天津大学《微电子学与固体电子学综合》2020年考研专业课复试大纲
天津大学2018 年硕士研究生入学复试科目考试大纲- 电子线路基础、微电子学与固体电子学综合
课程编号：课程名称：电子线路基础
一、考试的总体要求要求考生熟悉、掌握基本半导体器件、基本放大电路和集成运算放大器（集成运放）的知识；能够利用电路技术领域的基本概念和原理对采用基本半导体器件和集成运放组成的电路进行分析、计算和应用，并得到合理有效的结论。
二、考试内容及比例
1．半导体物理基础知识；10%
半导体物理基础知识，晶体二极管理论，晶体二极管电路分析方法与应用。
2.晶体三极管；10%
晶体三极管的工作原理，晶体三极管的特性曲线，晶体三极管的小信号电路模型和分析方法，晶体三极管应用原理。
3. 场效应管；10%
MOS 场效应管和 J 型场效应管的工作原理、特性曲线、小信号模型分析方法和应用原理。
4.放大器基础；25%
基本放大器（含差分、多级放大器）电路的工作原理和指标参数（输入阻抗、输出阻抗、增益、带宽等）分析方法。
5.反馈放大器；20%
反馈类型判断、负反馈对放大器性能的影响，深度负反馈放大器性能分析，负反馈放大器的稳定性分析。
6.集成运算放大器及其应用电路；25%
理想集成运放应用电路及其分析方法，集成运放性能参数及其对应用电路的影响。
三、试卷题型及比例
1、选择、填空题： 20%；
2、分析、判断题 15%；
3、计算、设计题 60%；
4、其他 5%。
天津大学微电子半导体物理考研大纲
天津大学硕士生入学考试业务课程大纲按一级学科设置自命题考试科目二级学科名称：微电子学与固体电子学课程编号：813初试考试科目名称：半导体物理与电介质物理本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
二、考试的内容及比例：（一）考试内容要点：第一部分：（70%）1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，p-n结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念；（二）比例：考试内容前6个问题占70%，后3个问题占30%，计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。
天津大学《固态相变》2020年考研专业课复试大纲
课程名称：固态相变
一、考试的总体要求
掌握金属材料中的相变基本理论，主要是钢中组织转变的基本规律。
具有运用金属材料中相变基本规律，分析和研究热处理工艺问题的能力。
初步掌握成分、组织与性能之间的关系，对金属材料具有一定的分析研究能力。
二、考试内容及比例
第一章绪论及金属固态相变特征
概述；金属固态的扩散和无扩散转变，弹性能对新旧相形成的影响；新相成核时的惯习面和位向关系、共格界面、半共格界面和非共格界面；界面能和晶界对新相形成的影响；过渡相的形成。
第二章钢中奥氏体的形成
平衡组织加热时的奥氏体形成，P-A 转变的热力学条件、形成机理、等温形成动力学；连续加热时的奥氏体形成，亚（过）共析钢的奥氏体形成及特点。
奥氏体晶粒长大及其控制，奥氏体晶粒度的概念，影响奥氏体长大的因素，加热时钢的过热现象。
第三章珠光体转变
珠光体的组织形态，片状、粒状珠光体的形成过程；珠光体转变动力学及其影响因素; 亚（过）共析钢中的无共析相的形成、形态及动力学，伪共析组织；片状珠光体和粒状珠光体的机械性能及。
天津大学微电子学与固体电子学考研真题及答案解析-真题解析视频
天津大学微电子学与固体电子学考研真题及答案解析-真题解析视频天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题是所有准备报考该专业的同学们都应该搜集到的最权威的备考资料之一。
在天津大学微电子学与固体电子学专业课复习中，所需要获得的考研资料和信息包括考研大纲、辅导笔记以及最重要的天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题和历年的考研真题解析。
而且，是必须要有已经考上该专业的研究生整理的答案解析，没有完整的答案解析的话，其实真题的作用并没有完全发挥出来。
如果你都搜集全了的话就可以尽快开始认真的复习了，毕竟考研备考的时间有限，我们要将复习的效率最大化，把历年的真题读薄，什么意思呢？就是仔细研究历年天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题，这样可以帮助我们更快更好的掌握出题点和命题思路，并根据这些重点有的放矢的进行复习。
同学们从网上找到的历年真题要么就是年份不全，要么就只有题，没有答案，凭借考生个人的能力很难搜集齐全报考学校的历年真题和解析，更别提能够找到考试的重难点范围了。
鉴于此，天津考研网为备考天津大学微电子学与固体电子学专业的同学们推出了《天津大学813半导体物理考研全套复习资料【真题笔记-学长版】》（以初试选择813半导体物理与电介质物理作为考试科目为准，选择其他考试科目的同学与此类似）。
它是由天津考研网组织多名一线大学老师及过去几年在天津大学研究生初试中专业课取得高分的考生共同编写及整理的。
这套资料不仅包含了天津大学微电子学与固体电子学专业考研历年真题及解析、本校学生本科阶段的讲义、期末试卷，还有高分考上的研究生整理出来的考研重难点。
可以说，这对每一位准备报考天津大学微电子学与固体电子学专业的学生来说，都是非常重要的，而且也是非常必要的。
它可以帮助考生在考研复习中理清做题思路，明确出题方向及复习重点，节省宝贵的复习备考时间，不必在厚厚的参考教材中找不到方向了，跟着已经考上的学长学姐的脚步走，少走弯路，轻轻松松地提高分数。
天大微电子综合面试真题
当PN结两端加正向偏压时，P区的空穴注入N区，在势垒区与N区边界一侧一个扩散长度内形成非平衡空穴与电子的积累，同样在P区也有非平衡电子与空穴的积累。当外加电压变化时，N区扩散区内积累的非平衡空穴也变化，与之保持电中性的电子也相应的增加，P区做累死分析。这种由于扩散区的电荷数量随外加电压变化所产生的电容效应叫PN结的扩散电容，用CD表示。
6.什么是截止波长？Si，Ge与GaAs的禁带宽度分别是多少？
①截止波长：发生本证吸收的条件是光子的能量必须大于或者等于禁带宽度Eg，即 ，当频率低于 或者波长高于截止波长时，不可能发生本征吸收。
截止波长=1.24/Eg
②1.12ev 0.67ev 1.43ev
7.N型半导体与P型半导体是怎么制作的？
PMOS在外加负栅压时形成反型层。NMOS在外加正栅压时形成反型层。
23.什么是雪崩击穿？雪崩击穿形成的条件？
①雪崩击穿：随着PN结反向电压的增加，势垒区中的电场强度也逐渐增加，当电场增加到一定的程度后，势垒区中的载流子就会获得足够的能量与晶格原子发生碰撞电离，激发出新的电子-空穴对，后者又可能产生新的载流子，这个过程不断的进行下去，每个载流子无止境的繁殖新的载流子，这个现象叫雪崩倍增。由于雪崩倍增效应，使得单位时间内产生大量的载流子，迅速增大了反向电流。这就是雪崩击穿。
②温度继续升高，杂质已全部电离，本证激发还不显著，载流子浓度基本不随温度升高而变化，但是这时晶格振动散射加强并成为主要矛盾，迁移率随着温度升高而减小，故电阻率随温度升高而上升。
③温度继续升高，本证激发很快增加，这时，大量的载流子的产生远远超过了迁移率的减小对电阻率的影响，本证激发成为主要矛盾，故电阻率随着温度的升高为减小。
③当在PN结两端加反向电压时，由于外加电场方向与内建电场方向相反，势垒区的电场增强，破坏了载流子扩散运动与漂移运动之间的平衡，使得漂移运动大于扩散运动，使得N区边界处的空穴被强电场驱走，驱走后的空穴由N区少子补充，当反向电压足够大时，边界处的少子是零，浓度梯度不再变化，同理P区一样。这样就形成了反向饱和电流，由于是少子形成，电流很小。实际的PN结中，反向电压下有势垒区的产生电流。
天津大学微电子学与固体电子学专业考研资料
天津大学微电子学与固体电子学专业考研资料天津大学微电子学与固体电子学专业在全国排名第13。
水平等级A，并且分数线并不高。
微电子产业是现代电子信息产业的核心与基石，是支撑社会经济发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。
我国的微电子产业发展极为迅猛，亟需培养一大批高素质人才。
天津大学是国家集成电路人才培养基地。
据统计，日后就业方向大多数汉王科技股份有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、华润上华科技有限公司、华为技术有限公司、天津国芯科技有限公司、威盛电子（中国）有限公司、中国电子科技集团公司第13研究所或者出国等。
天津大学微电子学与固体电子学专业是一级电子科学与技术学下的二级学科。
微电子学与固体电子学专业是电子科学与技术的重要学科方向。
本专业以培养集成电路设计理论与技术研究和应用的高级人才为目标，以工业应用为背景。
因此，通信、电子、控制、计算机、电气工程等专业等专业的本科毕业生均可报考。
本专业配备有集成电路设计实验室、集成电路测试实验室、工作实验室、研究生专业实验室等，提供了各种与本专业培养方向有关的实验技术与手段。
本专业的硕士研究生在学习期间，需要学习现代电路理论、现在电子技术、半导体器件物理基础及工艺、集成电路设计基本理论、集成电路验证的理论与方法、SOC设计方法等专业课程。
同时还必须选修有关通信、控制、电气工程、生物医学工程或计算机工程等专业的相关课程。
天津考研网分析天津大学微电子学与固体电子学考研参考书目与考试科目，详情如下：815信号与系统《信号与线性系统分析（第四版）》，吴大正主编，高等教育出版社。
一、研究方向及硕士指导教师：本专业下设两个培养方向：1、固体电子技术方向：主要研究方向有：（1）功能材料与元器件；（2）敏感材料与器件；（3）薄膜理论与技术；硕士指导教师：吴霞宛方向（1）谢道华方向（1）吴顺华方向（1）刘仲娥方向（1）吴裕功方向（1）李玲霞方向（1）张之圣方向（2）（3）胡明方向（2）（3）包兴方向（1）（2）祖光裕方向（1）（2）吕玉芳方向（1）（2）2、微电子技术方向：主要研究方向有：（4）半导体新型器件与集成电路；（5）集成传感器与微电子机械系统；（6）超大规模集成电路设计；（7）纳米硅技术研究及应用（特聘教授研究方向）。
2020天津大学计算机复试大纲
课程名称：数据库、计算机组成原理、计算机网络及软件工程一、数据库部分（共 15 分）1. 考试的总体要求理解并掌握关系模型的基本理论；熟练掌握使用 SQL 定义数据、查询数据和更新数据；理解关系数据库的规范化理论；熟练掌握使用 E/R图建立概念模型；理解数据库完整性；掌 握视图、索引和存储过程的使用；理解数据库安全性，掌握SQL提供的用户授权机制；理解数据库恢复和并发控制技术。
2.考试的内容及比例本课程考试的内容包括：1）数据模型与关系代数（20%）2）SQL（20%）3）数据库设计与规范化理论（20%）4）数据库对象（20%）5）并发控制与日志恢复（20%）3.试卷题型及比例考试题型：客观题（选择题、判断题、填空题），主观题（问答题、编程题、设计题）比例：客观题（40%）主观题（60%）4.参考书目(1)Jeff Ullman and Jennifer Widom. A First Course in Database Systems. Third Edition. Prentice Hall, 2007. （《数据库系统基础教程》（英文版第3版）机械工业出版社影印）(2) Hector Garcia-Molina, Jeff Ullman and Jennifer Widom. Database System Implementation. Second Edition. Prentice Hall, 2008. （《数据库系统基础教程》（英文版第2版）机械工业出版社影印）二、计算机组成原理部分（共15分）1.考试的总体要求了解计算机及其技术的重要发展过程。
掌握单处理器计算机系统中各部件的功能、组成及工作原理。
掌握程序的机器级表示，理解程序的加载、链接以及执行的原理。
能够综合运用计算机组成的基本原理和基本方法，从系统的角度去全面的认识并理解计算机，进而对有关计算机系统中的实际问题进行计算和分析。
天津大学考研参考书和报录比专业之【微电子学与固体电子学】
天津大学考研参考书和报录比专业之【微电子学与固体电子学】有的是同学在准备初期会担心的复试的考试内容，其实大可不必，在初试过后再准备复试完全来得及，同学们当前要做的就是把握好初试这一关，但是在选择专业的时候可以了解一下复试的情况，也好心里有个底，不至于一点情况也不了解。
接下来为大家说一下微电子学与固体电子学专业的具体情况。
天津大学微电子学与固体电子学专业考研时考试科目是思想政治理论，英语一，数学一，专业课是信号与系统或半导体物理或电路或物理化学（任选一门）。
天津考研网为报考天津大学微电子学与固体电子学专业的同学们整理了一些专业课复习资料以及学长学姐们的复习经验，希望能对大家的复习有所帮助。
下面天津考研网就为考研小伙伴们详细说说专业课的复习。
一、历年报录比天津考研网为大家整理了近年来天津大学微电子学与固体电子学的报录比，从实际的报录比信息中可以得出：报考微电子学与固体电子学专业的人数还是比较稳定的，人数招的也是比较多的，但是与此同时报名的人数也是不少，大概是1比4点多的比例，在此基础上同学们可以根据其他专业的报考人数进行一个对比，最后根据自身的情况加以选择专业，也可询问学长学姐这方面的情况。
二、考研复习参考书天津考研网为小伙伴们整理了高分被录取的微电子学与固体电子学专业的学长学姐们用的考研复习参考书和指定书目供大家参考：政治：《红宝书》《肖秀荣1000题》《风中劲草》《20天20题》《肖秀荣知识点精讲》《肖秀荣八套卷，四套卷》英语：《词汇书》《黄皮书阅读基础150篇》《历年试题卷》《作文书》数学：李永乐，张宇系列专业课：信号与系统或半导体物理或电路参考资料：信号与系统：《信号与线性系统分析（第四版）》，吴大正主编，高等教育出版社。
半导体物理：半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。
半导体物理与器件，（第四版），赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社。
晶体管原理与设计，陈星弼张庆中等，电子工业出版社。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
课程名称：微电子学与固体电子学综合
本复试考试由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
第一部分：半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考）
一、考试的总体要求
"半导体集成电路"是微电子技术专业的主干课程。
本大纲包括"半导体特种效应"、"半导体集成电路"。
目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
二、考试内容及比例
（一）半导体特种效应（40%）
1、半导体异质结：异质结概念及能带图，异质结锗硅双极晶体管的结构、性能特点与原因，高电子迁移率晶体管的结构、性能特点与原因；
2、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光基本原理；
3、半导体霍尔效应、半导体热电效应及其应用、半导体压阻效应。
（二）半导体集成电路（60%）
1、MOS 反相器及其基本逻辑单元E/D 反相器、CMOS 反相器、自举反相器、动态反相器、
NMOS 逻辑结构、传输门逻辑。