光电探测器原理
光电探测器的原理及在光子学中的应用
光电探测器的原理及在光子学中的应用光子学是研究光的特性，用光做科学研究和技术应用的学科。
而光电探测器则是光子学中不可或缺的基础设备之一。
光电探测器是一种将光能转化为电信号的探测器。
它是通过将光子在接收器件中产生的电荷转化为电信号来工作的。
光电探测器在光通信、光电子学、能量检测等领域都有广泛的应用，因为它可以轻松、迅速地检测光的强度和能量。
接下来，本文将介绍光电探测器的原理及其在光子学中的应用。
一、光电探测器的原理光电探测器是由光导电效应引起的。
光导电效应是指在某些材料（如硅，锗等）中，当光子的能量透过材料时，这些光子会将材料中的电子激发并将它们释放。
光电探测器的关键组成部分是光敏元件，它可以将吸收的光子转化为电子，在电路中形成电流或电压。
最常见的光敏元件有光电二极管和光电倍增管。
1. 光电二极管光电二极管是一种半导体器件，它可以将光的能量直接转化为电信号。
在光电二极管中，一个p型半导体和一个n型半导体通过一个pn结相连。
当光子的能量大于pn结内的禁带宽度时，它会激发出电子并在导体中产生电信号。
2. 光电倍增管光电倍增管是一种更敏感的光敏元件。
它将光能转换为电子，然后使用增益器放大电子的数量，得到一个更大的电压信号。
在光电倍增管中，光子会激发出电子，并在一个电子释放器中放大电子的数量。
放大器中的电子在闪烁器上产生荧光，进而产生光信号。
这种光信号再次激发出更多的电子，使信号被多次放大。
这种方式可以更好地检测光的短信号。
二、光电探测器在光子学中的应用光电探测器在光子学中的应用是多种多样的，例如：在通信和数传领域，光电探测器用于检测和接收光的信号；在能量检测和测量领域，它被用来测量光的强度和能量。
接下来，本文将分别详细介绍它们在以下应用中的具体作用。
1. 光通信随着数字技术的发展，光通信成为了一种比较流行的通信方式。
光通信利用波长在850nm~1625nm的红外线传输信息，传输速度非常快，并且对天气、地理条件等没有限制。
光电探测器的原理
光电探测器的原理光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件，它在光通信、光电测量、光谱分析等领域有着广泛的应用。
光电探测器的原理主要基于光电效应和半导体材料的特性，下面将详细介绍光电探测器的原理。
首先，光电探测器的基本原理是光电效应。
光电效应是指当光线照射在金属或半导体表面时，光子能量被吸收，激发出电子从固体表面逸出的现象。
这些逸出的电子就构成了光电流，通过测量光电流的大小可以间接测量光的强度。
在光电探测器中，光电效应是将光信号转换为电信号的关键过程。
其次，光电探测器的原理还与半导体材料的特性密切相关。
常见的光电探测器主要有光电二极管（Photodiode）、光电导（Phototransistor）、光电二极管阵列（Photodiode Array）等。
这些光电探测器主要利用半导体材料的光电特性来实现光信号的转换。
当光线照射在半导体材料上时，会产生电子-空穴对，并在外加电场的作用下产生电流。
不同类型的光电探测器采用不同的半导体材料和工作原理，但它们都是利用半导体材料的光电特性来实现光信号的探测和转换。
除此之外，光电探测器的原理还涉及到光信号的增强和处理。
在实际应用中，光信号往往非常微弱，需要经过光电探测器的增强和处理才能得到有效的电信号。
因此，光电探测器通常会与放大器、滤波器、模数转换器等电路相结合，以实现对光信号的放大、滤波和数字化处理，最终得到精确的电信号输出。
总的来说，光电探测器的原理主要包括光电效应、半导体材料的光电特性以及光信号的增强和处理。
通过光电效应将光信号转换为电信号，利用半导体材料的特性实现光信号的探测和转换，再通过电路的增强和处理得到最终的电信号输出。
光电探测器在光通信、光电测量、光谱分析等领域有着广泛的应用，其原理的深入理解对于光电器件的设计和应用具有重要意义。
光电探测器原理及应用
光电探测器原理及应用
光电探测器是一种能够将光信号转化为电信号的装置，其基本原理是利用光的能量激发材料中的电子从而产生电流。
根据光电效应的不同机制，光电探测器通常可以分为光电二极管、光电导、光电二极管阵列等多种类型。
光电二极管是最基本的光电探测器之一，其工作原理是光照射到光敏材料表面时，材料中的电子会被光激活并跃迁至导带中，从而形成电流。
光电二极管具有响应速度快、灵敏度高等特点，广泛应用于光通信、光谱分析、光电测量等领域。
光电导是一种利用光照射后材料电阻发生变化的光电探测器，其工作原理是光激发后，光电导材料中的载流子浓度发生改变，从而引起电阻的变化。
光电导具有较高的灵敏度和较宽的光谱响应范围，可广泛应用于光谱分析、光学测量、遥感等领域。
光电二极管阵列是由多个光电二极管组成的阵列结构，可以同时检测多个光信号，具有高灵敏度和高分辨率的特点。
光电二极管阵列常被用于光通信、图像传感、光谱分析等领域，如CCD（电荷耦合器件）摄像头就是经典的光电二极管阵列应
用之一。
此外，光电探测器还广泛应用于激光测距仪、扫描仪、光电子显像、医学诊断、环境监测等领域。
例如，激光测距仪利用光电探测器检测激光脉冲的发射和接收时间差，实现对目标距离的测量；扫描仪利用光电探测器对扫描光线的反射或透射光进行检测，实现图像的数字化处理和存储。
总之，光电探测器通过将光信号转化为电信号，实现了光能量的检测和测量。
其应用领域广泛，并在科学研究、工业生产、医疗诊断等领域发挥着重要的作用。
光电探测器的作用和原理
光电探测器的作用和原理光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件。
它可以用于各种光学领域，如通信、医疗、环境监测等，具有广泛的应用价值。
光电探测器的工作原理主要有光电效应、光电导效应和光伏效应等。
光电探测器的作用是将光信号转化为电信号，进而进行信号处理和数据分析。
它可以起到光信号的接收、放大和转换作用，将光信号转化为电信号后，就可以进行电子器件的控制、信号处理、光电数据采集等操作。
光电探测器的工作原理主要有以下几种：1. 光电效应：光电效应是指当光照射到物质表面时，光子的能量将会激发出电子，使其跃迁到导带或空位带，从而形成电流。
根据光电效应的不同，光电探测器可以分为光电二极管、光电倍增管、光阴极管等。
2. 光电导效应：光电导效应是指当光照射到某些特殊的半导体材料时，会通过光生电子空穴对的形成而形成电导，从而产生电流。
光电导效应在光探测器中应用较广泛，如光电二极管、光电晶体管等。
3. 光伏效应：光伏效应是指当光照射到半导体材料的PN结上时，光子的能量将激发电子与空穴的对生成，从而产生光生电流。
光伏效应广泛应用于太阳能电池等光电探测器中。
除了以上三种主要的工作原理外，还有其他一些光电探测器的工作原理，如荧光检测、非线性光学效应等。
不同的光电探测器采用不同的工作原理，可以适应不同频率范围、不同光功率等应用需求。
光电探测器的应用十分广泛。
在通信领域，光电探测器常用于接收光信号，起到光-电转换的作用。
在光纤通信中，光电探测器是光纤收发器的关键组成部分。
此外，光电探测器还可以应用于激光雷达、遥感、光谱分析、医疗影像等领域。
在环境监测方面，光电探测器可以用于光谱分析仪器，检测大气中的气体成分。
总的来说，光电探测器是一种将光信号转换为电信号的器件，通过光电效应、光电导效应、光伏效应等原理工作。
它在光通信、激光雷达、医疗影像等领域有着广泛的应用。
光电探测器的不断发展和创新，将进一步推动光学技术的发展，为人类的生活带来更多福利。
光电探测器原理
光电探测器原理光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件，它在光通信、光测量、光学成像等领域有着广泛的应用。
光电探测器的原理是基于光电效应和半导体器件的特性，通过光的照射使半导体器件产生电荷载流子，从而实现光信号到电信号的转换。
本文将介绍光电探测器的工作原理、结构特点及应用领域。
光电探测器的工作原理主要基于光电效应，即当光线照射到半导体材料表面时，光子能量被半导体吸收，激发出电子和空穴对。
在外加电场的作用下，电子和空穴被分离，从而产生电流。
这种光电效应是光电探测器能够将光信号转换为电信号的基础。
另外，光电探测器还利用了半导体器件的PN结构，通过光的照射改变PN结的导电特性，从而实现对光信号的探测和转换。
光电探测器的结构特点主要包括光电转换元件、信号放大电路和输出接口。
光电转换元件是光电探测器的核心部件，它通常采用硅、锗、InGaAs等半导体材料制成，具有高灵敏度和快速响应的特点。
信号放大电路用于放大光电转换元件产生的微弱电信号，以提高信噪比和传输距离。
输出接口将放大后的电信号转换为可用的电压或电流信号，以便接入到其他电子设备中进行信号处理和传输。
光电探测器在光通信、光测量、光学成像等领域有着广泛的应用。
在光通信系统中，光电探测器用于接收光信号并转换为电信号，实现光信号的调制和解调。
在光测量领域，光电探测器可以用于测量光强、光功率和光谱等参数，实现对光信号的精确测量和分析。
在光学成像系统中，光电探测器可以将光信号转换为图像信号，实现对光学图像的采集和处理。
总之，光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的重要器件，它的工作原理基于光电效应和半导体器件的特性，具有灵敏度高、响应速度快的特点。
光电探测器在光通信、光测量、光学成像等领域有着广泛的应用前景，将在未来发挥越来越重要的作用。
光电导探测器的原理
光电导探测器的原理光电导探测器是一种能够将光信号转换为电信号的装置，它基于光电效应原理工作。
光电导探测器的原理是利用光电材料对光的吸收和电子的运动产生电流，从而实现对光信号的探测和测量。
光电导探测器的核心部件是光电材料，常见的有硒化铟、硒化锌、硒化镉等。
这些材料能够吸收光能，并将光能转化为电子能量。
当光照射到光电材料表面时，光子的能量被传递给材料中的电子，使得部分电子获得足够的能量跃迁到导带，形成电子空穴对。
这些电子空穴对在电场的作用下会分离，产生电流。
光电导探测器的工作原理可以简单描述为以下几个步骤：光子的能量被光电材料吸收后，产生电子空穴对；电子空穴对在电场的作用下被分离，形成电流；电流经过放大和处理后，就可以得到与光信号强度相关的电信号。
在光电导探测器中，光电材料的选择非常重要。
不同的光电材料有不同的光电特性，如光吸收范围、响应速度、量子效率等。
根据具体应用需求，选择合适的光电材料可以提高光电导探测器的性能。
光电导探测器的结构也对其性能有影响。
常见的结构有PN结结构、金属半导体结构等。
PN结结构的光电导探测器由P型半导体和N 型半导体组成，当光照射到PN结上时，由于光电效应，电子空穴对被产生，形成电流。
金属半导体结构的光电导探测器由金属和半导体组成，金属部分起到收集电子的作用，半导体部分起到吸收光能和产生电流的作用。
光电导探测器在很多领域有广泛的应用。
例如，它可以用于光通信领域，将光信号转换为电信号进行传输和处理；在光谱分析领域，可以用于测量光源的光谱特性、物质的吸收谱线等；在光电子学领域，可以用于光电转换、探测和测量等。
总的来说，光电导探测器的工作原理是基于光电效应的，它能够将光信号转换为电信号。
光电导探测器的性能取决于光电材料的选择和结构的设计。
随着科技的进步和应用需求的增加，光电导探测器在各个领域的应用将会越来越广泛，为人们的生活带来更多的便利和创新。
光电探测器原理与应用
光电探测器原理与应用光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件，是现代光电技术中的重要组成部分，广泛应用于通信、医学、物理学等领域。
本文将从光电探测器的原理、种类以及应用进行探讨。
一、光电探测器的原理光电探测器的原理基于光电效应，即光能被物质吸收后，其中的光子能激发物质内部的电子从价带跃迁到导带，形成电子空穴对，产生电流和电势差，将光信号转换为电信号并放大处理。
而光电探测器的基本结构，则由光敏材料、光电转换部件、电荷放大器等组成，具有宽频带、高响应速度等特点。
二、光电探测器的种类光电探测器主要分为以下几种：①硅光电二极管硅光电二极管是一种常见的光电探测器，其结构简单，大小小巧，响应速度快，但灵敏度较低。
硅光电二极管的光电转换部件为PN结，探测范围为红外线波段。
②掺铟镓光电二极管掺铟镓光电二极管响应范围为近红外至中红外波段，具有较高的灵敏度和响应速度，广泛应用于红外光谱分析、制导弹道等领域。
③掺铊锗光电二极管掺铊锗光电二极管响应范围为中红外波段，具有较高的探测率和灵敏度，广泛应用于红外光谱分析、空间测量等领域。
④光电倍增管光电倍增管响应范围涵盖紫外线至近红外波段，具有高灵敏度、高信噪比和低失真等特点，广泛应用于低光强度信号的检测和测量。
⑤光伏噪声探测器光伏噪声探测器是一种激光光源的光功率变化探测器，响应波长范围覆盖整个光谱，具有高信噪比、高稳定性等特点，广泛应用于光通信、激光测距、光谱分析等领域。
三、光电探测器的应用光电探测器具有广泛的应用领域，其中主要包括：①光通信光电探测器在光通信中起到重要作用，光电二极管和光电倍增管是常用的探测器。
光电探测器接收光信号并转换为电信号，再经过解调和放大处理后，完成光通信中数据的传输和接收。
②光谱分析光电探测器在光谱分析领域中广泛应用，通过对不同波长的光线进行探测和分析，完成对样品的化学成分、结构和性质的测量和研究。
掺铟镓光电二极管和光伏噪声探测器是常用的光谱探测器。
光电探测器的原理
光电探测器的原理
光电探测器是一种测量光信号的仪器或设备，它可以将光信号转换为电信号，实现光与电信号之间的转换。
光电探测器的工作原理主要有光电效应、光阴极发射、内光电效应和外光电效应。
光电效应是光电探测器最主要的工作原理之一。
根据光电效应理论，当光束照射到金属表面或半导体材料上时，光子与金属或半导体中的自由电子发生相互作用，将光能转化为电能。
这个过程中，光子的能量必须大于或等于金属或半导体材料的功函数（或带隙能量），电子才能被激发出来。
激发出的电子会形成电流，这个电流大小与光能量的大小成正比。
光阴极发射是另一种常见的光电探测器工作原理。
光阴极发射利用了光的能量激发金属或半导体中的自由电子，并将其从材料表面以高速逸出。
光阴极发射通常需要使用对光敏感的材料，如钠、铯等金属或碱金属化合物。
这些材料在光激发下，会产生多个光电子，从而提高探测的灵敏度和效果。
内光电效应和外光电效应是在光电探测器中一些特殊应用的工作原理。
内光电效应是指探测器内部的光电效应现象，如光导纤维光电子倍增管等。
外光电效应是指探测器外部的光电效应现象，如光电导测温仪等。
这些特殊的光电效应原理在某些特定的测量领域中具有独特的应用价值。
总之，光电探测器利用光电效应、光阴极发射以及内外光电效应等原理，将光信号转换为电信号，从而实现了光与电能量之
间的转换。
不同类型的光电探测器根据原理和应用领域的不同，具有不同的特性和性能。
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光电探测器原理及应用
光电探测器种类繁多，原则上讲，只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。
现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的，是变光信号为电信号的元件。
光电效应分两类，内光电效应和外光电效应。
他们的区别在于，内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料内
部轰击出来，而只是将光电材料内部的光电
子从低能态激发到高能态。
于是在低能态留
下一个空位——空穴，而高能态产生一个自
由移动的电子，如图二所示。
硅光电探测器是利用内光电效应的。
由入射光子所激发产生的电子空穴对，称为光生电子空穴对，光生电子空穴对虽然仍在材料内部，但它改变了半导体光电材料的导电性能，如果设法检测出这种性能的改变，就可以探测出光信号的变化。
无论外光电效应或是内光电效应，它们的产生并不取决于入射光强，而取决于入射光波的波长λ或频率ν，这是因为光子能量E只和ν有关：
E=hν（1）
式中h为普朗克常数，要产生光电效应，每个光子的能量必须足够大，光波波长越短，频率越高，每个光子所具有的能量hν也就越大。
光强只反映了光子数量的多少，并不反映每个光子的能量大小。
目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管，是由半导体材料制作的。
半导体光电探测器是很好的固体元件，主要有光导型，热电型和P—N结型。
但在许多应用中，特别是在近几年发展的光纤系统中，光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差；热电型探测器不能获得很高的灵敏度。
而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件，是该波长区理想的光接收器件。
一、耗尽层光电二极管
在半导体中，电子并不处于单个的分裂
能级中，而是处于能带中，一个能带有许多
个能级。
如图三所示。
能带与能带间的能量间隙称为禁带，禁带中没有电子，电子从下往上填，被电子全部填满的能带称为满带，最高的满带称为价带，紧靠在价带上面的能带称为导带，导带只有部分被电子填充，或是全部空着。
内光电效应发生在导带与价带之间。
价带中的电子吸收了入射光子的能量h ν后被激发到导带中去，于是在导带中产生一个能自由运动的电子，而在价带中留下一个空穴，空穴可以看作是一个带正电的载流子。
空穴可以在价带中自由移动。
因此，当入射光子在半导体的夹带和导带中激发产生光生电子空穴对后，将改变半导体的导电性能。
以半导体为材料制成的光电二极管，其核心是P-N结。
P-N结是由P型半导体和N型半导体结合而成的。
由于扩散作用始终是浓度高的向浓度低的运动，所以P型和N型合在一起时，P区的空穴会向N区移动，N区的电子会向P区移动。
结果会使P区变负，N区变正。
电荷堆积在P-N结两侧形成自建电场，其方向由N指向P。
该自建电场阻止空穴和电子的进一步扩散并使之逐渐达到平衡，于是在P-N结区形成了耗尽层。
为了提高光电二极管的响应速率，我们希望光生电子空穴对的产生尽量发生在耗尽层内，因为在这一区域内一旦产生电子空穴对，电子和空穴立即被P-N 结内强烈的自建电场分开而各自向相反方向作漂移运动，如图4所示：由于自建电场很强，所以电子和空穴漂移
运动的速度很快，如果光生电子空穴对在耗尽
层外产生，由于耗尽层外没有自建电场，所以
电子和空穴只能靠扩散到达P-N结区，会慢上
许多，将影响探测器的响应速率。
所以实际上
使用时，会将光电二极管反向偏置，即N接正，
P接负，外加电场和自建电场方向相同。
这使
得P-N结两侧的势垒进一步加大，耗尽层宽度
进一步加宽，允许更多的光生电子空穴对在高场强区产生，从而进一步提高光电二极管的性能。
所以耗尽层光电二极管实质上是一个反向偏置工作的二极管，其反向工作电
流受入射光调制。
二、雪崩光电二极管
雪崩光电二极管有内部增亦或放大作用，一个入射光子可以产生10-100对光生电子空穴，使光电流大大增加，明显提高了光电探测器的灵敏度。
雪崩光电二极管内部增益如何产生
呢？
如前所述，在反向偏置二极管的耗尽
层中，存在着一相当强的电场。
反向偏置
电压越高，耗尽层中电场强度越大。
如果耗尽层中的电场强度达到非常
高时，例如：对半导体硅雪崩光电二极管
来说，电场强度超过105V/cm时，在耗尽
层中的光生电子和空穴会被强电场加速
而获得巨大的动能，他们将于其他的原子
发生碰撞而激发产生新的二次碰撞电离
的电子空穴对。
这些新产生的电子空穴对
反过来又在耗尽层中被强电场加速而获
得足够的动能，再一次又与其他原子发生碰撞电离而激发产生更多的电子空穴对。
这样的碰撞电离一个接一个地不断发生，就形成所谓“雪崩”倍增现象，使光电流放大，如图5所示。
很明显，在半导体中，不仅电子可引起这种雪崩倍增，空穴同样会造成雪崩倍增。
所加的反向偏置电压低于某个确定电压时，即低于所谓雪崩电压时，由碰撞电离而产生的电子空穴对的总数是有限的，平均说来是正比于入射光子数或初始光生载流子数。
一个载流子穿过单位距离时，由于碰撞电离所产生的电子空穴对的平均数，称为载流子的离化率。
离化率和耗尽层内的电场强度密切相关。
不同的半导体材料，离化率不相同。
即使在同一种半导体材料中，不同类型的载流子的离化率也是各不相同的，即电子离化率和空穴离化率彼此不通。
雪崩光电二极管的一个重要问题是噪声问题。
除了一般光电探测器所具有的噪声之外，由于雪崩光电二极管有内部增益，因而还将引入附加噪声。
这种附加噪声和雪崩管内的碰撞电离有关。
理论证明，当只有一种载流子引起碰撞电离，那么雪崩光电二极管的噪声就比较低，他的增益带宽积才比较大。
也就是说，要么是由电子产生碰撞电离而空穴不产生碰撞电离，要么是由空穴产生碰撞电离而电子不产生碰撞电离，这样的雪崩光电二极管的性能才会比较好。
反之，弱电子和空穴这两种类型的载流子同时引起碰撞电离，就会使附加噪声增加，增益带宽积减小，从而导致整个雪崩光电二极管器件性能下降。
要实现只有一种类型的载流子产生碰撞电离，就要求半导体材料电子离化率和空穴离化率二者差值越大越好。
由于半导体硅的电子离化率和空穴离化率二者相差较大，因此硅是制作雪崩光电二极管较理想的材料之一。
除了半导体材料本身特性外，
还可以在工艺结构上采取一些措
施来尽量保证只有一种类型的载
流子才能产生碰撞电离。
例如：
可以设法将雪崩管中的耗尽层分
为吸收漂移区和高场倍增区。
让
入射光尽量在漂移区中被吸收而
产生出光生电子空穴对，然后只
让其中一种类型的载流子进入高
场强区域产生倍增。
图6（a）所
示的达通型硅雪崩光电二极管即此结构。
图6（b）是它响应个区域的电场分布。
达通型硅雪崩光电二极管简称为RAPD。
RAPD由n+-p-π-p+层组成，其中n+，p+分别表示重掺杂的n型和p型半导体，π表示p型高阻层。
在X1到X2之间为
n+的接触层，X2到X3是P型倍增区，雪崩倍增主要发生在这个区域。
从X3到X4是π漂移区，入射光子大部分在该区域被吸收，因为π区比P区宽的多。
X4以后是P+接触区，为雪崩管的衬底。
从这种结构的雪崩管内的电场强度分布有图可以看出，在n+-p靠近P区一侧电场强度最高，在低压反向偏置时，所加电
压大部分降落在该p-n+结区上，当外加反向偏压增大时，P型倍增区将随之加宽，在达通电压V下，一直拉通达到近似于本征半导体的π区，正因为如此，所以称之为“达通型雪崩光电二极管”。
当超过达通电压V后，外加电压将降落在包括整个π区的p-n结耗尽层上。
由于π区比p区宽的多，所以此时P型倍增区的电场随外加电压增大相对来说变化较慢，于是倍增因子的增加也相对较慢。
在正常工作时，虽然π区电场低于p-n+结倍增区电场，但仍然相当高，以便使在该区产生的光生载流子能以略低于产生二次碰撞电离的速度快速运动，这样才能保证雪崩管的快速响应。
π区相当宽，能保证入射光绝大部分在该区被吸收，而且只有在该区产生的初始电子空穴对中的电子才能进入p-n+结高场倍增区去产生碰撞电离，获得增益。
在π区产生的空穴是向相反方向运动的，不可能进入高场倍增区，从而抑制了空穴产生碰撞电离得可能性。
虽然在n+区和P区由入射光子所产生的空穴也可能在高场区中发生碰撞电离，但毕竟n+和p区很窄，所以在该区产生的初始光生空穴很少。
另外，硅的空穴离化率比电子离化率小很多，因此，硅雪崩管的空穴在倍增过程中起的作用很小，在倍增区主要靠一种载流子，即π区来的电子产生碰撞电离，如前所述，当只有一种载流子产生碰撞电离时，雪崩管的响应速度就比较快，而由倍增所引入的过剩噪声也就较小。
总结：
硅光电探测器的应用十分广泛，在光通信、光纤传感、激光测距、跟踪、制导、自动控制以及激光唱机、商品条码读出器、计算激光笔等方面都有很大的应用。
具有小型、坚固、可靠、低功耗等优良特点。
在未来的生产生活中将不可或缺。