集成电路版图基础知识练习

一、填空1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。

（-a）2.进入当前目录的父目录的命令为 (%cd ..)3.查看当前工作目录的命令为：（%pwd）4.目录/home//uuu已建立，当前工作目录为/home/，采用绝对路径进入/home//uuu的命令为：（%cd /home//uuu）5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter会产生什么结果：（对所有的用户增加读写权限。

）6.显示当前时间的命令为：（%date）7.打开系统管理窗口的命令为：（%admintool）8.与IP地址为166.111.4.80的主机建立FTP连接的命令为：（%ftp166.111.4.80 or %ftp %open 166.111.4.80）9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get）10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput）11.有一种称为0.13um 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有_____层，其电路类型为_______。

0.13um 7 CMOS12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序：a.生成多晶硅b.确定井的位置和大小c.定义扩散区，生成源漏区d.确定有源区的位置和大小e.确定过孔位置正确的顺序为：___ _________________。

bdace13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。

井电阻，扩散电阻，多晶电阻14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。

若该Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal.15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为___________________________________。

报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工作。

16.版图验证主要包括三方面：________，__________，__________; 完成该功能的Cadence工具主要有（列举出两个）：_________，_________。

DRC, LVS, ERC, Diva,Dracula17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个是__________;后者又可以进一步细分为两个方面：_______________，_____________。

片上环境波动，温度波动，电压波动。

18.DRC包括几种常见的类型，如最大面积（Maximum Dimension），最小延伸（MinimumExtension），此外还有_________，_________，_________。

最小间距，最小宽度，最小包围（Minimum Enclosure）。

19.减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。

插入二极管，插入缓冲器，Jumper (或者，通过不同的金属层绕线)。

20.由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF, DEF等，业界公认的Tape out的文件格式为 _______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是______（文件类型）。

GDSII ， 流文件。

21. 根据的.诺依曼的“101页报告”，计算机的五大部件是：输入装置、_________、_________、_________、输出装置。

逻辑部件、运算部件、存储器22. 流水线中可能存在三种冲突，它们是：_________、_________、_________，从而造成流水线停顿，使流水线无法达到最高性能。

资源冲突、数据冲突、控制冲突23. 写出JK 触发器的特性方程：__________________。

（ ）24. 随着1000M 网卡等高速设备的出现，传统的PCI 总线无法满足PC 系统的数据传输需求，INTEL 于2001年提出了第三代局部总线技术_________。

3GIO 或 PCIExpress25. AMBA 是为了设计高性能的嵌入式微控制器系统而推出的片上通信标准，它包括ASB 、_________、_________等三套总线。

AHB 、APB26. SoC 的设计基于IP Core 的复用，IP Core 包括三种：_________、_________、_________。

软核、固核、硬核27. RISC CPU 的三大特点是：_________、_________、_________。

ALU 的数据源自Register 、只用LD/ST 指令可以访问MEMORY 、指令定长28. ARM 处理器包含两种指令集：_________、_________。

Arm 指令、thumb 指令29. MCS80C51是CISC CPU ，属于哈佛结构，arm 属于_________CPU 。

RISC30. Arm7TDMI 中，T 代表_________、D 代表_________、M 代表_________、I 代表_________。

Thumbm 、debug 、multiplier 、ise31. 固体分为 晶体 和 非晶体 两大类。

32. 半导体材料中锗和硅属于 金刚石 结构，砷化镓属于 闪锌矿 结构。

33. 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n 型半导体。

受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的p 型半导体。

34. 晶体中电子的能量状态是量子化的。

电子在各状态上的分布遵守费米分布规律。

35. 电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运动方向。

半导体中的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射。

36. pn 结有电容效应，分为势垒电容和扩散电容。

37. 在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB 结 正向偏置，CB 结反向偏置。

38. CMOS 的英文全称是 Complementary Metal Oxide Semiconductor 。

39. MOS 场效应晶体管分为四种基本类型：N 沟增强型、N 沟耗尽型、P 沟增强型、P 沟耗尽型。

40. 衬底偏置电压会影响MOS 器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS 器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为体效应。

41. 用Cadence 软件设计集成电路版图的输出数据的格式是（GDSII 格式）。

42. 在nwell 上画pmos 器件时需要在nwell 上加（n+接触孔），并用金属线把这个（n+接触孔）与nwell 的（最高）电位相连接。

43. 在P 型衬底上画nmos 器件时需要在P 型衬底上加（p+接触孔），并用金属线把这个（p+接触孔）与P 型衬底的（最低）电位相连接。

44. 建立一个新的layout library 时需要(Compile a new techfile )，或者(Attachedto an existing techfile ), 或（Don ’t need a techfile ）。

45. 在layout 编辑命令中，Hierachy 命令一栏下，有两个相反的操作命令他们分别是 make cell 和（ flatten ）。

nn n Q K Q J Q +=+146.用DRACULA 做layout 的LVS检查时，首先要把schematic转成CDL 的netlist, 并对这个netlist做（LOGLVS）。

47.用DRACULA做layout 的DRC检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行( jxrun.)文件。

48.用DRACULA做layout 的LVS检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行( jxrun.)文件。

49.用DRACULA 做layout 的DRC检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在后缀名为（sum）的文件里看到ERRORS WINDOW SIZE 是（0）。

50.用DRACULA 做layout 的LVS检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在名为（lvspr.lvs）的文件里看到unmatching devices 是（0），以及没有（size error）的描述。

51.集成电路产业包括：IC设计、IC制造、IC封装、IC测试。

52.现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由PMOS和NMOS组成。

53.PMOS是在N阱上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

54.对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（局部场氧隔离）或STI（浅沟道隔离）。

55.集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。

56.集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、离子注入、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

57.集成电路制造中最为重要的工序是光刻。

58.现在，主流的掺杂技术是离子注入。

59.光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光。

60.集成电路金属薄膜的沉积通常采用溅射物理气相沉积。

二、判断1.标准Solaris操作系统中，普通用户只能在自己的宿主目录下创建新的目录。

√2.Solaris是SUN公司推出的在工作站上运行的操作系统。

√3.Solaris系统只支持单用户。

×4.Solaris是多进程、多任务的分时操作系统。

√5.%ls –l 命令是连续列出文件的名称。

×6.%echo 命令是将用户在该命令之后放置的任何命令行复制到屏幕上。

√7.%id 是显示用户正在使用的计算机名称。

×hostname8.FTP是本地或者远程主机之间传输文件的工具。

√9.vi是文本编辑器。

√10.vi命令方式下，字母I是打开新行命令。

×11.过孔上往往有较大的寄生电阻，因此为了减少因此产生的IR Drop，单个过孔的面积应该尽可能的大。

×12.Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。

×13.对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。

×14.尽管版图中各个层次大致对应于相应的工艺步骤，但划版图时，各个层次划的先后顺序是无关紧要的，它不会影响芯片最后的制造。

√15.在采用标准单元镜像的布图中，绕线是通过绕线通道（Routing Channel）进行的。