ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)
RAM或ROM_和FLASH存储的区别总结
储存器IC：RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。
它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。
因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。
每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。
它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。
多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。
传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。
而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。
由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。
单片机存储器类型介绍
单片机存储器类型详解分为两大类RAM和ROM，每一类下面又有很多子类：RAM：SRAMSSRAMDRAMSDRAMROM：MASK ROMOTP ROMPROMEPROMEEPROMFLASH MemoryRAM：Random Access Memory随机访问存储器存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
它的特点就是是易挥发性（volatile），即掉电失忆。
我们常说的电脑内存就是RAM的。
ROM：Read Only Memory只读存储器ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM相反。
RAM和ROM的分析对比：1、我们通常可以这样认为，RAM是单片机的数据存储器，这里的数据包括内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器SFR，或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的）。
ROM是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。
而RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，然后通过RAM暂时存取中间量，最终的结果要放到ROM的数据存储器中。
如下图所示：2、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。
它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。
缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。
RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。
SRAM：Static RAM静态随机访问存储器它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
什么是ROM,RAM,EPROM,EEPROM,DRAM,Flash,MRAM,RDRAM,各有什么作用
一、什么是ROM，RAM，EPROM，EEPROM，DRAM，Flash，MRAM，RDRAM，各有什么作用什么是ROM，有什么作用简称：ROM 标准：Read Only Memory 中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。
ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使.Yco688 { display:none; } 简称：ROM标准：Read Only Memory中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。
ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。
ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。
此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。
什么是RAM，有什么作用简称：RAM标准：Random Access Memory中文：随机存储器随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指令和资料暂时存在这里。
RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU 把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打印机、显示器。
RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的速度越快。
RAM和ROM的区别
RAM和ROM的区别
RAM和ROM是计算机中两种不同的存储介质，它们在构成计算机中发挥着重要作用。
RAM(Random Access Memory)：随机存取存储器，也叫内存，是一种可以读写的临时存储器，其特点是存取速度快、容量大、便宜，但是它的存储性能很差，存储的数据只在电源开启的情况下才有效，一旦断电就会丢失。
ROM(Read Only Memory)：只读存储器，是一种非常可靠的、不可擦除的存储介质，其特点是存取速度慢，容量小，贵，但是对于存储的数据十分可靠，即使断电也不会丢失。
因此，RAM和ROM有着明显的区别：RAM是可读写且易失性的，而ROM则是只读不可擦除的。
Flash、RAM、ROM的区别
一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。
用来存储和保存数据。
ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。
即使是断电，ROM也能够保留数据。
ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。
特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。
这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。
因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。
是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。
RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。
静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。
动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
ROM RAM Flash区别
ROM和RAM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
ROM、PROM、EPROM、EEPROM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）：生产过程中烧录程序，用户无法更改。
在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
PROM（Programmable ROM，可编程ROM）：用户可以烧录程序，但只能烧录一次。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM。
最初从工厂中制作完成的PROM 内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）：可重复擦除和写入，但操作不方便。
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。
flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）
flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）路由器的启动过程简单来说分为三个部分1.硬件检查2.运⾏IOS3.导⼊配置⽂件。
要了解路由器的启动过程⾸先要来了解⼀下路由器的主要存储硬件和它们的作⽤。
ROM是⼀个⽤于维护路由器的硬件它存储着POST程序bootstrap程序以及Mini IOS。
Flash它是⽤来存储路由器完整IOS镜像的硬件。
IOS就相当于思科路由器的没有IOS或者IOS镜像损坏的路由器是⽆法⼯作的。
NVRAM是⽤于存放路由器的启动配置⽂件Startup-config的硬件。
路由器启动前最后⼀次保存的配置都储存在这⾥。
RAM存储路由器启动时由启动配置⽂件拷贝⽽来的运⾏配置⽂件Running-config解压后的IOS以及学习到的路由表Routing-table和包队列。
接下来详细了解⼀下思科路由器的启动过程⼀、路由器加电后⾸先运⾏ROM中的POST程序Power On Self Test对路由器的硬件进⾏检测俗称加电⾃检。
⼆、检测通过后紧接着执⾏ROM中的引导程序bootstrap并根据寄存器值register来决定启动⽅式。
寄存器值的格式为0x21YZ Y列的状态0x210Z从nvram加载配置⽂件0x214Z不从nvram加载配置⽂件Z列的状态0x21Y0从rommon启动提⽰符为路由器启动时按CtrlBreak0x21Y1从mini ios启动提⽰符为Routerboot0x21Y，从flash启动提⽰符为Router我们经常使⽤的两个寄存器值0x2102正常0x2142不读取保存的配置。
三、如果正常启动则按引导程序到Flash中查找IOS镜像。
如果找到IOS镜像则读取后正常启动。
如果没有找到IOS镜像则进⼊即Mini IOS启动。
下可使⽤TFTP上的IOS或使⽤TFTP/X-modem为路由器重新灌⼀个IOS。
如果Mini IOS也启动失败则进⼊rom monitor模式。
存储器介绍RAMROM和Cache的区别
存储器介绍RAMROM和Cache的区别存储器介绍：RAM、ROM和Cache的区别现代计算机中，存储器是一种关键的硬件组件，用于存储和检索数据。
RAM、ROM和Cache是最常见的存储器类型，它们在工作原理、特性和用途上存在一些重要的区别。
本文将介绍RAM、ROM和Cache 三者之间的区别。
一、RAM（随机存取存储器）RAM，全称为随机存取存储器（Random Access Memory），是一种易失性存储器。
它的主要特点包括：1. 可读写：RAM可以随机读取和写入数据。
这意味着处理器可以通过RAM存储器直接访问或修改其中存储的数据。
2. 数据临时存储：RAM主要用于临时存储运行中的程序和数据。
当计算机关闭或断电时，RAM中的数据将会被清除。
3. 动态存储器：RAM分为静态RAM（SRAM）和动态RAM （DRAM）。
动态RAM需要定期刷新以保持数据的有效性。
二、ROM（只读存取存储器）ROM，全称为只读存取存储器（Read-Only Memory），是一种非易失性存储器。
它的主要特点包括：1. 只读：ROM中的数据在制造过程中被固化，用户无法直接对其进行读写操作。
它通常包含了固定的程序指令或数据，如BIOS程序等。
2. 数据持久性：由于数据无法被修改，ROM中的信息在断电或重新启动后仍然保持不变。
3. 可编程ROM：除了传统的只读存储器，还有一种可编程ROM （PROM）和可擦写可编程ROM（EPROM）。
这些存储器允许用户对其中存储的数据进行修改。
三、Cache（高速缓存存储器）Cache是位于CPU与主存储器之间的高速缓存存储器，它的主要特点包括：1. 快速访问：Cache以更快的速度存取数据，与RAM相比，它的访问时间更短。
2. 数据复制：Cache通过存储最近访问的数据复制主存储器中的数据，并且与CPU紧密合作，以提供更快速的数据访问。
3. 层次化结构：计算机系统通常会采用多级Cache，包括一级、二级和三级Cache。
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RAM
不同SRAM
特点
SRAM
DRAM
DDRAM（基于）
全称
Static RAM，静态随机存储器
DynamicRAM，动态随机存储器
Double Data Rate SDRAM，双倍速率随机存储器
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROM
EPROM
E2PROM
Flash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
存储设备
存储器
特点
RAM
Flash Memory
ROM
中文名称
（Random Access Memory）的全名为随机存取器
FLASH存储器又称闪存
ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器
电源关闭数据是否保留
否
是
是
主要分类
SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）
NOR Flash和NAND Flash型
可靠性和耐用性
寿命(耐用性)
NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。
位交换
NAND Flash发生的次数要比NOR Flash多Flash Memory器件都受位交换现象的困扰。
块坏处理
NAND Flash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。
结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM）
产品实例
Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等
U盘（NAND Flash）
Flash ROM
存储器
特点
NOR Flash
易用性
可以非常直接地使用NOR Flash，可以像其他内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND Flash要复杂得多。各种NAND的存储方法因厂家而异。
软件支持
不需要任何的软件支持
需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序（MTD）
市场定位
用于数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，NOR Flash也被称为代码闪存（Code Flash）。
存储速度
较快
较慢
成本
较高
较低
技术
双倍预取技术
DDRAM技术采用差分方式，DDRAM比SDRAM多一倍的传输速率和内存宽度。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。