三极管(课件)经典.ppt
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三极管经典教程PPT课件
2021
电流放大系数
共 射 电 流 放 大 系 数
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
直流电流放大系数
=IC / IB | vCE =const 交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
2021
电流放大系数
共
基
电
流
直流电流放大系数
放 大
α=IC/IE
vCCEE = 0V vCE
0V
1V
iB b +
c + iC
vCE
vBE - e -
VCC
VBB
共射极放大电路
2021
BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线
iCv=CfB(vCEvC )EiB=vcBoE nst
输饱出和特区性：曲vCE线<v的BE 三的个区区域域，: 发射结正偏，集电结正 偏。 iC明显受vCE控制 的截区放止域大区，区：但：i不此B=随时0的i，B的输发增出射曲结线正以 加下而偏的增，区大集域。电。在结此饱反时和偏，区。，i发C不射随结 可和近vC集似E变电认化结为，均v但C反E随保偏i持B。的不i增C只大有而很
V C1.3V,V B0.6V
V CV B1.30.60.7V A －集电极
VA6VVB,VC
管子为NPN管
C－基极，B－发射极
另一例题参见P30 2.2.2-1
2021
§2.2.3 三极管的主要参数
三极管的参数是 用来表征管子性 能优劣适应范围 的，是选管的依 据，共有以下三 大类参数。
电流放大系数 极间反向电流 极限参数
三极管PPT教学讲义
收集 载流
基区的少数载流子——ICBO
子
VBB
VCC
电流分配与控制 IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有ICN>>IBN IC=ICN+ ICBO
IB=IEP+ IBN－ICBO
IE =IC+IB
VBB
VCC
电流分配与控制
• 使晶体管具有电流分配与控制能力的两个重要条件
– ③集电结对非平衡载流子的收集作用漂移为主
4.1.3 三极管各电极的电流关系
集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系定义:
ICN/IE
称为共基极直流电流放大系数。
表示集电极收集到的电子电流ICN与总发射极电流IE的比
值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 的值小
于1, 但接近1，一般为0.98~0.999 。
BJT 结构
从外表上看两个N区,或两个P区是对称的,实际上: 发射区的掺杂浓度大,发射载流子 集电区掺杂浓度低,且集电结面积大,收集载流子 基区得很薄,控制载流子分配,其厚度一般在几个微米至几十
个微米.
+
BJT的三种组态
CB Common Base ：共基极,基 极为公共电极
CE Common Emitter ：共发射极, 发射极为公共电极
强,IC增大. JC和JE都正偏, VCES约等于0.3V,
ic VCE=VBE
饱
6和 放
区 4
大
区
2
IC< IB 0
饱和时c、e间电压记为VCES,深 度饱和时VCES约等于0.3V.
截止区
246
优秀实用的三极管精品PPT课件
好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
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可编辑
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• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
三极管课件
Nhomakorabea04
三极管在模拟电路中应用 举例
共射极放大电路
原理
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数大，输出电压与输 入电压反相。
应用
音频放大、振荡器、调制器等。
共基极放大电路
原理
输入信号加在发射极与基极之间，输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数小，但频带宽，适用于高频放大。
品牌与质量
选择知名品牌和质量可靠的三极管，可以 降低因器件质量问题导致的电路故障风险。
THANKS
感谢观看
3
极间反向电压测量
包括集电极-基极反向击穿电压BVCBO、集电极发射极反向击穿电压BVCEO、发射极-基极反向 击穿电压BVEBO的测量。
封装类型及识别方法
封装类型
常见的三极管封装类型有TO-92、TO-126、TO-220等，不同 封装类型的三极管在引脚排列、尺寸等方面存在差异。
识别方法
通过观察封装上的标记和引脚排列，可以识别出三极管的类型、 引脚定义等信息。例如，TO-92封装的三极管通常有一个突出 的引脚，即为发射极；而TO-220封装的三极管则通过引脚排列 和散热片的位置来识别。
工作原理简介
截止状态 当基极电流IB=0时，三极管处于截止状态，此时集电极电 流IC≈0，相当于开关断开。
放大状态 当基极电流IB介于截止电流和饱和电流之间时，三极管处 于放大状态。此时，集电极电流IC随基极电流IB的增大而 增大，且满足一定的电流放大倍数。
饱和状态 当基极电流IB增大到一定程度时，三极管进入饱和状态。 此时，集电极电流IC达到最大值，且不再随基极电流IB的 增大而明显增大。相当于开关闭合。
三极管在模拟电路中应用 举例
共射极放大电路
原理
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数大，输出电压与输 入电压反相。
应用
音频放大、振荡器、调制器等。
共基极放大电路
原理
输入信号加在发射极与基极之间，输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数小，但频带宽，适用于高频放大。
品牌与质量
选择知名品牌和质量可靠的三极管，可以 降低因器件质量问题导致的电路故障风险。
THANKS
感谢观看
3
极间反向电压测量
包括集电极-基极反向击穿电压BVCBO、集电极发射极反向击穿电压BVCEO、发射极-基极反向 击穿电压BVEBO的测量。
封装类型及识别方法
封装类型
常见的三极管封装类型有TO-92、TO-126、TO-220等，不同 封装类型的三极管在引脚排列、尺寸等方面存在差异。
识别方法
通过观察封装上的标记和引脚排列，可以识别出三极管的类型、 引脚定义等信息。例如，TO-92封装的三极管通常有一个突出 的引脚，即为发射极；而TO-220封装的三极管则通过引脚排列 和散热片的位置来识别。
工作原理简介
截止状态 当基极电流IB=0时，三极管处于截止状态，此时集电极电 流IC≈0，相当于开关断开。
放大状态 当基极电流IB介于截止电流和饱和电流之间时，三极管处 于放大状态。此时，集电极电流IC随基极电流IB的增大而 增大，且满足一定的电流放大倍数。
饱和状态 当基极电流IB增大到一定程度时，三极管进入饱和状态。 此时，集电极电流IC达到最大值，且不再随基极电流IB的 增大而明显增大。相当于开关闭合。
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊
《三极管工作原理》课件
功率放大
在音频放大器或射频放大器中，三极管能够将较小的音频或射频信 号放大成足够推动扬声器或无线发射的功率。
运算放大器
三极管构成的运算放大器在模拟电路中广泛应用，用于信号运算、 处理和转换。
开关电路中的应用
01
02
03
逻辑门电路
三极管可以组成逻辑门电 路，如与门、或门、非门 等，用于实现基本的逻辑 运算和控制。
开关电源
在开关电源中，三极管起 到开关作用，控制电源的 通断，实现电源的高效转 换。
继电器
三极管可以作为电子继电 器使用，代替传统的机械 继电器，实现小型化、快 速响应和长寿命。
其他应用领域
振荡器
三极管可以组成各种振荡 器，如RC振荡器、LC振荡 器等，用于产生特定频率 的信号。
传感器
利用三极管的电流放大作 用，可以制作各种传感器 ，如光电传感器、磁敏传 感器等。
三极管分类
总结词
三极管有多种分类方式，按材料可分为硅管和锗管，按结构可分为NPN和PNP 型。
详细描述
根据制作材料，三极管可以分为硅管和锗管两类。根据内部电荷类型，三极管 可以分为NPN型和PNP型两类。不同类型的三极管具有不同的工作特性和用途 。
三极管结构
总结词
三极管由三个半导体区域构成，形成PN结，通过电流控制实现放大和开关功能。
传输过程中，载流子会受到半导体材料中杂质和 晶格结构的影响，产生散射和碰撞等行为。
电流分配关系
01
在三极管中，基极、集电极和发射极之间的电流分配关系是由三极管的材料和 结构决定的。
02
在理想情况下，基极电流、集电极电流和发射极电流之间存在一定的比例关系 ，这种比例关系称为电流放大倍数（β值）。
在音频放大器或射频放大器中，三极管能够将较小的音频或射频信 号放大成足够推动扬声器或无线发射的功率。
运算放大器
三极管构成的运算放大器在模拟电路中广泛应用，用于信号运算、 处理和转换。
开关电路中的应用
01
02
03
逻辑门电路
三极管可以组成逻辑门电 路，如与门、或门、非门 等，用于实现基本的逻辑 运算和控制。
开关电源
在开关电源中，三极管起 到开关作用，控制电源的 通断，实现电源的高效转 换。
继电器
三极管可以作为电子继电 器使用，代替传统的机械 继电器，实现小型化、快 速响应和长寿命。
其他应用领域
振荡器
三极管可以组成各种振荡 器，如RC振荡器、LC振荡 器等，用于产生特定频率 的信号。
传感器
利用三极管的电流放大作 用，可以制作各种传感器 ，如光电传感器、磁敏传 感器等。
三极管分类
总结词
三极管有多种分类方式，按材料可分为硅管和锗管，按结构可分为NPN和PNP 型。
详细描述
根据制作材料，三极管可以分为硅管和锗管两类。根据内部电荷类型，三极管 可以分为NPN型和PNP型两类。不同类型的三极管具有不同的工作特性和用途 。
三极管结构
总结词
三极管由三个半导体区域构成，形成PN结，通过电流控制实现放大和开关功能。
传输过程中，载流子会受到半导体材料中杂质和 晶格结构的影响，产生散射和碰撞等行为。
电流分配关系
01
在三极管中，基极、集电极和发射极之间的电流分配关系是由三极管的材料和 结构决定的。
02
在理想情况下，基极电流、集电极电流和发射极电流之间存在一定的比例关系 ，这种比例关系称为电流放大倍数（β值）。
三极管ppt课件
生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
《三极管基本知识》PPT课件
背景
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型； 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下，基极电流（Ib）与 基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零， 当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流 （Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且 掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力，是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流，反映了三极管 的截止性能。
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型； 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下，基极电流（Ib）与 基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零， 当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流 （Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且 掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力，是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流，反映了三极管 的截止性能。
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视频1
视频2
动画 三极管演示的课输件入特性
由图可见：
1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重合。
2．当VBE很小时，IB等于零， 三极管处于截止状态；
3．当VBE大于门槛电压（硅管 约0.5V，锗管约0.2V）时， IB逐渐增大，三极管开始导 通。
4．三极管导通后，VBE基本不 变。硅管约为0.7V，锗管 约为0.3V，称为三极管的导 通电压。
能力
IC
I B
(2.1.3)
3．直流电流放大系数——表示三极管放大直流电流的
能力
IC
IB
(2.1.4)
4．通常 ，IC IB ，所以可表示为
IC IB
(2.1.5)
考虑ICEO，则
IC 演示I B课件 ICEO
(2.1.6)
2.1.4 三极管的输入和输出特性
一、共发射极输入特性曲线 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流 IB之间的关系曲线。
图2.1.9 共发射极输入特性曲线
5．VBE与IB成非线性关系。
演示课件
二、晶体三极管的输出特性曲线 基极电流IB一定时，集、射极之间的电压VCE与集 电极电流IC的关系曲线。
视频1
动画 三极管的输出特性
演示课件
视频2
输出特性曲线可分为三个工作区: 1. 截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： IB 0, IC ICEO 。 2 .饱和区 条件：发射结和集电结均为正偏。 特点： VCE VCES 。 VCES 称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。 3 .放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏 特点： IC受IB控制 ，即 IC IB 。
演示课件
演示课件
演示课件
2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式
一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号。 三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向 电压，集电结加反向电压。
演示课件
GB为基极电 源，又称偏
置电源
Rb电为阻基极V为三极管R极c电为阻集。G电极C为电集源电
3CG表示高频小功率PNP型硅三极管； 3AK表示PNP型开关锗三极管等。
演示课件
三极管的封装形式和管脚识别
• 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方 式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图 位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c； 对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置， 则从左到右依次为e b c。
IE IC IB
(2.1.1)
因IB很小，则
IC IE
演示课件
(2.1.2)
说 明： 1. IE 0 时，IC IB ICBO 。
ICBO 称为集电极——基极反向饱和电流，见图2.1.7(a) 。
一般 ICBO很小，与温度有关。 2. IB 0 时，IC IE ICEO 。 ICEO 称为集电极——发射极反向电流，又叫穿透电流，
调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流 的对应数据如表2.1.1所示。
表2.1.1
IB/mA
-0.001
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
IC/mA
0.001
0.01
0.56
1.14
1.74
2.33
2.91
IE/mA
0
0.01
0.57
1.16
1.77
2.37
2.96
由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下：
演示课件
演示课件
演示课件
演示课件
塑封小功率管 片状三极管
塑封大功率管 演金示封课大件 功率管
金封小功率管
学习内容：晶体三极管
1、三极管的结构、分类和符号 2、三极管的工作电压和基本联接方式 3、三极管内电流的分配和放大作用 4、三极管的输入和输出特性 5、三极管主要参数 6、三极管的简单测试
图2.1.3 三演示极课件管符号
三、晶体三极管的分类 1．三极管有多种分类方法。 按内部结构分：有 NPN型和PNP型管； 按工作频率分：有低频管和高频管； 按功率分：有小功率管和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。 2．国产三极管命名法：见《电子线路》P249附录二。 例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；
图2.1.4 三极管电源的接法
演示课件
二、晶体三极管在电路中的基本连接方式 有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电 极接法。最常用的是共发射极接法。 如图2.1.5所示：
演示课件
2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用 一、电流分配关系 测量电路如图
动画 三极管的电流分配关系
演示课件
视频1 视频2
• 电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013 （NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018 （NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、 3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。
由表得出
IC 0.58mA 58 I .74 1.77
0.04 2.33 2.37
0.05 2.91 2.96
结论：
1．三极管的电流放大作用——基极电流 IB 微小的变化， 引起集电极电流 IC 较大变化。
2．交流电流放大系数 ——表示三极管放大交流电流的
演示课件
2.1 晶体三极管
晶体三极管： 是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点：管内有两种载流子参与导电。 2.1.1 三极管的结构、分类和符号
一、晶体三极管的基本结构 1. 三极管的外形
特点：有三个电极，故称三极管。
演示课件
2. 三极管的结构
特点：
图2.1.2 三极管的结构图
有三个区——发射区、基区、集电区；
两个PN结——发射结（BE结）、集电结（BC结）； 三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)；
两种类型—— P N P型管和NPN型管。
工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最 少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
演示课件
二、晶体三极管的符号 箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V
见图2.1.7(b)。
ICEO 越 小 ， 三极管温度稳 定性越好。硅 管的温度稳定 性比锗管好。
演示课件
二、晶体三极管的电流放大作用
视频1
动画 三极管的电流放大作用
视频2
IB/mA -0.001 0 0.01 0.02
IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14
IE/mA 0 0.01 0.57 1.16
视频2
动画 三极管演示的课输件入特性
由图可见：
1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重合。
2．当VBE很小时，IB等于零， 三极管处于截止状态；
3．当VBE大于门槛电压（硅管 约0.5V，锗管约0.2V）时， IB逐渐增大，三极管开始导 通。
4．三极管导通后，VBE基本不 变。硅管约为0.7V，锗管 约为0.3V，称为三极管的导 通电压。
能力
IC
I B
(2.1.3)
3．直流电流放大系数——表示三极管放大直流电流的
能力
IC
IB
(2.1.4)
4．通常 ，IC IB ，所以可表示为
IC IB
(2.1.5)
考虑ICEO，则
IC 演示I B课件 ICEO
(2.1.6)
2.1.4 三极管的输入和输出特性
一、共发射极输入特性曲线 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流 IB之间的关系曲线。
图2.1.9 共发射极输入特性曲线
5．VBE与IB成非线性关系。
演示课件
二、晶体三极管的输出特性曲线 基极电流IB一定时，集、射极之间的电压VCE与集 电极电流IC的关系曲线。
视频1
动画 三极管的输出特性
演示课件
视频2
输出特性曲线可分为三个工作区: 1. 截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： IB 0, IC ICEO 。 2 .饱和区 条件：发射结和集电结均为正偏。 特点： VCE VCES 。 VCES 称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。 3 .放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏 特点： IC受IB控制 ，即 IC IB 。
演示课件
演示课件
演示课件
2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式
一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号。 三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向 电压，集电结加反向电压。
演示课件
GB为基极电 源，又称偏
置电源
Rb电为阻基极V为三极管R极c电为阻集。G电极C为电集源电
3CG表示高频小功率PNP型硅三极管； 3AK表示PNP型开关锗三极管等。
演示课件
三极管的封装形式和管脚识别
• 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方 式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图 位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c； 对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置， 则从左到右依次为e b c。
IE IC IB
(2.1.1)
因IB很小，则
IC IE
演示课件
(2.1.2)
说 明： 1. IE 0 时，IC IB ICBO 。
ICBO 称为集电极——基极反向饱和电流，见图2.1.7(a) 。
一般 ICBO很小，与温度有关。 2. IB 0 时，IC IE ICEO 。 ICEO 称为集电极——发射极反向电流，又叫穿透电流，
调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流 的对应数据如表2.1.1所示。
表2.1.1
IB/mA
-0.001
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
IC/mA
0.001
0.01
0.56
1.14
1.74
2.33
2.91
IE/mA
0
0.01
0.57
1.16
1.77
2.37
2.96
由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下：
演示课件
演示课件
演示课件
演示课件
塑封小功率管 片状三极管
塑封大功率管 演金示封课大件 功率管
金封小功率管
学习内容：晶体三极管
1、三极管的结构、分类和符号 2、三极管的工作电压和基本联接方式 3、三极管内电流的分配和放大作用 4、三极管的输入和输出特性 5、三极管主要参数 6、三极管的简单测试
图2.1.3 三演示极课件管符号
三、晶体三极管的分类 1．三极管有多种分类方法。 按内部结构分：有 NPN型和PNP型管； 按工作频率分：有低频管和高频管； 按功率分：有小功率管和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。 2．国产三极管命名法：见《电子线路》P249附录二。 例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；
图2.1.4 三极管电源的接法
演示课件
二、晶体三极管在电路中的基本连接方式 有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电 极接法。最常用的是共发射极接法。 如图2.1.5所示：
演示课件
2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用 一、电流分配关系 测量电路如图
动画 三极管的电流分配关系
演示课件
视频1 视频2
• 电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013 （NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018 （NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、 3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。
由表得出
IC 0.58mA 58 I .74 1.77
0.04 2.33 2.37
0.05 2.91 2.96
结论：
1．三极管的电流放大作用——基极电流 IB 微小的变化， 引起集电极电流 IC 较大变化。
2．交流电流放大系数 ——表示三极管放大交流电流的
演示课件
2.1 晶体三极管
晶体三极管： 是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点：管内有两种载流子参与导电。 2.1.1 三极管的结构、分类和符号
一、晶体三极管的基本结构 1. 三极管的外形
特点：有三个电极，故称三极管。
演示课件
2. 三极管的结构
特点：
图2.1.2 三极管的结构图
有三个区——发射区、基区、集电区；
两个PN结——发射结（BE结）、集电结（BC结）； 三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)；
两种类型—— P N P型管和NPN型管。
工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最 少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
演示课件
二、晶体三极管的符号 箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V
见图2.1.7(b)。
ICEO 越 小 ， 三极管温度稳 定性越好。硅 管的温度稳定 性比锗管好。
演示课件
二、晶体三极管的电流放大作用
视频1
动画 三极管的电流放大作用
视频2
IB/mA -0.001 0 0.01 0.02
IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14
IE/mA 0 0.01 0.57 1.16