捷佳伟创晶体硅电池高温扩散炉的培训资料全
硅芯炉培训教材
运动控制
• 2、可编程控制器（PLC）
• 可编程控制器是运动控制系统的核心，是设备的大脑。处 理设备的逻辑动作关系，采集传感器信号，并作出正确的 判断，通过正确的计算获得设备运行的状况，并显示在 HMI上。 • 硅芯炉使用的PLC为西门子公司生产的S7-200中最高档的 226系列，拥有强大的处理能力，为设备的稳定运行提供 保障。
公用事项要求
• 1、供电
• 设备供电电源为380V±10% 50Hz，三相五线制，即U、V、 W三相，零线N，和地线PE。设备必需良好接地，保护地电 阻不大于4。
• 2、冷却水
• 因为硅芯炉，磷硼检炉设备是在高电压状态运行，其冷却 用水必需为高电阻的纯净水，一般要求其电阻率应不小于 4000 /CM。如果冷却水电阻太小，会造成设备绝缘强 度减弱，漏电增加， 设备整体效率减低。
机械部分
• （重点介绍与硅芯拉制直接相关的内容）
• 1、上轴快慢速传动：
• 上轴传动采用软轴提拉方式，有电机、减速机、电磁离合 器、卷轴、钢丝软轴、机械手、籽晶夹头等组成；
• 2、下轴快慢速传动：
• 下轴传动采用丝杆方式，有电机、减速机、电磁离合器、 丝杆、下轴滑动块、下轴支撑杆等组成；
• 3、下轴旋转传动：
运动控制
• 三、运动控制主要部件介绍
• 1、触摸屏（HMI）
• HMI是Humen Machine Interface的简称，用做人机交互 的界面。操作人员可通过此界面对设备进行控制，并可从 界面获得设备运行的实时信息。 • 硅芯炉，磷硼检炉使用的HMI是海泰克品牌的触摸屏，为 我国台湾生产。此屏专为工业使用设计，有较强的抗干扰 能力，在国内有广泛的应用。
运动控制
• 3、伺服驱动系统（SERVO）
扩散炉2011
1
炉口废气 处理及电 池片除尘、 快速冷却
具备独特的炉口废气处理 技术，同时拥有有效的电 池片进炉前吹扫除粒子、 出炉快速处理技术特点
具备一定的电池片快 速冷却
无同类技术
无同类技术
2
温度控制
5点高精度智能温控仪进 行串级温度控制，1100mm 行串级温度控制，1100mm 恒温区，适时恒温区( 恒温区，适时恒温区(可 选） 每管5段控温的Profiling 每管5段控温的Profiling T/C（内置） T/C（内置） (可选）
设备外形(4管扩散炉） 管扩散炉
高温扩散炉
Shenzhen S.C Exact Equipment Co., Ltd
国产扩散炉在光伏行业应用广泛
设备优势
国产扩散炉与国外扩散炉的差距，无技术瓶颈 专门从事扩散、刻蚀、减反射膜生长、烧结设备研制 技术专家：原来从事半导体设备研制，后在大线上工作对设备、工艺 的双重了解 市场反应：等离子刻蚀机50%的市场 市场反应：等离子刻蚀机50%的市场 高温扩散炉：发展迅速
5点高精度温控板进 行串级温度控制， 1100mm恒温区，适时 1100mm恒温区，适时 恒温区 5段控温的Profiling 段控温的Profiling T/C（内置） T/C（内置）
普通5 普通5点外热偶控制
普通3点或5 普通3点或5点 外热偶控制
3
电池片全工序基础工艺培训资料
电池片全工序基础工艺培训资料一、引言电池片是太阳能光伏发电系统的核心组件之一，其质量直接影响着光伏发电系统的性能和效益。
为了提高电池片的生产质量和工艺水平，本培训资料旨在介绍电池片全工序基础工艺，包括材料准备、切割、清洗、扩散、沉积、腐蚀、电极印刷、烧结、检测等环节。
二、材料准备1. 硅片选择：硅片是制造电池片的基础材料，应选择高纯度、低杂质的硅片。
2. 硅片切割：使用切割机将硅片切割成适当大小的方片，以适应后续工艺的要求。
3. 硅片清洗：将切割好的硅片放入清洗槽中，使用超纯水和清洗剂进行清洗，去除表面污染物。
三、扩散工艺1. 扩散介质制备：将扩散介质溶解在适当的溶剂中，制备成扩散浆料。
2. 扩散工艺参数设定：根据硅片的要求和产品规格，设定合适的扩散工艺参数，如温度、时间、浓度等。
3. 扩散过程控制：将硅片放入扩散炉中，控制好温度和时间，使扩散介质中的掺杂元素能够渗透到硅片中。
四、沉积工艺1. 沉积介质制备：将沉积介质溶解在适当的溶剂中，制备成沉积浆料。
2. 沉积工艺参数设定：根据电池片的要求和产品规格，设定合适的沉积工艺参数，如温度、时间、浓度等。
3. 沉积过程控制：将硅片放入沉积槽中，控制好温度和时间，使沉积介质中的材料能够均匀地覆盖在硅片表面。
五、腐蚀工艺1. 腐蚀介质制备：将腐蚀介质溶解在适当的溶剂中，制备成腐蚀浆料。
2. 腐蚀工艺参数设定：根据电池片的要求和产品规格，设定合适的腐蚀工艺参数，如温度、时间、浓度等。
3. 腐蚀过程控制：将硅片放入腐蚀槽中，控制好温度和时间，使腐蚀介质能够去除硅片表面的不需要部分。
六、电极印刷工艺1. 电极浆料制备：将电极浆料中的材料粉末与适当的溶剂混合，制备成电极浆料。
2. 电极印刷工艺参数设定：根据电池片的要求和产品规格，设定合适的电极印刷工艺参数，如压力、速度、温度等。
3. 电极印刷过程控制：将电极浆料均匀地印刷在硅片表面，控制好印刷的厚度和均匀性。
七、烧结工艺1. 烧结装置准备：将印刷好电极的硅片放入烧结装置中，设定合适的温度和时间。
捷佳创DS-300A扩散炉左手
Shenzhen S.C Exact Equipment Co.,Ltd
DS-300A 扩散炉 使用说明书
用户名称：泰州德通电气有限公司
市
捷
佳
伟
深
圳
地址：广东省深圳市宝安区沙井镇蚝四林坡坑工业区（南安科技园）A4 栋 电话：0755－81449726 传真：0755－81449925 邮编：518104 Http： E-mail：weichuang@
司 （
技
公
有
限
石英 石英
电 子
PC31.8-15C PC31.8-16A PC31.8-17A PC31.8-19A PC31.8-22C PC31.8-23A PC31.8-27A PC31.8-30A PC31.8-31A PC31.8-46 PC31.8-48A
设
PC31.8-14B
备
GE214 GE214 石英 GE214 石英 石英 石英 石英 石英 石英 石英 石英
司 （
9、电控转接板接线图
电 子
8、PLC 与继电器接线图
设
备
7、PLC I/O 表电控部分转接板线图
有
6、电控转接板接线图
限
公
技
10、炉门电磁阀与检测开关接线图
微
12、温控表接线图
佳
伟
11、驱动器与行程/光电开关接线图
创
14、元器件接地线图
圳
市
13、工控机接线图
捷
DS-300A 扩散炉技术手册
深
服务热线：0755-81449726
DS-300A 扩散炉技术手册
创
微
深圳市捷佳伟创微电子设备有限公司
捷佳伟创晶体硅电池高温扩散炉的培训资料 ppt课件
制作单位：深圳捷佳伟创集团公司
日期；二零一一年四月二十五日
ppt课件
1
目录
1设备介绍
2设备结构
3工艺控制
4人员操作
5设备的保养
ppt课件
2
设备介绍
1设备用途
2产品特点
3主要技术指标
4技术特点
ppt课件
3
设备用途
晶体硅太阳能电池制造中硅片的扩散掺杂
通过扩散所形成的PN结，就是晶体硅太阳 能电池的核心
太阳光照到PN结上，产生电子的定向移动， 产生电流
ppt课件
4
产品特点
串级温度控制精度高，恒温区稳定、真实 工艺舟软着陆 闭管扩散 工艺气体流量精确 性价比高 具备手动/自动功能
ppt课件
5
主要技术指标
1 电阻率误差范围：±5 o hms/sq
净化系统
限位p保pt课护件开关
SIC 桨
17
推舟净化部分
精密直线导轨副配合精密丝杆副传动 步进电机及数字通讯驱动器作驱动 计算机通过通讯方式给驱动器发出控制信号 可精确控制步进电机256细分，达到稳定可靠转
速
推舟的速度在20～ 1000mm/min内无级变化 工艺反应过程中，悬臂桨外置，实现真正的闭管
B．最大降温速率：
C．RT→1100℃≤90min
6 具有自动斜率升温及恒温功能。
7 设置有超温、断偶、断点启动等自动保护系统
8 送舟方式：采用SiC悬臂桨自动送片机构，舟速20～1000mm/min连续可调，可选自 动装卸舟
9 配备快速冷却系统
10 工艺方式：软着陆＋闭管扩散（最大装片量400片/批）
PECVD(捷家伟创)工艺培训
PECVD （捷家伟创）工艺培训一、PECVD 工序的原理及作用PECVD （Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition ），即等离子体增强化学气相沉积。
PECVD 是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
本工序的主要作用是在硅片表面（扩散面）沉积一层深蓝色的SiNx 膜（如图1所示）。
而这层SiNx 膜的作用是： • a ）减少电池表面光的反射；• b ）进行表面及体钝化，减少电池的反向漏电流；c ）具有良好的抗氧化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、阻挡金属和水蒸汽扩散的能力，它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外，其它酸与它基本不起作用， 可以有效的延长电池片的使用寿命。
PECVD 镀膜前 PECVD 镀膜后 图1捷佳伟创的镀膜原理与CT 相同，为直接式PECVD ，其原理为将基片置于电极上，直接接触等离子体（低频放电10-500kHz 或高频13.56MHz ），工艺腔中的NH 3和SiH 4分子在高频微波源的作用下热运动加剧，相互间碰撞使其分子电离，这些离子反应生成SiNx 。
+---+++→H SiH Si S SiH ℃6H iH 332233504等离子体+--++→H N N NH ℃3H H 2223503等离子体• 总反应式：↑+→+24335034H 12N i 43S NH SiH ℃等离子体在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。
从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度，所以前者在一定程度上抵消了后者。
即n 1d 1=λ/4 。
空气或玻璃 n 0=1 or 1.5SiN 减反膜的最佳折射率n 1为 1.9或2.3硅 n 2=3.87 图2太阳能电池所能吸收的光的波长范围是300~1100nm ，从图3看出经PECVD 镀膜后，在太阳能电池的有效波长范围内，电池表面的反射率明显下降。
电池设备培训教材
各段工序介绍—湿法刻蚀 什么是PSG
PSG即磷硅玻璃
在扩散过程中发生如下反应：
4POCl3 5O2 2PO 2 5 6Cl2
POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反
应生成SiO2和磷原子：
2 5
2P O 5Si 5SiO 4P
2
这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之
各段工序介绍—制绒
安全事项
KOH、HCl、HF、HNO3都是强腐蚀性的化学药品，其 固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、 呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、 防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。一旦有化学 试剂伤害了员工的身体，马上用纯水冲洗30分钟， 送医院就医。
各段工序介绍—扩散 扩散目的
会出现无法有效进入刀口的现象，如润滑剂过 稀则冷却效果不好。这些润滑剂在高温下有可
能碳化粘附在硅片表面。
各段工序介绍—制绒
硅片表面的机械损伤层
（一）硅锭的铸造过程
单 晶 硅
多 晶 硅
各段工序介绍—制绒
硅片表面的机械损伤层
（二）多线切割
各段工序介绍—制绒
硅片表面的机械损伤层
（三）机械损伤层
硅片
机械损伤层（10微米）
600C 5POCl 3PCl P O
3 5 2 5
生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子， 其反应式如下：
2P O 5Si 5SiO 4P
2 5 2
各段工序介绍—扩散 PN结工作演示
光子
硅片横 电子—空穴对 截面
当P-N结受光照时，样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产 生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少 电子 数载流子。因P区产生的光生空穴，N区产生的光生电子属多子， 最外层电子（共有电子） 光子射入 吸收光子能量受激发，发 都被势垒阻挡而不能过结。只有 P区的光生电子和N区的光生空 生跃迁，形成自由电子 半导体 穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电 场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区， 即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电 N型 子积累，在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平 E 衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。 P型 此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，P端正，N端负。 于是有结电流由P区流向N区，其方向与光电流相反。
硅太阳能电池扩散工序相关知识概述
1.目录
目录 半导体 PN结扩 散 电池效率的损失 扩散与栅线设计 扩散与烧结
2.半导体
2.1 本征半导体
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
本征半导体：完全纯净的、结构完整、不含缺陷的半导体晶体。
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
束缚电子
在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中 ，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘 体。
5.2.3温度效应 对半导体而言， 禁带宽度的温度 系数一般为负。 随着温度上升， 带隙变窄，增强 电池对光的吸收 而使Isc略微上升； 但带隙变窄会增 大反向饱和电流， 而使Voc下降， FF也下降。
5.电池效率的损失
5.2 电池效率的损失 5.2.4串并联电阻 串联电阻主要来源于半导体材料的体电阻、电极电阻、载 流子在顶部扩散层的运输，以及金属和半导体材料之间的 接触电阻。 并联电阻主要由复合及漏电造成的。
V=(koT/q)ln[(IL-I)/IS+1]
3.PN结
3.5 制备方法
合金结：熔化合金→ 再结晶（杂质分凝）→ 形成p-n结。 生长结： 拉制单晶；CVD；MBE。生长晶体时改变掺杂型号. 扩散或离子注入结：在衬底中掺入反型杂质（杂质补偿）。 高温扩散的概念：扩散机理有替位式扩散（例如硼、磷等在Si中的 扩散）和间隙式扩散（如金在Si中的扩散）。杂质替位式扩散的速 度慢，扩散温度高（800 oC~1200 oC），间隙式扩散的速度很快
的电子所具有的能量范围。 费米能级：该能级上的一个状态被电子占据的几率为1/2，
捷佳伟创晶体硅电池高温扩散炉的培训资料(业界研究)
▪ 太阳光照到PN结上，产生电子的定向移动， 产生电流
技术研究
4
产品特点
串级温度控制精度高，恒温区稳定、真实 工艺舟软着陆 闭管扩散 工艺气体流量精确 性价比高 具备手动/自动功能
技术研究
5
主要技术指标
▪ 1 电阻率误差范围：±5 o hms/sq
10.936
10.932 10.932
10.932
中(偏差6µV）
靠炉口(偏差4µV）
技术研究
21
炉门
设备中炉门对于 工艺的影响是比较的， 如果接近炉口的方阻 大量出现偏高，且片 内的方阻出现上下分 层现象，都是炉门没 关紧引起的
自 ▪ 诊断功能。 ▪ ⑹能存储200条以上工艺曲线。 ▪ (7)全中文图示，直观、易懂、方便
技术研究
16
推舟净化部分
推舟净化柜的顶部装有照明灯，正面是水平层流的高效 过滤器及推舟的丝杠、导轨副传动系统，SiC悬臂桨座，丝 杠的前端安装有驱动步进电机，导轨下端按有限位开关。
上 下 马 达
平移马达
净化系统
▪ 2） 炉体
▪
优良热场设计，既有良好的热场均匀性，又能保证
▪ 升、降温的速度。
▪ 3） 炉丝
▪
进口一级康泰尔丝，保证长寿命
技术研究
20
炉体加热部分
10.930
10.937
10.930 10.935
10.935
靠炉尾(偏差7µV）
10.939
10.940
c10.934
10.939
10.934
10.933
限位技保术护研开究 关
SIC 桨
(整理)微波炉维修培训资料
微波炉维修培训资料一、故障分类：1、机械故障2、电气故障3、软件故障4、操作不当5、外观问题以上故障当中以电气件故障最为常见，操作不当或不会操作在报修中也占相当大比重，机械故障和外观问题一般出现在新买的机器和使用年限较长的机器当中在维修比例当中相对不多。
二、故障判断原则：1、维修人员在上门服务之前首先必须了解报修机器的故障现象，并初步判断出故障的可能部件，从而减少因配件未带齐造成的二次上门给用户造成的不良印象；从维修的角度来讲，要想准确判断出故障部件必须了解详细的故障现象，以下内容是接报修电话的人员必须做的事情，1、问清楚机器型号及购买年限2、机器故障现象及指导用户进行简单的自行检查，3、如报修的问题不是自行检查所提出的问题则要详细记录故障现象，以及故障是在使用过程中出现还是在开始使用时出现；下面是简单的自行检查指导：机械式微波炉：不工作无电电源问题否顺时针定时时间太短否约定上门维修不加热炉灯风扇工作电源电压太低否金属屏蔽器皿否低火力档短时工作否上门维修电子式微波炉：不工作无电电源问题否约定上门维修不加热炉灯风扇工作电源电压太低否金属屏蔽器皿否门未关好否上门维修加热不均同时加热两个器皿否同时加热两种不同质地的食物否温差很大是上门维修加热慢金属器皿否炉腔食物残渣较多否冷冻结冰食物否明显加热时间长是上门维修噪音台面不平否受外力损坏否机器外壳与周围物体有接触否异常或较大响声是上门维修2、维修人员上门维修机器时首先要详细了解故障现象，以及出现故障时的使用情况，若不能明确判断故障部件，则在维修时按插上电源就出故障重点检查低压部件、启动以后出故障重点检查高压部件原则检查维修。
下表是维修时的一些故障现象及检查维修方法：可能原因一般按1 2 3顺序排除精品文档精品文档精品文档故障及维修判断方法续表3：精品文档故障及维修判断方法续表4：精品文档故障及维修判断方法续表5：精品文档。
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技术特点——自动装卸舟（机械手）
自动装卸舟功能的实现将大大的提高扩散 工序的自动化操作程度
高度的重复性，避免了人工操作的随意性 对工艺产生的影响。
全套动作由独立监控电脑控制，各种动作 通过电机与导轨配合自动完成，系统通过 与各管工位现场计算机及到位传感器进行 联锁，保护舟及反应片的安全。
设备结构
▪ 太阳光照到PN结上，产生电子的定向移动， 产生电流
产品特点
串级温度控制精度高，恒温区稳定、真实 工艺舟软着陆 闭管扩散 工艺气体流量精确 性价比高 具备手动/自动功能
主要技术指标
▪ 1 电阻率误差范围：±5 o hms/sq
▪ 2 温度控制范围：350～1300℃
▪ 3 温度控制方式： 5段智能串级温度控制器进行控温
▪ 12 可存储200条工艺曲线、每条曲线不少100个拐点。
▪ 13 最大升温功率：
42KVA/每管
技术特点
▪ 5段自动适时恒温区 ▪ 工艺舟软着陆 ▪ 闭管扩散 ▪ 数字式MFC精确控制气体流量 ▪ 自动装卸舟
技术特点——5段自动适时恒温区
在1100mm的恒温区范围内，采用5点Profile 热偶配合炉壁热偶进行串级温控
靠炉口(偏差4µV）
炉门
设备中炉门对于 工艺的影响是比较的， 如果接近炉口的方阻 大量出现偏高，且片 内的方阻出现上下分 层现象，都是炉门没 关紧引起的
加热点（6个）
炉体加热部分
该部分主要配置 有：
炉管
控温热电偶、
超温保护热电偶
（5个）热电偶（外偶的分布位置由5个控温点组成）
五块温控表，相对应五个温度点。温控表主要用于温度的整定，PB 值的设置等。如果实际温度偏离设置值温度幅度很大，在排除其他加热 正常的情况下，一般重新进行恒温即可。
▪ 7 设置有超温、断偶、断点启动等自动保护系统
▪ 8 送舟方式：采用SiC悬臂桨自动送片机构，舟速20～1000mm/min连续可调，可选自 动装卸舟
▪ 9 配备快速冷却系统
▪ 10 工艺方式：软着陆＋闭管扩散（最大装片量400片/批）
▪ 11 工艺过程由工业计算机全自动控制，直接在触摸屏上操作。
SIC 桨
推舟净化部分
▪ 精密直线导轨副配合精密丝杆副传动 ▪ 步进电机及数字通讯驱动器作驱动 ▪ 计算机通过通讯方式给驱动器发出控制信号 ▪ 可精确控制步进电机256细分，达到稳定可靠转
速 ▪ 推舟的速度在20～ 1000mm/min内无级变化 ▪ 工艺反应过程中，悬臂桨外置，实现真正的闭管
扩散 ▪ 自动机械手实现自动装卸舟功能，实现高度自动
在每层相应的前面板上，分布有触摸 屏，状态指示灯、报警器、急停开关和 控制开关。
控制部分是我们调节工艺参数的主要 途径。
控制部分
▪ 工控机软件功能强大,人机接口界面友好: ▪ ⑴有工艺程序集中编辑功能。 ▪ ⑵有计算机手动调试界面。 ▪ ⑶工艺运行中,可方便地实现跳步﹑在线编辑﹑修改。 ▪ ⑷具有程序断点启动功能。 ▪ ⑸具有超温﹑断偶报警保护及自动斜率升降温和故障
化
炉体加热部分
主要工艺控制点：
炉门 炉体（热电偶 加热丝） 温控表主要参数设置方法
炉体加热部分
▪ 1） 功率部件
▪
变压器为低压大电流输出，原边以380V三相供电，
▪ 设备中任意一管工作，都不影响电网负荷的平衡。采 用
▪ 周波过零触发技术，克服了对电网的二次谐波干扰。
▪ 2） 炉体
▪
优良热场设计，既有良好的热场均匀性，又能保证
▪ 升、降温的速度。
▪ 3） 炉丝
▪
进口一级康泰尔丝，保证长寿命
炉体加热部分
10.930
10.937
10.930 10.935
10.935
靠炉尾(偏差7µV）
10.939
10.940
c10.934
10.939
10.934
10.933
10.936
10.932 10.932
10.932
中(偏差6µV）
捷佳伟创晶体硅电池高温扩散 炉的培训资料
制作单位：深圳捷佳伟创集团公司
日期；二零一一年四月二十五日
目录
1设备介绍 2设备结构 3工艺控制 4人员操作 5设备的保养
设备介绍
▪ 1设备用途 ▪ 2产品特点 ▪ 3主要技术指标 ▪ 4技术特点
设备用途
▪ 晶体硅太阳能电池制造中硅片的扩散掺杂
▪ 通过扩散所形成的PN结，就是晶体硅太阳 能电池的核心
悬臂桨的进出料运动与软着陆的上下运动，均运 用通讯控制的256细分马达驱动器，防止运动过 程中的阻步、丢步现象，从而确保机械运动的高 度稳定与重复性。
数字式MFC的运用，确保了反应气体流量的控制 精确、稳定、无干扰，对工艺生产的重复稳定控 制具有非常有益的帮助，通过配合串级温度控制， 可极大的提高工艺批次间的品质。同时具备手动 设置调整功能，极大的方便设备测试、维护工作 的开展。
1. DS-300A型管式高温扩散炉： 控制部分、 推舟净化部分、炉体加热部分、 气源部分。
2.外围
3.工装夹具： 石英舟 舟托架
DS-300A型管式高温扩散炉
控制部分
推舟净化部分
炉体加热部分
气源部分
控制部分
位于控制柜的计算机控制系统分布 于各个层面，但每个层面的控制系统都 是相对的独立部分，每层控制对应推舟、 炉温及气路部分，是扩散/氧化系统的控 制中心。
自 ▪ 诊断功能。 ▪ ⑹能存储200条以上工艺曲线。 ▪ (7)全中文图示，直观、易懂、方便
推舟净化部分
推舟净化柜的顶部装有照明灯，正面是水平层流的高效 过滤器及推舟的丝杠、导轨副传动系统，SiC悬臂桨座，丝 杠的前端安装有驱动步进电机，导轨下端按有限位开关。
上 下 马 达
平移马达
净化系统
限位保护开关
▪ 4 恒温区长度及精度（动态,即模拟工艺状态）： 350～600℃ ≤±1℃/1100mm
▪
600～1300℃ ≤±0.5℃/1100mm
▪ 5 温度斜变力：A．最大可控升温速率：15℃/min； 6℃/min
B．最大降温速率：
▪
C．RT→1100℃≤90min
▪ 6 具有自动斜率升温及恒温功能。
▪ 温控元件应用高精度智能温控器
▪ 完整的控制方案确保从低温到高温状态下，
炉管内恒温区的持续与真实性。
技术特点——5段自动适时恒温区
+
+
+
+
+
温控仪
温度设定值
PID1
温变器
4~20mA输入
PID2 4~20mA输出 触发器
温度串级控制示意图
380V
380V 380V
技术特点——工艺舟软着陆
技术特点——数字化控制，消除了模拟变量传输的干 扰