三极管(课件)
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三极管 教学ppt课件

+++
c + + +
++++ -
++++
+++
b
UBB RB UCC RC
5
1、发射区的电子大量地扩散注 入到基区,基区空穴的扩散可
忽略。
发射结正偏
集电结反偏
外电场方向
NP
N
++++
e ++++ ++++
+++
c + + +
++++ -
++++
IE
b
+++
UBB RB UCC RC
6
1、大量电子N2通过很 薄1、的发射基区极的被电子集大电量极地扩吸散注 收入忽到略,基。少区量,基电区子空穴N的1在扩基散可 极与空穴复合。N2和 N2、1的电子比扩例散由的同三时极,在管基内区将 部与空结穴构相决遇产定生。复合在。不由考于基 虑区薄空,IC穴因BO浓此时度,低复:,合且的基电区子做是得极很 少 数。 IC/IB=N2/N1=β 2、以上公式是右方电 路3扩、散满绝到大足集多发电数结射到处基结,区并正的在偏电集子、电均结能 集电场电作结用反下到偏达时集电得区到。的,
工作状态
放大 截止 饱和 倒置
发射结电压
正向 反向 正向 反向
集电结电压
反向 反向 正向 正向
• 由放大状态进入截止状态 的临界情况是发射结电压 为零,此时基区的反向电 流分别流入发射极和集电 极。
三极管工作原理(详解)ppt课件

VBQ
VB EQ Re
VCEQ VCC ICQ Rc IEQ Re VCC ICQ ( Rc Re )
IBQ
ICQ β
32
4.5.1 共集电极放大电路
Av 1 。 Ri Rb //[rbe ( 1
rbe β
共集电极电路特点:
◆ 电压增益小于1但接近于1,vo与vi同相 ◆ 输入电阻大,对电压信号源衰减小 ◆ 输出电阻小,带负载能力强
极电阻有很大关系。适用于低频情况下,作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路:
只有电流放大作用,没有电压放大,有电压跟随作用。在三种组态中, 输入电阻最高,输出电阻最小,频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲 级。 共基极放大电路:
只有电压放大作用,没有电流放大,有电流跟随作用,输入电阻小,输 出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好,常用于高频或宽频带低输入阻抗 的场合,模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。
IE = IB +IC
6
三极管的三种放大电路
当晶体管被用作放大器使用时,其中两个电极用作信号 (待放大信号) 的输入端子;两个电极作为信号 (放大后的 信号) 的输出端子。 那么,晶体管三个电极中,必须有一 个电极既是信号的输入端子,又同时是信号的输出端子, 这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。
1
目录
1 三极管的结构
2 三极管的作用
3
三极管的三种放大电路
4 三极管的开关状态
2
三极管的结构简介
三极管的类型:
• 按频率分:高频管、低频管; • 按功率分:小、中、大功率管; • 按半导体材料分:硅、锗管; • 按结构分:NPN和PNP管;
3
三极管的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
三极管经典教程PPT课件

2021
电流放大系数
共 射 电 流 放 大 系 数
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
直流电流放大系数
=IC / IB | vCE =const 交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
2021
电流放大系数
共
基
电
流
直流电流放大系数
放 大
α=IC/IE
vCCEE = 0V vCE
0V
1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
2021
BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线
iCv=CfB(vCEvC )EiB=vcBoE nst
输饱出和特区性:曲vCE线<v的BE 三的个区区域域,: 发射结正偏,集电结正 偏。 iC明显受vCE控制 的截区放止域大区,区:但:i不此B=随时0的i,B的输发增出射曲结线正以 加下而偏的增,区大集域。电。在结此饱反时和偏,区。,i发C不射随结 可和近vC集似E变电认化结为,均v但C反E随保偏i持B。的不i增C只大有而很
V C1.3V,V B0.6V
V CV B1.30.60.7V A -集电极
VA6VVB,VC
管子为NPN管
C-基极,B-发射极
另一例题参见P30 2.2.2-1
2021
§2.2.3 三极管的主要参数
三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的,是选管的依 据,共有以下三 大类参数。
电流放大系数 极间反向电流 极限参数
优秀实用的三极管精品PPT课件

好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
(1)发射区向基区发射自由电
子,形成发射极电流IE。
•
(2)自由电子在基区与空穴复
合,形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等,这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据,
下面介绍三极管的几个主要参数。
• (1)共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号,从集
电极输出信号,此种接法(共发射极)
下的电流放大系数。
–(2)极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
(d)三极管的集电极和发射极
近似短接,三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时,通常
工作在截止和饱和导通状态;作为放大
元件使用时,一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多,如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成,称为硅三极管;也可以由锗
材料制成,称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲,种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管;根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
(1)发射区向基区发射自由电
子,形成发射极电流IE。
•
(2)自由电子在基区与空穴复
合,形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等,这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据,
下面介绍三极管的几个主要参数。
• (1)共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号,从集
电极输出信号,此种接法(共发射极)
下的电流放大系数。
–(2)极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
(d)三极管的集电极和发射极
近似短接,三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时,通常
工作在截止和饱和导通状态;作为放大
元件使用时,一般要工作在放大状态。
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26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多,如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成,称为硅三极管;也可以由锗
材料制成,称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲,种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管;根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
初三理化生3三极管课件

复合管的组成:多只管子合理连接等效成一只管子。 目的:增大β,减小前级驱动电流,改变管子的类型。
iE iB1(1 1)(1 2 ) 12
不同类型的管子复合 后,其类型决定于T1管。
讨论一
1、分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态; 2、已知T导通时的UBE=0.7V,若当uI=5V,则β在什么范围内T 处于放大状态,在什么范围内T处于饱和状态?
2K (v V )
n
GS
P
iD Kn (vGS VP )2
3.3 电流源电路
3.3.1 BJT电流源电路
1、 镜像电流源
3、组合电流源
2、 微电流源
3.3.2 FET电流源
1、 JFET电流源 2、 MOSFET镜像电流源 3、 MOSFET多路电流源
3.3.1 BJT电流源电路
1、镜象电流源
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
3.1.2 晶体管电流的可控性
1、 电流可控是如何实现的? 从两个独立的理想二极管一个正偏,一个反偏。来理解….
可控的内部条件发基射区区很浓薄度,最且高杂,质集浓电度区低面积最大
可控的外部条件vBE vCB
V(发射结正偏) ON
0,即v v(集电结反偏)
CE
基准电流
T0 和 T1 特性完全相同。
即β0=β1,ICEO0=ICEO1
I (V V ) R
R
CC
BE
V V ,I I
BE1
BE0
B1
B0
IC1 IC0 IC
IR
IC0
IB0
I B1
IC
2IC
IC 2 IR
代表符号
若 2 时,则IC IR
iE iB1(1 1)(1 2 ) 12
不同类型的管子复合 后,其类型决定于T1管。
讨论一
1、分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态; 2、已知T导通时的UBE=0.7V,若当uI=5V,则β在什么范围内T 处于放大状态,在什么范围内T处于饱和状态?
2K (v V )
n
GS
P
iD Kn (vGS VP )2
3.3 电流源电路
3.3.1 BJT电流源电路
1、 镜像电流源
3、组合电流源
2、 微电流源
3.3.2 FET电流源
1、 JFET电流源 2、 MOSFET镜像电流源 3、 MOSFET多路电流源
3.3.1 BJT电流源电路
1、镜象电流源
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
3.1.2 晶体管电流的可控性
1、 电流可控是如何实现的? 从两个独立的理想二极管一个正偏,一个反偏。来理解….
可控的内部条件发基射区区很浓薄度,最且高杂,质集浓电度区低面积最大
可控的外部条件vBE vCB
V(发射结正偏) ON
0,即v v(集电结反偏)
CE
基准电流
T0 和 T1 特性完全相同。
即β0=β1,ICEO0=ICEO1
I (V V ) R
R
CC
BE
V V ,I I
BE1
BE0
B1
B0
IC1 IC0 IC
IR
IC0
IB0
I B1
IC
2IC
IC 2 IR
代表符号
若 2 时,则IC IR
三极管ppt课件完整版

常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低,观察电路是否有过载现象,若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值,若过大则检查电路是否存在漏 电现象,并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好,测量其热稳定性参数是否在规定范围内,若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极,即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间, 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低,输出阻抗高,因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用,将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间,输出信号从集电极取出,经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流,使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压,使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压,适用于某些特殊
三极管ppt课件

(4) 集电极的反向电流
ICN
因可集见电:结反偏,故基区本
身I的B=少IBN数-I载CB流O 子-电子和集
电区本身的少数载流子-空 穴I也C=要IC发N+生IC漂BO移运动形成
IBN ICBO
电I流B+IICCB=OIBN+ICN=IEN
最新版整理ppt
IE=IEN+IEP
32- 11
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.发射结反偏且,: V集CC电>结VB正B 偏
倒置状态
倒置状态是一种非工作状态。 最新版整理ppt
7
7
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管(BJT)
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
2.处于放大状态的BJT内部载流子的运动
(1)形成发射极电流IE
c
ba.基发区射向区发向射基区扩注散入空电穴子 形成发射极电流IEEPN::
因基因可发区发见射的射:结多区正数I外E=偏载接IE,流电空N+子源间IE空的P电穴荷 b 因区向负发变发极射薄射,所区,区扩以杂扩散电质散运源浓。动负度扩加极远散强不远到, Rb 大漂发断于移射向基运区发区动后射的减被区杂弱电提质.源供浓负电度极子故拉, : 发子走 I从I故EE射向PN,而:。。I区基形形EI=E的区成成NIE>多扩N发发>+>数散I射射IEE载。P极极P≈流I电电EN子流流电最新版整理ppVt BB
基极(b)
集电极(c)
集电结(Jc)
箭头代表发射结正偏时
流过发射结电流的实际方向。
最新版整理ppt
32- 4
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 半导体三极管(BJT)
三极管ppt课件

生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力,当输入信号频率接近或超过截止 频率时,晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段,负载效应对信号产生较大的影 响,使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电,输出端通过大容量电容与负载耦合,具 有电路简单、成本低等优点,但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上,具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中,用 于驱动扬声器、耳机等负载,提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区,主要用于高频功率放大,效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL(Output Capacitor Less )功…
采用双电源供电,输出端与负载直接耦合,具有低失真、 高效率等优点,但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL(Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大,输出电阻较大,输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用,将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力,当输入信号频率接近或超过截止 频率时,晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段,负载效应对信号产生较大的影 响,使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电,输出端通过大容量电容与负载耦合,具 有电路简单、成本低等优点,但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上,具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中,用 于驱动扬声器、耳机等负载,提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区,主要用于高频功率放大,效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL(Output Capacitor Less )功…
采用双电源供电,输出端与负载直接耦合,具有低失真、 高效率等优点,但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL(Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大,输出电阻较大,输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用,将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
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2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式
一、晶体三极管的工作电压
三极管的基本作用是放大电信号。
三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结加正向 电压,集电结加反向电压。
GB为基极电 Rb为基极 源,又称偏 Rc为集电 电阻 V为三极管 GC为集电 置电源 极电阻。 极电源
图2.1.4 三极管电源的接法
图2.1.12估测β 的电路
三、估测ICEO NPN管估测电路如图2.1.13所示。所测阻值越大, 说明管子的 I CEO 越小。若阻值无穷大,三极管开路; 若阻值为零,三极管短路。 测PNP型管时,红、黑表笔对调,方法同前。
图2.1.13
I CEO的估测
四、NPN管型和PNP管型的判断
将万用表设置在 R 1k 或 R 100 挡,用黑表 笔和任一管脚相接(假设它是基极b),红表笔分别和 另外两个管脚相接,如果测得两个阻值都很小,则黑 表笔所连接的就是基极,而且是 NPN型的管子。如图 2.1.14(a)所示。如果按上述方法测得的结果均为高 阻 值 , 则 黑 表 笔 所 连 接 的 是 PNP 管 的 基 极 。 如 图 2.1.14(b)所示。
2.集电极— —发射极反向饱和电流ICEO。
I CEO (1 ) I CBO
(2.1.7)
反向饱和电流随温度增加而增加,是管子工作状态 不稳定的主要因素。因此,常把它作为判断管子性能的 重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化 范围大的工作环境应选用硅管。
三、极限参数
1. 集电极最大允许电流ICM 三极管工作时,当集电极电流超过ICM时,管子性能将显 著下降,并有可能烧坏管子。 2. 集电极最大允许耗散功率PCM
见图2.1.7(b)。 ICEO 越 小 , 三极管温度稳 定性越好。硅 管的温度稳定 性比锗管好。
二、晶体三极管的电流放大作用
视频1
视频2
动画 三极管的电流放大作用
IB/mA -0.001 IC/mA 0.001
0 0.01
0.01 0.56
0.02 1.14
0.03 1.74
0.04 2.33
2.1.5 三极管主要参数
三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。 一、共发射极电流放大系数 1.直流放大系数
2.交流放大系数
电流放大系数一般在10~100之间。太小,放大能力弱,太大 易使管子性能不稳定。一般取30~80为宜。
二、极间反向饱和电流 1.集电极— —基极反向饱和电流ICBO。
晶体三极管的工作状态 + R RP 输出 输入 V 输入 V1 OFF状态 晶体三极管开关特性 RP V2 输入 发光
+ R
+
R RP V2 V1 ON状态 熄灭
放大状态 晶体三极管的工作状态
晶体三极管的作用
{ {
放大状态 开关状态
放大作用
{
截止状态 饱和导通状态
开关作用
通过控制三极管的基极电流
问题:怎样改变电路,使晶体三极管处于饱和导通状态使二极管发光,熄灭
因IB很小,则
(2.1.明: 1. I E 0 时,I C I B I CBO 。 I CBO 称为集电极——基极反向饱和电流,见图2.1.7(a) 。 一般 I CBO很小,与温度有关。
I C I E I CEO 。 2. I B 0 时, I CEO 称为集电极——发射极反向电流,又叫穿透电流,
当V=0.6~0.7V时, 为硅管
当V=0.1~0.3V时 为锗管。
图2.1.11判别硅管和锗管的测试电路
二、估计比较的大小 NPN管估测电路如图2.1.12所示。
万用表设置在 R 1 挡,测量并比较开关S断开和 接通时的电阻值。前后两个读数相差越大,说明管子的β 越高,即电流放大能力越大。 估测PNP管时,将万用表两只表笔对换位置。
三极管的封装形式和管脚识别
• 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方
式具有一定的规律,如图对于小功率金属封装三极管,按图示底视图
位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c; 对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,
则从左到右依次为e b c。
图2.1.12估测β 的电路
视频
图2.1.14基极b的判断
五、e、b、c三个管脚的判断 首先确定三极管的基极和管型,然后采用估测 β值的 方法判断 c 、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极 (另一个假定为发射极)接入电路,记下欧姆表的摆动幅 度,然后再把两个待定电极对调一下接入电路,并记下欧 姆表的摆动幅度。摆动幅度大的一次,黑表笔所连接的管 脚 是 集 电极 c ,红表笔所连接的管脚为发射极 e ,如 图 2.1.12所示。测PNP管时,只要把图2.1.12电路中红、黑表 笔对调位置,仍照上述方法测试。
I C I B
考虑ICEO,则
(2.1.5)
I C I B I CEO
(2.1.6)
2.1.4 三极管的输入和输出特性
一、共发射极输入特性曲线 集射极之间的电压VCE一定时,发射结电压VBE与基极电流 IB之间的关系曲线。
视频1
视频2
动画
三极管的输入特性
由图可见:
1.当V CE ≥2 V时,特性曲线基本重合。 2.当VBE很小时,IB等于零, 三极管处于截止状态; 3.当VBE大于门槛电压(硅管 约0.5V,锗管约0.2V)时, IB逐渐增大,三极管开始导 通。 4.三极管导通后,VBE基本不 变。硅管约为0.7V,锗管 约为0.3V,称为三极管的导 通电压。
特点:有三个电极,故称三极管。
2. 三极管的结构
特点:
图2.1.2 三极管的结构图
有三个区——发射区、基区、集电区; 两个PN结——发射结(BE结)、集电结(BC结); 三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C); 两种类型—— P N P型管和NPN型管。 工艺要求:发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最 少;集电区比发射区体积大且掺杂少。
当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值 时,管子性能变坏或烧毁。
3. 集电极— —发射极间反向击穿电压V(BR)CEO 管子基极开路时,集电极和发射极之间的最大允许电 压。当电压越过此值时,管子将发生电压击穿,若电击穿 导致热击穿会损坏管子。
2.1.6 三极管的简单测试 一、硅管或锗管的判别
0.05 2.91
IE/mA
由表得出
0
0.01
0.57
1.16
1.77
2.37
2.96
I C 0.58mA 58 I B 0.01mA
结论: 1.三极管的电流放大作用——基极电流 I B 微小的变化, 引起集电极电流 I C 较大变化。 2.交流电流放大系数 ——表示三极管放大交流电流的 能力 I C (2.1.3) I B 3.直流电流放大系数——表示三极管放大直流电流的 能力 IC IB (2.1.4) 4.通常 ,I C I B ,所以可表示为
• 电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013 (NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018 (NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、 3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。
塑封小功率管 金封小功率管 塑封大功率管
片状三极管
金封大功率管
学习内容:晶体三极管
1、三极管的结构、分类和符号
2、三极管的工作电压和基本联接方式
3、三极管内电流的分配和放大作用
4、三极管的输入和输出特性
5、三极管主要参数
6、三极管的简单测试
2.1 晶体三极管
晶体三极管: 是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点:管内有两种载流子参与导电。 2.1.1 三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1. 三极管的外形
二、晶体三极管的符号 箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号:V
图2.1.3 三极管符号
三、晶体三极管的分类 1.三极管有多种分类方法。 按内部结构分:有 NPN型和PNP型管; 按工作频率分:有低频管和高频管;
按功率分:有小功率管和大功率管; 按用途分:有普通管和开关管; 按半导体材料分:有锗管和硅管等等。 2.国产三极管命名法:见《电子线路》P249附录二。 例如:3DG表示高频小功率NPN型硅三极管; 3CG表示高频小功率PNP型硅三极管; 3AK表示PNP型开关锗三极管等。
晶体三极管具有放大作用 如果在基极中加一个较小 的电信号时,集电极就得 到一个放大了的电信号 + R RP
输出
输入
在基极中如果有一个很小的电 流变化,可在集电极得到一个 很大的电流变化,这就是晶体 三极管的电流放大作用
R RP mA μA Ⅰb V Ⅰc E
V
Ⅰe 3V
放大电路
晶体三极管的电流放大原理图
表2.1.1
IB/mA IC/mA IE/mA -0.001 0.001 0 0 0.01 0.01 0.01 0.56 0.57 0.02 1.14 1.16 0.03 1.74 1.77 0.04 2.33 2.37 0.05 2.91 2.96
由表2.1.1可见,三极管中电流分配关系如下:
IE IC IB
二、晶体三极管在电路中的基本连接方式
有三种基本连接方式:共发射极、共基极和共集电 极接法。最常用的是共发射极接法。 如图2.1.5所示:
2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用 一、电流分配关系 测量电路如图
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