电子技术基础与技能 项目一

章节课题§1.1 概述课时2节

教学目的1. 熟练掌握直流稳压电源的构成。

2. 正确理解直流稳压电源构成的各部分电路。

3. 一般了解直流稳压电源构成各部分电路的工作原理。

重

点难点重点：直流稳压电源的构成及波形图。难点：直流稳压电源的构成原理。

教学方法

首先让学生了解在实际生活中直流稳压电源的广泛应用及其重要性，从而引导学生对本项目的兴趣，并调动学生学习的积极性，结合学生实际因材施教，讲解问题时尽量深入浅出，以提高学生的理论水平。

教

具及参考书1.《电工技术基础》刘光源主编电子工业出版社

2.《电工电子使用手册》刘光源主编电子工业出版社

3.《电工技术实用教程》曹振宇主编国防工业出版社

作

业理解直流稳压电源的构成及波形图。

课后小结1. 直流稳压电源的构成及波形图。

2. 直流稳压电源构成的各部分电路模块。

图1-1 直流稳压电源的构成

教学

内容

§1-1 概述

教学目的

熟练掌握：直流稳压电源的构成及波形图。 正确理解：直流稳压电源构成的各部分电路模块。 一般了解：直流稳压电源构成各部分电路的工作原理。 技能要求

1. 正确分析直流稳压电源的波形图。

2. 举例说明实际生活中直流稳压电源的应用。 教学内容 直流稳压电源

直流稳压电源是将工频正弦交流电转换为直流电，其原理框图如图1-1所示。

各部分电路模块作用如下：

电源变压器：将交流电网电压变为符合用电设备需要的交流电压

整流电路：利用整流元件的单向导电性，将交流电压变为单方向的脉动直流电压。 滤波电路：将脉动直流电压转变为平滑的直流电压。

稳压电路：清除电网波动及负载变化的影响，保持输出电压的稳定。

章节课题§1.2 单相整流电路的搭建与检测课时12节

教学目的1. 熟练掌握二极管的识别与检测。

2. 熟练掌握单相桥式全波整流电路的搭建与检测。

3. 正确使用数字万用表、低频信号发生器、交流毫伏表、示波器。

4. 一般了解特殊二极管及简单应用。

重点难点重点：二极管的识别与检测。

单相桥式全波整流电路的搭建与检测。

难点：正确使用数字万用表、低频信号发生器、交流毫伏表、示波器。

教学方法

本节理论知识相对较多且有一定的深度，还涉及了一些实验仪器的正确使用，因此要采用理论与实践相结合的教学方式。在讲解理论知识的同时，让学生自己实践并验证实验结论，根据实验现象探究理论知识。注意与学生的课堂互动，使学生在动手实践中领悟知识，从而掌握理论知识并能正确使用一些实验仪器。

教

具及参考书1.《电工技术基础》刘志平主编高等教育出版社

2.《电工电子使用手册》刘光源主编电子工业出版社

3.《电工技术实用教程》曹振宇主编国防工业出版社

4. 数字万用表、低频信号发生器、交流毫伏表、示波器等实验器材

作

业 1.2 想一想，练一练

课后小结1. 二极管的识别与检测。

2. 单相桥式全波整流电路的搭建与检测。

教

学

内

容

§1-2 单相整流电路的搭建与检测

教学目的

熟练掌握：二极管的识别与检测。

熟练掌握：单相桥式全波整流电路的搭建与检测。

正确使用：数字万用表、低频信号发生器、交流毫伏表、示波器。

一般了解：特殊二极管及简单应用。

技能要求

1. 学会搭建和检测单相桥式全波整流电路。

2. 正确使用数字万用表、低频信号发生器、交流毫伏表、示波器。

教学内容

【相关知识一】晶体二极管

一、半导体的基本知识

物质根据导电能力（电阻率）的不同，可划分为导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间的物质，称为半导体。现代多数电子器件都是由半导体材料制造的。电子器件中，常用半导体材料有：硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。

1、半导体的特性

2、掺杂半导体

3、PN结及单向导电性

二、晶体二极管

1、晶体二极管的结构及符号

在PN结加上引线和封装，就成为晶体二极管，其结构及部分外形如图1-2所示。

图1-2 晶体二极管的结构及外型

教学内容在PN结上加上引线和封由P型半导体一侧引出的电极称为阳极或正极，由

N型半导体一侧引出的电极称为阴极或负极。二极管在电路中的符号如图1-3所示，电路符号中三角形底边一端为正极，另一端为负极，箭头指向正向导通时的电流方向。

2、二极管的类型

晶体二极管按所用半导体材料可分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等；按用途可分为整流、稳压、开关、发光、光电等二极管；按PN结面积大小可分为点接触型、面接触型二极管；按功率大小可分为小功率管、中功率管和大功率管。晶体二极管的外形和封装种类很多，如图1-4所示。

3、二极管的伏安特性

半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性—单向导电性。在电子技术中用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性，如图1-5所示。

（1）正向特性

死区：二极管两端加正向电压会产生正向电流。当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，如图1-5中OA(OA′)段。相应A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压)，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。

正向导通区：当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态，如图1-5中AB(A′B′)段。这时硅管的正向导通压降约为0.6～0.7V，锗管约为0.2～0.3V。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过最大值，否则将烧坏PN结。

图1-4 常用晶体二极管外形和封装

图1-3 晶体二极管的符号