第七章光刻工艺A共29页文档
第七章光刻工艺A
2)光刻机 根据曝光方式的不同，光刻机可以分为接触式、接近式和 投影式三种。
（一）接触式光刻机
■ 优点：结构简单、成本低，光的衍射效应最小而分辨率高，
特征尺寸小。
■ 主要缺点：
容易造成掩膜版和光刻胶的 损伤。每一次接触都有可能 在掩膜版和光刻胶上造成缺 陷。
（二）接近式光刻机
■ 优点：掩膜版悬浮在硅片表面的氮气气垫上，
通过改变进入的氮气流量控制间隙.
■ 缺点：由于掩膜版和光刻胶之间存在一定的距离，
经过掩膜版后的光会发生衍射，从而使光
刻的分辨率降低。
对于一个宽度为W的单孔掩膜，
它与硅片之间的距离为 g
■ 当: λ< g < W2/λ
系统处于菲涅耳衍射的近场范围。
分辨率: Wmin≈ (λg)1/2， 对于20 µ m间隙，436nm曝光， 最小特征尺寸约为3 µ m。 10 µ m, 365nm曝光, 2 µ m
6?制作掩膜版首先必须有版图件参数所需要的几何形状与尺寸依据生产集成电路的工艺所确定的设计规则利用计算机辅助设计cad通过人机交互的方式设计出的生产上所要求的掩膜图案
第七章 光刻工艺
前面工艺的遗留问题
1、 氧化、扩散、离子注入、外延、CVD等一系列工艺都是 对整个硅园片进行处理，不涉及任何图形。 2、 在同一集成电路制造流程中,经历了一系列加工工艺后： a. 如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、
f. 坚固耐用，不易变形。
掩膜版上形成图形后，图形可 通过与数据库对比检查进行
确认。任何不希望有的铬可
用激光烧化剥离。铬层的针孔 可用额外的淀积来修理。
三、光刻机
1、光刻技术的主体： 光刻机（曝光机 + 对准机）
光刻工艺简要流程介绍
光刻工艺简要流程介绍光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。
主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。
光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。
光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。
主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。
其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。
光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning)光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。
光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。
2、涂底（Priming)方法：a、气相成底膜的热板涂底。
HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。
缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。
目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。
3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。
硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。
低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。
光刻工艺知识点总结
光刻工艺知识点总结光刻工艺是半导体制造工艺中的重要环节，通过光刻技术可以实现微米级甚至纳米级的精密图案转移至半导体芯片上，是芯片制造中最关键的工艺之一。
光刻工艺的基本原理是利用光学原理将图案投射到光刻胶上，然后通过化学蚀刻将图案转移到芯片表面。
下面将对光刻工艺的知识点进行详细总结。
一、光刻工艺的基本原理1. 光刻胶光刻胶是光刻工艺的核心材料，主要由树脂和溶剂组成。
树脂的种类和分子结构直接影响着光刻胶的分辨率和对光的敏感度，而溶剂的选择和比例则会影响着光刻胶的黏度、流动性和干燥速度。
光刻胶的选择要根据不同的工艺要求，如分辨率、坚固度、湿膜厚度等。
2. 掩模掩模是用来投射光刻图案的模板，通常是通过电子束刻蚀或光刻工艺制备的。
掩模上有所需的图形样式，光在通过掩模时会形成所需的图案。
3. 曝光曝光是将掩模上的图案投射到光刻胶表面的过程。
曝光机通过紫外线光源产生紫外线，通过透镜将掩模上的图案投射到光刻胶表面，形成图案的暗部和亮部。
4. 显影显影是通过化学溶液将光刻胶上的图案显现出来的过程。
曝光后，光刻胶在图案暗部和亮部会有不同的化学反应，显影溶液可以去除未暴露的光刻胶，留下所需的图案。
5. 蚀刻蚀刻是将图案转移到硅片上的过程，通过化学腐蚀的方式去除光刻胶未遮盖的部分，使得图案转移到硅片表面。
二、光刻工艺中的关键技术1. 分辨率分辨率是指光刻工艺能够实现的最小图案尺寸，通常用实际图案中两个相邻细线或空隙的宽度之和来表示。
分辨率受到光刻机、光刻胶和曝光技术等多个因素的影响，是衡量光刻工艺性能的重要指标。
2. 等效焦距等效焦距是光刻机的重要参数，指的是曝光光学系统的有效焦距，影响光刻图案在光刻胶表面的清晰度和分辨率。
3. 曝光剂量曝光剂量是指单位面积上接收的光能量，通常用mJ/cm^2或μC/cm^2来表示。
曝光剂量的选择对分辨率和光刻胶的副反应有重要影响。
4. 曝光对位精度曝光对位精度是指光刻胶上已存在的图案和新的曝光对位的精度，是保证多层曝光图案对位一致的重要因素。
光刻工艺简介
光刻工艺简介概述光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。
主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。
光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。
光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。
主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。
其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。
光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning )光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。
光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。
2、涂底（Priming)方法：a、气相成底膜的热板涂底。
HMDS蒸气淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。
缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。
目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。
3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。
硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。
低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。
光刻工艺.pptx
一、接触式曝光
由于掩膜版与硅片相接触磨损，是掩膜 版的寿命降低。
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二、接近式曝光
接近式曝光是以牺牲分辨率来延长 了掩膜版的寿命 大尺寸和小尺寸器件上同时保持线 宽容限还有困难。另外，与接触式 曝光相比，接近式曝光的操作比较 复杂。
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三、投影式曝光
避免了掩膜版与硅片表面的摩擦，延长 了掩膜版的寿命。
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几种实用的光刻胶配方。 PMMA对210nm到260nm的紫外光有感光性， 感光性最佳的紫外光光谱约为220nm； PMIK的紫外光感光光谱为220nm到330nm， 峰值光谱约为190nm和285nm。
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AZ240系列光刻胶的感光光谱为240nm到 310nm，峰值光谱约为248nm、300nm、 315nm。 ODVR系列光刻胶的感光光谱为200nm到 315nm，峰值光谱为230nm、280nm、 300nm。
3
打底膜（六甲基二硅亚胺HMDS）
六甲基二硅亚胺HMDS反应机理
OH
SiO2 ＋(CH3) 3SiNHSi(CH3)
3
OH
O-Si(CH3) 3
SiO2
+NH
O-Si(CH3) 33
4
5
6
曝光方法
曝光有多种方法：光学曝光就可分为接 触式、接近式、投影式、直接分步重复 曝光。此外，还有电子束曝光和X射线曝 光等。曝光时间、氮气释放、氧气、驻 波和光线平行度都是影响曝光质量
掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多， 克服了小图形制版的困难。
消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生 的光衍射效应，以及掩膜版与硅片表面接 触不平整而产生的光散射现象。
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投影式曝光虽 有很多优点， 但由于光刻设 备中许多镜头 需要特制，设 备复杂
光刻工艺流程
光刻⼯艺流程光刻⼯艺是半导体制造中最为重要的⼯艺步骤之⼀。
主要作⽤是将掩膜板上的图形复制到硅⽚上，为下⼀步进⾏刻蚀或者离⼦注⼊⼯序做好准备。
光刻的成本约为整个硅⽚制造⼯艺的1/3，耗费时间约占整个硅⽚⼯艺的40～60%。
光刻机是⽣产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。
主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度⼩于10nm）。
其折旧速度⾮常快，⼤约3～9万⼈民币/天，所以也称之为印钞机。
光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），⽤于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning )光刻⼯艺的要求：光刻⼯具具有⾼的分辨率；光刻胶具有⾼的光学敏感性；准确地对准；⼤尺⼨硅⽚的制造；低的缺陷密度。
光刻⼯艺过程⼀般的光刻⼯艺要经历硅⽚表⾯清洗烘⼲、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等⼯序。
1、硅⽚清洗烘⼲（Cleaning and Pre-Baking）⽅法：湿法清洗＋去离⼦⽔冲洗＋脱⽔烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮⽓保护）⽬的：a、除去表⾯的污染物（颗粒、有机物、⼯艺残余、可动离⼦）；b、除去⽔蒸⽓，是基底表⾯由亲⽔性变为憎⽔性，增强表⾯的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基⼆硅胺烷）。
2、涂底（Priming)⽅法：a、⽓相成底膜的热板涂底。
HMDS蒸⽓淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染； b、旋转涂底。
缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS⽤量⼤。
⽬的：使表⾯具有疏⽔性，增强基底表⾯与光刻胶的黏附性。
3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）⽅法：a、静态涂胶（Static）。
硅⽚静⽌时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。
低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。
基本光刻工艺流程
《基本光刻工艺流程》光刻工艺可有意思啦。
咱先从晶圆准备说起。
晶圆就像个小舞台，得把它弄得干干净净、平平整整。
要是有个小灰尘小颗粒啥的，那后面的表演可就砸啦。
这就好比盖房子，地基得打好。
光刻胶涂覆也重要呢。
光刻胶就像是给晶圆穿上的一层特殊衣服。
这层衣服得涂得均匀，不能有的地方厚有的地方薄。
就像咱涂指甲油，得涂得漂亮，不能坑坑洼洼的。
涂覆光刻胶有专门的设备，能把光刻胶均匀地铺在晶圆上。
曝光这一步可关键啦。
这就像拍照一样，不过是用特殊的光来给晶圆上的光刻胶拍照。
光线就像神奇的画笔，把设计好的图案画在光刻胶上。
这光可不是普通的光，是经过特殊处理的，能让光刻胶发生奇妙的变化。
曝光的设备得很精密，稍微有点偏差，图案就不对啦。
显影也不能小瞧。
显影就像是把曝光后的光刻胶冲洗一下，把不需要的部分去掉。
这就像我们洗照片，把多余的药水冲掉，留下我们想要的图像。
显影的溶液得选对，时间也得控制好。
要是时间太长或者溶液不对，可能把该留下的光刻胶也冲走了，那就坏事啦。
蚀刻是个厉害的步骤。
这时候就是对晶圆进行真正的加工啦。
用化学或者物理的方法，把晶圆上不需要的部分去掉。
就像雕刻一样，把多余的石头凿掉，留下精美的雕像。
蚀刻得精确，不能伤到该留下的部分。
光刻胶去除也有讲究。
做完前面的步骤，光刻胶完成了它的使命，得把它去掉啦。
就像演出结束，演员得卸妆一样。
得用合适的方法把光刻胶清除干净，不能留下残留，不然会影响晶圆的质量。
基本光刻工艺流程就是这样一系列神奇的步骤。
每个步骤都得小心翼翼，就像走钢丝一样，不能出一点差错。
这光刻工艺就像一场精彩的魔术表演，把设计好的图案完美地呈现在晶圆上。
光刻工艺流程很奇妙，需要精心操作，容不得半点马虎。
光刻工艺简要流程介绍
光刻工艺简要流程介绍光刻工艺是半导体制造过程中十分关键的一环，用于在芯片表面形成各种图案。
下面是一份简要的光刻工艺流程介绍，具体内容如下：1.掩膜设计：光刻工艺开始时，需要先设计掩膜，即在电路设计的基础上绘制出芯片需要制造的图案。
掩膜设计是根据电路原理图进行的，可以确定各种电子元件的位置和电路连接方式。
2.掩膜制备：制作掩膜时，通常使用光刻机对一层感光剂进行曝光。
曝光时，掩膜上的图案通过透明部分的光线照射到感光剂上，使其发生化学变化，产生可溶解或不可溶解性。
3.前处理：在真正开始光刻之前，需要进行一些前处理步骤，以确保芯片表面的净化和平整。
这些步骤包括清洗、清除表面残留的污染物和平整化表面。
前处理对于之后的光刻步骤的精确度和一致性非常重要。
4.光刻涂胶：将光刻胶涂覆在芯片表面上，以形成一层均匀的涂层。
光刻胶通常是一种感光性物质，能够在曝光后保留图案的细节。
5.烘焙：涂胶后，需要将芯片放入烘箱中进行烘焙。
烘焙的主要目的是将涂胶材料固化，并使其在曝光时更好地保持细节。
6.曝光：在光刻机中，将掩膜放置在芯片上方，并通过透射或反射光线照射到芯片表面上的涂覆层上。
光线会通过掩膜上的透明区域，使涂覆层中的光刻胶发生物理或化学变化。
这会形成图案的正负影像。
7.显影：曝光后，通过显影过程将曝光过的光刻胶部分溶解掉，以暴露出芯片表面的物质。
显影剂通常是酸性或碱性溶液，可以选择性地溶解光刻胶的已曝光部分。
8.清洗：为了去除掩膜和涂胶过程中可能残留在芯片上的杂质，需要进行一次清洗步骤。
清洗是一个非常关键的步骤，可以确保芯片表面干净，并保证后续工艺步骤的准确性和可靠性。
9.检查和修复：完成光刻过程后，需进行检查，以确保图案制作的质量和完整性。
如果发现有任何缺陷或错误，需要进行修复或重新开始。
以上是一个简要的光刻工艺流程介绍。
光刻技术是半导体制造过程中非常重要的一项技术，为芯片制造提供关键的步骤，确保芯片的准确性和可靠性。
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光源
光阑 快门 掩膜 光刻胶 硅片 一个简单的光刻曝光系统示意图
像纸上的感光材料 光刻胶 胶卷（底片） 掩膜版 曝光系统（印像机） 光刻机 暗室（小红灯） 光刻间（黄灯） 显影液 定影液
2、工序：
(1) 利用旋转涂敷法在硅片表面上制备一层光刻胶; (2) 将一束光通过掩膜版对光刻胶进行选择性曝光; (3) 对光刻胶显影从而将掩膜版上的图形转移到硅片上。
3、 图形转移技术：光刻与刻蚀
光刻工艺
■ � 概述 ■ � 掩膜版 ■ � 光刻机 ■ 光刻胶 ■ � 典型的光刻工艺流程
参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第7、8章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号）
一、概述
（光刻、工序及说明）
1、光刻： 是指通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的
前面工艺的遗留问题
1、 氧化、扩散、离子注入、外延、CVD等一系列工艺都是 对整个硅园片进行处理，不涉及任何图形。
2、 在同一集成电路制造流程中,经历了一系列加工工艺后： a. 如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、 不同结构和尺寸的元件? b. 如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得我们 所要求的电路功能? c. 如何在同一硅片上制造出具有不同功能的集成电路。
b. 制版工艺： 可分光学制版和电子束制版。 光学制版主要用于3 µm以上图形的制造。
4、掩模版的基本结构
(1) 掩膜材料：主要是铬、氧化铬或氧化铁等金属或金属氧化 物薄膜。
a. 作用：有选择的遮挡照射到硅片表面光刻胶膜上的光。 厚度几十～几百纳米。
b.要求：与玻璃粘附力强，针孔小，易加工成图形，机械 强度与化学稳定性好,分辨率高。
7.1 7.2 7.3 7.4
等等
接触孔尺寸（固定） 最小接触孔间距 最小有源区对接触孔覆盖 最小接触孔与栅间距 最大接触孔与栅间距 对于标准器件性能文件
1.0m × 1.0m 1.2m 1.2m 0.8m 1.5m
一组典型的设计规则的例子
3、制版程序：
(1) 绘制版图
将电路设计数据转化为物理图形的装置
3、说明：
(1) 三要素：光刻胶、掩膜版和曝光系统（光刻机）。 (2) 目的：就是在二氧化硅、氮化硅、多晶硅和金属等薄膜
表面的光刻胶上形成与掩膜版完全对应的几何图形。这 样光刻胶就可以用作刻蚀下面薄膜时的掩蔽膜或用作离 子掺杂注入的掩蔽膜。
二、掩膜版 （概念、版图设计、制版程序、基本结构）
1、基本概念
(1) 掩膜版： 包含着预制造集成电路特定层图形信息的模板. (2) 掩膜版的作用：
a. 是IC设计与IC制造之间的接口与桥梁。 b. 决定了组成集成电路芯片每一层的横向结构与尺寸。 c. 掩膜版的数量决定了工艺流程中所需的最少光刻次数。 (3) 掩膜版的版图。所谓版图就是根据电路器件的几何形状 与尺寸，依据集成电路工艺的设计规则，利用计算机辅 助设计（CAD）软件所设计出的掩膜图案。
2、版图设计规则主要解决两个问题：
(1) 同一层几何图形之间的关系； (2) 不同层之间的相互关系。
说明
■ 对于每一层版图，版图设计规则规定：允许的最小特征尺 寸、最小间隔、该层图形与其它层图形的最小覆盖，与它 下面层图形的最小间隔等。
层次索引
接触孔（#14） 第一层金属（#15） 有源区（#3） 栅（#10）
2、光刻机的三个主要性能指标:
(1) 分辨率：是可以曝光出来的最小特征尺寸。通常指能分辩的 并能保持一定尺寸容差的最小特征尺寸。极限分辨率为λ/2。
(2) 对准和套刻精度:是描述光刻机加工图形重复性能的一个指 标，是层间套刻精度的度量，主要取决于掩模版和硅片的支撑 平台图形对准和移动控制精度性能。 套刻精度约为分辨率的1/3。
(2) 数据转换成图形发生器的专用文件（CIF文件、PG
文件等） (3) 驱动和控制图形发生器，以一定的间距和布局，将
掩膜图形印制于掩膜材料上，进而制备出批量生产
用的掩膜版。
说明ห้องสมุดไป่ตู้
a. 根据使用的光刻机，掩膜可以与最后完成的芯片上的图形 有同样的尺寸或是该尺寸的整数倍，后者在曝光时掩膜上 的图形被缩小。通常缩小倍数为 4 和 5。
掩膜版上形成图形后，图形可 通过与数据库对比检查进行 确认。任何不希望有的铬可 用激光烧化剥离。铬层的针孔 可用额外的淀积来修理。
三、光刻机
1、光刻技术的主体： 光刻机（曝光机 + 对准机）
它是将掩膜版上的图形与前次工序中已刻在硅片上的图形对准后， 再对硅片表面的光刻胶进行曝光实现图形复制的设备。
(3) 产率:指每小时可加工的硅片数，是判断光刻系统性能的一 个重要的指标，直接决定了集成电路芯片的制造成本。
补充
影响工艺效果的一些参数
■ 对于指定的光刻机，分辨率、对准和套刻精度、产量
都不是一个固定值。
表7.2 某些光刻胶参数对工艺效果的影响
分 辨 率 对 准 片间的控制
批间的控制
产量
曝光系统 衬底 掩膜 光刻胶 显影机 润湿剂 工艺 操作员
XX
XX
X
X
X
XX
X
X
—
XX
X
XX
X
—
XX
—
—
XX
X
X
XX
X
XX
XX
XX
XX
X
X
X
X
XX
XX
XX
X
X
—
XX
XX
X
XX
XX表示强烈影响，－表示微小影响，操作员针对手动光刻机。
3、光刻机的主要组成：
曝光光源、光学系统和支撑定位平台 1）曝光光源 a. 曝光光源的波长是光刻工艺的关键参数，其它条件相同，
(2) 基版材料：玻璃、石英。
要求：在曝光波长下的透光度高，热膨胀系数 与掩膜材料匹配、表面平坦且精细抛光。
(3) 对掩膜版的质量要求 a. 图形尺寸准确，符合设计要求； b. 整套掩膜版中的各块版应能依次套准，套准误差应尽可能小； c. 图形黑白区域之间的反差要高； d. 图形边缘要光滑陡直，过渡区小； e. 图形及整个版面上无针孔、小岛、划痕等缺陷； f. 坚固耐用，不易变形。
波长越短，可曝光的特征尺寸越小。λ/2 b. 曝光要求有一定的能量，且必须均匀的加在硅片上。为了
保持合适的曝光时间，曝光波长下的光源必须足够亮。 c. 常见的曝光光源 I) 汞灯光源在可见光和近紫外波长是有效的辐照源 II) 曝光光源从最初的紫外光波段的多波长汞灯光源，发展到
g线光源、90年代中期，采用ｉ线的光刻机成为主流机型。