集成电路设计与制造工艺概述
集成电路设计与制造流程
集成电路设计与制造流程集成电路设计与制造是一项极为复杂和精密的工程，涉及到多个工序和专业知识。
下面将介绍一般的集成电路设计与制造流程，以及每个流程所涉及到的关键步骤。
集成电路设计流程：1. 系统层面设计：首先需要明确设计的目标和要求，确定电路所需的功能和性能。
根据需求，进行系统级设计，包括电路结构的选择、功能模块的划分和性能评估等工作。
2. 电路设计：在系统层面设计的基础上，进行电路级的设计。
设计师需要选择合适的电子元器件，如晶体管、电容器和电阻器等，根据电路的功能和性能需求，设计电路的拓扑结构和组成。
这一阶段还需要进行电路仿真与优化，确保电路在各种条件下的正常工作。
3. 物理设计：对电路进行物理布局和布线设计。
根据电路的拓扑结构和组成，将不同的器件进行布局，以优化电路的性能和减少信号干扰。
随后进行布线设计，将各个器件之间的电路连接起来，并进行必要的引脚分配。
4. 电气规则检查：进行电气规则检查，确保电路满足设定的电气和物理规则，如电源电压、电流、信号强度和噪声等容忍度。
5. 逻辑综合：将电路的逻辑描述转换为门级或寄存器传输级的综合描述。
通过逻辑综合，能够将电路转换为可以在硬件上实现的门级网络，并且满足设计的目标和要求。
6. 静态时序分析：对电路进行静态时序分析，以确保电路在不同的时钟周期下，能够满足设定的时序限制。
这是保证电路正确工作的关键步骤。
7. 物理验证：对设计好的电路进行物理验证，主要包括电路布局和布线的验证，以及电路中的功耗分析和噪声分析等。
这些验证可以帮助设计师发现和解决潜在的问题，确保电路的正常工作。
集成电路制造流程：1. 掩膜设计：根据电路设计需求，设计和制作掩膜。
掩膜是用来定义电路的结构和元器件位置的模板。
2. 掩膜制作：使用光刻技术将掩膜图案投射到硅片上，形成电路的结构和元器件。
此过程包括对硅片进行清洗、涂覆光刻胶、曝光、显影和去胶等步骤。
3. 硅片加工：将硅片进行物理和化学处理，形成电路中的PN 结、栅极和源极等结构。
集成电路的设计与制造技术
集成电路的设计与制造技术集成电路是当今计算机科学和电子工程领域的核心技术之一。
它可以将数百万个电子元件集成在一个芯片上，实现了巨大的计算和数据处理能力。
在这篇文章中，我们将深入探讨集成电路的设计和制造技术，了解其背后的原理和工艺。
一、简介集成电路是一种电子元件，主要由晶体管、电容器和电阻器等构成。
这些元件可以在微小的芯片上布置成复杂电路和逻辑门。
通过这些电路，集成电路可以实现多种计算和数据处理功能，例如中央处理器、随机存储器和数字信号处理器等。
集成电路可以分为数字集成电路和模拟集成电路两种类型。
数字集成电路主要用于处理数字信号，例如计算机中的算术运算和逻辑门。
模拟集成电路则主要用于处理模拟信号，例如放大器和滤波器等。
二、设计技术集成电路的设计是一个复杂的过程，需要涉及电路理论、计算机科学和芯片制造工艺等多个方面。
下面我们来看看几种常用的设计技术。
1.逻辑门设计逻辑门是计算机中的基本组成单元，它可以接受一个或多个输入，然后输出一个或多个输出信号。
逻辑门的种类有很多种，例如与门、或门、非门和异或门等。
逻辑门的设计涉及到布尔代数和逻辑函数等数学知识。
通过这些理论，我们可以将逻辑门的输入和输出转化为二进制信号，并将其实现在芯片上。
2.电路仿真电路仿真是一种模拟电路行为的技术。
利用电路仿真软件，我们可以模拟集成电路的电路行为，查看其合理性和性能。
电路仿真能够在设计早期发现问题，并提供一种验证设计的方法。
电路仿真还可以帮助工程师进行电路优化。
通过反复调整和仿真，我们可以找到最优的电路设计方案，从而实现更高的性能和可靠性要求。
3.EDA工具EDA（Electronic Design Automation）工具是一种电子设计自动化软件，它可以帮助工程师快速设计、布局和验证集成电路。
例如，我们可以使用EDA工具自动产生电路板原型，自动生成布线方案和排布芯片布局等。
EDA工具的优势在于它可以大大缩短集成电路的设计周期，提高设计精度和效率，同时也减少了设计错误的风险。
集成电路制造的工艺和技术
集成电路制造的工艺和技术集成电路制造技术是现代电子工业的支柱之一。
它是以硅晶片为载体，采用多种制造工艺和技术，将成千上万个微小元件组装在一起形成各种功能电路。
该技术的成功应用不仅促进了电子工业的高速发展，而且推动了人类社会的快速进步。
1. 集成电路制造的概述集成电路制造是指将各种微小的电子器件集成在一起，形成具有特定功能的芯片。
它是应用了材料科学、半导体物理学、化学制造技术等多种科学技术而形成的复杂工艺。
集成电路生产具有以下优势：1）能够提高产品的可靠性和一致性，减少制造成本；2）大大降低产品的功耗和尺寸，提高了产品的性能；3）大量减少电子设备的重量和体积，提高了设备的移动性和维护性。
2. 集成电路制造的工艺集成电路制造的工艺包括晶体生长、晶片加工、电路设计与刻蚀、金属线路布图等工序。
其中，晶体生长是最关键的步骤之一。
通常采用化学气相沉积(CVD)、液相化学淀积(LPCVD)、分子束外延(MBE)等方法实现晶体生长。
然后，需要对晶片进行本底处理、光刻、腐蚀、离子注入等工艺，完成芯片的制造。
3. 集成电路制造的技术在集成电路制造过程中，还需要采用多种技术，来保障芯片的可靠性和性能。
其中，最重要的技术包括以下几种：1）光刻技术：采用光刻胶和紫外线等手段，实现对芯片的具体电路设计的精细定义。
2）腐蚀技术：利用湿腐蚀或干蚀刻等方法，将芯片上无关部分刻蚀掉，形成固定的电路连接。
3）化学氧化法：将硅片放入氢气和氧气的匀浆中，在硅片表面形成了一层极薄的氧化硅膜，可提高硅片的质量和保护它的其他部分。
4. 集成电路制造的发展随着科技的飞速发展，集成电路制造技术也在以惊人的速度向前发展。
迄今为止，集成电路制造工艺已发展到了微米级别。
但是，研究者们正在努力寻找新的材料，通过新的生长方式、新的工艺等方式来发展这一技术，以满足人们日益增长的需求。
总之，随着集成电路制造技术的不断发展，人们的电子设备将会继续向更小、更加灵活、更加方便的方向发展。
数字集成电路设计与制造工艺
数字集成电路设计与制造工艺数字集成电路（Digital Integrated Circuit, DIC）是由数以百万计的晶体管组成的集成电路。
它以数字信号作为输入和输出，并广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
数字集成电路的设计与制造工艺是保证其性能和可靠性的重要环节。
本文将就数字集成电路设计与制造工艺进行探讨。
一、数字集成电路设计1.1 逻辑电路设计逻辑电路设计是数字集成电路设计的基础。
通过逻辑门电路的组合和连接，实现指定的逻辑功能。
常见的逻辑门包括与门、或门、非门等。
在逻辑电路设计中，需要根据特定的功能要求，选择适当的逻辑门类型，并采用正确的连接方式，以满足设计要求。
1.2 数字电路设计数字电路设计是在逻辑电路设计的基础上进行的，它涉及到组合电路和时序电路的设计。
组合电路是指根据输入信号的不同组合，产生特定的输出信号。
时序电路是指根据时钟信号的不同变化，产生特定的输出信号。
在数字电路设计中，需要考虑电路的延迟、功耗、面积等因素，以获得最佳的设计结果。
1.3 仿真与验证在数字集成电路设计过程中，进行仿真和验证是必不可少的环节。
通过对设计电路进行仿真分析，可以评估电路的性能和可靠性。
验证阶段则是通过实际测试，验证设计电路的功能和性能是否与预期一致。
只有通过充分的仿真和验证，才能确保设计电路的正确性和可靠性。
二、数字集成电路制造工艺2.1 掩膜制造工艺数字集成电路的制造工艺是指通过光刻、蒸镀等工艺步骤，将设计好的电路图案转移到硅片上。
其中，掩膜制造是最关键的一步。
掩膜制造过程包括芯片层次设计、掩膜版制造和CD（Critical Dimension）测量等环节。
通过精确的掩膜制造工艺，可以确保电路的精度和一致性。
2.2 清洗与刻蚀工艺清洗与刻蚀工艺是数字集成电路制造过程中的重要步骤。
在芯片制造过程中，需要不断进行清洗和刻蚀，以去除不必要的物质和形成所需的结构。
清洗工艺主要用于去除污染物和残留物，而刻蚀工艺则用于形成电路的结构和通道。
模拟集成电路设计与制造工艺
模拟集成电路设计与制造工艺在现代科技发展的浪潮中，集成电路是不可或缺的核心技术。
而在集成电路的设计和制造过程中，模拟集成电路扮演着重要的角色。
本文将从模拟集成电路的概念、设计原理和制造工艺等方面展开讨论，以帮助读者更好地了解模拟集成电路的设计与制造工艺。
一、模拟集成电路的概念和分类模拟集成电路，简称模拟电路，是指在集成电路中传输和处理模拟信号的集成电路。
模拟信号是连续变化的信号，与数字信号相对应。
根据应用场景和功能，模拟电路可以分为放大电路、滤波电路、混频电路等各种类型。
二、模拟集成电路的设计原理模拟集成电路的设计原理主要包括以下几个方面：1. 设计需求分析：根据产品需求，明确模拟集成电路的功能和性能指标，如增益、带宽等。
2. 电路拓扑设计：选择适当的电路结构，构成基本的放大、滤波、混频等电路模块。
3. 元器件选择和参数设计：选择合适的元器件，并根据需求确定各个元器件的参数，如电容、电阻等。
4. 电路分析和仿真：使用相应的电路分析软件进行电路性能分析和仿真，检验设计的正确性和稳定性。
5. 电路布局和布线：根据集成电路设计规则，进行电路布局和布线，保证电路的稳定性和可靠性。
6. 系统集成测试：将设计好的模拟集成电路与其他系统进行集成测试，确保整个系统的正常运行。
三、模拟集成电路的制造工艺模拟集成电路的制造工艺主要包括以下几个环节：1. 掩膜制备：首先，根据设计要求，制备相应的掩膜。
掩膜是制作集成电路的关键步骤，其制备需要高精确度的光刻和腐蚀技术。
2. 晶圆制备：使用硅片等材料制作晶圆，晶圆的制备需要经过多道工序，如抛光、清洗等。
3. 晶圆上的沉积：在晶圆上进行氧化、硅酸沉积等工序，形成基础的绝缘层和导电层。
4. 接触孔的制备：通过光刻和腐蚀技术，在晶圆上形成接触孔，用于连接电路中的不同层次。
5. 金属线的制备：在晶圆上通过光刻和金属沉积等工艺，制备金属线路，用于实现电路的连通。
6. 测试和封装：对制造好的模拟集成电路进行测试，确保电路的质量和性能。
集成电路设计与制造技术
集成电路设计与制造技术随着科技的不断发展，集成电路已经成为现代电子领域的核心技术之一。
集成电路设计和制造技术是实现半导体集成化的重要手段。
在这篇文章中，我们将探讨集成电路的设计和制造技术。
一、集成电路设计技术集成电路设计技术是制造芯片的关键。
集成电路设计是一种基于半导体物理学、电路原理、计算机软件的高科技产业。
集成电路设计所采用的技术包括数字电路设计、模拟电路设计、自动化设计等等。
同时，集成电路设计技术的发展也早已深刻影响了整个电子电路领域。
在现代芯片设计中，数字电路设计具有非常重要的地位。
数字电路的发展有助于提高芯片的密度和性能，可以使芯片的集成度更高，功耗更低。
近年来，数字电路的设计技术不断更新，包括了各种电路综合、设计验证和调试等等方面的软件工具。
这些工具能够帮助设计师快速地完成电路设计，同时更加准确地评估电路的性能和可靠性。
模拟电路的设计和研发较为复杂，主要涉及到完整的电路设计流程，包括了电路分析、电路建模、电路仿真和电路测试。
随着电路设计在工业中的广泛应用，设计人员也在逐步摸索出适用于自己工作的模拟电路设计工艺流程和方法。
自动化设计技术成为数字集成电路设计的主要手段之一。
通过这种技术，设计人员可以对大量电路设计进行自动化集成处理，提高设计效率和产品质量，降低成本。
二、集成电路制造技术集成电路制造技术是集成电路产业的关键排头兵，主要包括晶圆加工、光刻成像和膜沉积等多个环节。
其中，晶圆加工即芯片切割，是制造芯片过程中最核心的步骤。
晶片加工先后经历了研磨、薄化和蚀刻等阶段，在不断改进和优化中，形成了有机的技术流程。
随着芯片制造技术的不断提高，制造工艺也在不断优化。
传统的工艺需要多次重复制作、切割等环节。
近年来，介于工艺可能的微弱误差，模式设计采用了计算机软件进行自动识别和处理，从而大大提高了芯片加工的精度和稳定性。
同时，光刻技术也是制造芯片中不可或缺的一环。
尤其是近年来，一些微型化芯片和迷你化物件对光刻技术的要求越来越高。
射频集成电路设计与制造工艺
射频集成电路设计与制造工艺随着无线通信技术的发展，射频集成电路（RFIC）在现代电子设备中起到了至关重要的作用。
射频集成电路是指在同一芯片上集成了无线射频信号处理的功能，能够实现信号的接收、放大、滤波以及解调等功能。
本文将探讨射频集成电路设计与制造工艺方面的相关内容。
一、射频集成电路设计射频集成电路设计是将无线通信系统中需要的射频功能和电路设计在一个芯片上实现的过程。
在射频集成电路设计中，需要考虑如下几个方面：1. 高频电路设计：射频信号的频率范围通常从几十兆赫兹到数千兆赫兹，在这个频率范围内，电路的设计与传统的低频电路设计有很大的不同。
高频电路设计需要考虑电路的传输线特性、阻抗匹配、电磁辐射和传输线延迟等问题。
2. 射频电路建模：在射频集成电路设计中，射频器件的建模是非常重要的一步。
通过精确的射频器件建模，可以在设计阶段进行仿真和优化，减少后期的调试和测试工作。
3. 射频电路布局与布线：射频集成电路的布局与布线对电路的性能有很大的影响。
合理的布局和布线可以减小信号的串扰和反射，提高电路的性能。
4. 射频电路测试与验证：射频集成电路设计完成后，需要进行测试和验证。
通过测试和验证，可以确保射频集成电路的性能满足设计要求，并发现设计中的问题。
二、射频集成电路制造工艺射频集成电路的制造工艺是将设计好的射频集成电路制作成实际的芯片的过程。
射频集成电路的制造工艺主要包括以下几个步骤：1. 材料选择：射频集成电路的制造需要选择适合的材料，如硅、氮化硅、氮化铝等。
不同的材料有不同的特性和适用范围。
2. 清洗和制备：将选定的材料进行清洗和制备，以去除杂质和提供良好的表面条件，为后续的工艺步骤做好准备。
3. 沉积与蚀刻：通过化学气相沉积、物理气相沉积等工艺将多层薄膜沉积到芯片上，并利用蚀刻工艺来形成所需的结构和电路。
4. 掩膜和曝光：利用光刻技术对芯片进行掩膜和曝光处理，以形成电路的图案。
5. 金属化与封装：通过金属化工艺，将金属层沉积到芯片上，并进行电路的连接和封装。
集成电路的制造工艺与特点
集成电路的制造工艺与特点集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术的核心和基础，广泛应用于各个领域。
制造一颗集成电路需要经历多道复杂的工艺流程，下面将详细介绍集成电路的制造工艺与特点。
一、制造工艺步骤：1.掺杂：首先，将硅片（制造IC的基础材料）通过掺杂工艺，添加特定的杂质元素，如硼、磷等。
掺杂过程中，杂质元素会改变硅片的电学性质，形成P型或N 型半导体材料。
2.沉积：接下来，将制造IC所需的氧化层或其他特殊材料沉积在硅片表面。
这些材料可以保护芯片，也可以作为电气隔离层或其他功能层。
3.光刻：在硅片上涂上光刻胶，并通过光刻机器曝光、显影、清洗等步骤，将设计好的电路图案转移到光刻胶上。
然后，根据光刻胶的图案，在硅片上进行蚀刻或沉积等处理。
4.蚀刻：利用蚀刻工艺，在未被光刻胶保护的区域上去除多余的材料。
蚀刻可以采用化学腐蚀或物理蚀刻等方法。
5.离子注入：通过离子注入工艺，将特定的杂质元素注入硅片中，以改变硅片的电学性质。
这个过程可以形成导线、二极管、晶体管等功能器件。
6.金属化：在硅片上涂上金属层，以形成电路的金属导线。
经过一系列的金属化工艺，如光刻、蚀刻等，可以形成复杂的电路连接。
7.封装：将完成的芯片连接到封装基板上，通过线缆与外部器件连接。
封装的目的是保护芯片，并提供外部电路与芯片之间的连接。
8.测试：对制造完成的芯片进行测试，以确保其性能和质量符合设计要求。
测试可以包括功能测试、可靠性测试等多个方面。
二、制造工艺特点：1.微小化：集成电路的制造工艺趋向于微小化，即将电路的尺寸缩小到纳米级别。
微小化可以提高电路的集成度，减小体积，提高性能，并降低功耗和成本。
2.精密性：制造集成电路需要高度精密的设备和工艺。
尺寸误差、浓度误差等都可能影响电路的功能和性能。
因此，工艺步骤需要严格控制，以确保芯片的准确性和一致性。
3.多工艺组合：集成电路的制造通常需要多种不同的工艺组合。
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作的条件下，根据实际工艺水平 ( 包括光刻特性、刻蚀
能力、对准容差等 ) 和成品率要求，给出的一组同一工 艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、
间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们
的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物 理效应的出现。
二、集成电路制造基本工艺
指在晶圆表面形成薄膜 的加工工艺。这些薄膜 可以是绝缘体、半导体 或导体。它们由不同材 料组成，是使用多种工 艺生产或淀积的。 掺杂就是用人为的方法， 将所需要的杂质，以一 定的方式掺入到半导体 基片规定的区域内，并 达到规定的数量和符合 要求的分布。 集成电路中的光刻是 把掩模版上的图形转 换到硅片表面上的一 种工艺。
质，形成PN结、电阻、欧姆接触等。掺杂工艺分扩散和离子注入 两种。
1、扩散 扩散掺杂就是利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从 浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布，所以也称为扩 散掺杂。一般施主杂质元素有磷（ P）、砷（As）等，受主杂质 元素有硼（B）、铟（C）等。掺杂后硅中的杂质浓度大小与分布 是温度和时间的函数，所以控制温度和扩散时间是保证质量的两 大要素。
2、离子注入 离子注入掺杂分为两个步骤：离子注入和退火再分布。离子注 入是通过高能离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被 注入硅本体，在其他部位，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，完 成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定 的分布。 由于高能粒子的撞击，导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶 格损伤，在离子注入后要进行退火处理，根据注入的杂质数量不 同，退火温度在 450℃ ~950℃ 之间，掺杂浓度大则退火温度高， 反之则低。在退火的同时，掺入的杂质同时向硅体内进行再分布， 如果需要，还要进行后续的高温处理以获得所需的结深和分布。
氧化工艺就是制备二氧化硅（SiO2）层。二氧化硅是一种十分
理想的电绝缘材料，它的化学性质非常稳定，室温下它只与氢氟
酸发生化学反应。它在集成电路加工工艺中有许多作用，（ 1） 在MOS电路中作为 MOS器件的绝缘栅介质，是MOS器件的组成
部分；（ 2 ）扩散时的掩蔽层，离子注入的阻挡层（有时与光刻
（4）作为电容器的绝缘介质材料；（5）作为多层金属互连层之
第5章 集成电路设计与制造工艺概述
概要介绍主要设计和基本工艺
硅晶圆与晶圆片
一、集成电路设计 主要分类
按设计途径分：正向设计、反向设计 按设计内容分：逻辑设计、电路设计 工艺设计、版图设计
根据设计途径不同分类
正向 设计
指由电路指标、 功能出发，最 后由由电路进 行版图设计
反向 设计
仿制原产品， 确定工艺参数， 推出更先进的 产品。
极的金属及多晶硅薄膜等。
1.薄膜制备
制作薄膜的材料很多：半导体材料如硅和砷化镓；金属 材料有金和铝；无机绝缘材料二氧化硅、磷硅玻璃、氮
化硅、三氧化二铝；半绝缘材料多晶硅和非晶硅等。此
外，还有目前已用于生产并有着广泛前途的聚酰亚胺类 有机绝缘树脂材料等。
制备这些薄膜的方法很多，概括起来可分为间接生长 （如气相外延、热氧化和化学气相淀积）和直接生长 （如真空蒸发、溅射和涂敷等）两类。
胶、 Si3N4层一起使用）；（ 3）作为集成电路的隔离介质材料；
间的介质材料；（ 6 ）作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料。
氧化工艺有热氧化法、化学气相淀积法、热分解淀积法和溅射法。
2.光刻与刻蚀（图形转换）
（a）曝光
（b）显影
（c）腐蚀
（d)去胶
3.掺杂
将需要的杂质掺入特定的半导体区以达到改变半导体电学性
（a）形成薄氧化层
（b）加工多晶硅
（c）去掉不需要的薄 二氧化硅
（d）利用自对准作用掺杂
自对准工艺
4.热处理
热处理主要用途有三个：
1. 退火：指在离子注入制程后进行的热处理，温度在 1000℃左右，以修复掺杂原子的注入所造成的晶圆损伤。
2. 金属导线在晶圆上制成后热处理：为确保良好的导电 性，金属会在450℃热处理后与晶圆表面紧密熔合。
3. 去除光刻胶：通过加热在晶圆表面的光刻胶将溶剂蒸 发掉，从而得到准确的图形。
闩锁效应（Latch-Up）
N阱工艺中的闩锁效应（Latch-Up）
闩锁效应电路模型
薄膜制备
光刻
掺杂
热处理
热处理是简单地将晶 圆加热和冷却来达到 特定结果的工艺过程。 热处理过程中晶圆上 没有增加或减去任何 物质，另外，会有一 些污染物和水汽从晶 圆上蒸发。
1.薄膜制备
在半导体器件中广泛使用各种薄膜，例如：作为器件工 作区的外延薄膜；实现定域工艺的掩蔽膜；起表面保护、
钝化和隔离作用的绝缘介质薄膜；作为电极引线和栅电
这里所说的工艺条件包含源的种类、温度、时间、流量、注入剂量 和能量、工艺参数及检测手段等内容。
反向设计（也称逆向设计）的设计流程为：
第一步，提取横向尺寸。主要内容：打开封装放大、照相提取复合 版图，拼复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则电路模拟、验 证所提取的电路画版图。 第二步，提取纵向尺寸。用扫描电镜等提取氧化层厚度、金属膜厚 度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。 第三步，测试产品的电学参数。电学参数包括开启电压、薄膜电阻、
进行图形转移，即将设计的版图转移到硅片上去做准备。
版图与棍图
（a）电路图
（b）一种棍图
（c）另一种棍图
图4.6.1 棍图与版图的关系
NMOS晶体管版图
N阱工艺CMOS反相器版图
版图设计规则
在版图设计中，要遵守版图设计规则。所谓版图设计规则，是 指为了保证电路的功能和一定的成品率而提出的一组最小尺寸，
放大倍数、特征频率等。
逆向设计在提取纵向尺寸和测试产品的电学参数的基础上确定工艺 参数，制订工艺条件和工艺流程。
根据设计内容不同分类
逻辑设计ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
01
02
电路设计
04
版图设计
03
工艺设计
版图与制版 设计与工艺制造之间的接口是版图。版图是一组相
互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一
层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺 紧密相关。 制版的目的就是产生一套分层的版图掩模，为将来
正向设计的设计流程为：根据功能要求画出系统框图，划分成子系 统(功能块)进行逻辑设计，由逻辑图或功能块功能要求进行电路设 计，由电路图设计版图，根据电路及现有工艺条件，经模拟验证再 绘制总图工艺设计（如原材料选择，设计工艺参数、工艺方案，确 定工艺条件、工艺流程）。如有成熟的工艺，就根据电路的性能要 求选择合适的工艺加以修改、补充或组合。
金属化工艺 用于金属化工艺的材料有金属铝、铝-硅合金、铝-铜合 金，重掺杂多晶硅和难熔金属硅化物等。金属化工艺是 一种物理气相淀积，需要在高真空系统中进行，常用的 方法有真空蒸发法和溅射法。
金属化工艺主要是完成电极、焊盘和互连线的制备。
（a）淀积一层金属铝
（b）刻蚀不需要的铝 金属化工艺
氧化工艺
如最小线宽、最小可开孔、线条间的最小间距、最小套刻间距等。 设计规则是集成电路设计与制造的桥梁。如何向电路设计及版
图设计工程师精确说明工艺线的加工能力，就是设计规则描述的
内容。这些规定是以掩膜版各层几何图形的宽度、间距及重叠量 等最小容许值的形式出现的。
设计规则本身并不代表光刻、化学腐蚀、对准容差的极 限尺寸，它所代表的是容差的要求。考虑器件在正常工