模拟电子技术试卷及答案

K2MG-E《专业技术人员绩效管理与业务能力提升》练习与答案

1 《模拟电子技术》试卷

一.填空题(每空1分,共30分)

1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。

2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向 截止。

3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。

4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和 区,此时也称它工作在开关状态。

5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于 线性失真。

6.功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。

7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入a(a.直流负反馈,b.交流负反馈)。

8.三极管串联型稳压电路由 取样电路、 基准电路、比较电路 和 调整电路四大环节组成。

9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成 电压串联负反馈。

10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端 同相;后者的极性同输出端 反相。

11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为 PMOS和 NMOS型。

二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

C D A B

1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。C

A) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5

C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.2

2.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D )

A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET

B) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型 K2MG-E《专业技术人员绩效管理与业务能力提升》练习与答案

2 C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET D) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型 3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大IE,电压放大倍数将( A)

A) 增加 B)减小

C) 不变 D) 不能确定

4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。

A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路

C) 减小工作点电流 D) 加大RC

5.功率放大电路按( A )原则分为甲类,甲乙类和乙类三种类型。

A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同

C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同

6.理想集成运算放大器的放大倍数Au,输入电阻Ri,输出电阻Ro分别为( C )

A) ,0, B)0,,C) ,,0 D) 0,,0

7.正弦波振荡电路的起振条件是( B )。

A);B) ;

C);D);

8.共模抑制比KCMR是( D )

A)输入差模信号与共模信号之比的绝对值

B)输入共模信号与差模信号之比的绝对值

C)输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值

D)差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值

9.下列说法中正确的是( D )

A) 任何放大电路都有功率放大作用

B) 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真

C) 若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈

D) 若放大电路引入电压负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变

10.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B )。

A) 耦合电容和旁路电容的存在

B) 半导体管极间电容和分布电容的存在 K2MG-E《专业技术人员绩效管理与业务能力提升》练习与答案

3 C) 半导体管的非线性特性

D) 静态工作点不合适

三.(8分)计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数,已知Ucc=12V,Rb1=20K,Rb2=10K,Re=2K ,Rc=2K,RL=6K,β=40,rbe=1K。

四.(6分)设硅稳压管D1和D2的稳定电压分别为5V和10V,正向压降均为0.7V,求:

①稳压管接法如图,求输出电压。

②若两只稳压管方向均相反,求。

③若D1方向不变,D2方向相反,求。

① UO = 5+10 = 15V

② UO = 0.7+0.7=1.4V

③ UO = 5+0.7=5.7V

五.(9分)下图中三极管均为硅管,RB和RC的电阻值选取合适,从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。

(1)(2)(3)

(1)UBE=1-0.5=0.5V<0.7V,发射结反偏,所以三极管工作在截止状态

(2)发射结正偏,集电结反偏,所以三极管工作在放大状态 K2MG-E《专业技术人员绩效管理与业务能力提升》练习与答案

4 (3)发射结正偏,集电结正偏,所以三极管工作在饱和状态

六、(9分)设图中的运算放大器都是理想的,试写出uo1、uo2和uo的表达式。

七.(10分)计算下图二级放大器的电压放大倍数,输入、输出电阻。已知:Rb1 = Rb2 = 280K,Rc1 = Rc2 = 3K,RL = 3K,UCC = 12V,β= 50,rbe1 = rbe2 = 950Ω。

八.(8分)在图示的单相桥式整流电路中,分析:

①如果VD3接反,则会出现什么现象?

②如果VD3被开路, 则会出现什么现象?

① 在电源负半周将出现电源短路,电源烧坏

② 只能在电源负半周整流,出现半波整流现象。

《模拟电子技术》试卷答案

一.填空题(每空1分,共30分)

1.P型半导体掺入 3 价元素,多子是自由电子,少子是空穴。

2.PN结主要特性是 单向导电性 ,即正向 导通 ,反向 截止 。

3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏 ,集电结 反偏 。

4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在饱和区或 截止 区,此时也称它工作在 开关状态。

5.幅度失真和相位失真统称为 频率 失真,它属于 线性 失真。

6.功率放大电路的主要作用是 向负载提供足够大的输出功率 , 乙类 功率放大电路的效率最高。 K2MG-E《专业技术人员绩效管理与业务能力提升》练习与答案

5 7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入a(a.直流负反馈,b.交流负反馈)。

8.三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电压 、 比较电路

和 调整电路 四大环节组成。

9.分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用,其原理是构成 电流串联 负反馈。

10.集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输出端 同相 ;后者的极性同输出端 反相 。

11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为 NMOS 和 PMOS 型。

二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

C D A B A C B D D B

三.(8分)

四.(6分)

① UO = 5+10 = 15V

② UO = 0.7+0.7=1.4V

③ UO = 5+0.7=5.7V

五.(9分)

(1)UBE=1-0.5=0.5V<0.7V,发射结反偏,所以三极管工作在截止状态

(2)发射结正偏,集电结反偏,所以三极管工作在放大状态

(3)发射结正偏,集电结正偏,所以三极管工作在饱和状态

六、(9分)

七.(10分)

八.(8分)

① 在电源负半周将出现电源短路,电源烧坏 K2MG-E《专业技术人员绩效管理与业务能力提升》练习与答案

6 ② 只能在电源负半周整流,出现半波整流现象。

世上没有一件工作不辛苦,没有一处人事不复杂。不要随意发脾气,谁都不欠你的

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(完整版)模电期末试题及答案-模拟电子技术

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-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1 《模拟电子技术基础》试卷及参考答案

1、在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。

A. 五价 B. 四价 C. 三价

2、稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

3、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

4、(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小

5、UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管

6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性

C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定

7、选用差分放大电路的原因是 。

A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放大倍数

8、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ,共模信号是两个输入端信号的 。

A.差 B.和 C.平均值

9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的 。

A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强

C.差模输入电阻增大 10、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的反馈是负反馈。

模拟电子技术试卷及答案

模拟电子技术试卷及答案

第 1 页 共 9 页 1 《模拟电子技术》试卷

一.填空题(每空1分,共30分)

1.P型半导体掺入 三 价元素,多子是 自由电子 ,少子是 空穴 。

2.PN结主要特性是具有单向导电性 ,即正 导通,反向 截止 。

3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结 反向偏置 。

4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的 放大 区;在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区,此时也称它工作在 开关 状态。

5.幅度失真和相位失真统称为 频率 失真,它属于 线性 失真。

6.功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率 , 乙类 功率放大电路的效率最高。

7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入 a (a.直流负反馈,b.交流负反馈)。

8.三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。

9.分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用,其原理是构成 电压串联 负反馈。

10.集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输出端 同相 ;后者的极性同输出端 反相 。

11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为 PMOS 和 NMOS 型。

二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)

第 2 页 共 9 页 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

C D A B

1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。C

专升本《模拟电子技术》_试卷_答案

专升本《模拟电子技术》_试卷_答案

第1页共2页 1 专升本《模拟电子技术》

一、 (共48题,共150分)

1。 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。 (2分)

A.电阻阻值有误差 B。晶体管参数的分散性

C。晶体管参数受温度影响 D。晶体管结电容不确定性

。标准答案:C

2。 稳压二极管的有效工作区是( )。 (2分)

A。正向导通区 B。反向击穿区 C。反向截止区 D。死区

。标准答案:B

3。 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( )。 (2分)

A。放大状态 B。微导通状态 C。截止状态 D。饱和状态

。标准答案:D

4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。 (2分)

A。便于设计 B。放大交流信号

C.不易制作大容量电容 D。不易制作大阻值的电阻

。标准答案:C

5。 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( ). (2分)

A。抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大

C。差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大

。标准答案:A

6。 半导体中PN结的形成主要是由于()生产的。 (2分)

A。N区自由电子向P区的扩散运动

B。N区自由电子向P区的漂移运动

C。P区自由电子向N区的扩散运动

D。P区自由电子向N区的漂移运动

标准答案:A

7。 理想的功率放大电路应工作于( )状态. (2分)

A。甲类互补 B。乙类互补 C。甲乙类互补 D.丙类互补

。标准答案:C

模拟电子技术试卷及答案 2

模拟电子技术试卷及答案 2

招聘时间安排:



模拟试卷一一、填空分.半导体二极管的主要特性是。.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。.当输入信号频率为和时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为。.为提高放大电路输入电阻应引入反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入反馈。.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到,但这种功放有失真。.在串联型稳压电路中,引入了负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在区域。二、选择正确答案填空分招聘时间安排:

 .在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为,,,则这只三极管是。.型硅管.型锗管.型硅管.型锗管.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为。 .沟道增强型管.沟道结型场效应管.沟道增强型管.沟道耗尽型管.在图示差分放大电路中,若,则电路的。

.差模输入电压为,共模输入电压为。.差模输入电压为,共模输入电压为。.差模输入电压为,共模输入电压为。招聘时间安排:

 .差模输入电压为,共模输入电压为。.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的。.输入电阻高.输出电阻低.共模抑制比大.电压放大倍数大.在图示电路中为其输入电阻,为常数,为使下限频率降低,应。.减小,减小.减小,增大.增大,减小.增大,增大.如图所示复合管,已知的,的,则复合后的约为。.....桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成即串并联选频网络和。.基本共射放大电路.基本共集放大电路.反相比例运算电路.同相比例运算电路.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是。.积分运算电路.微分运算电路.过零比较器.滞回比较器 招聘时间安排:

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一

一. 填充题

1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。

2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。

3. 在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻 。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是 失真。

5.工作于甲类的放大器是指导通角等于 ,乙类放大电路的导通角等于 ,工作于甲乙类时,导通角为 。

6.甲类功率输出级电路的缺点是 ,乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于 状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V;若ui1=1500µV, ui2=500µV,则差模输入电压uid为 µV,共模输入信号uic为 µV。

8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较 同相比例放大电路的输入电阻较 。

9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为 的影响。

10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中, 组态电流增益最; 组态电压增益最小; 组态功率增益最高; 组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是 组态。

二. 选择题

1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为( )。

大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案

大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案

模拟电子技术模拟试题及参考答案

模拟电子技术模拟试题一、填空题

(每小题1分,共10分)

1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。( )

2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。( )

3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。( )

4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。因此, RC的值越大,输出电压越高。( )

5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。( )

6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。( )

7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。( )

8、在OTL

功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。( )

9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。( )

10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。

模拟电子技术模拟试题二、判断题

(每小题1分,共10分)

1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。

a.大于 b. 小于 c. 等于

2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )

a.不变 b. 增大 c.减小

3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。 a.截止 b.饱和 c.放大

4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。

a.VCVBVE b.VCVC d.VEVB

5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。

a.共射或共源 b.差分放大 c.互补对称

模拟电子技术试卷五套含答案

模拟试卷一

一、填空16分

1.半导体二极管的主要特性是___________ ;

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC

=______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;

二、选择正确答案填空24分

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是 ;

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管

2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为 ;

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ;

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV;

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV;

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV;

D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV;

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ;

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大

5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ;

A.减小C,减小Ri B.减小C,增大Ri

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(八)

大学《模拟电子技术》试题及答案

一.是非题

(1)[ ] 只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。

(2)[ ] 引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

(3)[ ] 负反馈越深,电路的闭环增益越稳定。

(4)[ ] 零点漂移就是静态工作点的漂移。

(5)[ ] 放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

(6)[ ] 镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

(7)[ ] 半导体中的空穴带正电。

(8)[ ] P型半导体带正电,N型半导体带负电。

(9)[ ] 实现运算电路不一定非引入负反馈。

(10)[ ]凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。

二.选择填空

(1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入

; 为了展宽频带,应在放大电路中引入 。

(A)电流负反馈 (B)电压负反馈 (C)直流负反馈 (D)交流负反馈

(2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中, 。

(A)φA=-1800,φF=+1800 (B)φA=+1800,φF=+1800 (C)φA=00,φF=00

(3)集成运放的互补输出级采用 。

(A)共基接法 (B)共集接法 (C)共射接法 (D)差分接法

(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

(A)β (B)β2 (C)2β (D)1+β

(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是 ;

模拟电子技术试题及答案

练习一

一、填空(16分)

1.半导体二极管的主要特性是___________ .

2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ .

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真.

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域.

二、选择正确答案填空(24分)

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,—10 V,-9。3 V,则这只三极管是( )。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管

2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( ).

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( ).

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。

B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。

C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV.

D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。

4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( ).

A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大

5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。

(完整版)模拟电子技术测试试题及答案

1 《模拟电子技术》模拟试题一

一、 填空题:(每空1分 共40分)

1、PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是温度电流,它由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为0,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为无穷,等效成断开;

4、三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变小,发射结压降不变。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用电压并联负反馈,为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/(1/A+F),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=fH –fL,

1+AF称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器。

13、OCL电路是双电源互补功率放大电路;

OTL电路是单电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制零点漂移,也称温度漂移,所以它广泛应用于集成电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为载波信号。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy,电路符号是 。

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