SiO_2薄膜热应力模拟计算
SiO_2薄膜热应力模拟计算
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华 南 师 范 大 学 学 报 (自 然 科 学 版 )
2009年
值差异很小 ,薄膜热应力为压应力 ,其值随镀膜温度 的升高而增大. 从图 6可知 ,薄膜应力随着薄膜厚度 的增加而减小 ,尽管模拟值与理论计算值存在一定 的差异 ,但其变化趋势是一致的. 图 7 表明 ,随着薄 膜基底厚度的增加 ,薄膜应力先是快速增加 ,然后逐 步趋于一个稳定值. 因此在实际制膜时 ,基底最好不 要太薄 ,在满足使用的前提下应尽量让基底达到一 定的厚度值.
图 2 薄膜应力数值计算值 Fig. 2 The numerical results of stress in thin film
注 :镀膜温度为 190 ℃,应力单位为 MPa. The coating temperature is 190 ℃, and the unit of stress is MPa.
图 1 约束示意图 Fig. 1 A schematic rep resentation of constraint
在有限元模型中 ,为保证热应力计算的精度 ,对 模型进行映射网格划分 , SiO2 薄膜采用较大的网格 密度 ,玻璃基底采用较小的网格密度. 整个模型分析 采用二维耦合场实体单元 p lane 13,该单元具有二 维磁场 、温度场 、电场和结构场之间有限耦合功能.
- 1871490 M Pa, 理 论 值 为 - 1861841M Pa, 误 差 为 01347%. 由此可见 ,本文所建模型与理论计算值在 不同条件下的偏差是一致的 ,这从一个方面说明该 模型是合理的.
薄膜应力
第9章 压力容器中的薄膜应力本章重点内容及对学生的要求： （1）压力容器的定义、结构与分类；（2）理解回转薄壳相关的几何概念、第一、二主曲率半径、平行圆半径等基本概念。
（3）掌握回转壳体薄膜应力的特点及计算公式。
第一节 压力容器概述1、容器的结构如图1所示，容器一般是由筒体（壳体）、封头（端盖）、法兰、支座、接管及人孔（手孔）视镜等组成，统称为化工设备通用零部件。
图1 容器的结构示意图2、压力容器的分类压力容器的使用范围广、数量多、工作条件复杂，发生事故的危害性程度各不相同。
压力容器的分类也有很多种，一般是按照压力、壁厚、形状或者在生产中的作用等进行分类。
本节主要介绍以下几种：○1按照在生产工艺中的作用 反应容器（R ）：主要用来完成介质的物理、化学反应，利用制药中的搅拌反应器，化肥厂中氨合成塔，。
换热容器（E ）：用于完成介质的热量交换的压力容器，例如换热器、蒸发器和加热器。
分离压力容器（S ）：完成介质流体压力缓冲和气体净化分离的压力容器，例如分离器、干燥塔、过滤器等；储存压力容器（C ，球罐代号为B ）：用于储存和盛装气体、液体或者液化气等介质，如液氨储罐、液化石油气储罐等。
○2按照压力分 外压容器：容器内的压力小于外界的压力，当容器的内压力小于一个绝对大气压时，称之为真空容器。
内压容器：容器内的压力大于外界的压力。
低压容器（L ）： MPa P MPa 6.11.0<≤； 中压容器（M ）：M P a P M P a 1016.0<≤ 高压容器（H ）：M P a P M P a 10010<≤超高压容器（U ）：P M P a ≤10○3《压力容器安全监察规程》 一类容器：有下列情况之一的A 非易燃或无毒介质的低压容器；B 易燃或有毒介质的低压分离容器和换热容器； 二类容器：有下列情况之一的 A 剧毒介质的低压容器；B 易燃或者有毒介质的低压反应容器和储运容器；C 中压容器；D 内径小于1m 的低压废热锅炉 三类容器：有下列情况之一的 A 高压、超高压容器；B 剧毒介质，且最高工作压力与容积的乘积MPa L V P W ∙≥∙200C 易燃或者有毒介质且MPa L V P W ∙≥∙500的中压反应容器；或者M P a L V P W ∙≥∙500的中压储运容器；D 中压废热锅炉或内径大于1m 的低压废热锅炉。
sio_2薄膜对蓝宝石表面及高温强度的改善
蓝宝石是一种具有优异光学和力学性能的材料，广泛应用于红外透过窗口、头罩等领域。
然而，蓝宝石在高温下的强度较低，限制了其在高速、高温环境中的应用。
为了
改善蓝宝石的高温强度，可以采用在蓝宝石表面制备SiO2薄膜的方法。
制备的SiO2薄膜可以改善蓝宝石表面的形貌，降低表面粗糙度，同时改变蓝宝石的表面应力。
在800℃的高温下，镀膜蓝宝石的抗弯强度是未镀膜蓝宝石的1.5倍。
这表明SiO2薄膜能够显著提高蓝宝石的高温强度。
综上所述，SiO2薄膜能够改善蓝宝石表面的形貌和应力状态，提高其高温强度，
为蓝宝石在高速、高温环境中的应用提供了可能性。
如需更多信息，建议查阅相关文献或咨询材料学专家。
薄膜应力分析及一些测量结果
文章编号:1005—5630(2001)5 6—0084—08薄膜应力分析及一些测量结果Ξ范瑞瑛,范正修(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800) 摘要:论述了薄膜应力在强激光薄膜应用中的重要性,分析了应力的形成原因及沉积参数、老化条件的关系,给出了应力的简单测试方法及部分结果。
关键词:热应力;形变;沉积;老化中图分类号:O 48415 文献标识码:AStress ana lysis of th i n f il m s and so m e testi ng resultsFA N R u i 2y ing ,FA N Z heng 2x iu(Shanghai In stitu te of Op tics and F ine M echan ics ,Ch inese A cadem y of Sciences ,Shanghai 201800,Ch ina ) Abstract :T he seri ou s influence of stress on h igh pow er laser th in fil m s w as discu ssed in th is p ap er .T he o riginati on of stress and the co rrelati on betw een stress and depo siti on p aram eters and aging conditi on s w ere analyzed .A si m p le stress testing m ethod and som e testing resu lts w ere p resen ted in the con tex t .Key words :therm al stress ;defo rm ati on ;depo siti on ;aging1 薄膜应力研究的重要性薄膜应力在薄膜应用中是一个不容忽视的问题。
电子束蒸发SiO_2薄膜残余应力在不同湿度环境下的对比_叶晓雯
第41卷第3期红外与激光工程2012年3月Vol.41No.3Infrared and Laser Engineering Mar.2012电子束蒸发SiO2薄膜残余应力在不同湿度环境下的对比叶晓雯1,2，丁涛1,2，程鑫彬1,2，沈正祥1,2，王孝东1,2，刘永利1,2，鲍刚华1,2，何文彦1,2(1.同济大学精密光学工程技术研究所，上海200092；2.上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室，上海200092)摘要：采用电子束蒸发方法在BK7基底上制备SiO2单层膜，通过台式探针轮廓仪分别测量了大气(45%RH)和干燥环境(5%RH)中不同沉积温度下制备的SiO2单层膜残余应力，同时使用分光光度计和原子力显微镜对样品的折射率和表面形貌进行研究。
测试结果表明：SiO2薄膜的残余应力在两个环境中均表现为压应力，且随沉积温度的升高均逐渐增大。
干燥环境下与大气环境相比，应力值减小了约100MPa。
此外，随沉积温度的升高，薄膜折射率不断增大，表面粗糙度逐渐减小。
说明：随着沉积温度的变化，SiO2薄膜的微结构发生了改变。
相应地，由水诱发的应力随薄膜致密度的增加而逐渐减小。
关键词：SiO2单层膜；沉积温度；残余应力；由水诱发的应力；折射率；表面形貌中图分类号：O439文献标志码：A文章编号：1007-2276(2012)03-0713-05Contrastive investigation of the residual stress of SiO2films prepared by electron beam evaporation in differentrelative humidity environmentsYe Xiaowen1,2,Ding Tao1,2,Cheng Xinbin1,2,Shen Zhengxiang1,2,Wang Xiaodong1,2,Liu Yongli1,2,Bao Ganghua1,2,He Wenyan1,2(1．Institute of Precision Optical Engineering,Tongji University,Shanghai200092,China；2.Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials and Technology,Shanghai200092,China)Abstract:Silicon dioxide films were deposited on BK7substrates under different deposition temperatures using electron beam evaporation method.The residual stresses in SiO2films were measured in clean-room (45%humidity)and dry Nitrogen environments(5%humidity)by a stylus profiler separately.Moreover, the refractive indices and microstructure of the SiO2films were characterized using spectrophotometer and atomic force microscope.The observations suggest that all of the SiO2films exhibit compressive stress in both environments,and the compressive stress increases with the rise of deposition pared with the dry Nitrogen environments,the value of stresses decrease about100MPa in clean-room.Increase the deposition temperature,the microstructure become dense concluding from the high refractive indices and the low surface roughness.Accordingly,the stress induced by water decreases when the microstructure of films become denser.Key words:SiO2single layer;deposition temperature;residual stress;water-induced stress;refractive index;surface morphology收稿日期：2011-07-12；修订日期：2011-08-14基金项目：国家863计划；上海市博士后资助计划(10R21416000)作者简介：叶晓雯(1984－)，女，博士生，主要从事薄膜应力方面的研究。
PECVDSiO_2薄膜内应力研究
PECVD SiO2薄膜内应力研究孙俊峰,石霞(南京电子器件研究所,南京210016)摘要:研究了等离子体增强化学气相淀积(PEC VD)法生长SiO2薄膜的内应力。
借助XP22型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺条件,如淀积温度、气体流量、反应功率、腔体压力等,分析了这些参数对SiO2薄膜内应力的影响。
同时讨论了内应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,对工艺条件的优化有一定参考价值。
关键词:内应力;二氧化硅薄膜;等离子增强化学气相淀积中图分类号:T N405198 文献标识码:A 文章编号:10032353X(2008)0520397204Study of I nternal Stress in PECV D SiO2Thin FilmsSun Junfeng,Shi X ia(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing210016,China)Abstract:The internal stress in SiO2thin films prepared by PEC VD was studied and measured by XP22 stylus profilometer and spectral ellips ometer.By changing the deposition conditions,such as tem perature of deposition,gas flux2rate,power of reaction,gas pressure in chamber and s o on,the in fluence of critical process parameters on SiO2thin films stress was investigated.The cause of stress and the mechanism of different process conditions were discussed,which provided with orientation for optimizing the process.K ey w ords:internal stress;SiO2thin films;PEC VDEEACC:0520F0 引言PEC VD生长的SiO2介质膜已广泛用于半导体材料、集成电路和ME MS器件制造工艺中,要求SiO2介质膜具有生长温度低、工艺重复性好、淀积薄膜均匀、膜的台阶覆盖性好、缺陷密度较低等优点[122]。
TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索
基板温度对薄膜应力的影响可通过热应力的形 式表现出来 ( 热应力是基板热膨胀系数"7 和薄膜热!D!,物理学
报
88 卷
薄膜产生与收缩相反的张应力， 反之产生压应力 #
!" 讨
论
薄膜的应力与薄膜柱体或晶粒间的作用力密切 相关 # 应力特性虽因材料而异， 但总体上高聚集密度 的薄膜由于其柱体或晶粒之间空隙很小， 因而它们 之间产生一个排斥力， 其宏观应力呈现压应力 （图 低聚集密度的薄膜呈现张应力 # 当薄膜为 $） # 反之，
关键词：薄膜应力，离子辅助淀积，聚集密度
&’((：,$-#.，,$%-/，#&!#0，,$-12
并没有从根本上得到解决， 在某些重要的应用中依
"3 引
言
然是一个难以逾越的障碍 + 本文主要对最常用的 ’()$ 和 *()$ 薄膜应力作 了一些研究，内容涉及应力模型、 应力测试方法和 不同实验条件下的应力测试结果 + 基于曲率法模型， 对 ’()$ 和 *()$ 单层膜和多层膜进行了实验测试， 得 到了一些有价值的结果， 特别是 567 和基板温度对 薄膜应力的影响 + 提出了薄膜聚集密度是应力的重 要因素， 低聚集密度易产生张应力， 而高聚集密度易 产生压应力 + 在多层膜中通过适当调整工艺参数， 可望使累积应力趋向于零 +
&#,%-#!-）资助的课题 + !国家自然科学基金（批准号：
和抑制方法的各种探索
［"#—",］
" 8 !$ 9 $ # + 应用 /::;< 定律， 应力和应变之间满足 !8 % "， 其中 % 为杨氏模量 + 图 $ 表示基板= 薄膜系统中的应力 + 若应力处于 平衡状态， 则要求顺时针和逆时针的力矩相等， 即 （ （ &> ? &@） （"） 9$） "> 8 ’> ? ’@ ，
PECVD法制备SiO2薄膜的热应力影响研究
PECVD法制备SiO2薄膜的热应力影响研究【摘要】研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）【关键词】应力；二氧化硅薄膜；等离子增强化学气相淀积；热处理工艺1.引言PECVD方法的最大特性是，由于在等离子体状态下利用化学性活泼的离子、原子团，因而可以在低温下生成薄膜，热损较少，抑制了与基片物质的反应，可在非耐热性基片上成膜。
从热力学角度上讲，在反应虽能发生但反应相当迟缓的情况下，借助等离子体激发状态，可以引发常规化学反应中不能或难以实现的物理变化和化学变化；可以使许多通常不能发生和难以发生的化学反应得以进行或加速进行；还可以按着预先设计的模型合成新的材料，等离子体技术是一种十分有效的分子活化手段，能够省去许多常规化学反应所需要的酸、碱、热以及催化剂等多种条件，大大缩短了新材料的制备周期。
另外，由于反应材料是气体，可以稳定供给，因此可连续控制，从而可控制薄膜组成。
因此技术具有生长温度低，沉积速率大，台阶覆盖性能好等优点，并且在沉积过程中可方便掺入杂质来改变产品的特性。
在力学和化学中较稳定的厚氧化物膜在适当压力下可以较快的沉积。
由于这些处理和装置都源于微电子工业，因而具有高产的好前景。
正是由于PECVD技术具有如下的优点：1）镀膜温度大大下降；2）基材范围拓宽；3）镀层涂敷均匀，性能稳定，易于实现工业化生产；4）等离子体渗、镀同炉完成，工艺简化，效率较高。
所以该技术在生产上获得了迅速发展，并且应用非常广泛，是一种具有广泛应用前景的技术，开拓了新的领域。
2.2 应力测量介绍薄膜的应力由热应力和本征应力两部分组成。
热应力起源于薄膜与衬底之间热膨胀系数的不同，可表示为：式中：Ts和TM分别为淀积和测量时基片的温度；和。
分别为薄膜和基片的热膨胀系数；Ef为薄膜的杨氏模量，dT表示温度的微分。
若假定、不随温度变化，则式（1）可改写为：由式（2）可以看出，当测量温度低于淀积温度和>时，ST>0，薄膜收缩程度大于衬底收缩程度，膜相对于衬底就有了收缩的趋势，此时的热应力为张应力。
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第 1期
吴靓臻等 : SiO2 薄膜热应力模拟计算
53
α s
分别是基体泊松比
、薄膜泊松比
、薄膜厚度
- 1871490 M Pa, 理 论 值 为 - 1861841M Pa, 误 差 为 01347%. 由此可见 ,本文所建模型与理论计算值在 不同条件下的偏差是一致的 ,这从一个方面说明该 模型是合理的.
模拟计算中 ,在模型左边施加对称约束 ,同时固 定左下角的节点 ,限制其刚体位移 ,如图 1 所示. 加 载的热载荷情况是 :镀膜温度作为参考温度 ,环境温 度作为热力耦合的薄膜和基体的温度载荷. 为了便 于分析 ,本文建模时做了如下假设 : (1)薄膜与基体 材料都是各向同性弹性材料 ; (2)在镀膜过程中 ,模 型内温度一直是均匀的 ,不考虑瞬态效应 ; ( 3)热应 力产生主要由冷却到室温的过程中基底与薄膜的热 膨胀系数不同所引起 ; ( 4)在边界条件中不考虑系 统的导热 、对流和辐射等影响 ,同时忽略环境对材料 性质的影响.
二氧化硅 ( SiO2 )薄膜因其具有优越的电绝缘性 和传导特性等各种性能 ,加之其工艺的可行性 ,在微 电子及光学和其它领域中有着非常广泛的应用 [ 1 ]. 随着光通信及集成光学研究的深入 ,在光学薄膜中 , 占重要地位的多层介质 SiO2 光学薄膜是主要的低 折射率材料 ,对光学技术的发展起着举足轻重的作 用 [ 2 ]. 然而 ,光学薄膜中普遍存在的残余应力是影 响光学器件甚至整个集成光学系统性能及可靠性的 重要因素. 过大的残余应力会导致薄膜产生裂痕 、褶 皱 、脱落等各种破坏 , 影响薄膜的使用性能 [ 3 ] . 此 外 ,光学薄膜中的残余应力还会引起其基底平面发 生弯曲导致其光学仪器发生畸变 ,从而导致整个光 学系统偏离设计指标 ,甚至完全不能工作. 因此有必 要对 SiO2 薄膜残余应力进行深入细致的研究.
名称
SiO2 B K7 玻璃
表 1 材料参数 Tab. 1 M aterial parameters
杨氏模量
线膨胀系数
Ex / GPa
α/ ( ×10 - 6 )
73. 1
0. 55
81
7. 1
泊松比 v
0. 17 0. 208
在镀膜温度为 190 ℃,环境温度为室温 25 ℃ 时 ,利用有限元模型计算薄膜热应力结构 X 方向 (径向 )应力分布如图 2 所示. 从图中可以明显看 出 , SiO2 膜层热应力占主导地位 ,远远大于基底的 应力 ,膜层内热应力最大值为 - 951187 M Pa,数值为 负 ,表明薄膜所受应力主要为压应力 ,这是由于基底 的热膨胀系数大于薄膜的热膨胀系数造成的. 用式 (2) 计 算得 到的 理论 值为 - 941858 MPa, 误 差 为 01347%. 由于基体基本上处于自由膨胀状态 ,内部 应力很小. 当镀膜温度为 350 ℃时 ,模型计算值为
、基体
厚度 、沉积温度 、室温 、薄膜和基体热膨胀系数.
3 模型验证和计算结果分析
2 有限元模型建立
采用有限元软件 AN SYS[ 6 ]对二氧化硅 ( SiO2 ) 薄膜的热应力进行仿真研究 ,并通过理论值验证. 在 沉积过程中 ,由于模型的几何条件 、材料的物理性质 与热力学性质和边界条件等的轴对称性 ,将模型简 化为轴对称模型 , 只取薄膜 1 个截面进行计算 ,截 面左边对应圆盘模型的中心. 实际模型是在直径为 30 mm、厚度为 4 mm 的圆形 B K7 玻璃片上沉积厚 度为 01004 mm 的 SiO2 薄膜 ,材料参数 [ 2, 7 ]见表 1.
图 3 中心处基底下表面到薄膜上表面 Y方向应力变化趋势图 Fig. 3 D istribution of stress at Y - direction in thin fim from the
downside to up side of surface in the centre of base
发生变化 ,如热退火效应使薄膜中的原子产生重排 ,
结构缺陷得以消除 (或部分消除 ) ,或产生相变和化
学反应等 ,从而引起应力状态的变化. 薄膜内应力可
以写成 :
σ内 =σ热 +σ本征 .
(1)
影响热应力的物理参数有热膨胀系数 、杨氏模
量 、泊松比 、厚度 、温度变化等. 目前 , 薄膜热应力数
学模型是基于传统的梁弯曲理论来计算的 , 假设涂
华南师范大学学报 (自然科学版 )
2009年 2月 Feb. 2009
JOURNAL
OF SOUTH CH INA NORMAL UN (NATURAL SC IENCE ED ITION )
IV ER
S ITY 2009 年第 No. 1,
1期 2009
文章编号 : 1000 - 5463 (2009) 01 - 0052 - 04
SiO2 薄膜热应力模拟计算
吴靓臻 1 , 唐吉玉 13 , 马远新 2 , 孔蕴婷 1 , 文于华 1 , 陈俊芳 1
(1. 华南师范大学物电学院 ,广东广州 510631; 2. 新疆医科大学物理教研室 ,新疆乌鲁木齐 830054)
图 1 约束示意图 Fig. 1 A schematic rep resentation of constraint
在有限元模型中 ,为保证热应力计算的精度 ,对 模型进行映射网格划分 , SiO2 薄膜采用较大的网格 密度 ,玻璃基底采用较小的网格密度. 整个模型分析 采用二维耦合场实体单元 p lane 13,该单元具有二 维磁场 、温度场 、电场和结构场之间有限耦合功能.
图 6 薄膜厚度与应力值关系图 Fig. 6 The dependence between coating thickness and stress
图 4 薄膜上表面中心到边缘 X 方向应力变化趋势图 Fig. 4 D istribution of stress at X - direction in thin film from
摘要 :薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用. 该文采用有限元模型对 SiO2 薄膜热应力进行模拟计算 ,验证了模 型的准确性. 计算了薄膜热应力的大小和分布 ,分析了不同镀膜温度 、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力 的大小 ,得到了相应的变化趋势图 , 对薄膜现实生长具有一定的指导意义. 关键词 :热应力 ; SiO2 薄膜 ; 有限元 ; 模拟 中图分类号 : O414 文献标识码 : A
前人的研究表明 [ 4 ] : SiO2 薄膜中的最终残余应 力是淬火应力和热应力共同作用的结果 ,而热应力 是薄膜应力中不可避免的. 但是现有的热应力理论 计算无法得到直观的热应力分布规律 ,不利于选择 最适合的生长环境 ;若采用实验测试 ,成本高且不现 实. 本文利用计算机 ,采用有限元技术 ,以在 BK7玻 璃衬底上生长的 SiO2 薄膜为研究对象 ,利用有限元 软件 ANSYS对 SiO2 薄膜在冷却阶段产生的热应力 进行计算与分析 , 计算了薄膜热应力的大小和分 布 ,分析了不同镀膜温度 、不同膜厚和不同基底厚度 生长环境下热应力的大小 ,得到了相应的变化趋势
图. 这些结果对 SiO2 薄膜的实际应用和薄膜应力产 生机制的探讨都有一定的意义.
1 理论分析
薄膜应力的形成是一个复杂的过程. 一般来说 ,
薄膜应力起源于薄膜生长过程中的某种结构不完整
性 (如杂质 、空位 、晶粒边界 、位错等 ) 、表面能态的
存在以及薄膜与基体界面间的晶格错配等. 在薄膜
形成后 ,外部环境的变化同样也可能使薄膜内应力
圆盘中心处 ,基底下表面到薄膜上表面的 Y方 向 (法向 )应力变化趋势如图 3 所示 ,放大部分展示 了薄膜内 Y方向应力随厚度变化情况 (圆盘中心部 位 ). 基底内应力很小 ,应力主要集中在薄膜内 ,且 应力分布不均匀 ,基底 Y 方向应力开始趋于零 ,在 基底和薄膜的界面上应力出现突变 ,并表现为张应 力. 图 4是薄膜上表面由中心到边缘的 X 方向应力 变化趋势图 ,从图中可以看出 :除了边缘处由于边缘 效应导致应力出现突变 ,薄膜上其余位置的应力分 布较为均匀. 截取中心到径向 3 mm 的一段曲线放 大 ,发现圆盘结构中心部位所受的压应力为最大 ;而 压应力沿径向震荡分布 ,很快趋向平稳. 所以圆盘的 半径大小对热应力的影响不是很大 ,而边缘效应的 存在使薄膜边缘部分热应力减小 ,并向张应力转化. 比较 X 和 Y两方向的应力分布情况 ,可以看出 : Y方 向应力总体来说都非常的小 ,与 X 方向应力相差 3 个数量级 ,在一定程度上可以忽略.
层相对于基体非常薄 , 而且尺寸无限宽 , 根据 Stoney
方程 [5 ]可知 :
Td
∫ Eef
(αs
-
α f
)
dT
σ热=Leabharlann Tr,1 + 4 ( Eef / Ees ) ( h /H )
(2)
其中 Eef = Ef / ( 1 - vf ) 和 Ees = Es / ( 1 - vs ) 分别是薄
膜和基体的有效杨氏模量 , vs、vf、h、H、Td 、Tr、αf 和
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2009年
值差异很小 ,薄膜热应力为压应力 ,其值随镀膜温度 的升高而增大. 从图 6可知 ,薄膜应力随着薄膜厚度 的增加而减小 ,尽管模拟值与理论计算值存在一定 的差异 ,但其变化趋势是一致的. 图 7 表明 ,随着薄 膜基底厚度的增加 ,薄膜应力先是快速增加 ,然后逐 步趋于一个稳定值. 因此在实际制膜时 ,基底最好不 要太薄 ,在满足使用的前提下应尽量让基底达到一 定的厚度值.