multisim元件模型参数解释
Multisim元件介绍
机电类器件库（Elector-Mechanical Components）
2021/5/23
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一、电源库
电源库中共有30个电源器件，分别是：
●Hale Waihona Puke 接地端● 数字接地端● VCC电压源
● VDD数字电压源
● 直流电压源
● 直流电流源
● 正弦交流电压源 ● 正弦交流电流源
● 时钟电压源
● 调幅信号源
● 调频电压源
● 虚拟电阻 ● 虚拟电容 ● 上拉电容 ● 虚拟电感 ● 虚拟电位器 ● 虚拟可变电容 ● 虚拟可变电感 ● 继电器 ● 非线性变压器 ● 无芯线圈 ● 插座 ● 半导体电容 ● SMT电阻 ● SMT电解电容
现实元件 虚拟元件
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1、电阻
电阻浏览器
电阻模型分类栏
2021/5/23
7.2 Multisim 元件库
左图所示的14个元器件按钮从上到下分别是：
电源库（Sources）
基本元件库（Basic）
二极管库（Diodes Components）
晶体管库（Transistors Components）
模拟元件库（Analog Components）
TTL元件库（TTL）
CMOS元件库（CMOS）
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“General”页：元件的一般性 资料，包括元件的名称、制造 商、创建时间、制作者。
“Symbol”页：元件的符号。
“Model”页：元件的模型， 提供电路仿真时所需要的参数。
“Footprint”页：元件封装，提供 给印制电路板设计的原件外形。
“Electronic Parameters”页： 元件的电气参数，包括元件在 实际使用中应该考虑的参数指标。
multisim的电阻
multisim的电阻
Multisim是一款功能强大的电子仿真软件，广泛应用于电子电路的设计、分析和优化。
无论是初学者还是专业人士都可以使用Multisim进行电子电路的建模和仿真。
Multisim中的电阻有四个主要参数：阻值、功率、精度和温度系数。
下面我们就来详细介绍一下这四个参数。
1. 阻值：
阻值是电阻的基本参数，通常以欧姆为单位，用R表示。
在Multisim中，用户可以通过选取不同的电阻值来匹配电路中不同的电压和电流值。
电阻的阻值是由元件材料和截面积、长度、温度等因素决定的。
Multisim中包含了各种类型和阻值的电阻，用户只需要选择合适的电阻即可。
2. 功率：
功率是电阻可以承受的最大能量，以瓦特（W）为单位，用P表示。
在Multisim中，
功率越大的电阻通常尺寸也越大。
如果电流或电压超过了电阻所能承受的最大功率，电阻
将被烧毁或损坏。
3. 精度：
精度是电阻阻值与标称值之间的偏差，通常以百分比表示。
在Multisim中，电阻的精度越高，则组成电路的误差也越小。
常见的电阻精度包括1%、5%、10%等。
4. 温度系数：
温度系数是指电阻阻值随温度变化的比例，通常以每摄氏度的变化量（ppm/°C）表示。
当电阻材料的温度变化时，其阻值也会发生相应变化。
在Multisim中，用户可以选择不同的电阻温度系数，以满足电路中对稳定性和温度敏感性的要求。
multisim元器件库参考资料
Multisim 2001的器件库Multisim 2001含有4个种类的器件库，执行View\Component Bars命令即可显示如图2-1所示的下拉菜单。
图2-1 View\Component Bars命令的下拉菜单图2-1中的Multisim Database也称为Multisim Master，用来存放软件自带的元件模型。
随着版本的不同，该数据库中包含的仿真元件的数量也不一样。
Corporate Database 仅专业版有效，为用于多人协同开发项目时建立的共用器件库。
User Database 用来存放用户使用Multisim编辑器自行创建的元器件模型。
EDAParts Bar 为用户提供通过因特网进入网站，下载有关元器件的信息和资料。
Multisim 2001的Multisim Database中含有14个器件库(即Component Toolbar)，每个器件库中又含有数量不等的元件箱(又称之为Farmily)，共有6000多个元器件，各种元器件分门别类地放在这些器件箱中供用户调用。
User Database在开始使用时是空的，只有在用户创建或修改了元件并存放于该库后才能有元件供调用。
本章将分别对Multisim Database中的14个器件库中的元器件加以介绍。
第一节电源库一、电源库组成电源库(Sources)如图2-2所示，其中共有30个电源器件，有为电路提供电能的电源，也有作为输入信号的信号源及产生电信号转变的控制电源，还有两个接地端。
电源库中的器件全部为虚拟器件。
图2-2 电源库二、电源库中的器件箱1.接地端（Ground）在电路中，“地”是一个公共参考点，电路中所有的电压都是相对于该点而言的电势差。
在Multisim电路图上可以同时调用多个接地端，它们的电位都是OV。
2．数字接地端(Digital Ground)在实际数字电路中，许多数字器件需要接上直流电源才能正常工作，而在原理图中并不直接表示出来。
multisim常见元件知识讲解
m u l t i s i m常见元件multisim元件库1.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。
图2(1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示：图3(2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示：图4(3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示：图5(4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示：图6(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示：图7(6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示：图82. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。
图9(1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUA L)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。
(2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。
其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。
(3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。
(4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。
(5). 选中“宽带运放(WIDEBAND_AMPS)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。
(6). 选中“特殊功能运放(SPECIAL_FUNCTION)”，其“元件”栏中有165种规格特殊功能运放可供调用，主要包括测试运放、视频运放、乘法器/除法器、前置放大器和有源滤波器等。
晶闸管等效电路multisim-概述说明以及解释
晶闸管等效电路multisim-概述说明以及解释1.引言1.1 概述晶闸管是一种电子器件，具有开启和关闭电流的能力，被广泛应用于电力控制、电动机驱动和电子变换器等领域。
为了更好地理解和设计晶闸管电路，人们常常使用等效电路进行仿真分析。
Multisim是一款强大的电路仿真软件，具有直观的界面和丰富的模拟元件库，适用于各种电路设计和仿真需求。
在Multisim中，我们可以通过搭建晶闸管等效电路模型来进行仿真实验，验证电路设计的有效性和性能。
本文将介绍晶闸管等效电路的基本概念、Multisim软件的功能特点，以及如何在Multisim中进行晶闸管等效电路的仿真。
通过对晶闸管等效电路仿真的重要性进行总结，探讨Multisim软件在电路仿真中的应用前景，并展望晶闸管等效电路仿真在未来的发展方向。
愿本文能够为读者提供有益的参考和启发。
1.2 文章结构文章结构部分的内容应该包括整篇文章的框架和各个章节的内容概述。
以下是可能的内容，供参考：文章结构部分是整篇文章的框架，主要包括引言、正文和结论三个部分。
引言部分包括概述、文章结构和目的三个小节，用于介绍文章的主题和目的。
正文部分包括晶闸管等效电路的基本概念、Multisim软件介绍和晶闸管等效电路在Multisim中的仿真方法三个小节，用于详细阐述晶闸管等效电路的仿真原理和方法。
结论部分包括总结晶闸管等效电路仿真的重要性、讨论Multisim软件在电路仿真中的应用前景和展望晶闸管等效电路仿真在未来的发展方向三个小节，用于总结和展望文章的内容。
整个文章结构清晰，层次分明，有助于读者理解和阅读。
1.3 目的：本文的主要目的是介绍晶闸管等效电路在Multisim软件中的仿真方法，探讨晶闸管等效电路仿真在电路设计和教学中的重要性。
通过本文的阐述，读者可以了解晶闸管等效电路的基本概念，掌握Multisim软件的基本操作方法，并学习如何利用Multisim进行晶闸管等效电路的仿真设计。
multisim元件模型参数解释
m u l t i s i m元件模型参数解释Revised by Petrel at 2021电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ PN结自建电势M PN结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 反向饱和电流BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISSNSISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部TR 反向渡越时间CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子XCJSXTB BF和BR的温度系数EG 禁带宽度XTI（PT） IS的温度效应指数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数FC 正偏势垒电容系数RCOVOQCO由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写。
multisim三极管参数
multisim2001中双极型晶体管模型参数的含义,大家来看看对不对!
是从Pspice 的模型中抄过来的,好象对.大家发表些意见啊!multisim可以自己建模型库,可是大多数人都没有数据,比如9000系列....有没有人有这些晶体管的数据信息呢?我也好想要
Model data:
.MODEL2SC1815 NPN
+ 饱和电流IS=1.881e-011
正向电流发射系数NF=1.000e+000
基-射结泄漏饱和电流ISE=1.067e-013
+ 基-射结泄漏发射系数NE=1.008e+000
正向电流放大系数BF=2.384e+002
反向电流放大系数BR=1.000e+000
+ 正向B’
（贝塔）F大电流时下降点IKF=1.350e-001
正向厄尔利电压VAF=3.000e+001
反向厄尔利电压VAR=2.000e+001
+ ？EG=1.110e+000
饱和电流的温度指数XTI=3.000e+000
正向B’（贝塔）F的温度指数XTB=0.000e+000
+ 集电极体电阻RC=3.333e+000
基极体电阻RB=2.500e+001
发射极体电阻RE=4.991e-001
+ 基-射结零偏时耗尽电容CJE=1.021e-011,
基-射结指数因子MJE=5.926e-001
基-射结内建电势VJE=9.500e-001
+ 基-集结零偏时耗尽电容CJC=1.021e-011, 基-集结指数因子MJC=5.926e-001
基-集结内建电势VJC=9.500e-001。
multisim稳压二极管的参数
multisim稳压二极管的参数稳压二极管（也称为稳压二极管、三端稳压二极管或Zener二极管）是一种特殊的二极管，具有稳定和可控的反向击穿电压，可以将电压稳定在特定的值上。
一、稳压二极管的基本原理：稳压二极管利用反向击穿特性来达到稳定电压输出的目的。
当二极管的反向电压小于击穿电压时，稳压二极管的电流非常小，处于截止状态；当反向电压大于击穿电压时，稳压二极管会发生反向击穿，电流急剧增加。
由于稳压二极管反向击穿后的电压比较稳定，因此可以通过选择不同击穿电压的二极管来实现不同的稳压。
二、稳压二极管的参数：1. 反向击穿电压（Vz）：是稳压二极管工作的关键参数，可以根据需要选择不同的Vz值来实现不同的稳压效果。
2. 反向击穿电流（Izk）：是稳压二极管在反向击穿时所能承受的最大电流。
3. 稳压温度系数（TC）：稳压二极管的电压与温度的关系，通常以百分比/摄氏度（% / ℃）表示。
稳压二极管的电压会随着温度的变化而产生一定的漂移，稳压温度系数描述了这一变化的程度。
4. 功耗（Pd）：稳压二极管的功耗与通过它的电流有关，功耗过大可能会导致稳压二极管过热而损坏。
5. 电流调节系数（IZT）：在稳压二极管工作电流下的电压变化百分比，通常以毫伏/毫安（mV / mA）表示。
电流调节系数越小，表示稳压二极管在额定电流下的稳压性能越好。
6. 负载调节系数（ZT）：当稳压二极管的负载电流从无负载变化到额定值时输出电压的变化百分比，通常以毫伏/毫安（mV / mA）表示。
负载调节系数越小，表示稳压二极管的负载稳定性越好。
7. 动态电阻（rd）：稳压二极管在额定稳压电流下的正向电阻，通常以欧姆（Ω）表示。
动态电阻越小，表示稳压二极管的电流变化能力越强。
8. 封装形式：稳压二极管通常采用肖特基二极管、PN结技术制作，常见的封装形式有SOT-23、SOT-223、SOD-123等。
三、稳压二极管的应用范围：1. 电源稳压：稳压二极管可以用于电源的稳压电路中，通过稳定输出电压来保护电路中的元器件不受电压波动的影响。
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电阻模型参数
R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数
C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数
L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数
TC2 二次温度系数
二极管模型参数
IS 饱和电流
RS 寄生串联电阻
N 发射系数
TT 渡越时间
CJO 零偏压PN结电容
VJ PN结自建电势
M PN结剃度因子
EG 禁带宽度
XT1 IS的温度指数
FC 正偏耗尽层电容系数
BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数
AF 闪烁躁声指数
双极晶体管（三极管）
IS 反向饱和电流
BF 正向电流放大系数
NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流
BR 反向电流放大系数
NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流
ISS
NS
ISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数
RB基极体电阻
IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流
RE 发射区串联电阻
RC 集电极电阻
CJE 零偏发射结PN结电容
VJE发射结电压
MJE ME 集电结剃度因子
TF 正向渡越时间
XTF TF随偏置变化的系数
VTF TF随VBC变化的电压参数
ITF 影响TF的大电流参数
PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容
VJC PC 集电结内建电势
MJC MC 集电结剃度因子
XCJC Cbe 接至内部Rb的内部
TR 反向渡越时间
CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子
XCJS
XTB BF和BR的温度系数
EG 禁带宽度
XTI（PT） IS的温度效应指数KF I/F躁声系数
AF I/F躁声指数
FC 正偏势垒电容系数
RCO
VO
QCO
由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写。