材料分析方法复习
材料现代分析试方法复习题
《材料现代分析测试方法》习题及思考题一、名词术语波数、原子基态、原子激发、激发态、激发电位、电子跃迁（能级跃迁）、辐射跃迁、无辐射跃迁，分子振动、伸缩振动、变形振动（变角振动或弯曲振动）、干涉指数、倒易点阵、瑞利散射、拉曼散射、反斯托克斯线、斯托克斯线、 X射线相干散射（弹性散射、经典散射或汤姆逊散射）、X射线非相干散射（非弹性散射、康普顿-吴有训效应、康普顿散射、量子散射）、光电效应、光电子能谱、紫外可见吸收光谱（电子光谱）、红外吸收光谱、红外活性与红外非活性、弛豫、K系特征辐射、L系特征辐射、Kα射线、Kβ、短波限、吸收限、线吸收系数、质量吸收系数、散射角（2θ）、二次电子、俄歇电子、连续X射线、特征X射线、点阵消光、结构消光、衍射花样的指数化、连续扫描法、步进扫描法、生色团、助色团、反助色团、蓝移、红移、电荷转移光谱、运动自由度、振动自由度、倍频峰（或称泛音峰）、组频峰、振动耦合、特征振动频率、特征振动吸收带、内振动、外振动（晶格振动）、热分析、热重法、差热分析、差示扫描量热法、微商热重（DTG）曲线、参比物（或基准物、中性体）、程序控制温度、（热分析曲线）外推始点、核磁共振。
二、填空1.原子中电子受激向高能级跃迁或由高能级向低能级跃迁均称为( )跃迁或( )跃迁。
2.电子由高能级向低能级的跃迁可分为两种方式：跃迁过程中多余的能量即跃迁前后能量差以电磁辐射的方式放出，称之为( )跃迁；若多余的能量转化为热能等形式，则称之为( )跃迁。
3.多原子分子振动可分为( )振动与( )振动两类。
4.伸缩振动可分为( )和( )。
变形振动可分为( )和( )。
5.干涉指数是对晶面( )与晶面( )的标识。
6.晶面间距分别为d110／2，d110/3的晶面，其干涉指数分别为( )和( ).7. 倒易矢量r*HKL的基本性质为：r*HKL垂直于正点阵中相应的（HKL）晶面，其长度|r*HKL|等于(HKL)之晶面间距dHKL的( )。
材料分析方法重点总结
材料分析⽅法重点总结1.（1）试说明电⼦束⼊射固体样品表⾯激发的主要信号、主要特点和⽤途。
（2）扫描电镜的分辨率受哪些因素影响? 给出典型信号成像的分辨率（轻元素滴状作⽤体积），并说明原因。
（3）⼆次电⼦（SE）信号主要⽤于分析样品表⾯形貌，说明其衬度形成原理。
（4）⽤⼆次电⼦像和背散射电⼦像在显⽰表⾯形貌衬度时有何相同与不同之处?答：（1）背散射电⼦:能量⾼；来⾃样品表⾯⼏百nm深度范围；其产额随原⼦序数增⼤⽽增多.⽤作形貌分析、成分分析以及结构分析。
⼆次电⼦:能量较低；来⾃表层5－10nm深度范围；对样品表⾯形貌⼗分敏感.不能进⾏成分分析.主要⽤于分析样品表⾯形貌。
吸收电⼦:其衬度恰好和SE或BE信号调制图像衬度相反;与背散射电⼦的衬度互补.吸收电⼦能产⽣原⼦序数衬度，即可⽤来进⾏定性的微区成分分析.透射电⼦：透射电⼦信号由微区的厚度、成分和晶体结构决定.可进⾏微区成分分析.特征X射线: ⽤特征值进⾏成分分析，来⾃样品较深的区域俄歇电⼦: 各元素的俄歇电⼦能量值低；来⾃样品表⾯1－2nm范围。
适合做表⾯分析.（2）影响因素:电⼦束束斑⼤⼩,检测信号类型,检测部位原⼦序数.信号⼆次电⼦背散射电⼦吸收电⼦特征X射线俄歇电⼦分辨率 5～10 50～200 100～1000 100～1000 5～10对轻元素，电⼦束与样品作⽤产⽣⼀个滴状作⽤体积(P222图)。
⼊射电⼦在被样品吸收或散射出样品表⾯之前将在这个体积中活动。
AE和SE因其本⾝能量较低，平均⾃由程很短，因此，俄歇电⼦的激发表层深度：0.5～2 nm，激发⼆次电⼦的层深：5～10 nm，在这个浅层范围，⼊射电⼦不发⽣横向扩展，因此，AE和SE只能在与束斑直径相当的园柱体内被激发出来，因为束斑直径就是⼀个成象检测单元的⼤⼩，所以它们的分辨率就相当于束斑直径。
BE在较深的扩展体积内弹射出，其分辨率⼤为降低。
X射线在更深、更为扩展后的体积内激发，那么其分辨率⽐BE更低。
材料现代分析方法(复习题及答案)
1、埃利斑由于光的波动性，光通过小孔发生衍射,明暗相间的条纹衍射的图样，条纹间距随小孔尺寸的变大，衍射的图样的中心有最大的亮斑，称为埃利斑。
2、差热分析是在程序的控制条件下，测量在升温、降温或恒温过程中样品和参比物之间的温差。
3、差示扫描量热法（DSC）是在程序控制条件下，直接测量样品在升温、降温或恒温过程中所吸收的或放出的热量。
4、倒易点阵是由晶体点阵按照一定的对应关系建立的空间点阵,此对应关系可称为倒易变换。
5、干涉指数在（hkl）晶面组（其晶面间距记为dhkl）同一空间方位，设若有晶面间距为dhkl/n(n 为任意整数)的晶面组(nh，nk，nl）即（H,K，L)记为干涉指数.6、干涉面简化布拉格方程所引入的反射面（不需加工且要参与计算的面）。
7、景深当像平面固定时（像距不变）能在像清晰地范围内，允许物体平面沿透镜轴移动的最大距离。
8、焦长固定样品的条件下，像平面沿透镜主轴移动时能保持物象清晰的距离范围.9、晶带晶体中，与某一晶向【uvw】平行的所有(HKL）晶面属于同一晶带，称为晶带射线若K层产生空位,其外层电子向K层跃迁产生的X射线统称为K系特征辐射，其中有L 10、α层电子跃迁产生的K系特征辐射称为Ka。
11、数值孔径子午光线能进入或离开纤芯（光学系统或挂光学器件）的最大圆锥的半顶角之余弦，乘以圆锥顶所在介质的折射率。
12、透镜分辨率用物理学方法(如光学仪器）能分清两个密切相邻物体的程度13 衍射衬度由样品各处衍射束强度的差异形成的衬度成为衍射衬度。
射线若K层产生空位，其外层电子向K层跃迁产生的X射线统称为K系特征辐射，其中有L 14α层电子跃迁产生的K系特征辐射称为Ka。
15质厚衬度由于样品不同区间存在原子序数或厚度的差异而形成的非晶体样品投射电子显微图像衬度，即质量衬度，简称质厚衬度。
16 质谱是离子数量（强度）对质荷比的分布，以质谱图或质谱表的形式的表达。
一、判断题1)、埃利斑半径与照明光源波长成反比，与透镜数值孔径成正比。
材料分析复习题
第一章1.短波长的X射线称(硬X射线)，常用于(较深组织治疗)；长波长的X射线称(软X射线)，常用于(透视与摄像)。
2解释X射线相干散射与非相干散射。
⑴当χ射线通过物质时，物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动，受迫振动产生交变电磁场，其频率与入射线的频率相同，这种由于散射线与入射线的波长和频率一致，位相固定，在相同方向上各散射波符合相干条件，故称为相干散射。
⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后，可以得到波长比入射χ射线长的χ射线，且波长随散射方向不同而改变，这种散射现象称为非相干散射。
3.M层电子回迁到K层后，多余的能量放出的特征X射线称（B）A.Kα；B.Kβ；C.Kγ；D.Lα。
4.当电子把所有能量都转换为X射线时，该X射线波长称（A）A.短波限λ0；B.激发限λk；C.吸收限；D.特征X射线5.当X射线将某物质原子的K层电子打出去后，L层电子回迁K层，多余能量将另一个L层电子打出核外，这整个过程将产生（D）。
A.光电子；B.二次荧光；C.俄歇电子；D.（A+C）6X射线管的工作原理是什么？答：在阴极和阳极加高压直流电场，灯丝端加交流低压产生电子，直流电场会将阴极产生的电子加速并轰击阳极靶，阳极靶电子产生跃迁的同时产生X射线，电子的方向是从阴极到阳极，所以电流的方向是从阳极到阴极。
7写出并解释莫塞莱定律。
随着元素的原子序数的增加，特征X射线的波长有规律的变短，用式子表示为8滤波片的工作原理是什么？第二章1.有一倒易矢量为*ab2，与它对应的正空间晶面是（C）。
*cg2+*+=*A.（210）；B.（220）；C.（221）；D.（110）；。
2.面心立方晶体（111）晶面族的多重性因素是（A）。
A．4；B．8；C．6；D．12。
3.一束X射线照射到晶体上能否产生衍射取决于（C）。
A．是否满足布拉格条件；B．是否衍射强度I≠0；C．A+B；D．晶体形状。
4.只要倒易阵点落在厄瓦尔德球面上，就表示该（干涉面）满足（布拉格方程）条件，能产生（衍射）。
材料现代分析测试方法复习
XRD X 射线衍射 TEM 透射电镜—ED 电子衍射 SEM 扫描电子显微镜—EPMA 电子探针（EDS能谱仪 WPS 波谱仪） XPS X 射线光电子能谱分析 AES 原子发射光谱或俄歇电子能谱IR —FT —IR 傅里叶变换红外光谱 RAMAN 拉曼光谱 DTA 差热分析法 DSC 差示扫描量热法 TG 热重分析 STM 扫描隧道显微镜 AFM 原子力显微镜测微观形貌：TEM 、SEM 、EPMA 、STM 、AFM 化学元素分析：EPMA 、XPS 、AES （原子和俄歇）物质结构：远程结构（XRD 、ED ）、近程结构（RAMAN 、IR ）分子结构：RAMAN官能团：IR 表面结构：AES （俄歇）、XPS 、STM 、AFMX 射线的产生：高速运动着额电子突然受阻时，随着电子能量的消失和转化，就会产生X 射线。
产生条件：1.产生并发射自由电子；2.在真空中迫使电子朝一定方向加速运动，以获得尽可能高的速度；3.在高速电子流的运动路线上设置一障碍物（阳极靶），使高速运动的电子突然受阻而停止下来。
X 射线荧光：入射的X 射线光量子的能量足够大将原子内层电子击出，外层电子向内层跃迁，辐射出波长严格一定的X 射线俄歇电子产生：原子K 层电子被击出，L 层电子如L2电子像K 层跃迁能量差不是以产生一个K 系X 射线光量子的形式释放，而是被临近的电子所吸收，使这个电子受激发而成为自由电子，即俄歇电子14种布拉菲格子特征：立方晶系（等轴）a=b=c α=β=γ=90°；正方晶系（四方）a=b ≠cα=β=γ=90°；斜方晶系（正交）a ≠b ≠c α=β=γ=90°；菱方晶系（三方）a=b=c α=β=γ≠90°；六方晶系a=b ≠c α=β=90°γ=120°；单斜晶系a ≠b ≠c α=β=90°≠γ；三斜晶系a ≠b ≠c α≠β≠γ≠90°布拉格方程的推导 含义：线照射晶体时，只有相邻面网之间散射的X 射线光程差为波长的整数倍时，才能产生干涉加强，形成衍射线，反之不能形成衍射线。
材料分析技术复习
一、选择题1.用来进行晶体结构分析的X射线学分支是（）A.X射线透射学；B.X射线衍射学；C.X射线光谱学；D.其它2.M层电子回迁到K层后, 多余的能量放出的特性X射线称.. ）Kα；B.Kβ；C.Kγ；D.Lα。
3.当X射线发生装置是Cu靶, 滤波片应选..）Cu；B.Fe；C.Ni；D.Mo。
4.当电子把所有能量都转换为X射线时, 该X射线波长称.. ）短波限λ0；B.激发限λk；C.吸取限；D.特性X射线A. 5.当X射线将某物质原子的K层电子打出去后, L层电子回迁K层, 多余能量将另一个L层电子打出核外, 这整个过程将产生（）（多选题）光电子；B.二次荧光；C.俄歇电子；D.（A+C）1.有一倒易矢量为, 与它相应的正空间晶面是（）。
A.（210）；B.（220）；C.（221）；D.（110）；。
2.有一体心立方晶体的晶格常数是0.286nm, 用铁靶Kα（λKα=0.194nm）照射该晶体能产生（）衍射线。
A.三条...四条.C.五条；D.六条。
3.一束X射线照射到晶体上能否产生衍射取决于（）。
A. 是否满足布拉格条件；B. 是否衍射强度I≠0；C. A+B；D. 晶体形状。
4.面心立方晶体（111）晶面族的多重性因素是（）。
A. 4；B. 8；C. 6；D. 12。
1.最常用的X射线衍射方法是（）。
A.劳厄法；B.粉末多法；C.周转晶体法；D.德拜法。
2.德拜法中有助于提高测量精度的底片安装方法是（）。
A.正装法；B.反装法；C.偏装法；D.A+B。
3.德拜法中对试样的规定除了无应力外, 粉末粒度应为（）。
A.<325目；B.>250目；C.在250-325目之间；D.任意大小。
4.测角仪中, 探测器的转速与试样的转速关系是（）。
A.保持同步1﹕.；B.2﹕.；C.1﹕.；D.1﹕.。
5.衍射仪法中的试样形状是（）。
A.丝状粉末多晶；B.块状粉末多晶；C.块状单晶；D.任意形状。
材料分析测试技术复习资料
材料分析测试技术复习资料材料分析测试技术复习1．X射线的本质是什么？是谁⾸先发现了X射线，谁揭⽰了X射线的本质？本质是⼀种波长很短的电磁波，其波长介于0.01-1000A。
1895年由德国物理学家伦琴⾸先发现了X射线，1912年由德国物理学家laue揭⽰了X射线本质。
2．试计算波长0.071nm（Mo-Kα）和0.154A（Cu-Kα）的X射线束，其频率和每个量⼦的能量？E=hν=hc/λ3．试述连续X射线谱与特征X射线谱产⽣的机理连续X射线谱:从阴极发出的电⼦经⾼压加速到达阳极靶材时，由于单位时间内到达的电⼦数⽬极⼤，⽽且达到靶材的时间和条件各不相同，并且⼤多数电⼦要经过多次碰撞，能量逐步损失掉，因⽽出现连续变化的波长谱。
特征X射线谱: 从阴极发出的电⼦在⾼压加速后，如果电⼦的能量⾜够⼤⽽将阳极靶原⼦中内层电⼦击出留下空位，原⼦中其他层电⼦就会跃迁以填补该空位，同时将多余的能量以X射线光⼦的形式释放出来，结果得到具有固定能量，频率或固定波长的特征X射线。
4. 连续X射线谱强度随管电压、管电流和阳极材料原⼦序数的变化规律？发⽣管中的总光⼦数(即连续X射线的强度)与:1 阳极原⼦数Z成正⽐;2 与灯丝电流i成正⽐;3 与电压V⼆次⽅成正⽐:I 正⽐于i Z V2可见，连续X射线的总能量随管电流、阳极靶原⼦序数和管电压的增加⽽增⼤5. Kα线和Kβ线相⽐，谁的波长短？谁的强度⾼？Kβ线⽐Kα线的波长短，强度弱6．实验中选择X射线管以及滤波⽚的原则是什么？已知⼀个以Fe为主要成分的样品，试选择合适的X射线管和合适的滤波⽚？实验中选择X射线管要避免样品强烈吸收⼊射X射线产⽣荧光幅射，对分析结果产⽣⼲扰。
必须根据所测样品的化学成分选⽤不同靶材的X射线管。
其选择原则是：Z靶≤Z样品+1应当避免使⽤⽐样品中的主元素的原⼦序数⼤2－6（尤其是2）的材料作靶材。
滤波⽚材料选择规律是：Z靶＜ 40时：Z滤＝Z靶－1Z靶＞40时：Z滤＝Z靶－2例如: 铁为主的样品，选⽤Co或Fe靶,不选⽤Ni或Cu靶；对应滤波⽚选择Mn7. X 射线与物质的如何相互作⽤的，产⽣那些物理现象？X 射线与物质的作⽤是通过X 射线光⼦与物质的电⼦相互碰撞⽽实现的。
材料分析方法-第一章
一、填空题：1、产生X-射线必须具备的基本条件：产生自由电子，加速电子使其高速定向运动，在电子运动路径上设置障碍物。
2、X-射线的本质是一种电磁波，它具有波粒二象性。
3、X-射线的波长范围为10~0.01nm ；用于晶体结构分析的X-射线波长为0.25~0.05nm ；用于材料探伤的X-射线波长为0.1~0.05nm 。
一般波长短的X-射线称为硬X-射线(<0.1nm) ，波长长的X-射线称为软X-射线(10~0.1nm) 。
4、X-射线管发射出的X射线分为连续X射线谱和标识X射线谱两类。
5、当一束X射线通过物质时，其能量可分为三部分，即一部分被散射，一部分被吸收，而其余部分则透过物质继续沿原来的方向传播。
6、晶体具有如下共同性质：均匀性、各向异性、自范性和固定的熔点。
7、在晶体结构或空间点阵中，平行于同一个方向的所有晶面族称为一个晶带，该方向则称为晶带轴。
8、产生衍射的充分条件：满足布拉格方程且F HKL≠0 。
9、由于F HKL＝0而使衍射线消失的现象称为系统消光，它分为：点阵消光、结构消光。
二、计算题：1、当管电压为20kV时，X-射线谱的短波限λ0是多少？解：短波限λ0=ℎceV =1.24V，当V=20kV时λ0=0.062 nm2、晶面夹角的计算：在立方晶系中，（111）晶面与（001）晶面的夹角。
解：cosϕ121212√ℎ12+k12+l12√ℎ22+k22+l22，将两晶面指数带入，得cosϕ=√33，ϕ=54.7°三、论述题：1、X射线的本质是由于电子运动状态被改变时发出的电磁波，所以连续谱与标识谱在产生条件上没有区别，只是标识谱需要的加速电压大一些，且此时连续谱被一直不产生而已。
不对，连续谱与标识谱产生的来源不同。
连续谱是高速电子受到靶的抑制作用，速度骤减，电子动能转化为辐射能所产生的电磁波，其与靶材料无关；标识谱是靶原子受到高速电子轰击后，内层电子跃迁产生电磁辐射而形成的，标识谱是连续谱与标识谱线的叠加，与加速电压无关，而与靶材料有关。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
离子的过程。如果采用一束强的单色光做光源，这个过程可以表示为 M+h=M++e-
其中M和M+分别代表分子和相应的离子，h是入射光子，e-是发射出的光电子。 2.在冻结假设下，根据Koopman定理，从分子中电离出某个电子所需要的电离能等于这个电子所占据的分子轨
•热分析法定四大支柱 •影响热重曲线的主要因素有哪些 •DSC和DTA的主要区别 •DSC的两种类型 •利用热分析曲线推测样品的分解过程
力曲线模式（接触式力曲线，轻敲式力曲线，力分布成像），力曲线模式 的应用（可以用来揭示样品表面指定区域的弹力、粘滞力等化学和机械性质）； •影响成像测定和分辨率的因素； •扫描探针显微术家族包含哪些主要的显微术；
第四章 紫外光电子能谱(UPS)
•光电效应的轨道能级解释（一次效应、二次效应）；
•UPS的工作原理
道能量的负值， Ij=-j
其中j代表第j个占据分子轨道的能量，Ij代表电离这个能级上的电子所需要的能量，称为电离能。 3.电离前后能量守恒，故有
E(M)+h=E(M+)+Ek E(M)和E(M+)分别代表分子M和离子M+的能量，h代表入射光子的能量，Ek代表发射出的光电子所具有的动能。 整理后得到
Ek＝h-[E(M+)-E(M)]=h-Ij= h+j 在实验中，光子的能量h是固定的。因此，只要测定出光电子的动能Ek，从上式就可以计算出对应的电离能Ij （分子轨道能量j ）；反过来也是一样，知道了电离能Ij（分子轨道能量j ），也可从上式计算出对应的光 电子的动能。
测绘。
2.试样中不应含有游离水。水分的存在不仅会侵蚀吸收池的盐窗，而且水本身在红外区有吸收，将使图
谱变形。
3.试样应该是单一组分的纯物质。在测定之前应尽量预先进行组分分离（如采用色谱法，精密蒸馏，重 结晶，区域熔融法等），否则各组分光谱相互重叠，以致对谱图无法进行正确的解释。
•红外定性分析的特点；
•红外定性分析未知物结构确定的主要步骤；有可能会给出一个红外谱图，要求
第七章 原子荧光光谱法
•原子荧光的基本类型（共振荧光，非共振荧光）及其产生原理 •非色散原子荧光光谱仪中的滤光片有哪几种类型 •原子荧光分析中的干扰有哪些； •常用的光源有哪几种？ •常用的原子化器有哪些？ •何为氢化物发生方法？
第八章 AES
•结合轨道能级图解释俄歇电子产生过程（根据讲义自己整理）； •俄歇跃迁过程的标记方法（给定一个跃迁过程，要求能够写出该过程的标记法）； •俄歇电子的动能只与元素激发过程中涉及的原子轨道的能量有关，而与激发源的种
•AES样品制备主要需要考虑哪些因素； •AES谱图分析技术有哪些（定性分析，表面元素的半定量分析，表面元素的化学价 态分析，元素深度分布分析，微区分析）；
•AES定性分析的主要步骤是什么（幻灯片）； •俄歇化学位移的概念；影响俄歇化学位移的因素有哪些？俄歇化学位移的应用 （幻灯片）
补充内容 热分析方法
•傅里叶变换红外光谱仪的主要结构；其与红外分光光度计的主要区别在哪里；
•红外光谱试样制备的时候要注意哪些因素
1.试样浓度和测试厚度应选择适当，以使光谱图中大多数吸收峰的透光度处于15%-70%范围内。浓度太
小，厚度太薄，会使一些弱的吸收峰和光谱的细微部分不能显示出来；过大，过厚又会使强的吸收峰超
越标尺而无法确定它的真实位置和强度。有时为了得到完整的光谱需要几种不同浓度或厚度的试样进行
•紫外光电子谱仪的光源主要有哪几类（共振辐射，带单色器的紫外光源和同步辐射
源，超软X射线）；
•能量分析器的种类；UPS主要使用哪一类；
第五章 红外光谱
•红外光的波长范围。根据产生、分离和探测这些辐射所采用的方法以及它的用
途可将其分成哪三个波区（近红外、中红外、远红外）。其中红外光
谱
分析使用最多的是哪个波区（中红外）。
•UPS谱图的一般特征；
•氢分子UPS谱图的一个谱带中为什么会出现等间距分布的峰线（H2分子是最简单的双原子分
子，仅有两个电子，在占据的分子轨道上，因而在谱图上只产生一条谱带。这条谱带由一系列尖锐的峰线组 成，它表明H2分子电离时可激发到离子的不同的振动状态。）；
•光电子能谱谱线强度取决于哪些因素（两个定则；定则的适用范围）。
第三章 AFM
•以范德华力为例，解释AFM的工作原理(1.范德华力与针尖-样品距离的对应关系；2. 范德华力=微悬臂形变的弹性力；3.弹性力与微悬臂形变量的关系-胡克定律；4.测 量微悬臂的形变量=知道针尖样品距离；在指定区域扫描就可获得该区域的表面形 貌信息)； •AFM与STM相比，哪个部件是AFM独有的（微悬臂）？ •AFM的两种工作模式； •AFM微悬臂形变量的检测方法有哪些（隧道电流检测法，电容检测法，光学检测法， 压敏电阻检测法）； •微悬臂设计的工艺要求有哪些？ •AFM的不同操作模式：成像模式（要求能作图说明三种模式的特点，适用范围）；
•波数的概念；
•红外光谱法的特点（参见幻灯片）；
•为什么红外光谱法中要严格控制水分，而对二氧化碳则没有很高的要求；
•多原子分子振动的模式数量如何确定？振动模式可以分成哪几类；
•官能团区和指纹区的波段和主要功能；
•双光束红外分光光度计的主要结构（光源；样品池；参比池；单色器；检测器；
放大器；记录器）；
第一章 绪论
•材料分析方法的含义：广义，狭义 •材料分析方法分类：图像、非图像法；
（要求能分辨我们讲过的分析方法属于以上哪一类）
第二章 STM
•STM发明的时间，发明人？ •STM工作原理（隧道效应；隧道电流与针尖-样品距离的对应关系） •STM基本工作模式（恒高、恒流、接触） •三维扫描器的工作原理：管型扫描器（要求能作图说明如何控制针尖在x, y, z方向 运动） •常用的震动隔离系统； •STM针尖的常用材料（钨，铂铱合金），制备针尖的方法有哪些（电化学腐蚀法，机 械加工法）。 •STM样品制备的总体要求；常用材料（金属、半导体、绝缘体的制备手段）； •STM图像解释过程中要注意哪些问题：STM图像并不直接反映表面原子核的位置； •STM的主要应用有哪些？ •STM的优点和局限性； •STM仪器结构；
类和能量无关。
•俄歇电子强度与那些因素有关（电离截面，俄歇产率，逃逸深度），为什么； •电离截面的概念；平均逃逸深度的定义； •在俄歇电子能谱仪中，通常采用哪三种电子束源； •俄歇电子谱仪使用的能量分析器是哪种类型； •俄歇电子谱仪中的离子枪主要用于哪些方面（清洁，深度剖析） •择优溅射的概念；减轻择优溅射效应的措施有哪些
•拉曼光谱与红外光谱相比有哪些特点（参见幻灯片）； •光谱选律：作图说明二氧化碳的振动模式，并给出各振动模式的红外活性和拉曼活
性及具有该活性的原因（根据幻灯片或讲义自己整理，要求画出振动模式 的示意图，标出每种模式的类型，并简述每种模式的光谱活性及原因） •拉曼光谱仪分哪两大类？ •试举出两个拉曼探针技术。 •拉曼光谱仪中比较常用的探测器有？ •试比较拉曼光谱法和红外光谱法的相同点和不同点。
离子束与固体表面发生相互作用，从而引起表面粒子的发射，即离子溅射。溅射产额与离子束的能量、种 类、入射方向、被溅射固体材料的性质以及元素种类有关。多组分材料由于其中各元素的溅射产额不同， 使得溅射产率高的元素被大量溅射掉，而溅射产率低的元素在表面富集，使得测量的成分变化，该现象称 为“择优溅射”。 在实际的俄歇深度分析中，如果采用较短的溅射时间以及较高的溅射速率，“择优溅射”效应可以大大降 低。
分析确ห้องสมุดไป่ตู้未知物的结构（主要方法请参考幻灯片）；
•红外定量分析的基本原理（朗伯-比耳定律）
第六章 拉曼光谱
•利用虚能级的概念解释拉曼效应； •斯托克斯，反斯托克斯线和瑞利线的概念；
在光与物质的散射过程中，散射光中除了有与入射光频率相同的谱线外，还有与入射光频率发生位移(频率增 加或减少)且强度极弱的谱线。前者是已知的瑞利线，称为瑞利效应，而后者是以发现者拉曼的名字命名的拉 曼散射光，称为拉曼效应。位于瑞利线低频一侧的谱线称为斯托克斯线，高频一侧的谱线称为反斯托克斯线