模拟电子技术练习题-2012
《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
模拟电子技术练习题-考试必备
2012模拟电子技术练习题一、填空题1、正弦波信号发生器的类型有 和 两大类。
产生1MHz 以下的是 。
2、负反馈放大电路，级数多、反馈深度大的容易产生自激振荡，防止产生自激振荡采用破坏同时满足振幅条件和相位条件，其幅值裕度和相位裕度临界值分别为 dB 和 度。
3、P 型半导体掺入 价元素，其多数载离子是 。
PN 结具有 导电性，呈现扩散电容为主时是处于 状态。
4、滤波器按频率参数分为 、 、 、 、 。
5、负反馈放大电路中，可以实现电压电流变换的是 负反馈，可以实现电流电压变换的是 负反馈。
6、集成运放工作在线性状态时，分析方法是依据 ，工作在非线性状态时，分析方法是依据 。
7、已知某集成运放，开环增益120dB 、带宽0-10Hz ，用此设计带宽0-100KHz 的放大器，单片可以实现的放大倍数是 倍。
若需要放大倍数1000倍，需要 片级联。
二、简答题1、二极管稳压电路中电阻R 的作用？其取值与哪些因素有关？R 为限流电阻，作用是使电路有一个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。
其取值与负载的需要及稳压额定功率有关。
2、正弦波振荡电路的频率是多少？RViVoViVi图a图bRt与Rf的关系？Rt的温度特性？F=1/2paiRC因为：Av=（1+Rf/Rt）>3 所以Rf>2RtRt随温度升高二增大3、什么是零点漂移现象？如何克服零点漂移？在多级直流放大电路中，当输入信号为零时，在输出端出现的偏离零点的变化缓慢的不规则的信号的现象叫做零点漂移。
克服零点漂移最有效且最常用的措施是采用差动式放大电路。
4、两个电路中的运放分别工作在什么状态？其电路功能分别是什么？三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。
试分别推导出Vo1、Vo2、Vo 与Vi1、Vi2的关系式。
四、电路如图所示，Vcc=12V，RL=8Ω，C的电容量很大，Vi为正弦波，忽略管子饱和压降。
（1）静态时，C2两端电压是多少？（2）动态时，如果出现交越失真，如何解决？（3）最大输出功率是多少？五、放大电路如图，β=150、Rb1=47K 、Rb2=20K 、Rc=3.3K 、Re1=50、Re2=1.2K 、RL=2K 、Vcc=12V 。
2012年模拟电子技术试题
。
A. 2V
B. 8V
C. 4V
D. 6V
4.已知复合管 V1 的1 = 30，V2 的2 = 50，则复合后的 约为
。
A．1500 B.80 C.50 D.30
5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和
A. 基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
4 题图
…
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④
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⑤
大连民族学院 电子、通信、自动化、测控 专 业 模拟电子技术基础（A）试 题 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分
一．选择填空（本题 15 分）
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只
RB1
L
+VCC C1
C2
V1
RB2
RE
+ Ce
(a)
RB1 Cb + RB2
+VCC C1 L C2
V2 RE
(b)
图题六-1
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七．稳压电源如图题七所示。设 V32=10V。（本题 10 分）
1.写出 VREF 的表达式 2.试求输出电压范围的表达式。
图题七
2.请把图题六-2 中的文氏桥振荡电路接好；若要求振荡频率为 480HZ，试确定 R 的阻值。（6 分）
D. 带阻滤波电路
2011——2012 学年 2 学期
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《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术练习题
模拟电子技术练习题欢迎参加模拟电子技术练习题，本练习题将涵盖基本的电子技术概念和应用知识。
通过完成下列练习题，你将有机会巩固和扩展你对电子技术的理解。
请按照题目要求，用合适的格式回答问题，并在最后给出你的答案。
祝你好运！练习题一：电阻与电流关系1. 当一个电流为2A的电路中通过一个2欧姆的电阻，求这个电阻两端的电压是多少？2. 如果电路中的电流不变，而电阻增大到4欧姆，那么这个电阻两端的电压是多少？练习题二：电流分流考虑以下电路，其中R1 = 2欧姆，R2 = 4欧姆，和R3 = 6欧姆，并假设电源电压为12伏。
请回答以下问题：1. 求电路中总电流是多少？2. 求每个电阻上的电压分别是多少？3. 求通过R2的电流是多少？练习题三：电容充放电1. 当一个100μF的电容器通过一个10千欧姆的电阻放电时，如果初始电压为12伏，求1秒钟后电容器的电压是多少？2. 如果我们将电容充电到12伏，并闭合一个继电器，将电容连接到一个无阻尼振荡电路，电容的振荡频率是多少？练习题四：半导体二极管1. 请解释什么是半导体二极管？2. 在一个二极管的伏安特性曲线中，当正向偏置电压增大时，电流如何变化？为什么？练习题五：放大电路考虑以下放大电路，其中R1 = 10千欧姆，R2 = 1千欧姆，和R3 = 5千欧姆，以及输入电压Vin = 1伏和电源电压Vcc = 12伏。
请回答以下问题：1. 多大的输入电阻？2. 求中间节点的电压？3. 多大的输出电压？练习题六：数模转换考虑一个8位的模数转换器，输入电压范围为0到5伏特。
请回答以下问题：1. 该转换器可以表示多少个离散的电压级别？2. 求一个电压为3.5伏特的输入信号在这个转换器中的模拟数值。
练习题七：运放1. 请解释什么是运放？2. 当使用正向反馈配置的非反转运放电路时，输出电压与输入电压之间的关系如何？练习题八：数字逻辑门请列举并解释以下逻辑门的功能：1. 与门 (AND gate)2. 或门 (OR gate)3. 非门 (NOT gate)4. 异或门 (XOR gate)练习题答案：练习题一：1. 根据欧姆定律，电压等于电流乘以电阻：电压= 2A * 2Ω = 4V电阻两端的电压为4伏特。
模拟电子技术填空题答案
1，半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2，本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是自由电子，若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3，PN结在正偏是导通，反偏是截止，这种特性称为单向导电性。
4，当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向电压将减小。
5，整形电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单项脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6，发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7，光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8，测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。
1，晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型，它工作时有两种载流子参与导电。
2，晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3，晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4，当温度升高时，晶体管的参数增大，I增大，导通电压减小。
5，某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10uA变化到20uA时，集电极从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数约为99.6，场效应管从结构上可分为两大类：MOS场效应管、结型场效应管；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：增强型、耗尽型。
7，Ugs(off)表示夹断电压，Idss表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
1，放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2，放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电阻也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3，共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。
2012模电综合复习题(只有部分答案)
2012《模拟电子技术》复习题1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。
2、 放大电路如题 图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。
（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。
（ ）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
题图 1题图2解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。
但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。
原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生交流负反馈，但e R 增大使EQEQ ，II 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。
3、一个如图3（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。
2012级《模拟电子技术》期末试题A卷
四川工业管理职业学院2012～2013学年度下期12级电子设备与运行管理专业期末考试《模拟电子技术》试题(A卷)座位号：＿＿＿（满分100分，120分钟完卷）一、填空题（共25空，每空1分，共25分）1、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。
2、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有单向导电性。
3、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压无关。
4、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。
5、当温度升高时，三极管的集电极电流I C ，发射结压降U BE。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。
7、三极管放大电路共有三种组态、共集电极、放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用负反馈，为了减小输出电阻采用负反馈。
9、负反馈放大电路的放大倍数A f= ，对于深度负反馈A f= 。
10、共模信号是大小，极性的两个信号。
11、乙类互补功放存在失真，可以利用类互补功放来克服。
12、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有网络。
13、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是。
14、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
二、选择题（每题2分，共30分）1、PN结加反向电压时，其空间电荷区（）A.变窄B.变宽C.不变D.不一定2、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V，VB=2.8V，VC=4.4V，说明此三极管处在（）A.放大区B.饱和区C.截止区D.反向击穿区3、某放大器的中频电压增益为40dB，则在上限频率处的电压放大倍数约为（）A.43B.100C.37D.704、把差动放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A.增大差模输入电阻B.提高共模增益C.提高差模增益D.提高共模抑制比5、负反馈所能抑制的是（）的干扰和噪声。
A.反馈环内B.输入信号所包含C.反馈环外D.不确定6、用集成运放组成模拟信号运算电路时，通常工作在（）A.线性区B.非线性区C.饱和区D.截止区7、某迟滞比较器的回差电压为6V，其中一个门限电压为-3V，则另一门限电压为（）A.3VB.-9VC.3V或-9VD.9V8、RC桥式振荡电路中，RC串并联网络的作用是（）A.选频B.引入正反馈C.稳幅和引入正反馈D.选频和引入正反馈9、功率放大电路的输出功率大是由于（）A.电压放大倍数大或电流放大倍数大B.电源电压高且输出电流大C.输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大D.负载电阻小且输出电流大10、若一个乙类双电源互补对称功率放大电路的最大输出功率为4W，则该电路的最大管耗约专业______________班级______________姓名______________学号______________为（ ）A .0.8WB .4WC .0.4 WD .无法确定11、某简单稳压电路要求稳定电压为8V ，而仅有7.3V 硅稳压管D Z 一只，二极管（硅管）D 一只，可采用D Z 与D 串联接入电路（ ）A .D 正偏，D Z 反偏B .D 反偏，D Z 反偏C .D 正偏，D Z 正偏 D .D 反偏，D Z 正偏 12、为了获得电压放大，同时又使得输出与输入电压同相，则应选用（ ）放大电路。
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2012模拟电子技术练习题
一、填空题
1、正弦波信号发生器的类型有 和 两大类。
产生1MHz 以下的是 。
2、负反馈放大电路，级数多、反馈深度大的容易产生自激振荡，防止产生自激振荡采用破坏同时满足振幅条件和相位条件，其幅值裕度和相位裕度临界值分别为 dB 和 度。
3、P 型半导体掺入 价元素，其多数载离子是 。
PN 结具有 导电性，呈现扩散电容为主时是处于 状态。
4、滤波器按频率参数分为 、 、 、 、 。
5、负反馈放大电路中，可以实现电压电流变换的是 负反馈，可以实现电流电压变换的是 负反馈。
6、集成运放工作在线性状态时，分析方法是依据 ，工作在非线性状态时，分析方法是依据 。
7、已知某集成运放，开环增益120dB 、带宽0-10Hz ，用此设计带宽0-100KHz 的放大器，单片可以实现的放大倍数是 倍。
若需要放大倍数1000倍，需要 片级联。
二、简答题
1、二极管稳压电路中电阻R 的作用？其取值与哪些因素有关？
2、正弦波振荡电路的频率是多少？Rt 与Rf 的关系？Rt 的温度特性？
R
Vi
Vo
Vi
Vi
图a图b
3、什么是零点漂移现象？如何克服零点漂移？
4、两个电路中的运放分别工作在什么状态？其电路功能分别是什么？
三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。
试分别推导出Vo1、Vo2、Vo 与Vi1、Vi2的关系式。
四、电路如图所示，Vcc=12V，RL=8Ω，C的电容量很大，Vi为正弦波，忽略管子饱和压降。
（1）静态时，C2两端电压是多少？（2）动态时，如果出现交越失真，如何解决？（3）最大输出功率是多少？
五、放大电路如图，β=150、Rb1=47K 、Rb2=20K 、Rc=3.3K 、Re1=50、Re2=1.2K 、RL=2K 、Vcc=12V 。
（1）求电路的静态工作点Q ；（2）计算0,,R R A i V ；（3）如果出现截止失真，如何调节？（4）需要增大放大能力，如何调节？
Vo
六、两反馈放大电路分别如下图(a)、（b ）所示。
（1）试分别判断各电路的级间交流反馈的组态；
（2）分别求各电路的闭环电压增益A VF =v o /v i 表达式。
R2
+-
图(a) 图(b)。