钯银导体的高温附着力
银钯厚膜电阻的导电原理简述
银钯厚膜电阻的导电原理简述摘要：厚膜贴片电阻器，是将高可靠性的钌系玻璃釉材料通过丝网工艺印刷于氧化铝基板上，再经过高温烧结等热处理加工，形成其最主要的工程层膜-电阻层。
加之采用银钯合金油墨制成的电极层膜组成导电通路，而实现电阻器基本功能的。
除了电阻膜与电极膜，还需要很多道辅助工序和辅助膜的作用才能制造出完整的厚膜贴片电阻。
因其工艺限制，所成膜厚通常在10um以上，固与膜厚更低的薄膜电阻相对应，称之为厚膜电阻器。
它具有体积小，精度高，稳定性好的特点，由于其为片状元件，所以高频性能好。
在科技发达的今天，贴片电阻器被大量使用我们常见的消费型电子产品的集成电路中，例如一部智能手机就需要超过400颗，用量及其可观。
[1]关键词：导电原理；银钯厚膜电阻前言：电子浆料是制造厚膜贴片电阻，形成其中各种功能层膜的基础材料。
电子浆料由各种固体粉末、粘合剂、添加剂等固体成分，经过多次研磨，分散等处理后，在有机溶剂的融合下，充分混合，再经过多次搅拌及三辊轧碾碎分散后形成的混合均匀膏状物。
如图1中所示的电子浆料，就是制造电极层膜的银浆电子浆料。
1.概述电子浆料是制造厚膜电路的基础材料，按照厚膜电阻制造工序，可将其分为导体浆料（通过丝网印刷形成导电电极）、电阻体浆料（通过丝网印刷形成阻抗体）、及介质浆料。
现行业中应用最多的电极浆料大多以价格低廉的银作为主要原料，加以有机溶剂，无机粘合相等构成。
介质浆料则大多以玻璃相或有机物为主要原料，加以染色剂，粘结相等混合而成。
厚膜电阻的导电原理中，阻抗体的导电原理最为复杂也最为重要，阻抗体是厚膜电阻的核心组成，因此，阻抗浆料也是厚膜电阻用浆料中的重点。
电阻浆料的组成复杂，其中包含功能相、有机溶剂、无机粘合相等。
绝大多数厚膜电阻的导体作用都是通过电子浆料印刷及热处理后，由贵金属及贵金属合金组成通路完成的，最常见的贵金属有金、钯、铂和银，有这些金属的二元或三元合金结合使用。
常见的电阻浆料有 Ag-Pd 系和氧化钉系列，根据需要做成的电阻阻抗值不同，选取的系列及含量不同。
金属及其他无机覆盖层 工程用直流磁控溅射银镀层 镀层附着力的测量-最新国标
金属及其他无机覆盖层工程用直流磁控溅射银涂层涂层附着力的测量1范围本文件规定了用于电气、电子、光学和其他工程应用的溅射银涂层的附着力测试方法。
工程应用被定义为该涂层主要用于非装饰性目的应用。
本文件未规定沉积前基材材料的状态和表面粗糙度。
因此，采购方有责任指定基材的表面粗糙度，以符合产品要求。
本文件规定了板材和平面物体上涂层的测试方法，但不适用于螺纹、带材或线材上的涂层。
2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T3138金属及其他无机覆盖层表面处理术语（ISO2080:2008,IDT）GB/T12334金属和其他非有机覆盖层关于厚度测量的定义和一般规则（ISO2064:1996,IDT）ISO4521Metallic and other inorganic coatings—Electrodeposited silver and silver alloy coatings for engineering purposes—Specification and test methods3术语和定义GB/T3138、GB/T12334界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1溅射Sputtering用高速离子轰击靶材，使靶材金属材料粒子沉积到基材表面。
3.2附着力Adhesion涂层与基材通过界面力结合在一起的结合强度，界面力可能由原子键合力、机械结合力或二者共同组成。
4需方应向生产方提供的信息4.1必要信息需方应在合同或订购单上提供以下信息：a)本文件号GB/T XXXX；b)可能影响涂层的可用性/外观时，应提供基材金属的性质、状态和表面粗糙度；c)所要求的表面粗糙度，最好由需方提供符合表面粗糙度要求的样品；d)厚度和附着力测试的要求；e)对过渡层的任何特殊要求；f)涂层的电性能和测试方法；g)如果厚度计算要求进行密度校正，应提供银涂层的密度。
导电材料
#金属导电材料:电流容易通过的材料。
影响导体电阻值的主要因素：杂质，缺陷，温度，应力。
导电材料应具备的性质：电导率大，易连接，较大的抗拉强度，耐腐蚀，产量大，价格低等。
主要导电材料：Cu ，Cu 合金，Al ，Al 合金。
推导电阻温度系数： )20(5.2541)20(1)()()(,,,20111100000100121111210012100122000221000110000-+=-+=∆+==-+=-+=∆-∆+=∆+=∆+==T T T R R R R R T T R R T T R R T T R R R T R R R T T R R R T R C T αααααααααα#触点电极材料：任何系统都必须将电的信号从一个导体传向另一个导体，在导体与导体的连接处就会产生电接触。
电接触的分类：固定接触，滑动接触，可分和接触。
电接触产生的主要现象和问题：接触电阻，接触温升和熔焊。
电接触的机械效应：冷焊，触点闭合过程中出现的机械磨损和机械振动，活动杰出的摩擦和磨损，强电流通过触点时出现电动斥力。
电弧：闭合过程中，两处点表面运动到相互接近时，会被加载触点上的电压击穿，产生电弧或者其他放电现象。
使触点材料表面融化气化飞溅，造成表面损坏。
#厚膜技术：通过印刷的方法把导体浆料，电阻浆料或介质浆料等材料沉积在陶瓷基板上，经过高温烧成，在基板上形成粘附牢固的膜。
厚膜导电材料的作用：固定分离的有源器件和无源器件，作为元件之间的互联线。
金属与陶瓷基极的粘合（1）粘结机理 机械键合：通过玻璃软化并扩散进入基板间孔隙形成。
化学键合 通过金属氧化物与氧化铝或者基板上的其他成分反应形成尖晶石结构。
靠化学键结合附着力强，但烧成温度较玻璃粘结相高。
（2）结合类型 玻璃键合：离子的相互渗透作用。
氧化物键合 采用金属氧化物来代替玻璃 混合型键和：即含玻璃有含金属氧化物的键合类型。
#厚膜导电材料应具有的特性：很低的电阻率，容易进行焊接，焊点有良好的机电完整性，与基片的粘附牢固。
钯银铜合金退火温度
钯银铜合金退火温度
摘要：
1.钯银铜合金简介
2.退火温度对钯银铜合金的影响
3.退火温度的选择与优化
4.应用案例
正文：
钯银铜合金是一种具有良好导电性、导热性和耐腐蚀性的金属材料，广泛应用于电子、航空航天、化工等领域。
在生产过程中，退火工艺是关键环节，退火温度的选择直接影响到合金的性能。
退火温度对钯银铜合金的影响主要表现在以下几个方面：
1.晶粒尺寸：退火温度会影响合金的晶粒尺寸，适当的退火温度有助于晶粒的长大，从而优化合金的性能。
2.相组成：退火温度不同，钯银铜合金中的相组成也会发生变化，进而影响合金的性能。
3.微观结构：退火温度的选择对合金的微观结构有显著影响，合适的退火温度可以使微观结构更加致密，提高合金的性能。
4.性能指标：退火温度对钯银铜合金的导电性、导热性、耐腐蚀性等性能指标有重要影响。
在实际生产中，退火温度的选择与优化需要根据生产工艺、设备条件以及性能要求综合考虑。
一般通过实验研究和数据分析，找到最佳退火温度，以满
足生产需求。
例如，在电子行业中，为了获得具有良好导电性能的钯银铜合金，需要选择合适的退火温度，以保证晶粒尺寸和相组成的优化。
而在航空航天领域，为了提高合金的耐腐蚀性能，需要针对具体的应用环境，进行退火温度的优化。
总之，钯银铜合金退火温度的选择与优化是保证合金性能的关键环节。
常见金属电阻率
常见金属电阻率 Revised by Petrel at 2021常用金属导体在20℃时的电阻率材料电阻率(Ωm)(1)银1.65×10-8(2)铜1.75×10-8(3)金2.40×10-8(4)铝2.83×10-8(5钨5.48×10-8(6)铁9.78×10-8(7)铂2.22×10-7(8)锰铜4.4×10-7(9)汞9.6×10-7(10)康铜5.0×10-7(11)镍铬合金1.0×10-6(12)铁铬铝合金1.4×10-6(13)铝镍铁合金1.6×10-6可以看出金属的电阻率较小，合金的电阻率较大，非金属和一些金属氧化物更大，而绝缘体的电阻率极大。
锗、硅、硒、氧化铜、硼等的电阻率比绝缘体小而比金属大，我们把这类材料叫做半导体(semiconductors)。
另外一些金属和非金属的电阻率金属温度（0℃）ρ(×10-8Ωm),αo(×10-3)锌20 5.94.2铝（软）202.754.2铝（软）–781.64石墨(8～13)×10-6阿露美尔合金20331.2锑038.75.4铱206.53.9铟08.25.1殷钢0752锇209.54.2镉207.44.2钾206.95.1①钙204.63.3金202.44.0银201.624.1铬（软）2017镍铬合金（克露美尔）—70—110.11—.54 钴a06.376.58康铜—50–.04–1.01锆30494.0黄铜–5—71.4–2水银094.080.99水银2095.8锡2011.44.5锶030.33.5青铜–13—180.5铯20214.8铋201204.5铊20195钨205.55.3钨100035钨3000123钨–783.2钽20153.5金属温度（0℃）ραo,100杜拉铝（软）—3.4铁（纯）209.86.6铁（纯）–784.9铁（钢）—10—201.5—5铁（铸）—57—114铜（软）201.724.3铜（软）1002.28铜（软）–781.03铜（软）–1830.30钍20182.4钠204.65.5①铅20214.2镍铬合金（不含铁）20109.10镍铬合金（含铁）2095—104.3—.5 镍铬林合金—27—45.2—.34镍（软）207.246.7镍（软）–783.9铂2010.63.9铂100043铂–786.7铂铑合金②20221.4钯2010.83.7砷20353.9镍铜锌电阻线—34—41.25—.32铍（软）206.4镁204.54.0锰铜2042—48–03—+.02钼205.64.4洋银—17—41.4—.38锂209.44.6磷青铜—2—6铷2012.55.5 铑205.14.4。
钯银铜合金退火温度
钯银铜合金退火温度（最新版）目录1.钯银铜合金的概述2.钯银铜合金的退火温度对性能的影响3.钯银铜合金退火温度的控制方法4.结论正文钯银铜合金是由钯、银和铜三种元素组成的一种合金，具有良好的耐腐蚀性、导电性和焊接性能，广泛应用于电子、化工等领域。
在生产过程中，退火是重要的工艺环节，其目的是通过加热和冷却来改善合金的性能。
退火温度对钯银铜合金的性能影响很大，因此需要严格控制。
一、钯银铜合金的概述钯银铜合金是由钯、银和铜三种元素按照一定比例组成的合金。
其中，钯具有优秀的耐腐蚀性和电催化性能；银具有高导电性和良好的焊接性能；铜具有较高的机械强度和良好的延展性。
这三种元素的组合使得钯银铜合金具有多种优良性能，使其在电子、化工、能源等领域得到广泛应用。
二、钯银铜合金的退火温度对性能的影响退火温度是钯银铜合金生产过程中一个重要的工艺参数。
退火温度的选择直接影响到合金的性能，如耐腐蚀性、导电性和力学性能等。
通常情况下，退火温度过高或过低都会导致合金性能下降。
因此，在生产过程中，需要根据具体要求选择合适的退火温度。
三、钯银铜合金退火温度的控制方法为了保证钯银铜合金的性能，需要严格控制退火温度。
以下是几种常用的控制方法：1.选择合适的加热设备：不同的加热设备对温度的控制能力不同。
在选择加热设备时，应根据实际生产需要选择能够精确控制温度的设备。
2.实时监测温度：在退火过程中，应实时监测温度，确保退火温度在设定范围内。
一旦发现温度异常，应及时调整加热设备，保证退火温度的稳定。
3.设定合理的退火时间：退火时间过长或过短都会影响合金的性能。
因此，应根据合金的种类和厚度设定合理的退火时间。
四、结论退火温度对钯银铜合金的性能影响很大，需要严格控制。
通过选择合适的加热设备、实时监测温度和设定合理的退火时间等方法，可以有效地控制钯银铜合金的退火温度，保证合金的性能。
17 AlN用银钯导体浆料DT08XX-N产品规格书
技术工艺参数
型号 Ag/Pd: 固含量 粘度 细度 丝网 烘干温度 烧结温度 烧成膜厚 方阻 涂布率 导电率(mΩ/sq) 可焊性 耐焊性(235℃,10s) 附着力（(N/2×2mm2)） 稀释剂
备注： 1. 2. 3. 上表中数据均为特定条件下测得，并不代表产品的规格； 浆料粘度仅为满足印刷要求，可根据客户要求进行调整； 添加稀释剂目的是弥补长期保存情况下有机载体的挥发，一般情况下不推荐添加。
AlN 用银钯导体浆料 DT08XX-N
LEED
DT08XX-N 系列导体浆料是一种环保型钯银导体浆料，专为 AlN 基板而设计。具有与基材匹配好、附着力强，多
次烧结不起泡，耐焊性和抗银离子迁移性好，表面坚韧耐磨，不含铅、镉等有毒元素，符合பைடு நூலகம்洲 RoHS 指令（2002/95/EC） ， 适用于高性能厚膜集成电路、通信电子、军用品等特种电路的内部连接或端电极。
中国湖南株洲市国家高新技术开发区黄河南路78号利德工业园
•TEL： 86-731-28293620
• Fax: 86-731-28293688
•
• E-mail: dzb@
烧结的过程包括： A、200℃-300℃是有机溶剂和树脂的挥发或者烧结 B、300℃-500℃银钯浆料中的未烧结完的树脂烧结完 C、600℃-800℃银钯浆料中的粘结相开始软化 D、800℃-850℃银钯浆料中的功能相和粘结相烧结致密
优
≥2 次 ≥30
优
≥3 次 ≥30
优
≥4 次 ≥30
优
≥4 次 ≥20
优
≥5 次 ≥20
优
≥5 次 ≥20
LEED DZ-XS
工艺推荐及注意事项
印刷：在洁净度不低于 10 万级的洁净车间中印刷，洁净间通风良好，环境温度为 25±1℃，印刷前须充分 搅拌均匀。如果浆料刚从冷藏室取出，须在印刷间静置到恢复常温方可使用；如果添加了稀释剂，一定要 充分搅拌均匀；否则会影响性能。 烘干：烘干的峰值温度为 120～150℃，烘干时间 8~10 分钟。 烧结：烧结是影响银钯导体浆料性能最重要的参数。
烧结温度对电阻的影响
摘要摘要钌系厚膜电阻以其优良的电气性能、良好的工艺重复性、稳定性好、阻值范围宽和可在大气中烧成等一系列优点，在厚膜集成电路中占有重要地位。
本文介绍了钌基厚膜电阻的概念，应用，发展状况，工艺流程和四种种导电机理。
实验主要用到的是钌基厚膜电阻，主要是由钯银制成的。
主要用隧道效应理论，通过实验可以得到不同峰值烧结温度、不同保温时间、不同升温速率时，厚膜电阻的方块电阻阻值及热温度系数也随之变化的结论。
当峰值烧结温度较低时，形成的电阻体结构不致密、不均匀，导电颗粒之间和电阻体与电极之间的接触电阻大，厚膜电阻器呈现大的方块电阻阻值，当烧结峰值温度较高时 ,导电链中导电颗粒直接接触的几率下降，厚膜电阻器的方块电阻阻值也会比典型峰值温度烧成的高。
关键字：厚膜电阻器温度方块电阻钌基ABSTRACTABSTRACTRuO2thick film Resistance occupies an important place in the thick film integrated circuit due to its series advantage good repeatability ,stability and wind range of resistance ,burning in the atmosphere .This paper introduces the concept ,its applications ,the development history of RuO2 thick film resistance ,the technological process and its four kind of conduction principle .this experiment mainly uses RuO2 thick film resistance which is made of resistance paste which is composed of Ag and Ru . Tunnel effect in semiconductors can explain the conclusion that when the temperature ,the holding time and the heating rates is different . Sheet resistance values of thick film resistance and RTC are also different .When the peak temperature is low ,the structure forming of the resistance is not density and uniform ,contact resistance between conductive particles and between resistance and electric pole is large ,tick film resistance show big sheet resistance values .When the turning temperature is high ,the probability of conduction between conductive particles is low ,the sheet resistance value of thick film resistance is higher than the typical peak temperature .Keyword: thick film resistance conduct temperature sheet resistance RuO2目录目录第1章绪论 (1)1.1厚膜集成电路 (1)1.1.1厚膜集成电路的特点 (1)1.1.2 HIC的应用 (2)1.1.3厚膜工艺原理 (3)1.2厚膜电阻的概述 (4)1.2.1概念 (4)1.2.2用途 (6)1.3厚膜电阻的发展历程 (6)第2章厚膜电阻的工艺流程及导电机理 (7)2.1工艺流程 (7)2.1.1基片的选择 (7)2.1.2厚膜导体浆料 (9)2.1.3厚膜电阻浆料 (10)2.1.4厚膜玻璃介质浆料 (10)2.1.5电阻修边（调方） (11)2.1.6丝网印刷工艺 (12)2.2导电机理 (13)2.2.1钯—银合金导电机理 (14)2.2.2氧化钯的半导体导电机理 (14)2.2.3金属或合金颗粒的接触电阻导电机理 (15)2.2.4隧道效应导电机理 (16)2.3隧道势垒模型 (17)2.3.1隧道势垒模型的概念 (17)2.3.2隧道势垒模型的基本内容 (18)第3章烧结温度对厚膜电阻的影响 (21)3.1厚膜电阻浆料 (21)目录3.1.1厚膜电阻浆料分类 (21)3.1.2电阻浆料的制备 (21)3.2烧结温度对厚膜电阻的影响 (22)3.2.1工艺工程数据 (22)3.2.3实验数据及初步结论 (22)第4章影响厚膜电阻性能的因素及展望 (25)4.1 工艺缺陷的成因及消除方法 (25)4.1.1线条变形,边缘呈锯齿状 (25)4.1.2 烧成中起泡 (25)4.1.3 激光调阻后,阻值不稳定 (25)4.1.4 红外再流焊对表面组装元件的损伤 (26)4.1.5 再流焊中形成的锡珠 (26)4.2展望 (27)4.2.1避免起泡 (27)4.2.2避免激光调阻的影响 (27)4.2.3避免红外再流焊的影响 (27)4.2.4避免再流焊中形成的锡珠 (27)第5章结论 (29)致谢 (31)参考文献 (33)第1章绪论1第1章绪论1.1厚膜集成电路厚膜电阻是厚膜电路中最重要的元件，其发展最早、制造技术也最成熟。