场效应管及其放大电路分析
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第七章 场效应管及其基本放大电路
N沟道增强型MOS管的输出特性曲线
7
（3） uDS和uGS同时作用时
uDS一定，uGS变化时 给定一个uGS ，就有一条不同的 iD – uDS 曲线。
iD / mA 预夹断临界点轨迹 uDS = uGS - Uth 可变电阻区 7V
8 6 4 2 0 饱和区 6V 5V 4V uGS = 3V 截止区 0 5 10 15 20 uDS / V
低频跨导：
gm iD u GS
U
DS
夹断区（截止区）
常量
不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。
20
7.3场效应管的分类
工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
N 沟道 ( u GS ＜ 0， u DS ＞ 0 ) 结型 P 沟道 ( u GS ＞ 0， u DS ＜ 0 ) N 沟道 ( u GS ＞ 0， u DS ＞ 0 ) 场效应管 增强型 P 沟道 ( u GS ＜ 0， u DS ＜ 0 ) 绝缘栅型 N 沟道 ( u GS 极性任意， u DS ＞ 0 ) 耗尽型 P 沟道 ( u GS 极性任意， u DS ＜ 0 )
场效应管工作在恒流区的条件是什么？
17
3. JFET特性
iD / mA 可变电 阻区 -1V 恒流区 -2V -3V -4V -5V 0 (a) 输出特性曲线 夹断区 uDS / V UP -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 uGS / V (b) 转移特性曲线 预夹断轨迹 uGS = 0V iD / mA IDSS
各种场效应管的特性比较（2）
结构类型
工作 方式 增 强 型
电路符号
转移特性曲线
场效应管三种组态放大电路特点
场效应管三种组态放大电路特点
场效应管有三种组态放大电路，分别是共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路。
它们的特点如下：
1. 共源放大电路：
- 输入电压是输入信号的电压变化，输出电压是负载电阻上的电压变化。
- 具有电压放大和电流放大的作用，电压增益较大。
- 输入电阻高，输出电阻低。
- 可以实现单端放大，但需要外部耦合电容。
2. 共漏放大电路：
- 输入电压是输入信号的电压变化，输出电压是源极电压的变化。
- 具有电压放大和电流放大的作用，电压增益较大。
- 输入电阻低，输出电阻高。
- 适用于低频信号放大，对高频信号响应较差。
3. 共栅放大电路：
- 输入电压是栅极电压的变化，输出电压是负载电阻上的电压变化。
- 具有电压放大和电流放大的作用，电压增益较小。
- 输入电阻低，输出电阻高。
- 适用于高频信号放大，对低频信号响应较差。
这三种组态放大电路根据不同的应用需求选择，能够满足不同频率
范围、电压增益和输入输出特性的要求。
场效应管原理及放大电路
图6-47 分压式偏置电路
/info/flashshow/0079614.html（第 8／10 页）2010-9-6 19:00:12
场效应管原理及放大电路
图6-47为分压式偏置电路，RG1和RG2为分压电阻。 栅-源电压为(电阻RG中并无电流通过) (6-24) 式中，UG为栅极电位。对N沟道耗尽型场效应管，UGS为负值，所以RSID＞UG；对N沟道增强型场效应管，UGS为正值，所以RSID＜UG。 当有信号输入时，我们对放大电路进行动态分析，主要是分析它的电压放大倍数及输入电阻与输出电阻。图6-48是图6-47所示分压式偏置放大电路的交流通 路，设输入信号为正弦量。 在图6-47的分压式偏置电路中，假如RG= 0，则放大电路的输入电阻为
故其输出电阻是很高的。在共源极放大电路中，漏极电阻RD和场效应管的输出电阻rDS是并联的，所以当rDS ro≈RD (6-26)
RD时，放大电路的输出电阻
这点和晶体管共发射极放大电路是类似的。 输出电压为 (6-27) 式中 ，由式(6-23)得出 。
电压放大倍数为
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场效应管原理及放大电路
图6-43 N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线
图6-44 N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线 以上介绍了N沟道绝缘栅场效应增强型和耗尽型管，实际上P沟道也有增强型和耗尽型，其符号如图6-45所示。
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场效应管原理及放大电路
(6-28) 式中的负号表示输出电压和输入电压反相。 【例6-7】 在图6-47所示的放大电路中，已知UDD=20 V，RD=10 kΩ，RS=10 kΩ，RG1=100 kΩ，RG2=51 kΩ，RG=1 MΩ，输出电阻为RL=10 kΩ。场效应管的 参数为IDSS=0.9 mA，UP= 4 V，gm=1.5 mA。试求：(1)静态值；(2)电压放大倍数。 解：(1) 由电路图可知
结型场效应管(JFET)及其放大电路
4.8 结型场效应管4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法4.8.1 JFET的结构和工作原理1. 结构漏极栅极N沟道JFET P源极符号中的箭头方向表示什么？ 箭头：P → NN符号比较N沟道JFETSiO2绝缘层SiO2绝缘层N沟道增强型MOSFETN沟道耗尽型MOSFET2. 工作原理 （以N沟道JFET为例）耗尽层① vGS对沟道的控制作用当vGS＜0时( PN结加反压)导电沟道d+PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。
| vGS | ↑ ，沟道继续变窄。
gP++vDSP+耗尽层碰上,沟道夹断，--- VGG vGSN对应的栅源电压vGS称为夹断电压 VPVP （ 或VGS(off) ）。
s对于N沟道的JFET，VP <0。
注：g、s间加反偏电压， iG=0，rgs= 107, ，② vDS对沟道的影响当vGS=0时， vDS iD s d 电位逐渐升高， G、D间PN结的反压增 加，靠近漏极处的耗尽 层加宽，沟道变窄，从 上至下呈楔形分布。
当vDS ，使vGD=VP 时，靠漏极处出现预夹 断。
此时vDS 夹断区延长 沟道电阻iD=IDSS基本不变iD/mAIDSSVPvGS=0 vDS/V③ vGS和vDS同时作用时iD条件：g、s间加反偏电压 | vGS | ↑（g、s越负）导电沟道变窄，vDS 不变 iD↓dvGDgvGS对iD有控制作用P++在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VPVGG vGSN+vDSP+Vs综上分析可知139页• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG0，输入电阻很高。
• JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。
• 预夹断前：iD与vDS呈近似线性关系； 预夹断后：iD 趋于饱和。
第四章 场效应晶体管及其放大电路
ID
IDSS(1源自U GS U GS(off)
)
2
3. 结型场效应管
结型场效应管的特性和耗尽型绝 缘栅场效应管类似。图4-7 a)、 b) 分别为Ｎ沟道和Ｐ沟道的结型场效 应管图形符号。
图4-7
使用结型场效应管时，应使栅极与源极间加反偏电压，漏 极与源极间加正向电压。对于Ｎ沟道的管子来说，栅源电压应 为负值，漏源电压为正值。
图4-1
（1）工作原理
增强型MOS管的源区(N+)、衬底(P型)和漏区(N+)三者之 间形成了两个背靠背的PN+结，漏区和源区被P型衬底隔开。
当栅-源之间的电压 uGS 0时，不管漏源之间的电源VDD 极 性如何，总有一个PN+结反向偏置，此时反向电阻很高，不能 形成导电通道。
若栅极悬空，即使漏源之间加上电压 uDS，也不会产生漏 极电流 iD ，MOS管处于截止状态。
2) 输出特性曲线 I D f (U DS ) UGS常数
图4-4b)是N沟道增强型MOS管的输出特性曲线，输出特性曲 线可分为下列几个区域。
① 可变电阻区
uDS很小时，可不考虑 uDS 对沟道的影响。于是 uGS一 定时，沟道电阻也一定， 故 iD 与 uDS 之间基本上是 线性关系。
uGS 越大，沟道电阻越
的变化而变化，iD 已趋于饱和， 具有恒流性质。所以这个区域 又称饱和区。
③ 截止区
uGS UGS(th)时以下的区域。
（夹断区）
当uDS增大一定值以后，漏源之间会发生击穿，漏极电流 iD急剧增大。
2. N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构
上述的增强型绝缘栅场效应管只有当 uGS U GS(th) 时才能形成导电沟道，如果在制造时就使它具有一个原始 导电沟道，这种绝缘栅场效应管称为耗尽型。
第4章 场效应管及其基本放大电路
恒流区
IDSS/V
G
D S
+
-
VGG
+
V uGS
VDD
-
O
UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 夹断区 -7 U P 8V
击穿区
uDS /V
特性曲线测试电路
漏极特性
漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。
各类场效应管的符号和特性曲线 种类 结型 耗 尽 N 沟道 型 结型 耗 尽 P 沟道 型 绝缘 增 栅型 强 N 沟道 型 符号
S
S
VGG
(c) UGS ＜UGS(off)
(b) UGS(off) < UGS < 0
（2） 漏源电压uDS 对漏极电流iD的控制作用
uGD ＝ uGS －uDS (a)
P+
D
iD
(b)
D
iD
G
N
P+
VDD
+ P+ GP N
P+
VDD
S iS uGS = 0，uGD > UGS（Off) ，iD 较大。
uDS /V
O
UT 2UT
uGS /V
二、N 沟道耗尽型 MOSFET
制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子， 这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反 型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 UGS = 0，UDS > 0，产生 较大的漏极电流； UGS < 0，绝缘层中正离 子感应的负电荷减少，导电 沟道变窄，iD 减小； UGS = UP , 感应电荷被 “耗尽”，iD 0。
导电沟道是 N 型的， 称 N 沟道结型场效应管。
结型场效应管及其放大电路
（2）当UDS增加时，漏极电 流ID从零开始增加，ID流过 导电沟道时，沿着沟道产生 电压降，使沟道各点电位不 再相等，沟道不再均匀。靠 近源极端的耗尽层最窄，沟 道最宽;靠近漏极端的电位 最高，且与栅极电位差最大， 因而耗尽层最宽，沟道最窄。 由 图 可 知 ， UDS 的 主 要 作 用 是形成漏极电流ID。
MOS（Metal Oxide Semiconductor）
vGS=0，iD=0，为增强型管； vGS=0，iD0，为耗尽型管（有初始沟道）。
一、场效应管概述
2、符号：
一、场效应管概述
3、场效应三极管的型号命名方法 ：
现行有两种命名方法
第一种命名方法： 与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅， 反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。 例如：3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘 栅型N沟道场效应三极管。
对于n沟道各极间的外加电压变为ugs漏源之间加正向电压即uds当gs两极间电压ugs改变时沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变由于沟道宽度的变化导致沟道电阻值的改变从而实现了利用电压ugs场效应管工作原理二结型场效应管二结型场效应管场效应管两侧的pn结均处于零偏置形成两个耗尽层如图a所示
第八章：场效应管
一、场效应管概述 二、结型场效应管结构与原理 三、结型场效应管放大器 四、MOS场效应管介绍
2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是
正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以
区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，
MOS（Metal Oxide Semiconductor）
vGS=0，iD=0，为增强型管； vGS=0，iD0，为耗尽型管（有初始沟道）。
一、场效应管概述
2、符号：
一、场效应管概述
3、场效应三极管的型号命名方法 ：
现行有两种命名方法
第一种命名方法： 与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅， 反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。 例如：3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘 栅型N沟道场效应三极管。
对于n沟道各极间的外加电压变为ugs漏源之间加正向电压即uds当gs两极间电压ugs改变时沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变由于沟道宽度的变化导致沟道电阻值的改变从而实现了利用电压ugs场效应管工作原理二结型场效应管二结型场效应管场效应管两侧的pn结均处于零偏置形成两个耗尽层如图a所示
第八章：场效应管
一、场效应管概述 二、结型场效应管结构与原理 三、结型场效应管放大器 四、MOS场效应管介绍
2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是
正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以
区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，
第三章 场效应管放大电路讲解
起来。
d
结构图
B衬底 g
s
电路符号
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因此在栅源电压为零时，在正的vDS作用下，也有较 大的漏极电流iD由漏极流向源极。
当vGS>0时，由于绝缘层的存在，并不会产生栅极电 流 iG ，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使沟道变 宽。在vDS作用下，iD将具有更大的数值。
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3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
⒈ 结构和工作原理简述 这种管子在制造时，
SiO2绝缘层 中掺有大量
正离子
由于二氧化硅绝缘层中掺
有大量的正离子，即使在
vGS= 0时，由于正离子的 作用，也和增强型接入正
N型沟道
栅源电压并使vGS>VTh时相 似，能在P型衬底上感应 出较多的电子，形成N型 沟道，将源区和漏区连通
② 可变电阻区 （vDS≤vGS-VTh ）
iD Kn 2 vGS VTh vDS vD2S
iD/mA
可变电阻区 饱和区
电导常数Kn单位是mA/V2。
8 6
在特性曲线原点附近，vDS很 4
7V A
6V B
5V C
4V
小，则
2
D
vGS=3V
iD 2Kn vGS VTh vDS
E 截止区
5 10 15 20 vDS/V
电压vGS对漏极电流iD的控制
特性，即 iD f vGS vDS常数
由于饱和区内，iD受vDS的影
iD/mA 8
A
B
6 VDS =10V C
4
D
响很小，因此饱和区内不同vDS 下的转移特性基本重合。
d
结构图
B衬底 g
s
电路符号
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因此在栅源电压为零时，在正的vDS作用下，也有较 大的漏极电流iD由漏极流向源极。
当vGS>0时，由于绝缘层的存在，并不会产生栅极电 流 iG ，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使沟道变 宽。在vDS作用下，iD将具有更大的数值。
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3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
⒈ 结构和工作原理简述 这种管子在制造时，
SiO2绝缘层 中掺有大量
正离子
由于二氧化硅绝缘层中掺
有大量的正离子，即使在
vGS= 0时，由于正离子的 作用，也和增强型接入正
N型沟道
栅源电压并使vGS>VTh时相 似，能在P型衬底上感应 出较多的电子，形成N型 沟道，将源区和漏区连通
② 可变电阻区 （vDS≤vGS-VTh ）
iD Kn 2 vGS VTh vDS vD2S
iD/mA
可变电阻区 饱和区
电导常数Kn单位是mA/V2。
8 6
在特性曲线原点附近，vDS很 4
7V A
6V B
5V C
4V
小，则
2
D
vGS=3V
iD 2Kn vGS VTh vDS
E 截止区
5 10 15 20 vDS/V
电压vGS对漏极电流iD的控制
特性，即 iD f vGS vDS常数
由于饱和区内，iD受vDS的影
iD/mA 8
A
B
6 VDS =10V C
4
D
响很小，因此饱和区内不同vDS 下的转移特性基本重合。
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R
g1
U
U
SQ
I
DQ
Rs
GSQ
U GQ U SQ
R R
g1
g1
Rg 2
V
DD
I DQ Rs
R g1 u GS V DD i D R s R g1 R g 2 2 [ u GS 1] i D I DO U GS (th)
当外加反向电压增大至某一数值时，两侧的耗尽层相遇，整 个沟道被夹断，沟道电阻趋于无穷大。此时所对应的栅-源 电压称为夹断电压。
第3章 场效应管及其放大电路分析
（2） u
GS
0 ，
u
DS
0
情况
第3章 场效应管及其放大电路分析
当栅-源之间加反向电压，漏-源之间加正向电压时，由于栅源之间加反向电压，耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻 增大； 设栅-源之间所加反向电压为范围内的某一固定值。此时由 于漏-源之间加正向电压，就有从漏极到源极的漏极电流产 生。由于漏极电流在流经导电沟道时会产生电压降，使得沟 道上各点与栅极之间的电压不再相等，从而导致沟道中耗尽 层的宽度进一步变得不等宽。
第3章 场效应管及其放大电路分析
3.1.2 绝缘栅型场效应管
MOS管按照制造工艺和材料不同，可分为N沟道和P沟道； MOS管按照工作方式不同，又可分为增强型和耗尽型； 因此MOS管可分为N沟道增强型、P沟道增强型、 N沟道耗 尽型和P沟道耗尽型四种。 增强型MOS管与耗尽型MOS管的区别是：增强型MOS管在 栅-源之间未加电压时，无导电沟道；只有当栅-源之间加上 电压后，才能产生导电沟道。而耗尽型MOS管在栅-源之间 未加电压时，已经存在导电沟道。 以N沟道增强型MOS管为例，介绍MOS管的结构、工作原 理及特性曲线。
u
第3章 场效应管及其放大电路分析
（2） 0 ， GS 0 情况 DS 当漏-源之间不加电压，栅-源之间加正向电压时，由于栅极 和衬底之间相当于以绝缘层为介质的平板电容器，在栅-源 正向电压的作用下，栅极表面会积累正电荷，该正电荷能够 吸引衬底中的少子自由电子，排斥衬底中的多子空穴，使得 栅极附近的P型衬底中留下不能移动的负离子，形成耗尽 层。 随着外加栅-源电压的增加，耗尽层将继续加宽，当增加至 一定值时，自由电子将被吸引到绝缘层与耗尽层之间，形成 一个N型薄层，称为反型层，这个反型层即是漏-源之间的导 电沟道。开始形成反型层时的栅-源电压，称为开启电 压。形成反型层后，继续增加，反型层将加宽，沟道电阻将 减小。如图示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
3.2.1 共源放大电路的分析
1．自偏压电路
第3章 场效应管及其放大电路分析
直流通路：
uGS iD Rs 2 u GS ] i D I DSS [1 U GS (off )
U
DSQ
V DD I DQ R s R D
第3章 场效应管及其放大电路分析
模拟电子技术
第3章 场效应管及其放大电路分析 范立南 恩莉 代红艳 李雪飞 中国水利水电出版社
第3章 场效应管及其放大电路分析
第3章 场效应管及ຫໍສະໝຸດ 放大电路分析3.1 场效应管的基本概念
3.2 场效应管放大电路的分析
第3章 场效应管及其放大电路分析
3.1 场效应管的基本概念 3.1.1结型场效应管
第3章 场效应管及其放大电路分析
（3）极限参数 ①最大漏电流：是指管子正常工作时所允许通过的漏极电流 的最大值。 ②最大耗散功率：是决定管子温升的参数，超过此值时，管 子会因过热而被烧坏。 ③漏源击穿电压：是指随着漏-源电压的增加，使得漏极电 流急剧增加是的漏-源电压值。正常工作时，若超过此值， 管子将会被击穿。 ④栅源击穿电压：是指栅源间所能承受的最大电压。正常工 作时，若超过此值，栅极和沟道间的PN结将会被击穿。
第3章 场效应管及其放大电路分析
NMOS管的低频小信号简化等效电路如图所示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
①画交流通路
第3章 场效应管及其放大电路分析
②画交流等效电路
第3章 场效应管及其放大电路分析
③求交流性能。
U A U
u
o
g
m
U ( R // R )
gs d L
第3章 场效应管及其放大电路分析
3．特性曲线 转移特性曲线是用于描述漏-源电压一定情况下，漏极电流 与栅-源电压之间关系的曲线，即 。 f
i
D
u GS U
DS
常数
N沟道JFET的转移特性曲线如图所示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
输出特性曲线是用于描述栅-源电压一定情况下，漏极电流 与漏-源电压之间关系的曲线，即 i D f u DS 。
U
GS
常数
N沟道JFET的输出特性曲线如图所示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
4．主要参数 （1）直流参数 ①夹断电压：是指漏-源电压为某定值时，使漏极电流为0或 某一微小数值（如10）时的栅-源电压值。 ②饱和漏电流：是指栅-源电压 断时所对应的漏极电流值。
u
GS
0 时，管子发生预夹
第3章 场效应管及其放大电路分析
由于漏极电流在流经导电沟道时产生的电压降从漏极到源极 逐渐增大，沟道上各点的电位从漏极到源极逐渐减小，即漏 极处的电位最大；源极处的电位最小为零，所以沟道上各点 与栅极之间的电压从漏极到源极逐渐减小，使得漏极处的耗 尽层最宽，从漏极到源极耗尽层宽度逐渐减小，从而沟道宽 度从漏极到源极逐渐增大，沟道电阻从漏极到源极逐渐减 小。 随着的进一步增大，沟道在漏极处发生预夹断，即漏极处两 侧的耗尽层相遇，如图示。此后继续增大，只是夹断区沿沟 道进一步加长，漏极电流不再增加，达到饱和。
解：该管为N沟道增强型MOS管。
第3章 场效应管及其放大电路分析
3.2 场效应管放大电路的分析
按照输入输出回路公共端的不同，场效应管放大电路也分为 共源、共漏和共栅三种组态。 分析步骤为： （1）求静态工作点 ①画直流通路； ②求静态工作点。 （2）求交流性能 ①画交流通路； ②画交流等效电路； ③求交流性能。
第3章 场效应管及其放大电路分析
例：转移特性曲线如图所示。试判断：（1）该管为何种类 型？（2）从该曲线可以求出该管的夹断电压还是开启电 压？值是多少？
解：该管为N沟道结型场效应管，从该曲线上可以求出该管 的夹断电压，其值是-4V。
第3章 场效应管及其放大电路分析
【例3-2】输出特性曲线如图所示。试判断该管为何种类 型？
第3章 场效应管及其放大电路分析
1．结构 增强型NMOS管的结构示意图如图所示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
增强型NMOS、 PMOS管的符号如图所示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
耗尽型NMOS、 PMOS管的符号如图所示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
2．工作原理 （1） GS 0 情况 当栅-源之间未加电压时，漏-源之间是一对背靠背的PN结， 所以无论漏-源之间加正向电压还是反向电压，总有一个PN 结是截止的，漏-源之间没有导电沟道，也没有漏极电流产 生，如图示。
u
u
第3章 场效应管及其放大电路分析
第3章 场效应管及其放大电路分析
（3） uGS uGS (th) ，且为定值， uDS 0
情况
设栅-源之间所加电压为的某一固定值，漏-源之间加正向电 ) 压。由于 uGS uGS (th，所以漏-源之间的导电沟道已经形成， 又由于漏-源电压 uDS 0 ，所以有从漏极到源极的漏极电 流产生。由于漏极电流在流经导电沟道时会产生电压降，使 得沟道上各点与栅极之间的电压不再相等，从而导致沟道宽 度进一步变得不等宽。如图示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
第3章 场效应管及其放大电路分析
由于漏极电流在流经导电沟道时产生的电压降从漏极到源极 逐渐增大，沟道上各点的电位从漏极到源极逐渐减小，所以 沟道上各点与栅极之间的电压从漏极到源极逐渐增大，从而 沟道宽度从漏极到源极逐渐增大，沟道电阻从漏极到源极逐 渐减小。 随着的进一步增大，增至使 u GD U GS (th) 时，沟道在漏极处 发生预夹断。此后 uDS 继续增大，只是夹断区沿沟道进一步 加长，漏极电流不再增加，达到饱和。
③直流输入电阻：是指在漏-源之间短路时，栅-源电压与栅 极电流的比值。一般 RGS 107 。
第3章 场效应管及其放大电路分析
（2）交流参数 ①低频跨导：是指漏-源电压为某定值时，漏极电流的变化 量与对应栅-源电压的变化量的比值，单位为S。
②极间电容：场效应管的三个电极间存在着极间电容，即栅 源电容、栅漏电容和漏源电容。 ③输出电阻：是指在恒流区内，当栅-源电压为某定值时， 漏-源电压的变化量与漏极电流的变化量的比值。是用于 反映漏-源电压对漏极电流的影响的参数，体现在输出特 性曲线上，即是曲线上某点切线斜率的倒数。
i
U
g ( R // R )
m d L
gs
R R
i
g
R R
o
d
第3章 场效应管及其放大电路分析
2．分压式自偏压电路 分压式自偏压共源放大电路如图示。
第3章 场效应管及其放大电路分析
（1）求静态工作点 画直流通路
第3章 场效应管及其放大电路分析
U
GQ
U AQ
R g 2 V DD R g1
场效应管按照结构不同，可分为结型场效应管和绝缘栅型场效 应管两大类；
结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，简称JFET） 按照制造工艺和材料不同，可分为N沟道结型场效应管和P沟 道结型场效应管两种。