普通光耦高速通信TLP521用于115200bps
TLP521-4中文资料(光电耦合器 电流不大)
V
集电极发射极电压
Emitter−collector voltage
VECO
7
V
发射极集电极电压
接收侧
Collector current 集电极
IC
50
mA
电流
Collector power
dissipation (1 circuit) 集 PC
150
100
mW
电极功耗
Collector power dissipation
Characteristic 参数
Min Typ Max Unit
Symbol Test Condition 测试
最典最 单
符号
条件
小型大 位
50
— 600
Current transfer ratio 经常转移
IF=5mA, VCE =5V
IC/IF
%
的比率
Rank GB
100 — 600
Saturated CTR 饱和率
Characteristic 参数
Symbol 符号
Rating 数值
TLP521−1
TLP521−2 TLP521−4
Uni t 单位
Forward current 正向电流 IF
70
50
mA
Forward current derating 正向电流减率
ΔIF/ ℃
−0.93(Ta ≥50℃)
−0.5(Ta≥25 ℃)
−55~100
Lead soldering temperature 无铅焊接温度
Tsol
260 (10 s)
Total package power dissipation 整体功耗
tlp521驱动_应用电路_光耦参数
High Isolation V oltage (5.3kV RMS ,7.5kV PK ) High BV CEO ( 55Vmin ) TLP521GB, TLP521-2GB, TLP521-4GB, TLP521, TLP521-2, TLP521-4 TLP521XGB, TLP521-2XGB, TLP521-4XGB TLP521X, TLP521-2X, TLP521-4XHIGH DENSITY MOUNTINGPHOTOTRANSISTOROPTICALLY COUPLED ISOLATORS APPROVALS● UL recognised, File No. E91231TLP5212.54Dimensions in mm'X'SPECIFICATIONAPPROVALS ● VDE 0884 in 3 available lead form : -- STD - G form1.27.0 6.01 24 3- SMD approved to CECC 00802●BSI approved - Certificate No. 80015.08 4.084.0 3.0 7.62DESCRIPTION0.513° MaxThe TLP521, TLP521-2, TLP521-4 series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diodes and NPN silicon photo transistors in space efficient dual in line plastic packages.3.0 TLP521-20.52.543.350.261 82 7 FEATURES ● Options :-7.0 6.03 46 510mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part no. Tape&reel - add SMT&R after part no. ● High Current Transfer Ratio ( 50% min) ● ● ● All electrical parameters 100% tested ● Custom electrical selections availableAPPLICATIONS ● Computer terminals 1.23.0TLP521-410.16 9.160.54.0 3.0 3.350.57.620.261 213° Max16 15● Industrial systems controllers 314 ● Measuring instruments ● Signal transmission between systems ofdifferent potentials and impedances2.547.0 4 13 5 12 6 11OPTION SM SURFACE MOUNTOPTION G7.621.26.07 810 920.32 19.324.0 3.07.620.6 0.1 1.25 0.7510.46 9.860.26 10.160.5 3.350.50.2613° Max7/ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (25°C unless otherwise specified)INPUT DIODEForward Current 50mA Reverse Voltage 6V Power Dissipation70mWOUTPUT TRANSISTORCollector-emitter Voltage BV CEO 55V Emitter-collector Voltage BV ECO 6V Power Dissipation150mWPOWER DISSIPATIONTotal Power Dissipation200mW(derate linearly 2.67mW/°C above 25°C)Note 1 Measured with input leads shorted together and output leads shorted together. Note 2Special Selections are available on request. Please consult the factory.7/4/03DB92546m-AAS/A3C o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )F o r w a r d c u r r e n t I F (m A )C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o C T R (%)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i o n v o l t a g e V C E (S A T )(V )Collector Power Dissipation vs. Ambient TemperatureCollector Current vs. Low Collector-emitter Voltage20015010050252015105T A = 25°C50 40 30 20 10 5I F = 2mA-30 0 25 5075 100 125Ambient temperature T A ( °C )Forward Current vs. Ambient Temperature0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0Collector-emitter voltage V CE ( V )Collector Current vs. Collector-emitter Voltage605050T A = 25°C5040 40 30 2015302010 30201010I F = 5mA0.28-30 0 25 50 75 100 125 Ambient temperature T A ( °C ) Collector-emitter Saturation Voltage vs. Ambient Temperature0 2 4 6 8 10 Collector-emitter voltage V CE ( V )Current Transfer Ratio vs. Forward Current 320 0.240.200.16280 240200 160 0.12 120 0.080.04 80 407/4/03-30 0 25 50 75 100Ambient temperature T A ( °C )125102050Forward current I F (mA)DB92546m-AAS/A3万联芯城专为客户提供电子元器件配单业务，一站式采购电子元器件就上万联芯城，质量保证，价格优势，原装现货，库存充足，客户只需要提交BOM表，商城客服即可为您报价，满足客户的物料需求，解决客户的采购烦恼，为客户节省采购成本点击查看完整版PDF数据手册：tlp521。
TLP521中文资料
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
Recommended Operating Conditions建议操作条件*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数(Ta = 25℃)Coupled Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s(Ta = 25℃)Isolation Characteristic 耦合电气特性参数(Ta = 25℃)Switching Characteristic 开关特性参数(Ta = 25℃)图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图图5 TLP521-4 封装图图6 开关时间测试电路特性曲线图：应用电路：图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图74HC04 特性:∙缓冲输入∙传输延迟(典型值): 6ns at V CC = 5V, C L = 15pF, T A= 25°C∙扇出（驱动）能力： (在温度范围内)- 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads- 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads ∙宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C∙对称的传输延迟和转换时间∙相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多∙HC Types- 工作电压：2V到6V- 高抗扰度: N IL = 30%, N IH= 30% of V CC at V CC = 5V∙HCT Types- 工作电压：4.5V到5.5V- 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, V IL= 0.8V (Max), V IH = 2V (Min)- 兼容CMOS逻辑输入, I l1μA at V OL, V O该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路。
(整理)TLP521中文资料.
摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。
文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。
关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。
近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。
1 光耦合器的类型及性能特点1.1 光耦合器的类型光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。
光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
图中是8种典型产品的型号：(a)通用型(无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。
1.2 光耦合器的性能特点光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
经典光耦数据手册TLP521
0
2
4
6
8
10
Collector-emitter voltage VCE ( V ) Current Transfer Ratio vs. Forward Current 320 280 240 200 160 120 80 40 0 1 2 5 10 20 50 Forward current IF (mA)
7/4/03
DB92546m-AAS/A3
Collector Power Dissipation vs. Ambient Temperature 200 Collector power dissipation PC (mW) 25 Collector current IC (mA) 150 20 15 10 5 0 -30 0 25 50 75 100 125 0
l
TLP521
2.54 7.0 6.0 1.2 5.08 4.08 1 2
Dimensions in mm
4 3
BSI approved - Certificate No. 8001
4.0 3.0 0.5
7.62 13° Max 0.26
DESCRIPTION The TLP521, TLP521-2, TLP521-4 series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diodes and NPN silicon photo transistors in space efficient dual in line plastic packages. FEATURES l Options :10mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part no. Tape&reel - add SMT&R after part no. l High Current Transfer Ratio ( 50% min) l High Isolation Voltage (5.3kVRMS ,7.5kVPK ) l High BVCEO ( 55Vmin ) l All electrical parameters 100% tested l Custom electrical selections available APPLICATIONS l Computer terminals l Industrial systems controllers l Measuring instruments l Signal transmission between systems of different potentials and impedances
TL431及TLP521的光耦反馈电路几种连接方式及其工作原理
在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。
但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。
而且在很多场合下，由于对光耦的工作原理理解不够深入，光耦接法混乱，往往导致电路不能正常工作。
本研究将详细分析光耦工作原理，并针对光耦反馈的几种典型接法加以对比研究。
1 常见的几种连接方式及其工作原理常用于反馈的光耦型号有TLP521、PC817等。
这里以TLP521为例，介绍这类光耦的特性。
TLP521的原边相当于一个发光二极管，原边电流If越大，光强越强，副边三极管的电流Ic越大。
副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大系数，该系数随温度变化而变化，且受温度影响较大。
作反馈用的光耦正是利用“原边电流变化将导致副边电流变化”来实现反馈，因此在环境温度变化剧烈的场合，由于放大系数的温漂比较大，应尽量不通过光耦实现反馈。
此外，使用这类光耦必须注意设计外围参数，使其工作在比较宽的线性带内，否则电路对运行参数的敏感度太强，不利于电路的稳定工作。
通常选择TL431结合TLP521进行反馈。
这时，TL431的工作原理相当于一个内部基准为2.5 V的电压误差放大器，所以在其1脚与3脚之间，要接补偿网络。
常见的光耦反馈第1种接法，如图1所示。
图中，Vo为输出电压，Vd为芯片的供电电压。
信号接芯片的误差放大器输出脚，或者把PWM 芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式，信号则接到其对应的同相端引脚。
注意左边的地为输出电压地，右边的地为芯片供电电压地，两者之间用光耦隔离。
图1所示接法的工作原理如下：当输出电压升高时，TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升，3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降，光耦TLP521的原边电流If增大，光耦的另一端输出电流Ic增大，电阻R4上的电压降增大，引脚电压下降，占空比减小，输出电压减小；反之，当输出电压降低时，调节过程类似。
卓 睿 CYTLP521 可控制光电藕合器件说明书
概述CYTLP521是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
四引脚封装，三种形式（DIP 、DIP-M 、SMD ）特性∙ 电流转换比 (CTR)范围: 50~600% （I F =5mA ,V CE =5V ） ∙ 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 Vrms) ∙ 集电极-发射极击穿电压BV CEO ≥80V ∙ UL 和cUL 认证（NO.:E497745） ∙符合EU REACH 和RoHSApplications光电特性 (Ta=25 C)Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit 正向电压 V F1 I F =10mA 1.0 - 1.3 V 正向电压V F2 I F =20mA 1.1 - 1.4 V 反向电流 I R V R =5V - - 10 µA 输入终端电容 C t V=0, f=1kHz - 30 250 pF 集电极暗电流I CEO V CE =50V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BV CEO I C =0.1mA, I F =0 80 - - V 输出发射极-集电极击穿电压 BV ECO I E =10µA, I F =0 7 - - V 电流转换比 CTR I F =5mA, V CE =5V 130 - 600 % 隔离电阻V CE(sat) I F =2mA, I C =5mA - 0.25 0.8 V 集电极-发射极饱和压降 R ISO DC500V, 40~60%R.H. 1x1012 - - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 传输特性截止频率 Fc V CE =5V, I C =2mA, R L =100Ω, -3dB - 80 - kHz 上升时间 Tr - 2 - µs 下降时间 Tf - 3 - µs 开启时间Ton - 3 - µs 关断时间 Toff V CE =10V, I C =2mA,R L =100Ω- 3 - µs 开启时间 Ton - 2 - µs 存储时间Ts - 15 - µs 开关时间关断时间ToffR L = 1.9 kΩV CC = 5 V, I F = 16 mA-25-µs* CTR=I C /I F x 100%CTR 分级表电流转换率(%)(I C /I F )IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25°C 型号 分级标准MinMax标志分类A 50 600 Rank Y50 150 Rank GR 100 300 Rank BL 200 600 CYTLP521 Rank GB100600外形尺寸回流焊温度曲线图T e m p e r a t u r e ()℃25℃包装■ 汇总表 封装形式 包装方式 盘/管 数量 盒数量 箱数量静电袋 盒规格 箱规格备注SMD-4 卷盘 (ϕ330m 蓝盘)2千只/盘 2 盘/盒 10 盒 /箱 380*380mm 340*60*340mm 620*360*365mm 首尾端空至少200mm min. DIP-4 管装(500*12*11mm) 100只 /管 60 管/盒 6 盒 /箱NA 525*128*56mm 535*275*300 mm DIP-4(M)管装 (500*13*11mm)100只 /管60 管/盒 6盒 /箱 NA525*136*58mm 535*295*310 mm■ DIP-4 条管包装1) 每箱数量：36000只 2) 内包装：i. 每条管100 只，采用防静电条管，条管上有商标、防静电标志。
(完整版)TPL521中文资料 光耦
TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）经常转移的比例：50 ％（最小）隔离电压：2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Characteristic 参数Symbol符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2TLP521−4LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。
(Note): Application type name for certification test, please use standard producttype name, i.e.TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2。
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普通光耦做高速通信隔离
最近在做多机通信，两个芯片之间的电源需要相互独立，所以通信需要做隔离，手头没有高速光耦，又加上经济问题不舍得买，考虑拿普通光耦来做隔离，问题来了，如图1-1，一般pc817，tlp521开关速度超过10KHz信号衰减就很明显了。
图1-1
所以大部分时候按照图1-2的电路来做通信隔离，5v电源时R4选3K通信速度最快，这个时候实际5v单片机串口通信速度能够达到14400bps，当然，在3v供电的情况下，可以减小R4到2K。
但是这个电路有个明显的缺点，突破了TLP的速度极限后，通信波形会失真，所以串口通信的误差会很大，导致通信误码率上升。
图1-2
在实际应用中，如果是硬件串口，测试使用9600bps，通信是正常的，但是超过9600后，通信效果随单片机的型号存在差异。
如果更高的通信速率，那么通常情况下就需要选择高速光耦，像6N138就能达到100Kbit/S，还有更高速度的光耦，但是价格也是翻好几倍。
自己玩的话一是成本高，主要的是一般不会常备，所以我们就需要找替代的器件，刚开始我选择用红外对管做，但是效果是一样的，后来改了思路，能不能借鉴高速光耦的内部结构呢？
答案是肯定的，如图1-3，为高速光耦6n138内部结构图。
图1-3
于是根据该电路就有了如图1-4的电路。
图1-4
测试结果表明。
该电路在115200bps波特率下，通信正常。
串口助手发送几百行数字，没有发现误码。
在9600bps波特率下，与单片机通信了一下午，没有发现异常，但是不保证长期的稳定性，同样，产品的话不好说行不行，测试使用该电路可以，还有那些像我一
样的穷孩子。