三极管知识点的总结.docx
三极管原理全总结

1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。
即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。
例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue发射极正偏。
总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态:放大、饱和、截止(1)放大区:发射结正偏,集电结反偏。
对于NPN管来说,发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue,集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件:NPN管:Uc>Ub>Ue;PNP管:Ue>Ub>Uc。
(2)饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc,PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大,但管压降Uce 却很小,Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路,可看成是一个开关的闭合。
饱和压降,一般在估算小功率管时,对硅管可取0.3V,对锗管取0.1V。
此时的,iC几乎仅决定于Ib,而与Uce无关,表现出Ib对Ic的控制作用。
(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏,使三极管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
三极管原理全总结

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1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue发射极正偏。总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
截止区:Ub<=Uce且Uce>Ube
放大区:Ube>Uon且UCE>=Ube,即Uc>Ub>Ue。
饱和区:Ube>Uon且Uce<Ube
NPN型三极管导通时(饱和状态)ce间电压约为0.3V,PNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb,ec间电压也约等于0.3V。NPN型三极管截止时只需发射极反偏即可,PNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。由于两个PN结都反偏,使三极管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce却很大。这时的三极管c、e极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
共射极电路的电流放大系数为β,共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1,而β的值则远大于1(通常在几十到几百的范围内),所以Ic>>Ib。由于这个缘故,共射极电路不但能得到电压放大,还可得到电流放大,致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
4、三极管用于开关电路的原理
三极管基础知识

三极管基础知识1.三极管的封装形式和管脚识别方法一:常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,如图对于小功率金属封装三极管,按图示底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
方法二:测判三极管的口诀四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。
”释吧。
一、三颠倒,找基极二、 PN结,定管型(NPN還是PNP)三、顺箭头,偏转大(1) 对于NPN型三极管,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大(電阻小),此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极f9.8→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。
(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c 极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c。
四、测不出,动嘴巴:是一步,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。
具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。
其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明显。
2.晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。
三极管总结

班级:姓名:学号:日期:内容:4. 1三极管重点与难点:三极管的构成、放大原理和特性。
1.三极管的结构与符号。
2.三极管的放大条件。
内部条件(了解):。
外部条件(掌握):。
根据三极管放大的外部条件,NPN型三极管三个电极的电位应该满足。
PNP型三极管三个电极的电位应该满足。
3.从三极管内部载流子的传输过程。
简明扼要写出三极管的电流关系:。
4.了解三极管的三种连接方式(a)组态(b)组态(c)组态5.共射极接法三极管的V—I特性曲线。
放大区的特点:。
饱和区的特点:。
截止区的特点:。
6.了解三极管的主要参数。
注意关注三极管的极限参数。
7.了解温度对三极管参数及特性的影响。
班级:姓名:学号:日期:内容:4.2基本共射极放大电路重点与难点:放大器的工作过程。
1.放大电路的正常放大的原则:电路外加电压的极性必须保证三极管工作在放大状态,即发射结正向偏置,集电结反向偏置;输入回路应保证输入信号能送进电路,也就是说输入电压的变化能转换成三极管输入电流的变化;输出回路应保证三极管输出电流的变化能够转换成输出电压的变化并能够送至负载。
根据以上原则看下列各放大电路能否正常放大?为什么?若不能放大,请改正。
2.基本共射放大电路的工作原理如何找出放大电路的直流通路和交流通路?静态(直流工作状态)、直流通路(直流电流流通的路径)根据直流通路计算静态工作点。
动态(交流工作状态)、交流通路(交流电流流通的路径)试着画出下面电路对应的直流通路以及交流通路?3.放大的实质是什么?班级:姓名:学号:日期:内容:4. 3放大电路的图解分析法重点与难点:图解分析法。
利用三级管的特性曲线采用作图进行求解的方法。
它形象直观,多用于确定静态工作点和分析波形失真。
电路如上图,回答下面的问题1.如果已知输入输出特性曲线,图解分析法确定静态工作点的步骤是怎样的?什么是直流负载线?2.动态工作情况图解分析的步骤如下:什么是交流负载线?交流负载线和直流负载线有什么区别?3.分析波形失真。
三极管原理全总结

1.三极管的正偏与反偏: 给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏, 否那么就是反偏。
即当P区〔阳极〕电位高于N区电位时就是正偏, 反之就是反偏。
例如NPN型三极管, 位于放大区时, Uc>Ub集电极反偏, Ub>Ue发射极正偏。
总之, 当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时, 那么为正偏, 反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流〔IB〕控制C—E的电流〔IC〕, E极电位最低, 且正常放大时通常C极电位最高, 即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流〔IB〕控制E—C的电流〔IC〕, E极电位最高, 且正常放大时通常C极电位最低, 即VC<VB<VE。
2.三极管的三种工作状态: 放大、饱和、截止〔1〕放大区: 发射结正偏, 集电结反偏。
对于NPN管来说, 发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue, 集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件: NPN管: Uc>Ub>Ue;PNP管: Ue>Ub>Uc。
〔2〕饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc, PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大, 但管压降Uce 却很小, Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路, 可看成是一个开关的闭合。
饱和压降, 一般在估算小功率管时, 对硅管可取0.3V, 对锗管取0.1V。
此时的, iC几乎仅决定于Ib, 而与Uce无关, 表现出Ib对Ic的控制作用。
〔3〕截止区:发射结反偏, 集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏, 使三极管的电流很小, Ib≈0, Ic≈0, 而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
关于三极管工作的原理总结(汇总11篇)

1、电流放大三极管的作用之一就是电流放大,这也是其最基本的作用。
以共发射极接法为例,一旦由基极输入一个微小的电流,在集电极输出的电流大小便是输入电流的β倍,β被叫做三极管的电流放大系数。
将输入的微弱信号扩大β倍后输出,这便是三极管的电流放大作用。
2、用作开关三极管的作用之二就是用作开关。
三极管在饱和导通时,其CE极间电压很小,低于PN 结导通电压,CE极间相当于短路,“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时,其CE 极间电流很小,相当于断路,“开关”呈现关的状态。
因此可完成开关的功能,且其开关速度极快,控制灵敏,且不产生电火花。
3、扩流三极管的作用之三就是扩流作用,在某些情况下,可扩大电流限值或电容容量等。
比如:将小功率可控硅与大功率三级管相结合,可以得到大功率可控硅,扩大了最大输出电流值;在长延时电路中,三极管可完成扩大电容容量的作用。
4、代换三极管的作用之四就是代换作用,在一定情况下与某些电子元器件相结合可代换其它器件,完成相应功能。
比如:两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发二极管;在某些电路中,三极管可以代换8V的稳压管,代换30V的稳压管等等。
关于三极管工作的原理总结第2篇三极管由两个PN结构成,e–b间的PN结叫发射结,c–b间的PN结叫集电结,b是两个PN结的公共电极。
三极管导电方向由发射结的方向来决定。
三极管有从发射极流入和从发射极流出两种导电形式。
为了区别这两种形式,规定箭头从e极指向b极的三极管表示PNP型。
三极管图形符号如图所示,它有三个引脚电极,用三根短线表示,分别叫发射极e、基极b、集电极c。
发射结上并联有一个电阻。
这表示生产三极管时,也同时制造了一个电阻器,故称为带阻三极管。
上图d所示的图形符号,表示在生产三极管时,也同时制造了一个反方向的二极管,常称为带阻尼三极管。
三极管的输入特性,具体描述了三极管输入电流Ib随输入电压Ube变化的关系。
既可通过测量认识,也可通过分析特性曲线了解。
三极管的基础知识

三極管的基礎知識一﹑極管的結構﹑符號及其分類1. 三極管的結構 發射區 基區集電區 c發射極 e集電極發射結 b 基極 集電結 e PNP 型 PNP 管的符號晶體三極管是由兩個PN 結組成﹐有三個區﹕發射區﹑基區﹑集電區﹐各自引出一個電極稱為發射極﹑基極和集電極﹐分別用字母e ﹑ b ﹑ c 表示﹐每個三極管內部都有兩個PN 結﹐發射區和基區之間的PN 結﹐稱為發射結﹔集電區和基區之間的PN 結﹐稱為集電結。
2. 三極管的分類(1)以材料分﹕硅三極管和鍺三極管(2)以結構分﹕PNP 型三極管和NPN 型三極管(3)以工作頻率分﹕低頻管和高頻管(4)以功率分﹕小功率和大功率管(5)以用途分﹕普通三極管和開關管﹐如(3AK 表示PNP 型開關鍺三極管)二﹑三極管的特性1. 具有放大作用2. I C =βI B (β為直流放大系數)3. I e =I b +I c三﹑三極管的應用可以和其他電子零件構成放大電路及其他電子線路四.三極管的測試1. 硅﹑鍺管的判別如右圖﹐當放大電路處于正常工作狀態時硅管發射結正向壓降為0.6~0.8v ﹐而鍺管只有0.1~0.3 v(即可判別硅管或鍺管)2. NPN 管型和PNP 管型的判別及其基本質量判斷三極管內部有兩個PN 結﹐根據PN 結正向電阻小﹑反向電阻大的特性﹐可以測定管型(1)用數字萬用表打到““檔位。
(2)用紅筆接b極﹐分別用黑筆接c﹑e極﹐如測量值顯示為0.5~0.7 v﹐則該管型為NPN管型﹐質量合格﹔若用黑表接b極﹐則是PNP管型(3)不管NPN管型﹐還是PNP管型﹐c﹑e兩極結的電阻均為無窮大﹐萬用表應顯示為”1”時﹐這時兩種管型都是好的(4)若把黑表筆接b極﹐分別用紅筆接c﹑e極﹐數字表顯示為”1”時﹐此三極管是好的_3.估計比較β的大小kΩ用萬用表撥至R×1kΩ擋來測NPN管型﹐黑表筆接c極﹐紅表筆接e極﹐比較開關s斷開和接通時的電阻值﹐前后兩個讀數相差大﹐表示三極管的β越高。
三极管原理全总结

1、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏,否则就是反偏。
即当P区(阳极)电位高于N区电位时就是正偏,反之就是反偏。
例如NPN型三极管,位于放大区时,Uc>Ub集电极反偏,Ub>Ue发射极正偏。
总之,当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态:放大、饱和、截止(1)放大区:发射结正偏,集电结反偏。
对于NPN管来说,发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue,集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件:NPN管:Uc>Ub>Ue;PNP管:Ue>Ub>Uc。
(2)饱和区:发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件:NPN管:Ub>Ue,Ub>Uc,PNP型管:Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是:三极管的电流Ib、Ic 都很大,但管压降Uce 却很小,Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路,可看成是一个开关的闭合。
饱和压降,一般在估算小功率管时,对硅管可取,对锗管取。
此时的,iC几乎仅决定于Ib,而与Uce无关,表现出Ib对Ic的控制作用。
(3)截止区:发射结反偏,集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏,使三极管的电流很小,Ib≈0,Ic≈0,而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
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晶体三极管
晶体三极管
一.教学要求:
1 .了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等: 1 .前 1 、
2 个属
2 .理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数:于知识方面
3 .掌握三极管的识别和简单测试方法:的要求
2.最后 1 个属
于技能方面
的要求二.教学重点、难点分析:
1.教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大
作用:
2.教学难点是三极管的伏-安特性
3.技能要求是掌握三极管的识别与简单测试:
三.教具:
1.晶体三极管:
2.万用表:
3.晶体管特性测试仪、双踪示波器:
四.教学过程:
(一):复习提问,引入新课:
提问3-4位
学生回答1.二极管具有哪些特性?
2.常用的电子元器件有哪些?
(二):新课教学:
一:三极管的结构、符号和类型:
1.结构:利用课件进行
C(集电极)C(集电极)讲解,然后总结归纳。
集电区集电区
集电结
P 集电结
N
b(基极)集区b(基极)集区
P N
N发射结P发射结
发射区发射区e(发射极)e(发射极)NPN型PNP型
总结:三极管的结构为:三区+ 两结 + 三电极:
三区:指发射区、基区、集电区
两结:指发射结、集电结:
三电极:指发射极、基极、集电极:
2.符号:
C C
B B
E E
NPN型PNP型
3.三极管具有放大作用的内部条件(结构特点):
发射区很厚,掺杂浓度最高;
基区很薄,掺杂浓度最小;
集电区很厚,掺杂浓度比较高。
4.三极管的型号及其意义:发给不同规格
的三极管让学生
判别。
区别代号(用大字母表示)
半导体的序号(用数字表示)
半导体的类型(用字母表示)
半导体的材料(用字母表示)
电极数目
二:三极管的电流放大作用:用双踪示波三极管具有放大作用,必须同时满足内部条件和外部条件,内部条件器演示输入信号一般由生产厂家保证。
和输出信号的差1.三极管放大的外部条件:别,加强学生的发射结正偏;感性认识,然后
集电结反偏。
再进行分析。
2.三极管的电流分配关系:I e I b I c
3.三极管电流放大作用的实质:
“以小控大”——以基极小电流I b控制集电极大电流I c。
因
此:双极型三极管属于“电流控制器件”。
三.三极管的连接方式:
1 .共发射极:
2 .共集电极:3.共基极:
三张图进行
比较,注意它们输出端输出端输入端输出端
输入端输入端
之间的特点四.三极管的伏安特性曲线
(一)输入特性曲线:
三极管的输入特性与二极管的正向特性联系二极管
相似,因此要注意以下几点:的正向特性,并I B1.三极管中的输入特性曲线随U CE的不同加以比较分析。
有许多条曲线,当U ce1V 时,各条曲
0U
BE (二)输出特性曲线:
线非常接近,所以实际使用时以其中的一条作代表:
2.三极管的死区电压与二极管的死区电压基本相同:
I c先用晶体管
特性测试仪测试
放大区
饱和区三极管的输出特
性,然后进行分
析、归纳和总结。
0U BE
截止区
1.三极管的输出特性曲线分为三个区:
①.截止区:
特点: I b 0 ,Ic0 ,三极管不具有放大作用。
②.放大区:
特点: Ic I b,三极管具有放大作用。
③.饱和区:
特点: I c不受 I b控制。
U ce0 。
2.三极管的三种工作状态的比较:
放大区饱和区截止区
发射结正偏发射结正偏发射结反偏
条件
集电结反偏集电结正偏集电结反偏
1 . I c不受 I b控制1.I b0,
特点1.
IcI b
2.
U ce 02.Ic 0,
2 .三极管具有放大作用
3 .三极管不具有放大3.三极管不具有放大
作用作用
在电路中的相当于线性电阻相当于开关闭合。
相当于开关断开
等效作用
应用范围放大器脉冲和数字电路脉冲和数字电路五.三极管的主要参数:
1.电流放大系数:
I c
①.直流放大系数:
I b
I c
②.交流放大系数:
I b
2.极间反向饱和电流:
①.集电极 - 基极反向饱和电流I CBO;
②.集电极 - 发射极反向饱和电流I CEO。
3.极限参数:
①.集电极最大允许电流I CM:三极管正常工作时:集电结允许通过
的最大电流
②.集电极——发射极击穿电压BU CEO:基极开路时,集电极与
发射极之间所能承受的最大反向电压。
③.集电极最大允许功率损耗P CM:在保证管子不损坏的情况下,
允许消耗的最大功率。
P CM U CE I C
六.三极管的识别与检测:
1 .直观法:
①.根据封装形式:
②.根据管脚的排列形式:
③.根据色点的位置:
2 .万用表测量法:
①.基极的判断:
以黑笔为准,红笔分别接另外两个脚,如果测量的阻值均较小,则黑笔所接为基极,该管为 NPN 型;如果阻值均较大,则为 PNP 型。
②.发射极和集电极的判断:
对于 NPN 型的管子,先假设一极为 c 极,将黑笔接 c,红笔接e,用手捏住基极和集电极,观察指针的偏转情况,然后两表笔交
换,重复测量一次,则偏转大的一次黑笔所接为集电极,另一极为发
型的管子测试相似。
(三):课堂提问:
1.三极管按结构分为几种?提问3-4位学生2.三极管的具有放大作用的外部条件和内部条件是什么?
3.三极管的工作状态分为几个区?
(四):课堂小结:
1.三极管按结构分为NPN 型和 PNP 型两种。
2.三极管具有放大作用的条件是:
①.内部条件:
基区很薄,掺杂浓度很小;
发射区很厚,掺杂浓度很高。
②.外部条件:
发射结正偏:
集电结反偏。
3.三极管的按工作状态分为三个区:
①.截止区:
特点: I b0 ,Ic0 ,三极管不具有放大作用。
②.放大区:
特点: Ic I b,三极管具有放大作用。
③.饱和区:
特点: Ic 不受 I b控制。
U ce0 。
(五).布置作业:
略。
(六):板书设计:
晶体三极管
一:三极管的结构和分类:
1.结构:三区 + 两结 + 三电极:
2.符号:
C C
B B
E E
NPN型PNP型
3.三极管具有放大作用的内部条件(结构特点):
发射区很厚,掺杂浓度最高;
基区很薄,掺杂浓度最小;
集电区很厚,掺杂浓度比较高
4.三极管的型号及其意义:
二:三极管的放大原理
1.三极管放大的外部条件:
发射结正偏;
集电结反偏。
2 .三极管的电流分配关系:I e I b I c
3 .三极管电流放大作用的实质:“以小控大”
三.三极管的连接方式:
1.共发射极: 2 .共集电极:3.共基极:
输出端输出端输入端输出端输入端输入端
四.三极管的伏安特性曲线
实用标准文案
1 .输入特性曲线:
2 .输出特性曲线:
I I B
I c
饱和区
放大区
U BE
U
截止区BE 3 .三极管的三种工作状态的比较:
放大区饱和区截止区
发射结正偏发射结正偏发射结反偏条件
集电结反偏集电结正偏集电结反偏
1.
IcI b 1 . I c不受 I b控制1.I b0 ,2.
U ce 02.Ic0
,
特点 2 .三极管具有放大
3 .三极管不具有放大3.三极管不具有放大
作用
作用作用
在电路中的
相当于线性电阻相当于开关闭合。
相当于开关断开等效作用
应用范围放大器脉冲和数字电路脉冲和数字电路
五.三极管的主要参数:
1 .电流放大系数:
①.直流放大系数:I c
I b
②.交流放大系数:I c
I b
2 .极间反向饱和电流:
①.集电极 - 基极反向饱和电流I
cb0
;
②.集电极 - 发射极反向饱和电流I ce0。
3.极限参数:
①.集电极最大允许电流I CM。
②.集电极——发射极击穿电压BU CEO。
③.集电极最大允许功率损耗P CM。
P CM U CE I C 六.三极管的识别与检测:
1 .直观法:
实用标准文案
①.根据封装形式:
②.根据管脚的排列形式:
③.根据色点的位置:
2 .万用表测量法:
①.基极的判断:
②.发射极和集电极的判断:
五.说明:
1.三极管是电子技术中最重要、应用最广泛的半导体器件。
2.本课的讲解顺序为三极管的结构、外形、符号和类型;三极管的伏 - 安特性;三极管的主要参数、三极管的识别与检测。
3.三极管的主要作用是电流放大,学生在学习时往往会忽视三个电流的方向,从而给后续学习带来困难,因此在讲解时要给予重视。
4.特性曲线是分析三极管工作的重要依据,是管子内部性能的外部表现,这部分内容既是教学的重点又是教学的难点。