衡利弊。
高频率和松散的时序可以提高内存的传输速度，但可能会使得内存模块的稳定性下降；而低频率和紧凑的时序则可以提高内存模块的稳定性，但传输速度可能会受到限制。
因此，在选择内存时，我们需要根据自己的电脑使用需求来进行权衡和取舍。
总结一下，内存频率和时序是影响电脑性能的两个重要指标。
内存频率决定了内存模块每秒钟能够传输的数据量，而时序影响了内存模块内部操作的速度。
内存的工作原理及时序介绍
内存的工作原理及时序介绍时序及相关概念以下我把时序分为两部分，只是为了下文介绍起来作为归类，非官方分类方法。
第一时序：CL-tRCD-tRP-tRAS-CR，就是我们常说的5个主要时序。
第二时序：（包含所有XMP时序）在讲时序之前，我想先让大家明白一些概念。
内存时钟信号是方波，DDR内存在时钟信号上升和下降时各进行一次数据传输，所以会有等效两倍传输率的关系。
例如DDR3-1333的实际工作频率是666.7MHz，每秒传输数据666.7*2=1333百万次，即1333MT/s，也就是我们说的等效频率1333MHz，再由每条内存位宽是64bit，那么它的带宽就是：1333MT/s*64bit/8（8bit是一字节）=10667MB/s。
所谓时序，就是内存的时钟周期数值，脉冲信号经过上升再下降，到下一次上升之前叫做一个时钟周期，随着内存频率提升，这个周期会变短。
例如CL9的意思就是CL这个操作的时间是9个时钟周期。
另外还要搞清楚一些基本术语：Cell：颗粒中的一个数据存储单元叫做一个Cell，由一个电容和一个N沟道MOSFET组成。
Bank：8bit的内存颗粒，一个颗粒叫做一个bank，4bit的颗粒，正反两个颗粒合起来叫做一个bank。
一根内存是64bit，如果是单面就是8个8bit颗粒，如果是双面，那就是16个4bit的颗粒分别在两面，不算ECC颗粒。
Rank：内存PCB的一面所有颗粒叫做一个rank，目前在Unbuffered台式机内存上，通常一面是8个颗粒，所以单面内存就是1个rank，8个bank，双面内存就是2个rank，8个bank。
Bank与rank的定义是SPD信息的一部分，在AIDA64中SPD一栏可以看到。
DIMM：指一条可传输64bit数据的内存PCB，也就是内存颗粒的载体，算上ECC芯片，一条DIMM PCB最多可以容纳18个芯片。
第一时序CAS Latency（CL）：CAS即Column Address Strobe，列地址信号，它定义了在读取命令发出后到数据读出到IO接口的间隔时间。
内存频率与时序 了解内存性能指标的重要性
内存频率与时序了解内存性能指标的重要性内存频率与时序了解内存性能指标的重要性随着科技的不断发展，今天的电子设备越来越强大和复杂。
作为计算机系统的一部分，内存的性能对整体系统性能起着重要的作用。
了解内存的频率和时序这两个关键性能指标对于用户和开发人员来说至关重要。
本文将深入探讨内存频率和时序的概念、意义以及其对计算机系统性能的影响。
一、内存频率的概念和意义内存频率是指内存模块能够处理数据的速度。
它通常以兆赫兹（MHz）为单位来表示，在内存购买时经常会看到如"DDR4-3200"这样的表达方式，其中3200即表示内存的频率为3200MHz。
内存频率的提高可以显著提升计算机系统的性能，特别是在处理大量数据和进行复杂计算任务时。
内存频率的提高意味着内存模块能够更快地读取和写入数据，这可以加快软件程序的执行速度。
在游戏和图形处理等需要大量计算的应用中，高频率的内存可以更好地支持实时渲染和快速数据处理。
此外，内存频率的提升还可以减少计算机系统的响应时间，提高用户的使用体验。
二、内存时序的概念和意义内存时序是指内存模块在进行读取和写入操作时所需的时间。
它由一系列参数来表示，如CL、tRCD、tRP和tRAS等。
这些参数代表了内存模块在处理数据时的时延和同步性能。
内存时序的优化可以提高计算机系统的响应速度和稳定性。
较低的时序数值意味着内存模块能够更快地响应读取和写入操作，从而减少系统中的延迟。
对于需要大量内存访问的任务，如视频编辑和数据库处理，较低的时序可以显著提高系统的效率和性能。
三、内存频率和时序对性能的影响内存频率和时序的优化是提升计算机系统性能的重要手段。
通过提高内存频率，数据在内存模块与其他系统组件之间的传输速度得到提升，从而提高整体系统性能。
内存频率的提高可以显著加快软件程序的执行速度，提高数据处理的效率。
然而，内存频率的提高并不是无限制的。
过高的频率可能导致内存接口的不稳定性和错误数据传输。
了解电脑内存的频率和时序参数
了解电脑内存的频率和时序参数在学习和了解电脑内存的时候，频率和时序参数是两个非常重要的概念。
了解这些参数可以帮助我们选择适合自己需求的内存产品，并且能够提升电脑的运行效率。
本文将介绍电脑内存频率和时序参数的基本知识，并解释它们对电脑性能的影响。
一、内存频率内存频率指的是内存模块每秒钟运行的数据传输速度，也被称为时钟速度。
一般而言，内存频率越高，数据传输速度越快，电脑的响应速度和运行效率也会更高。
内存频率的单位是赫兹（Hz），常见的内存频率有标准频率和超频频率两种。
标准频率是内存模块官方推荐的数据传输速度，超频频率是用户通过提高内存电压和频率进行的人为增加内存性能的操作。
需要注意的是，在超频的情况下，内存的稳定性和寿命可能会受到一定程度的影响，因此超频时需谨慎操作。
二、时序参数时序参数是指内存在不同操作之间所需的时间间隔，它们代表了内存模块的工作效率和响应能力。
常见的时序参数包括CAS延迟、传输延迟和命令延迟等。
1. CAS延迟CAS（Column Address Strobe）延迟是指内存模块在接收到读写指令之后，需要多少个时钟周期才能够提供所需的数据。
CAS延迟越低，内存的读写速度越快，电脑的响应速度也会相应提高。
2. 传输延迟传输延迟是指内存模块在传输数据之前所需的时间延迟，也被称为TRCD（RAS to CAS Delay）。
传输延迟越低，内存模块的数据传输速度越快，对于电脑运行速度的提升也会更显著。
3. 命令延迟命令延迟是指内存模块接收到读写指令后，开始执行读写操作所需的时间延迟，也被称为TRP（Row Precharge Delay）。
命令延迟越低，内存模块的响应速度越快，电脑的运行效率也会有所提升。
三、频率和时序的关系内存频率和时序参数是相互影响的，它们之间的关系决定了内存的整体性能表现。
一般而言，较高的内存频率可以提高内存模块的最大数据传输速度，而较低的时序参数可以减少内存模块的读写延迟。
ddr3 标准时序
ddr3 标准时序DDR3标准时序。
DDR3是一种电脑内存标准，它采用了高速的时序设计，以实现更快的数据传输速度。
在本文中，我们将深入探讨DDR3标准时序的相关知识，包括时序参数的意义、常见的时序设置以及时序优化的方法。
首先，我们需要了解DDR3时序参数的含义。
时序参数是指内存模块在进行读写操作时，各种信号的时序要求。
这些参数包括CAS延迟（CL）、RAS到CAS延迟（tRCD）、预充电时间（tRP）、行前置时间（tRAS）等。
这些参数的设置直接影响着内存的性能和稳定性。
接下来，我们来看一些常见的DDR3时序设置。
在实际应用中，我们通常会遇到一些常见的时序设置，比如CL9-9-9-24、CL11-11-11-30等。
这些数字分别代表了CAS延迟、RAS到CAS延迟、预充电时间和行前置时间。
一般来说，时序参数越小，内存的性能就越好，但也会增加内存稳定性方面的挑战。
除了常见的时序设置外，我们还可以通过一些方法来优化DDR3的时序。
例如，可以通过提高内存电压来改善内存稳定性，从而允许更加激进的时序设置。
此外，还可以通过超频技术来提高内存时序的性能，不过这需要谨慎操作，以免损坏硬件或降低系统稳定性。
总的来说，DDR3标准时序对于内存的性能和稳定性至关重要。
合理的时序设置可以提高内存的读写速度，从而提升整个系统的性能。
然而，过于激进的时序设置可能会导致内存稳定性问题，甚至损坏硬件。
因此，在设置DDR3时序参数时，需要权衡性能和稳定性，选择合适的时序设置，并且谨慎进行时序优化。
综上所述，DDR3标准时序是内存性能优化中至关重要的一环。
合理的时序设置和优化可以提升系统性能，但需要谨慎操作，以免影响系统稳定性。
希望本文对于DDR3标准时序的理解能够帮助读者更好地应用和优化内存，提升系统性能。
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一种参数，一般存储在内存条的SPD上。
2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off 或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：Command Per Clock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。
由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。
这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。
但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。
因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。
目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。
CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。
一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。
所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。
同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。
这个参数越小，则内存的速度越快。
必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。
而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。
CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。
注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。
RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。
对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。
在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。
建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。
Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。
这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。
降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。
如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。
该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。
如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS 值应该设置为7个时钟周期。
为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
Row Precharge Timing(tRP)可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。
Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。
tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。
对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。
如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。
只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。
值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。
大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。
因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。
如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。
然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。
因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC 的值应当设置为11个时钟周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。
该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。
tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。
建议从17开始依次递减来测试该值。
大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)可选的设置：Auto，0-7，每级以1的步幅递增。
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。
该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。