南昌大学论文书写格式
南昌大学论文规范
南昌大学研究生学位论文规范（试行）南昌大学研究生院二○○八年四月前言学位论文是研究生科研工作的全面总结，是研究生申请博士、硕士学位的主要依据，也是社会重要的文献资料。
为了进一步推进我校研究生学位论文的规范化、标准化，提高写作质量，根据《中华人民共和国国家标准》（GB7713—87）并参照兄弟院校的做法，特制定《南昌大学研究生学位论文写作规范（试行）》。
目录第1章内容要求 (1)第2章格式要求 (2)2.1 封面 (2)2.2 学位论文版权使用授权书 (2)2.3 学位论文原创性声明 (3)2.4 中文摘要 (3)2.5 中英文摘要Abstract (3)2.6 目录 (3)2.7 符号说明 (3)2.8 正文 (4)2.9 致谢 (4)2.10 参考文献 (4)2.11 附录 (5)2.12 攻读学位期间的研究成果 (5)第3章书写要求 (7)3.1 文字、标点符号和数字 (7)3.2层次标题 (6)3.3页眉和页码 (7)3.4 有关图、表、表达式 (8)3.4.1 图 (8)3.4.2 表 (9)3.4.3 公式 (9)3.5 注释 (10)3.6 参考文献 (10)3.7 量和单位 (11)第4章排版及印刷要求 (13)4.1 纸张要求及页面设置 (13)4.2 印刷及装订要求 (13)第5章格式范例 (14)第1章内容要求第1章内容要求研究生学位论文一般应用汉字撰写。
学位论文一般由十二个部分组成，依次为：1．中文封面2．学位论文独创性声明3．学位论文版权使用授权书4．中文摘要5．Abstract（英文摘要）6．目录7．符号说明（必要时使用）8．正文9．致谢10．参考文献11．附录（必要时使用）12．攻读学位期间的研究成果1第2章格式要求第2章格式要求学位论文每部分从新的一页开始，各部分要求如下：2.1 封面分类号：《中国图书资料分类法》的类号，可在校图书馆网站中查询。
U D C：《国际十进分类法》的类号，可不填。
大学生论文格式及字体要求
大学生论文格式及字体要求学生的格式需要严格遵照标准格式来写，以下是为大家推荐的大学生论文格式及字体要求，希望能帮到大家，更多精彩内容可浏览(w.oh100./bylw)。
第一部分：扉页论文题目(黑体二号，居中);其他填写内容在横线上居中(指导教师不需填写职称)，使用宋体三号字。
第二部分：中、英(外)文内容摘要中、英(外)文内容摘要在第二页书写，如在一页之内不能书写完毕，连续书写在次页。
“内容摘要”四个字居中书写(宋体三号加粗)，前后两个字之间空一个中文字符。
书写“内容摘要”四字之后，空一行(宋体小四号)，再书写中文内容摘要(宋体小四号)。
书写中文内容摘要之后，在下一行书写中文关键词。
书写“关键词”三字时，左缩两格添加冒号;“关键词”三个字使用宋体小四号加粗;关键词具体内容使用宋体小四号字;在前后两个中文关键词之间，空两个中文字符。
书写中文关键词之后，空一行(宋体小四号)，再书写英(外)文内容摘要(abstract)和关键词(key words)。
书写英(外)文内容摘要和关键词的格式等要求，与中文内容摘要和关键词对应，但是，字体为time new roman ，小四号，关键词的内容全部用小写。
第三部分：目录在书写第二部分即“中、英(外)文内容摘要”完毕的下一页，开始书写目录。
“目录”两字之间空两个中文字符，居中书写，使用宋体三号字加粗。
书写“目录”二字之后，空一行(宋体小四号)，再书写目录的具体内容(即标题)及对应正文的起始页码。
目录的具体内容(即标题)要求标注到二级标题，即：(一)、(二)、(三)…。
书写目录的具体内容时，一级标题使用宋体四号字加粗;二级标题使用宋体四号字。
行距为“固定行间距22pt”。
第四部分：正文及在书写第三部分即“目录”完毕的下一页，开始书写正文及___。
一、书写格式1.论文的结构论文题目论文的引言部分(书写论文题目之后，空一行,不需写“引言”字样)一、(正文)二、(正文)三、(正文)…………论文的结语部分(接上文另起段落，不需空行，不需写“结语”字样)___2.字体字号大标题(论文题目)，宋体小三号加粗;一级标题，宋体四号加粗;二级标题，宋体小四号加粗;三级标题，宋体小四号;正文及 ___，宋体小四号;注释内容，宋体五号。
南昌大学学士学位论文撰写要求及格式
学士学位论文要求装订成册并应包含以下主要内容一、毕业设计（论文）任务书二、开题报告三、南昌大学学士学位论文原创性申明四、毕业设计（论文）1、中文摘要2、外文摘要3、毕业设计（论文）全文五、外文资料原文六、外文资料译文南昌大学本科生毕业设计说明书与毕业论文撰写的基本要求一篇完整的毕业设计说明书或毕业论文有题目、摘要、目录、引言（前言）、正文、结论、参考文献、附录和谢辞等几部分构成。
一、毕业设计说明书撰写的主要内容与基本要求一份完整的毕业设计说明书应包括如下主要内容：1．题目设计课题名称，要求简洁、确切、鲜明。
2．中外文摘要应扼要叙述本设计的主要内容、特点，文字要简练。
中文摘要约300字左右；外文摘要约250个实词左右。
3．目录主要内容的目录。
4．前言应说明本设计的目的、意义、范围及应达到的技术要求；简述本课题在国内（外）的发展概况及存在的问题；本设计的指导思想；阐述本设计应解决的主要问题。
5．正文（1）设计方案论证：应说明设计原理并进行方案选择。
应说明为什么要选择这个方案（包括各种方案的分析、比较）；还应阐述所采用方案的特点（如采用了何种新技术、新措施、提高了什么性能等）。
（2）设计及计算部分：这是设计说明书的重要组成部分，应详细写明设计结果及计算结果。
（3）样机或试件的各种实验及测试情况：包括实验方法、线路及数据处理等。
（4）方案的校验：说明所设计的系统是否满足各项性能指标的要求，能否达到预期效果。
校验的方法可以是理论分析（即反推算），包括系统分析；也可以是实验测试及计算机的上机运算等。
6．结论概括说明本设计的情况和价值，分析其优点、特色，有何创新，性能达到何水平，并指出其中存在的问题和今后的改进方向。
7．参考文献与附录在说明书的谢辞之后，应列出主要参考文献，并将各种篇幅较大的图纸、数据表格、计算机程序等附于说明书之后。
8．谢辞简述自己通过本设计的体会，并对指导老师和协助完成设计的有关人员表示谢意。
南昌大学研究生学位论文格式(最新版)
分类号：密级：U D C ：学号：南昌大学研究生学位论文中部崛起视野中的中东部互动发展与经济合作研究Study on Mid-East Interactive Development and EconomicCooperation in Mid-China’s Rising 作者姓名培养单位（院、系）：指导教师姓名、职称：指导教师姓名、职称：申请学位的学科门类：学科专业名称：论文答辩日期：答辩委员会主席：评阅人：年月日宋体12磅，1.5倍行距黑体12磅，距顶边3cm黑体16磅居中，统招生填（博士、硕士），其它填（同等学力申请硕士学位、高校教师在职攻读硕士学位、工程硕士、MBA、MPA 等）黑体24磅居中黑体18磅居中Times New Roman，14磅，加黑居中宋体14磅居中书脊左右左右本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得南昌大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。
与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。
学位论文作者签名（手写）：签字日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解南昌大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。
本人授权南昌大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。
同时授权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到《中国学位论文全文数据库》，并通过网络向社会公众提供信息服务。
（保密的学位论文在解密后适用本授权书）学位论文作者签名（手写）：导师签名（手写）：签字日期：年月日签字日期：年月日I摘要II 摘要迄今为止，20多年的市场化改革，使中国经济发生了翻天覆地的变化。
南昌大学硕士学位论文撰写规格
南昌大学硕士学位论文撰写规格（2009年2月修订）根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办法》、原国家标准局《科学技术报告、学位论文和学术论文的编写格式》（国家标准GB7713-87）的有关规定，为进一步规范我校研究生学位论文的撰写规格，特提出如下要求。
一、排版与装订要求1、页面设置论文开本大小：21cm×29.7cm；版芯：页面左边距为3cm，上边距、下边距和右边距分别为2.5cm。
2、行距全部采用1.5倍行距。
3、页码页码从正文第一页开始编写，按阿拉伯数字连续编排，正文以前包括摘要的页码用大罗马数字，一律每页下端居中。
4、页眉全部不加页眉。
5、结构顺序及分页总体结构顺序为中文摘要、英文摘要、目录、正文、致谢、参考文献、附录、学位论文原创性声明、学位论文版权使用授权书，各部分都应分页排版。
6、页面大小全部采用A4纸。
7、装订一律左侧装订。
二、论文封面1、总要求学位封面颜色及纸质要求：①博士学位论文封面的颜色为淡粉色，纸质180-200g/m2；②硕士学位论文封面的颜色为米黄色，纸质180-200g/m2。
论文封面和书脊的式样在我校校园网研究生处网页中下载。
2、分类号注明《中国图书资料分类法》的类号。
3、密级必须按国家规定的保密条例注明密级，如系公开型论文则留空。
4、题目学位论文题目要精炼，起画龙点睛的效果，其字数一般不得超过20个字。
5、作者姓名在“作者姓名”栏输入研究生姓名，研究生姓名前不要加“学生”或“作者”等字。
6、指导教师封面上须注明指导教师的姓名及职称。
所列出的指导教师，一律以批准为本人的导师（我校在岗指导教师）为准，如有变动，应正式提出报告，经批准后方可变动。
指导教师职称应用全称，如高级工程师、高级实验师等，不能用“高工”等简称，副教授不能写“付教授”。
7、专业名称按国家颁布的学科、专业目录中的名称填写。
8．论文提交日期、论文答辩日期和学位授予日期按实际的日期填写，写到月份即可。
南昌大学学报文科版论文格式要求
南昌大学学报（人文社会科学版）征稿启事《南昌大学学报（人文社会科学版）》是由南昌大学主办的社会科学综合性学术理论刊物。
双月刊。
国内外公开发行。
1963年创刊。
原名江西大学学报（哲学社会科学版）。
1993年更为现名。
本刊先后被评为中文核心期刊、中国社会科学引文索引（CSSCI）来源期刊、中国人文社会科学核心期刊、全国百强社科学报、RCCSE中国核心学术期刊、中国期刊方阵双效期刊、华东地区优秀期刊、江西省优秀期刊。
本刊主要刊登人文社会科学各学科的最新研究成果。
目前开辟了以下专栏：政治与社会、道德与人生、哲学与时代、经济理论与管理、“三农”问题研究、旅游资源与管理、人力资源管理与社会保障、法学与法治、历史与文化、中国革命与建设、诗学纵横、文艺思潮与创作评论、新闻与传播、语言与文字、外语与翻译、艺术与设计、教育与科学。
请各位学者围绕以上专栏有针对性地赐稿。
本刊以促进知识创新、繁荣学术研究为己任，优先刊用基础理论研究、学科研究热点、边缘学科研究，具有新颖性、探索性、争鸣性的学术论文。
本刊在不改变作者观点和写作风格的前提下，有权对稿件进行修改，不同意修改的作者请在来稿上注明。
所有来稿一律文责自负。
自稿件（包括网上投稿）投出之日起３个月后未接到录用通知，作者可以将稿件改投它刊。
本刊坚决反对学术不端行为。
严禁抄袭剽窃他人成果。
反对一稿多投。
本刊已被多家数据库和文摘杂志列为固定刊源，作者来稿时若无特别说明，视为同意本刊举措。
作者著作权使用费含在本刊给付的稿酬中。
来稿注意事项：1.每篇稿件字数控制在8 000以内（约稿和优质论文除外）。
2.稿件遵守教育部颁行的《高等学校哲学社会科学研究学术规范》，用字和标点符号准确，计量单位、数字用法、附图附表等均符合国家有关标准。
3.请准确区分注释和参考文献。
注释是对论文正文中某一特定内容的进一步解释或补充说明。
在正文中用数字加圆圈（如①②）按先后次序标注，放在当页的页脚。
参考文献是写作论文时所引用的文献书目，在正文中用数字加方括号（如［1］［2］）在正文中按先后次序标注，放在论文文末，并与文末的排序格式一致。
南昌大学本科生毕业设计(论文)书写式样
南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，行间距1.35倍。
二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。
三、摘要1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2．英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract”四号Times New Roman 体；“Abstract”内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。
四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。
五、图表：图表内容五号宋体。
六、参考文献：参考文献四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。
七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。
具体书写式样如下：1、目录式样（内容小四号宋体）目录（小三号宋体）摘要 (Ⅰ)Abstract (Ⅱ)第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） (1)1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 (1)1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 (4)1. 3 掺杂和杂质特性 (12)1. 4 氮化物材料的制备 (13)1. 5 氮化物器件 (19)1. 6 GaN基材料与其它材料的比较 (22)1. 7 本论文工作的内容与安排 (24)第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 (31)2. 1 MOCVD材料生长机理 (31)2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 (32)…………结论 (136)参考文献（References） (138)致谢 (150)2、摘要式样（1）中文摘要式样（内容小四号宋体）III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究（小二号宋体）专业：学号：学生姓名：指导教师：（五号宋体）摘要（四号宋体）宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。
南昌大学本科论文格式(含开题报告、任务书、实习报告)
题目
学 院：
系
专 业：
班 级：
学 号：
学生姓名：
指导教师：
起讫日期：
28
学士学位论文要求装订成册并应包含以下主要内容
2
一、毕业论文的要求和内容
3
二、研究方案、目标
4
三、阅读书目清单
5
四、毕业论文进度计划 序号 各阶段工作内容
起讫日期
备注
五、主要参考资料
6
六、毕业论文进度表（本表至少每两周由学生填写一次，交指导教师签署审查意见）
学生主要工作：
第一、二周 （ 月 日至
月 日）
指导教师审查意见：
学生主要工作：
题目难易度
题目工作量
理论意义或实际价值
查阅文献资料能力
综合运用知识能力
研究方案的设计能力
研究方法和手段的运用能力
外文应用能力
文题相符
写作水平
写作规范
篇幅
成果的理论或实际价值
毕业论文原创性
□ 是 □ 部分引用 □ 部分抄袭 □ 抄袭
评阅人评定成绩（分为优秀、良好、中等、及格、不及格五等）
评 阅 人 评 语
综合运用知识的能力（论文（设计）涉及学科范围，
05
内容深广度及问题难易度）
06 应用文献资料的能力 07 实验（设计）能力 08 计算能力（数据运算与处理能力等） 09 外文应用能力 10 计算机应用能力
对实验结果的分析能力（或综合分析能力、技术经
11
济分析能力）
12 插图（或图纸）质量 13 论文（或设计说明书）撰写水平 14 论文（或设计）的实用性与科学性
附件 3
本科生毕业设计（论文）开题报告
题 目：
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南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。
二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。
三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III……)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3……）编排。
四、摘要1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2．英文摘要：标题小二号Times New Roman 体加粗，“Abstract”四号Times New Roman 体；“Abstract”内容小四号Times New Roman 体，“Keyword”小四号Times New Roman 体加粗。
五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。
六、图表：图表内容五号宋体。
七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。
八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。
具体书写式样如下：密级：NANCHANG UNIVERSITY学 士 学 位 论 文THESIS OF BACHELOR（20 —20 年）题 目学 院： 系 专业班级： 学生姓名： 学号： 指导教师： 职称： 起讫日期：校名外文（大写）Times New Roman ，四号，居中宋体，30磅，居中Times New Roman ，四号，居中 中文：宋体；数字：Times New Roman 四号，居中校徽标识（cm ） 3.33×3.33，居中宋体，三号，居中宋体，四号，居中 注意线条长度一致页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm ，页眉1.5cm,页脚1.75cm ,1.35倍行距，应用于整篇文档宋体，四号，居右校名标识（cm ） 1.88×6.59，居中此页可直接下南昌大学学士学位论文原创性申明本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。
除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。
对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。
本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。
作者签名：日期：学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。
本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。
保密□，在年解密后适用本授权书。
本学位论文属于不保密□。
（请在以上相应方框内打“√”）作者签名：日期：导师签名：日期：摘要III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED 外延片的MOCVD 生长和性质研究专 业： 学 号： 学生姓名： 指导教师：摘要宽禁带III －Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。
自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN 基蓝光LED 外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN 基LED 。
尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。
本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN 基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN 基LED 外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD 和英国进口MOCVD 系统上对III －Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。
通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。
并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN 外延生长上得以实现。
采用这种缓冲层，显著改善了GaN 外延膜的结晶性能，使GaN 基蓝光LED 器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN 基蓝光LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。
…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。
关键词：氮化物； MOCVD ； LED ；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱宋体，小二号，居中宋体，五号，对齐居中页眉：中文宋体，五号，居中标题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距 内容：中文宋体，外文字符Times New Roman ，小四，两端对齐，1.35倍行距 关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔AbstractStudy on MOCVD growth and properties of III-Ⅴnitrides and high brightness blue LED wafersAbstractGaN based Ⅲ-Ⅴ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high powerelectronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χmin of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.…………This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides ；MOCVD ；LED ；Photoluminescence ；RBS/channeling ；Opticalabsorption页眉：外文Times New Roman ，五号，居中Times New Roman ，小二号，居中标题：Times New Roman ，四号，两端对齐，1.35倍行距 内容：Times New Roman ，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“Keyword ”三字加粗，关键词用“；”分隔目录目录摘要 .......................................................................................................................... Ⅰ Abstract .................................................................................................................... Ⅱ 第一章 GaN 基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） ...................... 1 1 .1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用 ................................................... 1 1. 2 III 族氮化物的基本结构和性质 ................................................................... 4 1. 3 掺杂和杂质特性 .......................................................................................... 12 1. 4 氮化物材料的制备 ...................................................................................... 13 1. 5 氮化物器件 .................................................................................................. 19 1. 6 GaN 基材料与其它材料的比较 ................................................................... 22 1. 7 本论文工作的内容与安排 .......................................................................... 24 第二章 氮化物MOCVD 生长系统和生长工艺 ................................................... 31 2. 1 MOCVD 材料生长机理 ............................................................................... 31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD 设备 .. (32)…………结论 ......................................................................................................................... 136 参考文献（References ） ....................................................................................... 138 致谢 . (150)宋体，小三号，居中目录内容：中文宋体，英文和数字Times New Roman ，小四页码编号：摘要,Abstract 使用页码“I,II,…”；正文开始使用页码“1,2,3,…”；小节标题左侧缩进1字符；页码数字居中对齐第一章 GaN 基半导体材料及器件进展 第一章 GaN 基半导体材料及器件进展1 .1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。