三极管npn和pnp放大等状态判断条件
晶体三极管工作条件及工作状态的判断
晶体三极管工作条件及工作状态的判断晶体三极管有三个工作区，即放大区、截止区、饱和区。
电路设计时，可根据电路的要求，让晶体管工作在不同的区域以组成放大电路、振荡电路、开关电路等，如果三极管因某种原因改变了原来的正常工作状态，就会使电路工作失常;电子产品出现故障，这时就要对故障进行分析，首要的工作就是按前述方法检查三极管的工作状态。
为了对晶体管工作在三个区域的情况有一个较明确的认识。
对于具体的检测工作，要注意两点问题：一是最好使用内阻较大的数字万用表进行测量，以减少测量误差，同时避免直接测量时因万用表的内阻小引起三极管工作状态的改变;二是最好分别测量晶体三极管各极对地的电压，然后计算出Ube.Ubc或Uce的值，避免诱发电路故障的可能性。
一、晶体管工作的条件 1.集电极电阻Rc: 在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号)，需要在集电极串接一只电阻Rc。
这样一来，当集电极电流Ic 通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。
2.集电极电源Ec(或Vcc): Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。
能量的来源是靠Ec的维持，而不是晶体管自身。
3.基极电源Eb:为了使晶体管产生电流放大作用，除了保证集电结处于反向偏置外，还须使发射结处于正向偏置，Eb的作用就是向发射结提供正向偏置电压，并配合适当的基级电阻Rb，以建立起一定的静态基极电流Ib。
当Vbe很小时，Ib=O，只有当Vbe超过某一值时(硅管约0.5V，锗管约0.2V，称为门槛电压)，管子开始导通，出现Ib。
随后,Ib将随Vbe 增大而增大，但是，Vbe和Ib的关系不是线性关系：当Vbe大于0.7V 后，Vbe再增加一点点，Ib就会增加很多。
晶体管充分导通的Vbe近似等于一常数(硅管约0.5V，锗管约0.5V)。
三极管状态判断
三极管状态判断NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb<ve,Vb<vc,截止状态Vc=-V(负电源供电)饱和状态时Vce为0.2V(npn和pnp管都是一样的)静态工作点可以测量出来发射结和集电结都是正向偏置时就已经饱和了.此时,Ube>Uce.当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
如何区分贴片三极管NPN与PNP
（3）否则，重复步骤，直到测得的两个阻 值都很小或者测试三次以上为止。
（4）若以红表笔为基准，把三极管的三个
管脚都试了一遍，但它们都不满足步骤的条件，
则说明这个三极管是 NPN 型的三极管，对它的进
一步判断步骤如下：把红、黑表笔位置对调一下， 即以黑表笔为基准，红表笔分别接另外两个管
斜垮着那红得发黑的单肩包，一个人悠然的享受。知道那个他的存在
表笔相接触的那个管脚是它的基极 b.对它的进
一步判断是:将红、黑表笔对调一下，即将黑表
笔接触基极 b，红表笔先后接另外两个管脚，重 复测量一次，若测得的两个阻值均很大，则说明
此三极管就是 PNP 型的三极管，且红、黑表笔对
调后，与黑表笔相接触的那个管脚就是它的基极
b,这就是证明原来判断是正确的。
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贴片三极管分为 PNP 与 NPN 型，一般说来，
PNP 型三极管的外壳比 NPN 型高得多。另外，NPN
型三极管外壳上有一个突出标志，我们可根据这 些不同就可以把它们区分开来.。
可以用万用电表的欧姆挡来判断根据等效
电路的不同,就可以用万用表的欧姆挡来区分它
们.方法如下：将万用电表拨至适当的欧姆挡(实 际上,在测量的过程中,要根据需要适当调节欧
脚。若某一次测得的这两个阻值都很小（即阻值
小于几百欧姆），则说明这个三极管是 NPN 型的
三极管，与黑表笔相接触的那个管脚是它的基极 b。
由以上可知，用万用电表测阻值法不仅可以
区分 PNP 和 NPN 型三极管，而且还可以把三极管
的基极 b 判断出来。
PNP和NPN的区别
PNP和NPN的区别一．开关三极管的工作原理：截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，即为三极管的截止状态饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并且当基极的电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不再怎么变化，此时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为三极管的导通状态。
开关三极管正是基于三极管的开关特性来工作的。
PNP型三极管：由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP 型三极管。
也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管. PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE<0.NPN型三极管：由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管,称为NPN型三极管. 也可以描述成,电流从发射极E流出的三极管.两者的区别：NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN 是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC > VB > VE。
PNP 是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC < VB < VE。
PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。
但输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。
NPN输出是低电平0，PNP输出的是高电平1。
接近开关：接近开关有两线制和三线制之区别，三线制接近开关又分为NPN型和PNP型，它们的接线是不同的。
请见下图所示：三线制简单的讲就是信号输出分PNP型（24V输出）和NPN型（0V输出）。
三极管知识及极性判别方法
三极管知识及极性判别方法三极管知识及极性判别方法晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
三极管PNP和NPN的判断
三极管的测量1、三极管管脚极性的识别多数小功率三极管的管脚是等腰三角形排列，其顶点是基极，左边是发射极，右边是集电极。
有的是从管底看，由管帽突出处顺时针排列为发射极，基极，集电极。
有的管型用管帽色点或者管脚塑料护套颜色来标明极性的，红色为集电极，绿色为发射极，白色是基极。
有的管型管脚是一字形排列，用集电极管脚较短，或者集电极与其它极距离最远来区别电极，中间是基极，另一个脚是发射极。
大功率管一般直接用外壳做集电极引出端。
有的在较高频率工作的三极管，为了屏蔽高频电磁干扰，管壳用一支脚引出，以准备接地或者接零，符合为d，从管底看，由管壳边凸出处顺时针依次是发射极，基极，集电极，管壳引线。
大部分国产硅酮塑封三极管，从正对截角或剖去平面的方向看，从左到右依次是发射极，基极，集电极。
超小型三极管将截角的管脚焊片定为发射极，对面是脚是基极，垂直的第三个脚是集电极。
另外一种半球形超小型三极管，将球面朝上，从左到右，依次是基极，集电极，发射极。
2、三极管用万用表测量管脚极性/用万用表R×100或者R×1K档分别测量各管脚间电阻，必有一只脚对其它两脚电阻值相似，那么这只脚是基极，如果红表笔（正表笔）接基极，测得与其它两脚电阻都小，那么这只管子是PNP管。
如果测得电阻很大，那么这个管子是NPN 管。
找到基极后，分别测基极对其余两脚的正向电阻，其中阻值稍小的那个是集电极，另外一个是发射极，这是因为集电结较大，正偏导通电流也较大，所以电阻稍小一点。
3、三极管好坏大致判断利用三极管内PN结的单向导电性，检查各极间PN结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者PN结性能不好。
如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了。
(整理)数字万用表判别三极管类型方法-很简单
1、三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即ＰＮＰ型和ＮＰＮ型。
判别时只要知道基极是Ｐ型材料还Ｎ型材料即可。
用数字万用表红笔（代表电源正极）接基极与其他两极测量时导通，则说明三极管的基极为Ｐ型材料，三极管即为ＮＰＮ型。
如果红表笔接基极与其他两极测量不导通，则说明三极管基极为Ｎ型材料，三极管即为ＰＮＰ型。
2、2、3DD15D三极管的引脚是怎么区分的1是基极b，2是发射极e，外壳是集电极c不用测，面对管脚，管脚靠上，左面是b，石面是e，只要结构相同的，不分型号，都一样。
3、PNP三极管图集电极C发射极E识别方法：直线的是基极，有箭头的是发射极，剩下就是集电极。
箭头朝向代表电流方向，PNP管箭头指向内，NPN管箭头指向外。
4、PNP管包含3AG，3AX,3AK,3AD,3CG,3CX等。
NPN管包含3DG,3DX,3DK,3DD,3DA,3BX等。
3AX 为PNP型低频小功率管3BX 为NPN型低频小功率管3CG 为PNP型高频小功率管3DG 为NPN型高频小功率管3AD 为PNP型低频大功率管3DD 为NPN型低频大功率管3CA 为PNP型高频大功率管3DA 为NPN型高频大功率管6、知道三极管各电极对地的电压值，判断管子工作状态：NPN:VC>VB>VE：发射结正偏，集电结反偏，放大状态VB>VE,VB>VC：发射结正偏，集电结正偏，饱和状态VB<VE,VB<VC：发射结反偏，集电结反偏，截止状态VB<VE,VB>VC：发射结反偏，集电结正偏，反向运用状态PNP：VB<VE,VB>VC：发射结正偏，集电结反偏，放大状态VB<VE,VB<VC：发射结正偏，集电结正偏，饱和状态VB>VE,VB>VC：发射结反偏，集电结反偏，截止状态VB>VE,VB<VC：发射结反偏，集电结正偏，反向运用状态7、三极管的结构与分类晶体三极管晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。
npn和pnp的辨别方法
npn和pnp的辨别方法【原创实用版4篇】目录（篇1）1.引言2.NPN和PNP的原理3.NPN和PNP的区别4.NPN和PNP的应用场景5.结论正文（篇1）一、引言在电子电路中，NPN和PNP是两种常见的晶体管结构。
本篇文章将介绍NPN和PNP的基本原理，以及它们之间的区别和应用场景。
二、NPN和PNP的原理PN（Negative-Positive-Negative）是一种三极管结构，其中三个电极分别为基极、发射极和集电极。
NPN晶体管通过基极电流来控制集电极电流，具有放大作用。
而PNP（Positive-Positive-Negative）则是一种类似的晶体管结构，其中三个电极分别为正极、负极和正极。
三、NPN和PNP的区别1.电流方向：NPN的电流从集电极流向基极，而PNP的电流从基极流向集电极。
2.极性：NPN为负偏置，PNP为正偏置。
3.输出特性：NPN具有饱和性输出，而PNP具有线性输出。
四、NPN和PNP的应用场景1.NPN通常用于放大电路，可以作为输入信号的放大器。
此外，它还可以用于驱动功率晶体管，如MOSFET或BJT。
2.PNP通常用于恒流电路或电流源电路，例如DC电源电路。
此外，它还可以用于保护电路，如浪涌保护器。
五、结论PN和PNP是电子电路中常用的两种晶体管结构。
它们之间的区别在于电流方向、极性和输出特性。
目录（篇2）1.引言2.NPN和PNP的原理3.NPN和PNP的区别4.NPN和PNP的应用场景5.结论正文（篇2）一、引言在电子电路中，NPN和PNP是两种常见的放大器类型。
为了更好地理解这两种类型的放大器，我们需要先了解它们的原理。
NPN和PNP都是基于三极管的工作原理，但它们的输出电流方向不同。
二、NPN和PNP的原理PN（Negative-Positive-Negative）是一种三极管结构，其中三个电极分别是基极、发射极和集电极。
当基极电压高于发射极电压时，电流从基极流向发射极，并在集电极中产生电流。