封装命名规则

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元器件封装命名规则

元器件封装命名规则

命名规则本命名规则采用英制mil为单位进行设计尺寸贴片封装式:举例1:贴片电阻(电感)R(L)0805A:R(L)代表贴片电阻(电感);08代表贴片电阻(电感)的长80mil;05代表贴片电阻(电感)的宽50mil;A代表贴片电阻(电感)的焊盘延伸最长(其中也可能是B或C,B代表贴片电阻(电感)的焊盘延伸中等;C代表贴片电阻(电感)的焊盘延伸最短;S代表贴片电阻(电感)的特殊焊盘延伸程度)贴片电阻(电感)尺寸要求:0402;0603;0805;1206;2010等举例2:贴片电容C0805A:C代表贴片电容;08代表贴片电容的长80mil;05代表贴片电容的宽50mil;A代表贴片电容的焊盘延伸最长(其中也可能是B或C,B代表贴片电容的焊盘延伸中等;C代表贴片电容的焊盘延伸最短;S代表贴片电容的特殊焊盘延伸程度)贴片电容尺寸要求:0402;0603;0805;1206;2010等举例3:贴片二极管SOD-123A:SOD-123代表贴片二极管一类的封装命名,至于为什么是SOD-123不太清楚,这里用SOD-123是因为大家认为这种封装就代表这类贴片二极管,这里我的理解是S代表贴片,OD是DOIDE的简化,1代表贴片二极管本体尺寸长度100mil,23代表贴片二极管本体尺寸宽度23mil,A代表贴片二极管的焊盘延伸最长(其中也可能是B或C,B代表贴片二极管的焊盘延伸中等;C代表贴片二极管的焊盘延伸最短;S代表贴片二极管的特殊焊盘延伸程度)举例4:贴片二极管SMA-A:SMAA代表贴片二极管一类的封装命名,至于为什么是SMA不太清楚,这里用SMA是因为大家认为这种封装就代表这类贴片二极管,同时和DO-214AC封装相同,后者的-A代表贴片二极管的焊盘延伸最长(其中也可能是B或C,B代表贴片二极管的焊盘延伸中等;C代表贴片二极管的焊盘延伸最短;S代表贴片二极管的特殊焊盘延伸程度)举例5:贴片三极管SOT-23LASOT-23代表固定的贴片三极管封装, 算是一个固定的形式;L代表贴片三极管的第一引脚在左边(L),或中间(M),或右边(R);A代表贴片三极管的焊盘延伸最长(其中也可能是B或C,B代表贴片三极管的焊盘延伸中等;C代表贴片三极管的焊盘延伸最短;S代表贴片三极管的特殊焊盘延伸程度)。

元器件封装命名规则ds

元器件封装命名规则ds

印制板设计元器件封装命名规则目次1 范围 (1)2 规范性引用文件 (1)3制订规则 (1)3.1以B开头的封装 (1)3.2以C开头的封装 (1)3.3以D开头的封装 (2)3.4以E开头的封装 (2)3.5以F开头的封装 (2)3.6以G开头的封装 (2)3.7以H开头的封装 (2)3.8以K开头的封装 (2)3.9以L开头的封装 (2)3.10以R开头的封装 (2)3.11以S开头的封装 (3)3.12以T开头的封装 (3)3.13以U开头的封装 (3)3.14以V开头的封装 (3)3.15以X开头的封装 (3)3.16以Z开头的封装 (4)印制板设计元器件封装命名规则1 范围本部分适用于印刷电路板元器件封装的命名。

2 规范性引用文件3制订规则按照《项目代号》的分类方法,对标准封装库中贴片及插装元器件的命名做了以下规定。

3.1以B开头的封装3.1.1蜂鸣器3.1.1.1用Ba/b/c表示。

B: 蜂鸣器、驻极话筒;a:两脚间距(mm);b:直径(mm);c:管脚直径(mm)。

一些特殊的蜂鸣器、驻极话筒封装用B加型号表示,例如:OBO-27CO的封装用B27CO 表示。

3.1.2气敏传感器3.1.2.1用Ba表示。

B:气敏传感器。

a:元器件型号。

例如:TGS822、TGS813的封装用BTGS822和BTGS813表示。

3.2以C开头的封装3.2.1插装类电容器3.2.1.1铝电解电容器用CEa/b/c表示。

CE:铝电解电容器;a:两管脚间距(mm);b:直径(mm);c:管脚直径(mm)或管脚截面长×宽(mm)。

3.2.1.2钽电解电容器用CTa/b表示。

CT:钽电解电容器;a:两管脚间距(mm);b:管脚直径(mm)或管脚截面长×宽(mm)。

3.2.1.3其它类的电容器用Ca/b/c或Ca/c表示。

C:电容器;a:两管脚间距(mm);b:外型,长×宽(mm);c:管脚直径(mm)或管脚截面长×宽(mm)。

bga封装命名规则

bga封装命名规则

BGA封装命名规则1. 引言BGA封装是电子元器件的一种封装形式,用于将电子元器件与电路板相连接,并提供保护和支持。

为了有效管理和识别不同类型的BGA封装,制定了一套BGA封装命名规则。

本文将详细介绍BGA封装命名规则的内容和要求。

2. BGA封装命名规则的目的BGA封装命名规则的主要目的是提供一个统一的命名标准,方便工程师和制造商在设计、生产和组装过程中准确识别和选择不同类型的BGA封装。

通过符合统一的命名规则,可以减少误解和错误,并提高工作效率和产品质量。

3. BGA封装命名规则的要求BGA封装命名规则需要满足以下要求:•唯一性:每种BGA封装都应有一个唯一的名称,以避免混淆和歧义。

•简洁性:命名应简洁明了,便于记忆和使用。

•规范性:命名规则应符合通用的命名规范,遵循一定的语法和规则。

•可拓展性:命名规则应具有一定的可拓展性,以适应新的封装类型的出现。

•易读性:命名应具有良好的可读性,避免使用过于复杂和晦涩的命名方式。

4. BGA封装命名规则的具体内容BGA封装命名规则的具体内容如下:4.1 前缀BGA封装的命名通常以一个前缀开始,用于表示封装的类型或特性。

常见的前缀包括:•FBGA:表示普通的BGA封装。

•LBGA:表示低温BGA封装,适用于高温敏感的元器件。

•CBGA:表示高温BGA封装,适用于高温环境下的元器件。

•PBGA:表示可塑性BGA封装,适用于需要更好的抗冲击性能的元器件。

•TBGA:表示薄型BGA封装,适用于对高度有限制的应用场景。

4.2 封装尺寸BGA封装的尺寸通常以数字表示,表示封装的外部尺寸或球阵列的尺寸。

常见的尺寸表示方式包括:•Xmm x Ymm:表示封装的外部尺寸,其中X表示封装的宽度,Y表示封装的长度。

•X x Y:表示球阵列的尺寸,其中X表示球阵列的行数,Y表示球阵列的列数。

4.3 球阵列间距BGA封装的球阵列间距通常以数字表示,表示球阵列之间的间距或间隔。

常见的间距表示方式包括:•Xmil:表示球阵列之间的间距,其中X表示间距的大小,单位为mil。

qfn封装命名

qfn封装命名

QFN封装命名1. 什么是QFN封装QFN(Quad Flat No-leads)封装是一种表面贴装技术,用于集成电路的封装和连接。

它采用无引脚的设计,通过焊接连接器或直接焊接在电路板上。

QFN封装通常由一个平面底部和四个侧面组成,底部有一些导电触点,用于与电路板上的焊盘进行连接。

2. QFN封装命名规则为了方便识别和标记不同类型的集成电路,QFN封装采用了一套命名规则。

这些命名规则通常由芯片制造商制定,并在产品规格书中详细说明。

以下是常见的QFN封装命名规则:•Package Type Identifier:标识QFN封装类型的字母和数字组合。

例如,“QFN32”表示具有32个引脚的QFN封装。

•Package Outline:描述QFN封装外形的数字代码。

每个数字代表一个特定的外形或尺寸。

例如,“5x5”表示外形为5mm x 5mm。

•Pitch:指引脚间距(Pitch)的数值表示。

通常以毫米为单位。

例如,“0.5mm”表示引脚间距为0.5毫米。

•Lead Count:指封装中引脚的数量。

例如,“QFN32”表示具有32个引脚。

•Lead Material:指封装中引脚的材料。

常见的材料包括铜、镍和金。

例如,“Cu/Ni/Au”表示引脚由铜、镍和金组成。

•Lead Finish:指封装中引脚的表面处理。

常见的处理方式包括无锡、热浸锡和热浸镀金。

例如,“Matte Sn”表示引脚表面为无锡处理。

3. QFN封装命名示例以下是几个常见的QFN封装命名示例:1.QFN32-5x5-0.5mm-Cu/Ni/Au-Matte Sn这个命名表示一个具有32个引脚的QFN封装,外形为5mm x 5mm,引脚间距为0.5毫米。

该封装使用铜、镍和金制成的引脚,并在表面进行了无锡处理。

2.QFN48-7x7-0.8mm-Cu/Ni/Au-Hot Tin这个命名表示一个具有48个引脚的QFN封装,外形为7mm x 7mm,引脚间距为0.8毫米。

常用元件的封装

常用元件的封装

专题—常用元件的封装元件封装是指实际元件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置,包括了实际元件的外型尺寸、所占空间位置、各管脚之间的间距等。

与原件本身的性质,标称值无关。

因此不同的元件可以共用同一元件封装,同种元件也可以有不同的元件封装。

电阻类电阻类封装的命名规则为AXIALXX,其中数字“XX”表示两个焊盘间的距离,以inch(即kmil)为单位,例如AXIAL0.3,AXIAL0.4等。

举例:AXIAL0.3表示两个焊盘之间的距离是0.3inch=300mil=7.62mm无极性电容类封装命名规则为RADXX,其中数字“XX”的含义同电阻类,以inch为单位,例如RAD0.1,RAD0.2等。

极性电容类封装命名规则为RBXX/YY,其中数字“XX”表示焊盘的间距,“YY”表示电容圆筒的外径,以inch为单位。

一般<100uF,用RB.1/.2;100uF-470uF,用RB.2/.4;>470uF,用RB.3/.6。

例如,RB.2/.4,RB.3/.6等。

电位器封装命名规则为VRX,数字“X”表示管脚的形状。

共有VR1~VR5五种形状。

二极管类二极管的封装命名为DIODEXX,其中数字“XX”表示二极管管脚间的间距,例如DIODE0.4,DIODE0.7等。

发光二极管封装用RB.1/.2晶体管类封装命名以TO开头的,通过晶体管的外形及功率来选择封装。

大功率的晶体管,就用TO-3(大功率达林顿管);中等功率的晶体管,如果是扁平的,就用TO-220(大功率三极管),如果是金属壳的,就用TO-66;小功率的晶体管,就用TO-5,TO-18,TO-46,TO-92A等都可以。

场效应管,MOS管可以用跟晶体管一样的封装。

单列直插封装命名SIPX,其中数字“X”表示引脚的个数,从SIP2~SIP20。

焊盘间的距离是100mil。

双列直插封装命名DIPX,其中数字“X”表示引脚的个数,从DIP4~DIP64。

PCB封装库命名规则资料

PCB封装库命名规则资料

PCB封装库命名规则资料PCB封装库命名1、集成电路(直插):用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装2 、集成电路(贴片)用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mmM为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm 3、电阻3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装4、电容4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装5、二极管整流器件命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N4148 6 、晶体管命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名7、晶振HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装8、电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装9、光电器件9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如:0805D表示封装为0805的发光二极管9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管9.3 数码管使用器件自有名称命名10、接插10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针,引脚间距为两种:2mm,2.54mm如:SIP7-2.54表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针10.2DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针,引脚间距为两种:2mm,2.54mm10.3如:DIP10-2.54表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针10.4 封装库元件命名一、多引脚集成电路芯片封装SOIC、SOP、TSOP在AD7.1元器件封装库中的命名含义。

部分品牌产品的封装命名规则

部分品牌产品的封装命名规则

部分品牌产品的封装命名规则5.封装方式: A SSOP(增加外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装〔300mil〕J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70〔3脚,5脚,6脚〕K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑封双列直插 / W 晶圆6.管脚数量:A:8 J:32 K:5,68 S:4,80,B:10,64 L:40 T:6,160C:12,192 M:7,48 U:60D:14 N:18 V:8〔圆形〕,H:44 R:3,84 Z:10〔圆形〕E:16 O:42 W:10〔圆形〕I:28F:22,256 P:20 X:36,G:24 Q:2,100 Y:8〔圆形〕AD常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51.前缀:AD模拟器件,HA 混合集成A/D,HD 混合集成D/A2.器件型号3.普通说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 任务于±12V4.温度范围/功用〔按参数功用提高陈列〕:I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5.封装方式:D 陶瓷或金属密封双列直插R微型〝SQ〞封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 增加的微型封装F 陶瓷扁平封装S塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61.器件分类:ADC A/D转换器OP运算缩小器AMP设备缩小器PKD 峰值监测器BUF缓冲器PM PMI二次电源产品CMP比拟器REF 电压比拟器DAC D/A转换器RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510SMP 取样/坚持缩小器LIU串行数据列接口单元SW模拟开关MAT配对晶体管SSM声频产品MUX多路调制器TMP温度传感器2.器件型号3.老化选择4.电性等级5.封装方式:H6腿TO-78S微型封装RC20引出端无引线芯片载体J8腿TO-99T28腿陶瓷双列直插K10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P环氧树脂B双列直插V20腿陶瓷双列直插PC塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q16腿陶瓷双列直插Y14腿陶瓷双列直插R20腿陶瓷双列直插Z8腿陶瓷双列直插6.军品工艺ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61.前缀:EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2.器件型号3.封装方式:D陶瓷双列直插Q 塑料四面引线扁平封装B球阵列P塑料双列直插R功率四面引线扁平封装L塑料J形引线芯片载体 S塑料微型封装T薄型J形引线芯片载体J陶瓷J形引线芯片载体W陶瓷四面引线扁平封装4.温度范围:C℃至70℃,I-40℃至85℃,M-55℃至125℃5.腿数6.速度ATMEL产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀:ATMEL公司产品代号2.器件型号3.速度4.封装方式:A TQFP封装P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插,一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体,一次可编程5.温度范围:C 0℃至70℃,I -40℃至85℃,M -55℃至125℃6.工艺:空白规范/883Mil-Std-883, 完全契合B级B Mil-Std-883,不契合B级BB产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6 DAC 87 X XXX X /883B4 7 81.前缀:ADC A/D转换器MPY 乘法器 MFC 多功用转换器ADS 有采样/坚持的A/D转换器OPA 运算缩小器DAC D/A转换器PCM 音频和数字信号处置的A/D和D/A转换器 DIV 除法器PGA 可编程控增益缩小器VFC V/F、F/V变换器INA 仪用缩小器SHC 采样/坚持电路XTR 信号调理器ISO 隔离缩小器SDM 系统数据模块MPC 多路转换器2.器件型号3.普通说明:A 改良参数功用L 锁定Z + 12V电源任务HT 宽温度范围4.温度范围:H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5.封装方式:L 陶瓷芯片载体H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体U 微型封装P 塑封双列直插6.挑选等级:Q 高牢靠性QM 高牢靠性,军用7.输入编码:CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8.输入:V 电压输入I 电流输入CYPRESS产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61.前缀: CY Cypress公司产品,CYM 模块,VIC VME总线2.器件型号:7C128CMOS SRAM7C245 PROM 7C404FIFO7C9101微处置器3.速度: A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B塑料针阵列D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插 F 扁平封装修 X 芯片G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 P 塑料 PF 塑料扁平单列直插PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉陈列式双列直插R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封N 塑料四面引线扁平封装5.温度范围:C 民用〔0℃至70℃〕I 工业用〔-40℃至85℃〕 M 军用〔-55℃至125℃〕6.工艺: B 高牢靠性HITACHI常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41.前缀:HA 模拟电路HB 存储器模块HD 数字电路HL 光电器件〔激光二极管/LED〕HM 存储器〔RAM〕HR光电器件〔光纤〕HN 存储器〔NVM〕PF RF功率缩小器HG 公用集成电路2.器件型号3.改良类型4.封装方式:P 塑料双列PG 针阵列FP 塑料扁平封装C 陶瓷双列直插S 增加的塑料双列直插SO 微型封装CP 塑料有引线芯片载体CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体G 陶瓷熔封双列直插INTERSIL产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61.前缀: D 混合驱动器G 混合多路FETICL 线性电路ICM 钟表电路IH 混合/模拟门IM 存储器AD 模拟器件DG 模拟开关DGM 单片模拟开关ICH 混合电路MM 高压开关NE/SE SIC产品2.器件型号3.电功用选择4.温度范围: A -55℃至125℃, B -20℃至85℃, C 0℃至70℃ I -40℃至125℃,M -55℃至125℃5.封装方式:A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体K T O-3型B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插Q 2引线金属管帽C TO-220型S TO-52型J 陶瓷双列直插D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型/D 芯片H TO- 66型Z TO-92型I 16脚密封双列直插/W 大圆片6.管脚数:A 8,B 10,C 12,D 14,E 16,F 22,G 24,H 42,I 28,J 32,K 35,L 40,M 48,N 18,P 20,Q 2,R 3,S 4,T 6,U 7,V 8〔引线间距0.2"",绝缘外壳〕W 10〔引线间距0.23"",绝缘外壳〕Y 8〔引线间距0.2"",4脚接外壳〕Z 10〔引线间距0.23"",5脚接外壳〕NEC常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41.前缀2.产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路,C 双极模拟电路D 单极型数字电路3.器件型号:4.封装方式:A 金属壳相似TO-5型封装J 塑封相似TO-92型B 陶瓷扁平封装M 芯片载体C 塑封双列V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列L 塑料芯片载体G 塑封扁平K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号〔类型〕:C CMOS电路CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率维护 F 快闪可编程存储器AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压HC 高速CMOS FR FLEX ROM3.改良类型或选择4.速度标示:-55 55ns,-70 70ns,-90 90ns,-10 100ns,-12 120ns -15 150ns,-17 170ns,-20 200ns,-25 250ns,-30 300ns晶体标示:LP 小功率晶体,RC 电阻电容,XT 规范晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示:-20 2MHZ,-04 4MHZ,-10 10MHZ,-16 16MHZ-20 20MHZ,-25 25MHZ,-33 33MHZ5.温度范围:空白0℃至70℃,I -45℃至85℃, E -40℃至125℃6.封装方式:L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口SM 8腿微型封装-207milP 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150mil SN 8腿微型封装-150 milJN 陶瓷熔封双列直插,无窗口VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型增加的微型封装-4.4mmSP 横向增加型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线,带窗口SS 增加型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51.产品系列:74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXXM74HC 高速CMOS2.序列号3.速度4.封装:BIR,BEY 陶瓷双列直插M,MIR 塑料微型封装5.温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71.系列:ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2.技术:空白…NMOS C…CMOS L…小功率3.序列号4.封装: C 陶瓷双列J 陶瓷双列N 塑料双列Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5.速度6.温度:空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃M -55℃~125℃7.质量等级:空白规范B/B MIL-STD-883B B级存储器编号〔U.V EPROM和一次可编程OTP〕M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81.系列:27…EPROM 87…EPROM锁存2.类型:空白…NMOS,C…CMOS,V…小功率3.容量:64…64K位〔X8〕256…256K位〔X8〕512…512K位〔X8〕1001…1M位〔X8〕101…1M位〔X8〕低电压1024…1M位〔X8〕2001…2M位〔X8〕201…2M位〔X8〕低电压4001…4M位〔X8〕401…4M位〔X8〕低电压4002…4M位〔X16〕801…4M位〔X8〕161…16M位〔X8/16〕可选择160…16M位〔X8/16〕4 改良等级5.电压范围:空白5V +10%Vcc,X 5V +10%Vcc6.速度:55 55n,60 60ns,70 70ns,80 80ns90 90ns,100/10 100 n120/12 120 ns,150/15 150 ns200/20 200 ns,250/25 250 ns7.封装:F 陶瓷双列直插〔窗口〕L 无引线芯片载体〔窗口〕B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体〔规范〕M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体〔低电压〕8.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101.电源2.类型: F 5V +10%,V 3.3V +0.3V3.容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M,8M,16 16M4.擦除:0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块4 扇区5.结构:0 ×8/×16可选择, 1 仅×8, 2 仅×166.改型:空白A7.Vcc:空白5V+10%Vcc X +5%Vcc8.速度:60 60ns,70 70ns,80 80ns,90 90ns100 100ns,120 120ns,150 150ns,200 200ns 9.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装,双列直插C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插10.温度:1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71.器件系列:29 快闪2.类型: F 5V单电源V 3.3单电源3.容量:100T 〔128K×8.64K×16〕顶部块,100B 〔128K×8.64K×16〕底部块200T 〔256K×8.64K×16〕顶部块,200B 〔256K×8.64K×16〕底部块400T 〔512K×8.64K×16〕顶部块,400B 〔512K×8.64K×16〕底部块040 〔12K×8〕扇区,080 〔1M×8〕扇区016 〔2M×8〕扇区4.Vcc:空白5V+10%Vcc,X +5%Vcc5.速度:60 60ns,70 70ns,80 80ns 90 90ns,120 120ns 6.封装:M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插 7.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61.器件系列:24 12C ,25 12C〔低电压〕,93 微导线95 SPI总线28 EEPROM2.类型/工艺:C CMOS〔EEPROM〕 E 扩展I C总线W 写维护士 CS 写维护〔微导线〕P SPI总线 LV 低电压〔EEPROM〕3.容量:01 1K,02 2K,04 4K,08 8K16 16K,32 32K,64 64K4.改型:空白A、B、C、D5.封装: B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6.温度: 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61.前缀2.系列:62 普通ST6系列63 公用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 公用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3.版本:空白ROM T OTP〔PROM〕R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4.序列号5.封装:B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插S 陶瓷微型封装F 熔封双列直插M 塑料微型封装CJ 塑料有引线芯片载体载K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体R 陶瓷什阵列QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列T 薄型四面引线扁平封装6.温度范围: 1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业) ,61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 61 2 7 3 4串行快闪X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81.前缀2.器件型号3.封装方式:D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插R 陶瓷微型封装E 无引线芯片载体S 微型封装T 薄型微型封装F 扁平封装V 薄型增加型微型封装Y 新型卡式J 塑料有引线芯片载体X 模块M 公制微型封装K 针振列L薄型四面引线扁平封装4.温度范围:空白规范, B B级〔MIL-STD-883〕,E -20℃至85℃I -40℃至85℃, M -55℃至125℃ 5.工艺等级:空白规范,6.存取时间〔仅限EEPROM和NOVRAM〕:20 200NS, 25 250NS, 空白300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制〔仅限串行EEPROM〕:空白4.5V至5.5V,-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V,-1.8 1.8V至5.5V7.端到末端电阻:Z 1KΩ,Y 2KΩ,W 10KΩ,U 50KΩ,T 100KΩ8.Vcc限制:空白1.8V至3.6V,-5 4.5V至5.5VZILOG产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71.前缀2.器件型号3.速度:空白2.5MHz, A 4.0MHz, B 6.0MHzH 8.0MHz,L 低功耗的,直接用数字标示4.封装方式:A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷,带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 增加型微型封装S 微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插,带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列V 塑料有引线芯片载体5.温度范围:E -40℃至100℃,M -55℃至125℃,S 0℃至70 ℃6.环境实验进程:A 应力密封,B 军品级,C 塑料规范,D 应力塑料,E 密封规范。

pads封装命名规则

pads封装命名规则

pads封装命名规则
PADS封装的命名规则主要包括以下几点:
1. 封装名称应该简短明了,易于理解和记忆,最好在2~4个英文字符之间。

2. 封装名称应该与实际焊盘、导线等元件的尺寸、形状、电气特性等相对应,能够客观地反映元件的外形特征。

3. 封装名称应该避免使用不常见的、容易混淆的字母或数字组合,以免造成误解或混淆。

4. 对于常用的封装类型,应该采用通用的封装名称,以便于交流和共享。

5. 在使用PADS软件进行封装设计时,应该根据软件提供的规范和标准进行命名,以保证封装的正确性和可移植性。

需要注意的是,PADS软件的版本不同,封装命名的具体规则和标准也会有所不同。

因此,在实际操作中,需要参考当前版本的PADS软件的相关文档和教程,以确保正确的封装命名。

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封装命名规则华立仪表集团股份有限公司企业标准受控号:版本号:A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则2014-12- 发布 2014-01-01实施华立仪表集团股份有限公司发布前言本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范。

本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发提出本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发起草并负责解释。

1范围本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规范5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点:原理图电气图形符号命名规则:1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。

1.1字母与元器件大类规则相对应,见表11.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义,图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列,图形符号多的按器件型号来命名。

同时为了便于查找,对于常用器件可在后缀后的括号内,对一些物料进行备注说明。

表1 器件大类与编码对照表类别编码类别编码类别编码电阻器R 晶振G 导线组件X电容 C 光耦 E 变压器T电感L 开关K 互感器H二极管和三极D 电池(组件) B 稳压器、桥堆V管继电器(组件)、J集成块U 液晶Y计度器光电晶体管Q 背光组件P 接插件S蜂鸣器 F 滤波谐振器Z 其它 A其它变压器TT以下命名规则中的n和xxx 个数不同,在本标准中不代表具体的位数,只是起图示说明的作用。

(XXX)内的不是所有有备注,无备注可不写。

电阻器命名规则R -n (xxx)器件大类备注序列号R—1 第一个电阻原理图符号R—2(MY)第二个电阻原理图符号,并说明是个压敏电阻符号R—3(MZ)第三个电阻原理图符号,并说明是个热敏电阻符号R—4(ADJ)第四个电阻原理图符号,并且是个可调电阻符号电容器命名规则C -n (xxx)器件大类备注序列号C—1 第一个电容原理图符号C—2(+)第二个电容原理图符号,并说明是有极性电容符号电感命名规则L -x D n (xxx)器件大类备注引脚数序列号L—2D1 引脚数为2的第一个电感原理图符号二极管与三极管命名规则D -x D n (xxx)器件大类备注引脚数序列号D—2D1 引脚数为2的第一个二三极管原理图符号D—2D2(Zener)引脚数为2的第二个二三极管原理图符号,并说明是个稳压管D—3D1 (PNP) 引脚数为3的第一个二三极管原理图符号,并说明是个PNP三极管集成块命名规则U -nnnnnn (xx)器件大类备注引脚数器件型号U—ADE7755(24)U—CS5460A (24)光电晶体管命名规则Q -n (xxx)序列号Q—1(LED)蜂鸣器命名规则F -n (xxx)器件大类备注序列号F—1晶振、晶体命名规则G -n (xxx)器件大类备注序列号G—1(2PIN)第一个晶体晶振原理图符号,并且说明是2脚晶体G—2(3PIN)第二个晶体晶振原理图符号,并且说明是3脚晶体光耦命名规则E -n (xxx)器件大类备注序列号E—1 常用光耦开关命名规则k -n (xxx)序列号K—1 轻触开关电池及电池组件命名规则B -n (xxx)器件大类备注序列号B—1 单电池液晶命名规则Y -nnnnnn (xxxx)器件大类备注器件型号Y—YD08 液晶名为YD08的原理图符号背光命名规则P -nnnnnn (xxx×xxx)器件大类备注背光长宽尺寸序列号P—1滤波谐振器命名规则Z -n (xxx)器件大类备注序列号Z—1()可备注器件型号工频变压器命名规则T -x D n (xxx)器件大类备注图号的后3位或功率,功率优先引脚数序列号T—6D1 引脚数为6序列号为1的变压器其它变压器命名规则TT -x D n (xxx)器件大类备注骨架或型号引脚数序列号TT—6D1 引脚数为6第一个变压器原理图符号稳压器、桥堆命名规则V -n (xxx)器件大类备注序列号V-1继电器命名规则J -n (xxx)器件大类备注(可备注器件型号)序列号J—1接插件命名规则S -xx×xx D n (xxx)器件大类备注脚距或其它引脚数序列号S—2×2(引脚数)D1(序列号)表示2×2的第一个原理图符号S—2×2D2 表示2×2的第二个原理图符号其它器件命名规则A -nnnnnnnnn (xxx)器件大类备注器件型号对于符号名称无法表达清楚,或想更明确器件的特征,可在元器件符号库中的Description中作具体的描述。

2、原理图电气图形符号制作注意点:2.1 Default Designator这里设置使用该符号器件的位号,填入内容以前导+?的方式,如图示 B?,这样在AD中就能批量自动设置位号2.2 Default Comment这里填写 =Value ,同时勾选Visble,工程师使用的时候能够自动从PLM系统中抓取型号填入该字段并显示在原理图上(PLM系统中的型号由物料录入人员在录入物料的同时录入)2.3 Parameters请清空该处的内容,以免空白内容对系统造成干扰2.4 Models请清空该处的内容,以免原来符号自带的垃圾数据对工程师选择封装的造成干扰2.5 Symbol Reference下图中填写内容时,请勿使用中文字符PCB封装命名规则:贴片PCB封装命名规则原则上为器件大类符号+“-”+器件类别名称+器件规格书提供的封装名。

有需要作特殊说明的也可以在后括号中加以说明U -贴片集成块xxxx (XXX)器件大类编码器件类别封装名如QFN32(5×5)目前贴片电感由于形式多样化且没有统一的封装名命,按下面方式进行命名 L 贴片电感 - xxxx xxxx ×xxxx (xxxx )备注 器件大类封装外形尺寸(L×W )L 贴片电感焊盘中心间距。

备注内容可为常用电感型号 分立元器件命名规则按类别命名电阻类R 电阻卧 - xxxx × xxxx (xxxx )备注 常用电阻功率器件大类直径器件引脚间距电阻立装命名为:R 电阻立-D3 其中D3表示直径为3mm 。

备注内容可为常用电阻功率对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名敏感电阻L 为X 轴方向尺寸 W 为Y 轴方向尺寸R 热敏电阻 - xxxx xxxx ×xxxx (xxxx )备注封装外形尺寸(L×W )R 压敏电阻器件引脚间距备注内容可为元器件型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名电容类C 电容 - xxxx xxxx ×xxxx (xxxx )备注 器件大类封装外形尺寸(L×W ) C 电解电容C 电容 器件引脚间距C 电容卧电解电容的外形尺寸用器件直径和高度表示。

备注内容可为元器件型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名二三极管类D 二极管卧 - xxxx (xxxx )器件大类备注L 为X 轴方向尺寸 W 为Y 轴方向尺寸 L 为X 轴方向尺寸W 为Y 轴方向尺寸D二极管立D三极管规格书封装名D瞬变二极管卧D可控硅二三极管种类较多,根据不同的封装表现形式可以分多种器件大类。

备注内容可为元器件型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名电感色环电感L色环电感卧-xxxx(xxxx)(XXX)备注器件大类直径器件引脚间距色环电感立装命名为:R色环电感立-D3 其中D3表示直径为3mm。

备注内容可为元器件型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名工字电感L工字电感-xxxx ×xxxx(xxxx)备注器件大类直径器件引脚间距备注内容可为元器件型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名光电晶体管Q发光二极管-xxxx (xxxx)器件大类备注(器件直径)Q红外发射管Q红外接收管引脚间距Q光敏发光管备注内容可为器件直径或是型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名晶振G晶振-xxxx (xxxx)器件大类备注引脚数对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名背光及背光组件P背光-xxxx (xxxx)器件大类备注P背光组件规格型号备注内容可为器件图号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名液晶Y液晶-xxxx (xxxx)器件大类备注图号Y液晶组件型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名针座S插座-xxxx×xxxx(xxxx)器件大类备注写明孔距S插针排数×每排数量对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名导线组件X导线组件-xxxx(xxxx)器件大类备注导线头型号备注内容可为器件孔间距对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名变压器T变压器-xxxx(xxxx)器件大类备注变压器型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名备注内容可为器件图号其它变压器TT高频变压器-xxxx(xxxx)器件大类备注TT耦合变压器TT脉冲变压器型号对于无法按上述命名的可直接在器件大类后加器件型号命名备注内容可为器件型号滤波谐振器Z滤波器-xxxx(xxxx)器件大类备注Z鉴频器型号辅助封装在字符FZ后直接加封装名称即可。

所有器件封装命名中的备注内容可根据实际情况要求填写,只要能清楚说明封装特性就可。

对于元器件有特殊需说明的,但在封装命名中无法体现的可在描述中说明。

原理图与PCB引脚对应关系全部用阿拉伯数字来表示制作分立元件封装时须考虑是否有立式或卧式并在器件大类中说明卧装器件成形时需注意引脚线打弯处离本体2mm以上,否则成形时容易损伤本体(可画图指意)对某些预留器件,在原理图与PCB板中需体现,但不需体现在BOM中的物料可在原理图的Description中标明“withoutBOM”即可,注意大小写一定要一致。

原理图符号名中用到的“-”都用数学运算符“减号”。

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