三极管课件
合集下载
三极管工作原理(详解)ppt课件
VBQ
VB EQ Re
VCEQ VCC ICQ Rc IEQ Re VCC ICQ ( Rc Re )
IBQ
ICQ β
32
4.5.1 共集电极放大电路
Av 1 。 Ri Rb //[rbe ( 1
rbe β
共集电极电路特点：
◆ 电压增益小于1但接近于1，vo与vi同相 ◆ 输入电阻大，对电压信号源衰减小 ◆ 输出电阻小，带负载能力强
极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路：
只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中， 输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲 级。 共基极放大电路：
只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输 出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗 的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。
IE ＝ IB ＋IC
6
三极管的三种放大电路
当晶体管被用作放大器使用时，其中两个电极用作信号 (待放大信号) 的输入端子；两个电极作为信号 (放大后的 信号) 的输出端子。 那么，晶体管三个电极中，必须有一 个电极既是信号的输入端子，又同时是信号的输出端子， 这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。
1
目录
1 三极管的结构
2 三极管的作用
3
三极管的三种放大电路
4 三极管的开关状态
2
三极管的结构简介
三极管的类型：
• 按频率分：高频管、低频管； • 按功率分：小、中、大功率管； • 按半导体材料分：硅、锗管； • 按结构分：NPN和PNP管；
3
三极管的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
三极管经典教程PPT课件
2021
电流放大系数
共 射 电 流 放 大 系 数
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
直流电流放大系数
=IC / IB | vCE =const 交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
2021
电流放大系数
共
基
电
流
直流电流放大系数
放 大
α=IC/IE
vCCEE = 0V vCE
0V
1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
2021
BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线
iCv=CfB(vCEvC )EiB=vcBoE nst
输饱出和特区性：曲vCE线<v的BE 三的个区区域域，: 发射结正偏，集电结正 偏。 iC明显受vCE控制 的截区放止域大区，区：但：i不此B=随时0的i，B的输发增出射曲结线正以 加下而偏的增，区大集域。电。在结此饱反时和偏，区。，i发C不射随结 可和近vC集似E变电认化结为，均v但C反E随保偏i持B。的不i增C只大有而很
V C1.3V,V B0.6V
V CV B1.30.60.7V A －集电极
VA6VVB,VC
管子为NPN管
C－基极，B－发射极
另一例题参见P30 2.2.2-1
2021
§2.2.3 三极管的主要参数
三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的，是选管的依 据，共有以下三 大类参数。
电流放大系数 极间反向电流 极限参数
优秀实用的三极管精品PPT课件
好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
《三极管基本知识》PPT课件
饱和区
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。，
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意：β和β数值很接近，通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压，
0.4
硅管0.5V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
4
放
3
2
大
100A
80A 60A 40A
1
区
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
截止区
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
IB=800,IC=AICEO,U
B称E<为6死0截区A止电区压。，
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
二、输出特性
IC(mA )
此区域满
ICBO A
ICBO是集
电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
3.集电极最大电流ICM
集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，
当值下降到正常值的三分之二时的集电极电
流即为ICM。
4.集-射极反向击穿电压
当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、
注意：β和β数值很接近，通常不将他们严格区分。
四、三极管的特性曲线
IB
A RB
V UBE
RP
EB
IC mA
EC
V UCE
实验线路
一、输入特性
IB(A) 80 60 40
20
死区电压，
0.4
硅管0.5V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V
0.8 UBE(V)
一、输入特性
输入特性描述的是三极管基极电流IB和发射结两端电压UBE 之间的关系。
nnp发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极ppn发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极becnnp基极发射极集电极npn型pnp集电极基极发射极bcepnp型becnpn型becpnp型二极管检测用数字万用表测试二极管时是测量二极管的正向压降
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊
三极管课件
选型注意事项
工作频率与功率
根据电路需求选择合适 的工作频率和功率等级
的三极管。
材料与极性
考虑三极管的材料和极 性，如硅管或锗管， NPN型或PNP型。
封装与散热
根据实际应用场景选择 合适的封装形式，并考
虑散热问题。
可靠性与品牌
优先选择可靠性高、品 牌知名度大的产品。
测试方法介绍
外观检查
检查三极管的外观是否完好，引脚是 否氧化或变形。
动态性能
共射极放大电路具有电压放大和电流放大作用，其电压放大倍数Au和电流放大倍数Ai均 大于1。
共集电极放大电路
1 2 3
放大原理
输入信号加在基极与发射极之间，输出信号从发 射极取出。由于集电极是共同输出端，故称共集 电极放大电路。
静态工作点
与共射极放大电路相同，为了使三极管工作在放 大区，必须给三极管的发射结加正向偏置电压， 集电结加反向偏置电压。
保护电路
设计过流、过压和过热保护电路，确保电源和负载的安全。
其他模拟电路应用
模拟开关
利用三极管的开关特性，实现模拟信号的通断控 制。
模拟运算放大器
将三极管作为运算放大器的核心元件，实现加、 减、乘、除等模拟运算。
信号发生器
利用三极管的振荡特性，构建信号发生器，产生 所需频率和幅度的正弦波、方波等信号。
三极管结构特点
01
02
03
三个区域
发射区、基区和集电区， 分别对应三极管的三个电 极。
两个PN结
发射结和集电结，是三极 管实现放大和控制功能的 关键。
电流放大原理
利用发射结正向偏置时， 基区载流子的扩散和漂移 运动，实现电流的放大。
三个引脚名称与功能
三极管ppt课件
(4) 集电极的反向电流
ICN
因可集见电：结反偏，故基区本
身I的B=少IBN数-I载CB流O 子-电子和集
电区本身的少数载流子-空 穴I也C=要IC发N+生IC漂BO移运动形成
IBN ICBO
电I流B+IICCB=OIBN+ICN=IEN
最新版整理ppt
IE=IEN+IEP
32- 11
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.发射结反偏且，: V集CC电>结VB正B 偏
倒置状态
倒置状态是一种非工作状态。 最新版整理ppt
7
7
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管(BJT)
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
2.处于放大状态的BJT内部载流子的运动
（1）形成发射极电流IE
c
ba.基发区射向区发向射基区扩注散入空电穴子 形成发射极电流IEEPN：：
因基因可发区发见射的射：结多区正数I外E=偏载接IE,流电空N+子源间IE空的P电穴荷 b 因区向负发变发极射薄射,所区,区扩以杂扩散电质散运源浓。动负度扩加极远散强不远到, Rb 大漂发断于移射向基运区发区动后射的减被区杂弱电提质.源供浓负电度极子故拉, : 发子走 I从I故EE射向PN，而:。。I区基形形EI=E的区成成NIE>多扩N发发>+>数散I射射IEE载。P极极P≈流I电电EN子流流电最新版整理ppVt BB
基极(b)
集电极(c)
集电结(Jc)
箭头代表发射结正偏时
流过发射结电流的实际方向。
最新版整理ppt
32- 4
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管(BJT)
三极管ppt课件
生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
发射结加正向电压(也叫正偏置)； Vb>Ve （2）外部条件： 集电结加反向电压(也叫反偏置)。 Vc>Vb
作者： 符庆
△ IC ＝ β △ IB
IC ＝ β IB
——直流电流放大系数 ——交流电流放大系数
IE=IC+IB
IC＝ β IB IE ＝ IB + IC
硅管 三极管 锗管 NPN管 PNP管 NPN管 PNP管 PNP
NPN
三极管是组成各种电子电路的核心器件。
三极管的发明，使PN结的应用发生了质的飞跃。
2018/11/10
下页
4
作者： 符庆
7.2.1 双极型晶体管
BJT---双极 结型晶体管 一、基本结构（集电结、发射结）
面积大， 掺杂浓度适度 区域薄， 掺杂浓度低
b
80
60 40 20 0 0.2 0.8
UCE1V
ICM 20
C
100A 80A 60A
饱和区 15
IC＝ β IB
UBE(V)
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
10 5 3
放大区
40A 20A IB=0
阀值电压VBE
2018/11/10
三极管的三种工作状态： 1.截止 2.放大 3.饱和
β ) IB IE ＝ ( 1 +
2018/11/10
下页
9
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB 1.输入曲线： IB(A)
Rb
c b
IC
UCE
Rc
UBE
U BB
e
80
60
UCE1V
IE
I B ( A)
UCC
2
下页
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
双极型晶体管 BJT
三极管
Bipolar Junction Transistor
场效应晶体管 FET
Field Effect Transistor
2018/11/10
下页
3
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
2018/11/10
海南科技职业学院
1
下页
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 1. 2. 3. 4. 5. 6. 半导体 PN结 二极管 双极型晶体管BJT 场效应晶体管FET 晶闸管(可控硅)
结构 检测 放大原理 特性曲线 主要参数 三种状态 三大作用
2018/11/10
海南科技职业学院
c e
Rb
IB
b
Rc
P
工作过程：
（3）C区收集B区扩散过来的电子 （2）电子在B区复合、扩散 （1）E区向B区扩散电子
N
e
U CE
U BE
IE
微小的基极电流 IB，可以控制较大的集电极电流 IC， 所以三极管是电流控制元件。 IE=IC+IB 8 2018/11/10 下页
7.2.1 双极型晶体管
掺杂浓度高
三极管的结构并不是对称的，所以发射极和集电极不能对调使用。
2018/11/10
下页
5
作者： 符庆
二、三极管的检测
NPN型三极管的直流测量等效电路如图3-5， PNP型三极管的直流测量等效电路如图3-6。 将数字多用表置于 档，按图3-3、图3-4的接法测量 三极管（接B极的表笔不变换，而另一支表笔分别接三极管 的另外两脚），表头会有读数（一般为700～900Ω左右）；
40
20 0 0.2 0.8 UBE(V)
UCE 0
U CE 1V
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
0
U BE (V )
10
2018/11/10
下页
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
7.1 PN结和半导体二极管………………143 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管……147 7.2.1 双极型晶体管………………147 7.2.2 场效应晶体管………………151 7.3 晶闸管和单结晶体管………………156 7.3.1 晶闸管………………………156 7.3.2 单结晶体管…………………158
基极b(base) 发射极e(emitter)
2018/11/10
下页
7
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集） （2）外部条件： I c b e
发射结加正向电压(也叫正偏置)；Vb>Ve 集电结加反向电压(也叫反偏置)。Vc>Vb
c
ICBO
作者： 符庆
C
N
NPN管：Vc>Vb>Ve PNP管：Vc<Vb<Ve b
3.饱和状态
VBE≥ 0.7V UCE= 0.2V～0.3V
2018/11/10
下页
13
作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(PNP 锗管)
1.截止状态 VBE＞- 0.2V IB= 0 VEB＜ 0.2V UCE= -VCC VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= -几 V VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= - 0.2V～ -
9
12 UCE(V)
12
截止区
下页
作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(NPN 硅管)
c IC UCE e
IB
RB
b VBE
RC
UCC
1.截止状态
VBE＜ 0.5V IB= 0 UCE= VCC VBE≥ 0.7V
1 ≈ UCE= 几 V 2 VCC
UBB
IE
2.放大状态
ebc ec b c be b ce
2018/11/10
6
下页
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
三极管的放大作用
电流放大
（1）内部条件（结构特点）： 发射区掺杂浓度高——以便有足够的载流子供“发 射”。 基区很薄，掺杂浓度低 ——控制由发射区运动到集电 区的载流子，减少载流子在基区复合的机会。 集电区面积比发射区大——便于收集由发射区来的 载流子和散热。 集电极c(collector)
c b
IC
UCE
Rc
2.输出曲线：
IC IB 一定 UCE
Rb
UBE
U BB
I B ( A)
e
IE
UCC
0
U CE 1V
饱和 压降
0
U BE (V )
2018/11/10
下页
11
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
IC β I
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） 1.输入曲线： 2.输出曲线： IB(A) I (mA )
发射结加正向电压(也叫正偏置)； Vb>Ve （2）外部条件： 集电结加反向电压(也叫反偏置)。 Vc>Vb
作者： 符庆
△ IC ＝ β △ IB
IC ＝ β IB
——直流电流放大系数 ——交流电流放大系数
IE=IC+IB
IC＝ β IB IE ＝ IB + IC
硅管 三极管 锗管 NPN管 PNP管 NPN管 PNP管 PNP
NPN
三极管是组成各种电子电路的核心器件。
三极管的发明，使PN结的应用发生了质的飞跃。
2018/11/10
下页
4
作者： 符庆
7.2.1 双极型晶体管
BJT---双极 结型晶体管 一、基本结构（集电结、发射结）
面积大， 掺杂浓度适度 区域薄， 掺杂浓度低
b
80
60 40 20 0 0.2 0.8
UCE1V
ICM 20
C
100A 80A 60A
饱和区 15
IC＝ β IB
UBE(V)
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
10 5 3
放大区
40A 20A IB=0
阀值电压VBE
2018/11/10
三极管的三种工作状态： 1.截止 2.放大 3.饱和
β ) IB IE ＝ ( 1 +
2018/11/10
下页
9
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB 1.输入曲线： IB(A)
Rb
c b
IC
UCE
Rc
UBE
U BB
e
80
60
UCE1V
IE
I B ( A)
UCC
2
下页
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
双极型晶体管 BJT
三极管
Bipolar Junction Transistor
场效应晶体管 FET
Field Effect Transistor
2018/11/10
下页
3
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管
2018/11/10
海南科技职业学院
1
下页
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件 1. 2. 3. 4. 5. 6. 半导体 PN结 二极管 双极型晶体管BJT 场效应晶体管FET 晶闸管(可控硅)
结构 检测 放大原理 特性曲线 主要参数 三种状态 三大作用
2018/11/10
海南科技职业学院
c e
Rb
IB
b
Rc
P
工作过程：
（3）C区收集B区扩散过来的电子 （2）电子在B区复合、扩散 （1）E区向B区扩散电子
N
e
U CE
U BE
IE
微小的基极电流 IB，可以控制较大的集电极电流 IC， 所以三极管是电流控制元件。 IE=IC+IB 8 2018/11/10 下页
7.2.1 双极型晶体管
掺杂浓度高
三极管的结构并不是对称的，所以发射极和集电极不能对调使用。
2018/11/10
下页
5
作者： 符庆
二、三极管的检测
NPN型三极管的直流测量等效电路如图3-5， PNP型三极管的直流测量等效电路如图3-6。 将数字多用表置于 档，按图3-3、图3-4的接法测量 三极管（接B极的表笔不变换，而另一支表笔分别接三极管 的另外两脚），表头会有读数（一般为700～900Ω左右）；
40
20 0 0.2 0.8 UBE(V)
UCE 0
U CE 1V
阀值电压VBE
硅 Si：0.5~0.7V 锗Ge：0.2~0.3V
0
U BE (V )
10
2018/11/10
下页
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） IB
电工电子技术
作者： 符庆
第7章 常用半导体器件
7.1 PN结和半导体二极管………………143 7.2 双极型晶体管和场效应晶体管……147 7.2.1 双极型晶体管………………147 7.2.2 场效应晶体管………………151 7.3 晶闸管和单结晶体管………………156 7.3.1 晶闸管………………………156 7.3.2 单结晶体管…………………158
基极b(base) 发射极e(emitter)
2018/11/10
下页
7
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集） （2）外部条件： I c b e
发射结加正向电压(也叫正偏置)；Vb>Ve 集电结加反向电压(也叫反偏置)。Vc>Vb
c
ICBO
作者： 符庆
C
N
NPN管：Vc>Vb>Ve PNP管：Vc<Vb<Ve b
3.饱和状态
VBE≥ 0.7V UCE= 0.2V～0.3V
2018/11/10
下页
13
作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(PNP 锗管)
1.截止状态 VBE＞- 0.2V IB= 0 VEB＜ 0.2V UCE= -VCC VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= -几 V VBE≤- 0.3V VEB≥ 0.3V UCE= - 0.2V～ -
9
12 UCE(V)
12
截止区
下页
作者： 符庆
三极管的三种工作状态：
(NPN 硅管)
c IC UCE e
IB
RB
b VBE
RC
UCC
1.截止状态
VBE＜ 0.5V IB= 0 UCE= VCC VBE≥ 0.7V
1 ≈ UCE= 几 V 2 VCC
UBB
IE
2.放大状态
ebc ec b c be b ce
2018/11/10
6
下页
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
三极管的放大作用
电流放大
（1）内部条件（结构特点）： 发射区掺杂浓度高——以便有足够的载流子供“发 射”。 基区很薄，掺杂浓度低 ——控制由发射区运动到集电 区的载流子，减少载流子在基区复合的机会。 集电区面积比发射区大——便于收集由发射区来的 载流子和散热。 集电极c(collector)
c b
IC
UCE
Rc
2.输出曲线：
IC IB 一定 UCE
Rb
UBE
U BB
I B ( A)
e
IE
UCC
0
U CE 1V
饱和 压降
0
U BE (V )
2018/11/10
下页
11
7.2.1 双极型晶体管
三、放大原理（E发射—B扩散、复合—C收集）
作者： 符庆
IC β I
四、特性曲线（输入曲线、输出曲线） 1.输入曲线： 2.输出曲线： IB(A) I (mA )