JSCJ长晶长电开关二极管
开关二极管工作原理
开关二极管工作原理开关二极管，也称为晶闸管，在现代电路中广泛应用，特别是在直流电源控制电路和电磁场控制器上。
它的功能是控制电流的方向和大小。
下面将详细介绍开关二极管的工作原理。
第一步：P型半导体和N型半导体的特性及其结合方式半导体是具有特殊电导性质的材料。
在半导体内部，存在着少量的自由电子和空穴，它们随着电压的变化而变化。
半导体由P型半导体和N 型半导体组成，其中P型半导体中夹杂的是少量的三价物质，如硼、铝等，N型半导体中夹杂的是少量的五价物质，如磷、砷等。
当P型半导体和N型半导体连接在一起时，形成PN结。
PN结具有单向导电性，电流只能从P区流向N区，不能反向流动。
第二步：晶闸管的构造和工作原理晶闸管是由四层P-N结构构成的开关元件。
其中，中间是N型半导体层，两侧各有一层P型半导体，而外侧还有一个控制电极G。
晶闸管的控制电极G相当于开关的控制电路，利用它可以控制晶体管的通断。
第三步：晶闸管的工作模式在晶闸管通断过程中，主要有两个模式，分别是导通模式和关断模式。
在导通模式下，晶闸管的控制电极加上了足够的正向电压，导致PN结区域内的空穴和自由电子浓度大幅增加，PN结内电阻变得很小，电流可以顺利通过整个晶闸管。
在关断模式下，晶闸管的控制电极加上了负向电压或保持无电势，PN结区域内电阻变得很大，电流无法通过，晶闸管的通路被切断。
第四步：晶闸管的应用领域晶闸管广泛应用于电源控制电路、电机控制器、变频器、瞬变电压干扰抑制装置等，尤其是在交流电路中，晶闸管有很好的交流控制性能和自我获得静电控制的能力，能够实现交流电压波形的调节和控制。
综上所述，开关二极管是一种重要的电子器件，其工作原理包括P型半导体和N型半导体的特性及其结合方式、晶闸管的构造和工作原理、晶闸管的工作模式和应用领域。
企业和个人在电路设计中可选择开关二极管来满足其特定需求。
常用开关二极管型号及主要参数
常用开关二极管型号及主要参数开关二极管是一种具有特殊结构的二极管，其主要作用是实现电路开关控制功能。
在数字电子、通信、电源管理等领域都广泛应用。
以下将对常用的几种开关二极管型号及其主要参数进行介绍。
1.1N4148开关二极管-最大反向电压：100V-最大正向电流：200mA-最大功耗：500mW- 开关时间：4ns1N4148是一种常见的开关二极管，具有快速开关、低反向电流、高正向导通能力等特点。
广泛应用于数字逻辑门、开关电路以及高频信号放大电路中。
2.1N4007开关二极管-最大反向电压：1000V-最大正向电流：1A-最大功耗：3W-开关时间：<50μs1N4007是一种经典的开关二极管，主要用于低频交流电源整流和保护电路，具有高耐压、大电流特点，适用于一般电源电路。
3.1N5822开关二极管-最大反向电压：40V-最大正向电流：3A-最大功耗：2.5W- 开关时间：20ns1N5822是一种快恢复型开关二极管，具有快速恢复时间和低导通损耗的特点。
常用于开关电源和充电电路中，以提高电路的稳定性和效率。
4.2N3904开关二极管-最大反向电压：40V-最大正向电流：200mA-最大功耗：625mW- 开关时间：20ns2N3904是一种常见的NPN型开关二极管，适用于低功耗开关电路和放大电路。
具有高动态特性、低饱和电压和低输入电容等特点。
5.PN2222开关二极管-最大反向电压：40V-最大正向电流：600mA-最大功耗：500mW- 开关时间：25nsPN2222是一种广泛应用的PNP型开关二极管，常用于电源管理、接口驱动、瞬态抑制等电路。
具有较高的集电极电流和较低的饱和电压。
以上是几种常见的开关二极管型号及其主要参数。
在实际应用中，选择合适的开关二极管要综合考虑最大反向电压、最大正向电流、功耗和开关时间等参数，并根据具体应用需求进行合适选择。
开关二极管的工作原理
开关二极管的工作原理标题：开关二极管的工作原理引言概述：开关二极管是一种常用的电子元件，具有开关功能，能够控制电流的通断。
它在电子电路中起着重要作用，了解其工作原理对于电子工程师和爱好者来说是非常重要的。
本文将详细介绍开关二极管的工作原理。
一、PN结的形成1.1 P型半导体和N型半导体的特性P型半导体中的载流子主要是空穴，N型半导体中的载流子主要是电子。
当P型半导体和N型半导体相接触时，形成PN结。
在PN结处，空穴和电子会发生复合，形成电势垒。
1.2 电势垒的作用电势垒会阻挠电子和空穴的自由扩散，使得PN结两侧形成电场。
当PN结处于静止状态时，电场会阻挠载流子的扩散，维持电势垒的高低不变。
1.3 PN结的导通和截止当PN结正向偏置时，电势垒减小，载流子可以通过PN结，此时开关二极管导通。
当PN结反向偏置时，电势垒增大，载流子无法通过PN结，此时开关二极管截止。
二、开关二极管的工作特性2.1 正向偏置时的导通特性在正向偏置下，开关二极管的导通电压很低，可以近似看做导通状态，电流通过二极管。
2.2 反向偏置时的截止特性在反向偏置下，开关二极管的截止电压很高，电压超过此值时二极管会截止，电流无法通过。
2.3 开关速度和功耗开关二极管的导通和截止速度很快，能够实现快速的电路切换。
此外，开关二极管的功耗很低，适合在电子设备中长期使用。
三、开关二极管的应用3.1 电源开关开关二极管可以用作电源开关，控制电路的通断，保护电子设备免受过载和短路的影响。
3.2 逆变器开关二极管在逆变器中起着重要作用，可以将直流电转换为交流电，广泛应用于变频器、UPS等设备中。
3.3 电压稳定器开关二极管可以用来实现电压稳定，保护电子设备免受电压波动的影响，提高设备的稳定性和可靠性。
四、开关二极管的发展趋势4.1 高频高压开关二极管随着电子设备对高频高压要求的增加，开关二极管也在不断发展，以满足市场需求。
4.2 低功耗高效率开关二极管未来开关二极管将趋向于低功耗高效率，以减少能源消耗，提高电子设备的性能。
开关二极管的工作原理
开关二极管的工作原理引言：开关二极管是一种重要的电子元件，被广泛应用于电路中。
它具有高速开关特性和低电压降，能够在电子设备中起到调制电流和实现开关功能的作用。
本文将介绍开关二极管的工作原理，包括PN 结的形成、正向和反向工作状态，以及其在电路中的应用。
一、PN结的形成开关二极管是由PN结构构成的。
PN结是由N型半导体和P 型半导体的结合形成的。
当N型半导体与P型半导体相连接时，形成的结区域被称为PN结。
在PN结的形成过程中，由于P型半导体中的自由空穴会向N型半导体中扩散，而N型半导体中的自由电子也会向P型半导体中扩散，导致结区域内电荷的再组合，最终形成电子和空穴重新结合后的正负离子。
二、正向工作状态在正向工作状态下，当PN结的P区对应的端子连接于正电压时，N区对应的端子连接于负电压时，PN结就处于正向偏置状态。
此时，P区的空穴受到排斥，N区的自由电子受到吸引，导致电子和空穴在PN结内部重新结合，形成电子云。
这种重新结合导致了PN结内电流的流动，使得电流能够通过二极管。
三、反向工作状态在反向工作状态下，当PN结的P区对应的端子连接于负电压时，N区对应的端子连接于正电压时，PN结就处于反向偏置状态。
此时，P区的空穴受到吸引，N区的自由电子受到排斥，使得PN结内部没有电子云形成。
因此，在反向偏置状态下，开关二极管会阻止电流通过，表现为一个高电阻。
四、开关功能开关二极管的重要特性之一就是可以实现开关功能。
当二极管处于正向工作状态时，它可以将电流导通；当处于反向工作状态时，它可以将电流阻断。
这种开关功能使得开关二极管可以用来实现电路的开关控制。
比如，在直流电路中，开关二极管可以被用作整流器，将交流电转化为直流电。
五、应用场景。
开关二极管的工作原理
开关二极管的工作原理一、概述开关二极管是一种电子器件，也被称为二极管开关或者快速恢复二极管。
它具有快速开关速度和低导通压降的特点，常用于高频电路和功率电子应用中。
本文将详细介绍开关二极管的工作原理及其应用。
二、结构和材料开关二极管由P型半导体和N型半导体组成，两者通过P-N结连接在一起。
P型半导体的掺杂浓度较高，N型半导体的掺杂浓度较低。
常用的材料有硅和碳化硅。
三、工作原理1. 正向偏置当开关二极管的P端连接到正电压，N端连接到负电压时，即施加正向偏置，P端形成正电势，N端形成负电势。
此时，P-N结的正向电场将妨碍电子从N端流向P端，使得开关二极管处于截止状态，没有电流通过。
2. 反向偏置当开关二极管的P端连接到负电压，N端连接到正电压时，即施加反向偏置，P端形成负电势，N端形成正电势。
此时，P-N结的反向电场会吸引自由电子从N端向P端挪移，形成反向漂移电流。
开关二极管处于导通状态，但反向漂移电流很小。
3. 关断状态当施加的反向偏置电压超过开关二极管的额定反向击穿电压时，P-N结会发生击穿，电流迅速增大，开关二极管处于关断状态。
此时，开关二极管相当于一个开路，不允许电流通过。
4. 开通状态当施加的正向偏置电压超过开关二极管的正向击穿电压时，P-N结会发生击穿，电流迅速增大，开关二极管处于开通状态。
此时，开关二极管相当于一个导线，允许电流通过。
四、特性参数1. 正向导通压降（VF）：开关二极管在导通状态下的电压降。
普通情况下，VF较低，通常在0.7V摆布。
2. 反向击穿电压（VR）：开关二极管在关断状态下能够承受的最大反向电压。
超过该电压，会导致击穿。
3. 反向漏电流（IR）：开关二极管在关断状态下的反向漏电流。
普通情况下，IR较小。
4. 正向开通时间（ton）：开关二极管从关断状态到开通状态所需的时间。
5. 正向关断时间（toff）：开关二极管从开通状态到关断状态所需的时间。
五、应用领域由于开关二极管具有快速开关速度和低导通压降的特性，广泛应用于以下领域：1. 高频电路：开关二极管能够快速切换，适合于高频电路中的整流、调制、解调和开关等应用。
JCET长电1N4148W高速开关二极管规格书
Capacitance Characteristics
1.6 Ta=25℃ f=1MHz
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
4
8
12
16
20
REVERSE VOLTAGE VR (V)
Power Derating Curve
500
400 BAV16W 1N4148W
300
200
100
0
0
25
50
75
100
Email:sales@
1
Limit 100
100
71 300 150 2.0 350 400 250 150 -55~+150
Unit V
V
V mA mA A mW ℃/W ℃ ℃
D,Nov,2017
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VF2
0.855 V
VF3
1.0
V
VF4
1.25
V
IR1
1
μA
IR2
25
nA
CT
2
pF
trr
4
ns
Conditions IF=1mA IF=10mA IF=50mA
IF=150mA VR=75V VR=20V VR=0V,f=1MHz IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω
1.6
FORWARD VOLTAGE VF (V)
REVERSE CURRENT IR (nA)
10000 3000 1000 300 100 30 10 3 1 0
Reverse Characteristics
开关二极管的工作原理
开关二极管的工作原理一、引言开关二极管（也称为二极管开关或PNP开关）是一种常用的电子元件，用于控制电流流动的方向。
它在电子电路中起到了重要的作用，本文将详细介绍开关二极管的工作原理。
二、基本原理开关二极管由P型半导体和N型半导体组成。
当P型半导体连接到正极电源，N型半导体连接到负极电源时，二极管处于正向偏置状态。
此时，P型半导体的空穴和N型半导体的电子会结合形成电流，二极管处于导通状态。
当P型半导体连接到负极电源，N型半导体连接到正极电源时，二极管处于反向偏置状态。
此时，由于P型半导体的空穴和N型半导体的电子无法结合，电流无法通过二极管，二极管处于截止状态。
三、工作原理详解开关二极管的工作原理可以通过以下几个方面来详细解释：1. 正向偏置状态下的工作原理当二极管处于正向偏置状态时，P型半导体的空穴和N型半导体的电子会结合形成电流。
这是因为在P型半导体中，空穴是多余的，而在N型半导体中，电子是多余的。
当两种半导体连接在一起时，多余的空穴和电子会相互结合，形成电流。
这种结合过程被称为复合。
2. 反向偏置状态下的工作原理当二极管处于反向偏置状态时，P型半导体连接到负极电源，N型半导体连接到正极电源。
在这种情况下，P型半导体的空穴和N型半导体的电子无法结合，因为它们被电场力推向了相反的方向。
这样，电流无法通过二极管，二极管处于截止状态。
3. 开关功能的实现开关二极管的特殊之处在于它可以在导通和截止状态之间进行切换，从而实现开关的功能。
这是通过改变二极管的正向或反向偏置状态来实现的。
当二极管处于正向偏置状态时，电流可以从正极流向负极，二极管处于导通状态。
当二极管处于反向偏置状态时，电流无法通过，二极管处于截止状态。
4. 应用领域开关二极管广泛应用于各种电子电路中。
例如，它可以用作电源开关，用于控制电流的开关。
此外，开关二极管还可以用于电压调节、电流限制和信号整形等应用。
四、总结开关二极管是一种重要的电子元件，它通过改变正向或反向偏置状态来实现导通和截止的切换，从而实现开关的功能。
开关二极管的符号
开关二极管的符号一、引言开关二极管（Diode）是一种常用的电子元件，用于控制电流的流向。
它具有单向导电性，即在正向偏置下电流能够通过，而在反向偏置下电流则被阻断。
在电子电路中，开关二极管常用于电流整流、振荡电路、电压调整等应用。
二、开关二极管的基本符号在电路图中，开关二极管通常用特定的符号表示，以便清晰地显示其功能和连接方式。
开关二极管的基本符号如下所示：三、开关二极管的正向操作开关二极管的正向操作是指在正向偏置下电流能够通过。
当正向电压施加在开关二极管的P区（正电压端）时，P区变为正电位，而N区（负电压端）变为负电位，形成一个电场。
该电场使得电子从N区向P区移动，同时空穴从P区向N区移动，形成电流的流动。
开关二极管的正向操作具有以下特性： - 低电压：正向电压通常只需几百毫伏，即可使电流通过开关二极管。
- 低电流：正向电流通常只有几毫安到几十毫安。
- 低压降：开关二极管的正向压降一般在0.6V到0.7V之间。
四、开关二极管的反向操作开关二极管的反向操作是指在反向偏置下电流被阻断。
当反向电压施加在开关二极管的P区时，P区变为负电位，而N区变为正电位，电子和空穴被吸引到P区和N 区的电场中，使得电流无法流动。
因此，反向电压下的开关二极管相当于一个断路器或开关。
开关二极管的反向操作具有以下特性： - 高电阻：反向电压下，开关二极管具有很高的电阻，即电流被阻断。
- 高击穿电压：在反向操作时，需要施加较高的电压才能使开关二极管击穿，形成反向电流。
五、开关二极管的应用开关二极管作为一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
下面是一些开关二极管常见的应用场景：1. 电流整流开关二极管在电流整流电路中扮演着重要角色。
整流电路用于将交流电转换为直流电，在电源、电动机控制等领域中得到广泛应用。
开关二极管的单向导电性使得交流电信号能够被整流成具有方向性的直流信号。
2. 振荡电路开关二极管可以在振荡电路中用作振荡器的组成部分。
长电开关二极管SOD-323封装规格书
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAV16WS/1N4148WS FAST SWITCHING DIODEFEATURESMARKING: T6, T4Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R100 VRMS Reverse Voltage V R(RMS) 71 VForward Continuous Current I FM 300mA Average Rectified Output Current I O 150 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs@t =1.0s I FSM2.0 1.0APower DissipationPd 200 mW Thermal Resistance Junction to AmbientR θJA625 ℃/WJunction T emperature T j 150 Storage T emperatureT STG -55~+150℃ Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnit Conditions V F1 0.715V I F =1mA V F2 0.855VI F =10mA V F3 1.0 V I F =50mA Forward voltageV F4 1.25 VI F =150mAI R1 1 μA V R =75V Reverse currentI R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T2 pF V R =0V,f=1MHz Reverse r ecovery t imet rr4 ns I F =I R =10mA Irr=0.1XI R ,R L =100ΩSOD-323℃2550751001251500.010.111010051015200.81.01.2Reverse CharacteristicsAMBIENT TEMPERATURE T a ()℃1N4148WSTypical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes1N4448WS FAST SWITCHING DIODEFEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High ConductanceMARKING: T5Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R75 VRMS Reverse Voltage V R(RMS) 53VForward Continuous Current I FM 500 mAAverage Rectified Output Current I O 250 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs @t =1.0s I FSM4.0 1.5APower DissipationPd 200 mW Thermal Resistance Junction to AmbientR θJA 625 ℃/WStorage T emperature T STG -55~+150 ℃Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnitConditionsReverse b reakdown v oltage V (BR)75 V I R =10μA V F1 0.62 0.72 VI F =5mA V F2 0.855VI F =10mA V F3 1.0 V I F =100mA Forward voltageV F4 1.25 VI F =150mAI R1 2.5 μA V R =75V Reverse currentI R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T4 pF V R =0V,f=1MHzReverse r ecovery t imet rr4 ns I F =I R =10mA0.60.81.01.21.41.60.1110100REVERSE VOLTAGE V R (V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃0.3330300F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )1N4448WSTypical CharacteristicsJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes1SS355 FAST SWITCHING DIODEFEATURES1) Small surface mounting type 2) High speed3) High reliability with high surge current handling capabilityMARKING: AMaximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-repetitive peak reverse voltage V RM 90 VDC blocking voltage V R 80 V Peak forword currentI FM 225 mAAverage rectified output current I O 100mA Surge current (@t=1s) I surge 500 mA Junction temperature Tj 150 ℃ Storage temperatureT STG -55~+150 ℃Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnitConditions Forward voltage V F1.2 V I F =100mA Reverse currentI R0.1 µA V R =80VCapacitance between terminalsC T3 pF V R =0.5V,f=1MHz Reverse r ecovery t ime t rr4 ns I F =10mA ,V R =6V,R L =100Ω2550751001251500.010.111010051015200.81.01.2AMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃ 1SS355Typical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )A,Jun,2012JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAS16WX HIGH-SPEED SWITCHING DIODEFEATURES z Fast Switching Speedz For General Purpose Switching Applications z High ConductanceMARKING: T4MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted )Symbol Parameter Value Unit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 85VV RRM V RWM Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage 75 VV R(RMS)RMS Reverse Voltage 53 V I OForward Current100mAP D Power Dissipation 200 mW R θjA Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 ℃/W T JJunction Temperature150℃ T stg Storage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a =25℃ unless otherwise specified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitReverse voltageV (BR)I R =10μA 75 VI F =1mA 0.715I F =10mA0.855I F =50mA 1 Forward voltageV FI F =150mA1.25VReverse current I R V R =75V 1 μA Total capacitance C tot V R =0V,f =1MHz 2 pFReverse recovery timet rrI F = I R =10mA, I rr =0.1×I R,R L =100Ω6 nsJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAS316 SWITCHING DIODEFEATURES● Very Small Plastic Package ● High Switching Speed APPLICATIONS● High-Speed Switching in e.g. Surface Mounted CircuitsMARKING: A6·MAXIMUM RATINGS ( T a =25℃ unless otherwise noted )Symbol ParameterValue Unit V RRM Peak Repetitive Reverse Voltage 85 V R DC Blocking Voltage 75 V I O Continuous Forward Current 250 mA P D Power Dissipation250 mW R θJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stgStorage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditionsMin Typ Max Unit Reverse voltage V (BR) I R =100μA 100 V V R =25V 30 nA Reverse currentI RV R =75V 1 μAI F =1mA0.715 I F =10mA 0.855 I F =50mA 1 Forward voltageV FI F =150mA1.25 V Total capacitance C tot V R =0V,f=1MHz 1.5 pF Reverse recovery time t rrI F = I R =10mA, I rr =0.1×I R4nsSOD-3232550751001251500501001502002503000.00.20.40.60.81.01.220406080110100100010000Power Derating CurveP O W E R D I S S I P A T I O N P D (m W )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃BAS316Typical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )FORWARD VOLTAGE V F (V)R E V E R S E C U R R E N T I R (n A )REVERSE VOLTAGE V R (V)REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAV19WS~BAV21WS SWITCHING DIODEFEATURESz Low Reverse Currentz Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertionz Fast Switching Speedz For General Purpose Switching ApplicationsMARKING:BAV19WS: A8BAV20WS: T2BAV21WS: T3MAXIMUM RATINGS ( T a=25℃unless otherwise noted )Value Symbol ParameterBAV19WS BAV20WS BAV21WSUnit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 120 200 250 VV RRM Peak Repetitive Reverse Voltage V RWM Working Peak Reverse Voltage 100 150 200VV R(RMS)RMS Reverse Voltage 71 106 141 VI O Average Rectified Output Current 200 mAI FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms 1.7 AP D Power Dissipation 250 mWRΘJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/WT j Junction Temperature 150 ℃T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a=25℃unless otherwise specified)Parameter Symbol Testconditions MinTyp Max UnitV R=100V BAV19WS0.1V R=150V BAV20WS0.1Reverse current I RV R=200V BAV21WS0.1uAI F=100mA1Forward voltage V FI F=200mA1.25VTotal capacitance C tot V R=0V,f=1MHz5 pF Reverse recovery time t rr I F= I R =30mA, I rr=0.1*I R50 ns25507510012515011010051015200.40.60.81.01.21.4Forward CharacteristicsReverse CharacteristicsAMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃400BAV19WSTypical Characteristics303F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )B,Sep,2013。
开关二极管的工作原理
开关二极管的工作原理一、引言开关二极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电路中的开关控制和信号调节等方面。
本文将详细介绍开关二极管的工作原理，包括其基本结构、工作方式和特性等内容。
二、基本结构开关二极管由两个半导体材料构成，其中一个为P型半导体，另一个为N型半导体。
两个半导体材料之间形成PN结，同时在PN结上引入控制电极（普通为金属接触），形成结控区域。
开关二极管的常见结构有PNP型和NPN型两种。
三、工作方式1. 正向偏置状态：当外加电压施加在结控区域时，如果正极连接在P区，负极连接在N区，此时为正向偏置状态。
在这种情况下，P区的电子会向N区扩散，同时N区的空穴会向P区扩散，形成电流流动。
开关二极管处于导通状态，相当于一个导线。
2. 反向偏置状态：当外加电压施加在结控区域时，如果正极连接在N区，负极连接在P区，此时为反向偏置状态。
在这种情况下，P区的电子会被吸引到正极，N区的空穴会被吸引到负极，形成电流无法流动。
开关二极管处于截止状态，相当于一个断路器。
四、特性1. 导通电压：开关二极管在正向偏置状态下才干导通，其导通电压是其特性之一。
导通电压是指当开关二极管处于正向偏置状态时，需要施加的最小电压值，才干使其开始导通。
导通电压的大小与开关二极管的材料和结构有关。
2. 截止电流：开关二极管在反向偏置状态下应该截止，即电流无法流动。
然而，由于PN结的特性，实际上会存在一小部份的反向截止电流。
截止电流的大小与开关二极管的材料和结构有关。
3. 反向击穿电压：当反向偏置电压超过一定值时，开关二极管会发生反向击穿现象，导致电流蓦地增大。
反向击穿电压是指开关二极管在反向偏置状态下，开始发生反向击穿的最小电压值。
4. 响应时间：开关二极管的响应时间是指它从导通到截止或者从截止到导通的时间。
响应时间的大小与开关二极管的结构、材料和工作条件等有关。
五、应用领域开关二极管由于其简单、可靠和低成本等特点，被广泛应用于各种电子设备和电路中。
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ESD VDS VGS ID VGS(TH)RDS(mΩ)@VGS RDS(mΩ)@VGS RDS(mΩ)@VGS RDS(mΩ)@VGS Part Number Type ProcessYes/No V V A V10V Typ10V Max 4.5V Typ 4.5V Max CJAC100SN08Single-N Trench No80-1.666667100 1.0~2.5 2.9 3.9 4.3 6.2CJAB40SN10N SGT No100±2040 1.88.51311172N7000Single-N Trench No60-0.20.8~3-5000-60002N7002Single-N Trench No60±200.1151~2.59002500110030002N7002K Single-N Trench Yes60±200.341~2.59002500110030002N7002K Single-N Trench Yes60±200.341~2.59002500110030002N7002KW Single-N Trench Yes60±200.341~2.59002500110030002N7002T Single-N Trench No60±200.1151~2.59002500110030002N7002W Single-N Trench No60±200.1151~2.59002500110030002N7002X Single-N Trench No60±200.1151~2.59002500110030002SK1658Single-N Trench Yes30±70.10.9~1.5--5000100002SK3018Single-N Trench Yes30±200.10.8~1.5--500080002SK3019Single-N Trench Yes30±200.10.8~1.5--380080002SK3541Single-N Trench Yes30±200.10.8~1.5--50008000BSS123Single-N Trench No100±200.171~2.835006000380010000BSS138Single-N Trench 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