光电探测器

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有机光电探测器的定义和分类

有机光电探测器的定义和分类

有机光电探测器的定义和分类有机光电探测器是一种通过有机材料将光信号转化为电信号的器件。

它具有结构简单、加工工艺成本低、可用于大面积器件制备等优点,因此被广泛应用于光电信息处理领域。

根据其工作原理的不同,有机光电探测器可以分为光电导型、光电流型和光电压型三类。

光电导型有机光电探测器是指那些在光照下,其电导率会随着光强度的增加而增加的器件。

这种器件的工作原理是利用光子的能量将有机材料中的电子激发到传导带中,从而形成电导电流。

光电导型有机光电探测器通常由有机半导体材料构成,例如聚合物、小分子化合物等。

这类器件具有响应速度较快、灵敏度较高、制备工艺简单等优点,因此在光通信、光存储、光传感等领域有着广阔的应用前景。

光电流型有机光电探测器是指那些在光照下,其输出信号是光电流的器件。

这种器件的工作原理是利用外界光照下的光子能量将有机材料中的载流子激发到传导带或者价带中,从而产生电流。

光电流型有机光电探测器通常由有机半导体材料构成,例如聚合物、小分子化合物等。

这类器件具有高电流响应、低噪声等特点,适用于光通信、光传感等领域。

光电压型有机光电探测器是指那些在光照下,其输出信号是光电压的器件。

这种器件的工作原理是通过光激发的载流子在有机材料中产生空间电荷分离形成电压信号。

光电压型有机光电探测器通常由有机半导体材料构成,例如聚合物、小分子化合物等。

这类器件具有高电压响应、低噪声等特点,适用于成像传感器、光电转换器等领域。

除了根据工作原理的分类,有机光电探测器还可以根据其器件结构的不同进行分类。

常见的有机光电探测器结构包括有机薄膜型、有机异质结型、有机量子阱型等。

其中,有机薄膜型具有制备工艺简单、成本低廉等优点,适用于大面积器件制备;有机异质结型具有电荷分离效果好、较高的光电转换效率等特点,适用于高性能光电器件制备;有机量子阱型则具有高载流子迁移率、低激子束缚能等特点,适用于光电转换效率、响应速度等要求较高的器件制备。

光电探测器

光电探测器

单光子雪崩二极管探测器构成和分类
SPAD探测成像技术主要包括: 单光子雪崩二极管、雪崩淬灭电路、雪崩信号读取电路三部分
其中淬灭电路,分为: 被动式淬灭、主动式淬灭、门脉冲淬灭 雪崩信号读取电路,根据每次能够读出的像素数目可分为: 像素串行读出、像素并行读出、列并行读出
三 单光子雪崩二极管的工作原理
Vs ( ) RV ( ) P ( )
I s ( ) RI ( ) P ( )
④ 频率响应度
频率响应度R(f):响应度随入射光频率而变化的性能 参数。其表达式为:
R0 R( f ) [1 (2f ) 2 ]1/ 2
式中R(f)为频率为f 时的响应度;R0为频率为零时的响 应度;为探测器的响应时间或称时间常数,由材料和外 电路决定。
单光子雪崩二极管的工作原理
单光子雪崩二极管就是利用APD 的雪崩效应使光电流得 到倍增的高灵敏度的光子检测器。理论上,当APD 的反 向偏压无限接近其雪崩阈值电压时,认为电流增益接近 无穷大;实际上,当APD 的反向偏压不超过雪崩电压时, 电流增益增长到一定量就会饱和 ,该饱和值无法确保 APD 一定能够检测到单光子信号。因此,通常使APD 两 端的偏置电压高于其雪崩电压,确保当有光子信号到达 时,APD 会被迅速触发而产生雪崩,这种偏置方式称为 盖革模式。由于APD 只有工作在盖革模式下才具备单光 子探测能力,所以通常直接用单光子雪崩二极管(SPAD) 来表示。
SPAD的探测机理
拉通结构将吸收区和倍增区合二为一,漂移区和倍增区分开, 这种特点保证了SPAD高量子效率、高响应速度和高内部增益的 优点。宽尺寸的π 区能够吸收大部分的入射光子,并确保只有 在该区产生的光生载流子才能进入倍增区引发碰撞电离。N+区 和P 区都很窄,所以光生空穴进入高场区中发生碰撞电离的贡 献很小;π 区的光生空穴向相反方向运动,不可能进入高场倍 增区。另一方面,硅材料中空穴离化率比电子离化率小的多, 所以硅雪崩管主要是靠电子在倍增区产生碰撞电离。噪声主要 由雪崩过程的随机起伏引起,只有一种载流子引起碰撞电离, 噪声也就比较小。

光电探测器原理及应用

光电探测器原理及应用

光电探测器原理及应用
光电探测器是一种能够将光信号转化为电信号的装置,其基本原理是利用光的能量激发材料中的电子从而产生电流。

根据光电效应的不同机制,光电探测器通常可以分为光电二极管、光电导、光电二极管阵列等多种类型。

光电二极管是最基本的光电探测器之一,其工作原理是光照射到光敏材料表面时,材料中的电子会被光激活并跃迁至导带中,从而形成电流。

光电二极管具有响应速度快、灵敏度高等特点,广泛应用于光通信、光谱分析、光电测量等领域。

光电导是一种利用光照射后材料电阻发生变化的光电探测器,其工作原理是光激发后,光电导材料中的载流子浓度发生改变,从而引起电阻的变化。

光电导具有较高的灵敏度和较宽的光谱响应范围,可广泛应用于光谱分析、光学测量、遥感等领域。

光电二极管阵列是由多个光电二极管组成的阵列结构,可以同时检测多个光信号,具有高灵敏度和高分辨率的特点。

光电二极管阵列常被用于光通信、图像传感、光谱分析等领域,如CCD(电荷耦合器件)摄像头就是经典的光电二极管阵列应
用之一。

此外,光电探测器还广泛应用于激光测距仪、扫描仪、光电子显像、医学诊断、环境监测等领域。

例如,激光测距仪利用光电探测器检测激光脉冲的发射和接收时间差,实现对目标距离的测量;扫描仪利用光电探测器对扫描光线的反射或透射光进行检测,实现图像的数字化处理和存储。

总之,光电探测器通过将光信号转化为电信号,实现了光能量的检测和测量。

其应用领域广泛,并在科学研究、工业生产、医疗诊断等领域发挥着重要的作用。

光电探测器

光电探测器

2、光电导(PC)探测器
其工作原理基于内光电效应。 光电导效应?
半导体吸收能量足够大的光子后,会把其 中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚 态激活到能导电的自由态,从而使半导体 电导率增加。
(1)特点
光电导探测器的结构一般为金属一半导体 一金属(测
一、 光电探测器的定义 及工作原理
光电探测器接收光信号并进行光电转换, 是半导体电子学的重要器件,是光电系统中 的重要组成部分,被称为这类仪器的“心 脏”。
光电探测器是利用入射的光子流与探测 材料中的电子之间直接互相作用,从而改变 电子能量状态的光子效应来制作的一类器件。
二、光电探测器的分类
PE探测器
2001年,美国军方实验室的Liang等人利用 MOCVD方法以蓝宝石为衬底生长ZnO薄膜,制 备出MSM结构肖特基型紫外探测器。
2004年,浙江大学叶志镇等利用磁控溅射生 长的ZnO薄膜,采用Au电极形成肖特基接触, Al电极形成欧姆接触,在Si(100)衬底上制 备出肖特基型ZnO紫外探测器,Si3N4为绝缘 隔离层,器件性能较好。
光电探测器
PC探测器
PV探测器
1、光电子(PE)发射探测器
此探测器的工作原理是基于外光电效应。
当辐射照射在某些金属、金属氧

化物或半导体材料表面时,若光
光 电
子能量hv足够大,则足以使材料

内一些电子完全脱离材料从表面

逸出。
与外光电相对应的则为内光电效应,两 者的不同点在与内光电效应的入射光子并不 直接将光电子从光电材料内部轰击出来,而 只是将光电材料内部电子从低能态激发到高 能态,于是在低能态留下一个空位一空穴对, 而在高能态上产生一自由移动的电子,形成 光生电子一空穴对。通过检测这一性能的变 化,来探测光信号的变化。本节主要讨论的 利用内光电效应的光电探测器的制备及其性 能特点。

光电探测器

光电探测器
Id为探测器的暗电流,M为探测器的内增益
种类
• • • • 真空管光电探测器(PMT等) 半导体光电探测器 热电探测器 多通道探测器、成像器件
1.真空管光电探测器
• 利用在真空中光阴极受光辐照后产生光电子发射效应
光电阴极材料 • 光吸收系数大 • 传输能量损失小 • 光电子逸出功低
探测器窗口 • 透过率大
G n
AE

1.2光电倍增管
主要指标:
4. 暗电流 • 主要来源于阴极和倍 增级的热电子发射 • 决定了光电倍增管可 探测的最小光功率 • 暗电流与管子的工作 温度以及所加电压有 关
1.2光电倍增管
主要指标:
5.噪声等效功率 • 与阳极暗电流相等 的阳极输出电流所 需要的光功率决定 了光电倍增管可探 测的最小光功率 • ~10-15—10-16瓦, • ~10-18—10-19瓦(冷 却后),单光子探 测水平
单位时间内流出探测器件的光电子数与入射光子数之比
如有一探测器的灵敏度为0.5 A/W,其量子效率 为多少(光波长为1um)?
光探测器-参数
2.噪声等效功率(NEP) • 信噪比: SNR 信号的峰值和噪声的有效值(√带宽)之比
• NEP
NEP P S / N 1/ Hz
单位为W/Hz1/2
R1
C
R2
Vs
fC
图2.3 探测器的频率响应
f
Vmax
1 = c
T
i t dt
0
光探测器-参数
响应光谱 频谱响应 噪声
光探测器-噪声
1. 热噪声(thermal noise 或称Johnson noise)
白噪声
热噪声均方振幅电压值:

什么是光的光电探测器和光电导

什么是光的光电探测器和光电导

什么是光的光电探测器和光电导?光的光电探测器和光电导是光电传感器的重要类型,用于检测和测量光信号。

本文将详细介绍光的光电探测器和光电导的原理、结构和应用。

1. 光电探测器(Photodetector)的原理和结构:光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件。

它基于光子的能量被半导体材料吸收,激发带载流子,从而形成电流的原理。

最常见的光电探测器类型是光电二极管(Photodiode)和光电倍增管(Photomultiplier Tube),前文已经详细介绍过。

除了这两种常见类型,还有其他一些光电探测器,如光电晶体管、光电场效应晶体管和光电导等。

光电探测器的结构和工作原理与具体的类型有关。

总体而言,光电探测器通常包括光敏元件、电极、引线和封装等部分。

光敏元件是用于吸收光信号并产生电荷载流子的材料,电极用于收集和测量电流,引线用于连接光电探测器与外部电路,封装则是保护和固定光电探测器的外壳。

2. 光电探测器的应用:光电探测器在许多领域有着广泛的应用,包括但不限于以下几个方面:-光通信:光电探测器用于接收光信号,将光信号转换为电信号,并通过电路进行处理和解码,实现光通信的接收端。

-光测量:光电探测器可以用于测量光的强度、波长、频率和相位等参数,用于光谱分析、光度计和光谱仪等。

-光电检测:光电探测器可以用于检测物体的存在、位置和运动等,用于光电开关、光电传感和光电探测等应用。

-光电能转换:光电探测器可以将光能转化为电能,用于太阳能电池板和光伏发电系统等。

3. 光电导(Photoconductor)的原理和结构:光电导是一种能够根据光信号的强度来改变电导率的材料。

光电导的原理是光照射到材料上时,光子的能量被吸收,激发带载流子,从而改变材料的导电性能。

光电导材料通常是半导体材料,如硒化铟(Indium Selenide)、硒化镉(Cadmium Selenide)和硒化铅(Lead Selenide)等。

光电探测器 标准

光电探测器标准
光电探测器的标准通常包括以下几个方面:
响应度:光电探测器产生光电流与入射光功率之比,单位通常为A/W。

响应度与量子效率的大小有关,为量子效率的外在体现。

量子效率:描述光电探测器将光子转换为电子的能力。

暗电流和噪声:在没有光入射的情况下,探测器存在的漏电流被定义为暗电流。

其大小影响着光接收机的灵敏度大小,是探测器的主要指标之一。

等效噪声功率(NEP):代表光电探测器的噪声水平。

跨阻增益:单位有的是V/A,有的是V/W,意思是输出电压信号幅度除以输入光电流或者光功率。

带宽:带宽是衡量光电探测器响应速度的指标。

输出信号幅度:在高频的光电探测器有的会做限幅处理,只有两三百毫伏,这将影响动态范围。

探测功率过大可能会导致探测器饱和无法探测到真实值,甚至烧坏探测器。

光纤接口还是自由空间光,两种类型的光敏面相差很大。

电源供电,双电源还是单电源。

这些标准因不同的光电探测器和应用而有所不同,选择适合的探测器需要考虑这些因素以达到最佳性能。

光电探测器简介演示

光电探测器简介演 示
contents
目录
• 引言 • 光电探测器的基本原理 • 光电探测器的种类与特点 • 光电探测器的性能指标 • 光电探测器的应用案例 • 总结与展望
01
CATALOGUE
引言
什么是光电探测器
• 光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的装置,它利用 了光的能量和物质的相互作用来产生电信号。光电探测器在许 多领域都有广泛的应用,如光学通信、光谱分析、环境监测、 安全监控等。
安全监控
光电探测器可以用于安全监控,例如在机场、银行等场所 的监控系统中,光电探测器可以检测到人员的活动和物体 的移动。
02
CATALOGUE
光电探测器的基本原理
光-电转换原理
光-电转换是光电探测器的基本工作原理,即通过接收光子,将光信号转换为电 信号。
光电探测器中的光敏元件(如光电二极管、雪崩光电二极管等)能够将入射光子 转化为电子-空穴对,这些载流子在外加电场的作用下定向移动,形成电信号输 出。
光电探测器的应用场景
光学通信
光电探测器可以将光信号转换为电信号,从而实现信息的 传输和处理。在光纤通信中,光电探测器是必不可少的器 件之一。
环境监测
光电探测器可以用于监测环境中的光辐射水平,从而对环 境进行评估和管理。例如,它可以用于监测大气污染和海 洋环境中的光辐射水平。
光谱分析
光电探测器可以用于检测物质的光谱特征,从而对物质进 行分析和鉴别。在环境监测和化学分析中,光电探测器也 有广泛的应用。
光电探测器在医疗诊断中的应用
内窥镜
内窥镜结合光电探测器可以实时检测人体内部病变,提高医疗诊断的准确性和 效率。
医学影像
光电探测器在医学影像技术中也有广泛应用,如X光、CT等设备的图像采集和 处理系统中都离不开光电探测器的支持。

光电探测器原理与应用

光电探测器原理与应用光电探测器是一种将光信号转化为电信号的器件,是现代光电技术中的重要组成部分,广泛应用于通信、医学、物理学等领域。

本文将从光电探测器的原理、种类以及应用进行探讨。

一、光电探测器的原理光电探测器的原理基于光电效应,即光能被物质吸收后,其中的光子能激发物质内部的电子从价带跃迁到导带,形成电子空穴对,产生电流和电势差,将光信号转换为电信号并放大处理。

而光电探测器的基本结构,则由光敏材料、光电转换部件、电荷放大器等组成,具有宽频带、高响应速度等特点。

二、光电探测器的种类光电探测器主要分为以下几种:①硅光电二极管硅光电二极管是一种常见的光电探测器,其结构简单,大小小巧,响应速度快,但灵敏度较低。

硅光电二极管的光电转换部件为PN结,探测范围为红外线波段。

②掺铟镓光电二极管掺铟镓光电二极管响应范围为近红外至中红外波段,具有较高的灵敏度和响应速度,广泛应用于红外光谱分析、制导弹道等领域。

③掺铊锗光电二极管掺铊锗光电二极管响应范围为中红外波段,具有较高的探测率和灵敏度,广泛应用于红外光谱分析、空间测量等领域。

④光电倍增管光电倍增管响应范围涵盖紫外线至近红外波段,具有高灵敏度、高信噪比和低失真等特点,广泛应用于低光强度信号的检测和测量。

⑤光伏噪声探测器光伏噪声探测器是一种激光光源的光功率变化探测器,响应波长范围覆盖整个光谱,具有高信噪比、高稳定性等特点,广泛应用于光通信、激光测距、光谱分析等领域。

三、光电探测器的应用光电探测器具有广泛的应用领域,其中主要包括:①光通信光电探测器在光通信中起到重要作用,光电二极管和光电倍增管是常用的探测器。

光电探测器接收光信号并转换为电信号,再经过解调和放大处理后,完成光通信中数据的传输和接收。

②光谱分析光电探测器在光谱分析领域中广泛应用,通过对不同波长的光线进行探测和分析,完成对样品的化学成分、结构和性质的测量和研究。

掺铟镓光电二极管和光伏噪声探测器是常用的光谱探测器。

光电探测器的性能参数


光电探测器的应用领域包括通 信、医疗、军事等
光电探测器的分类包括光电二 极管、光电三极管、光电倍增 管等
光电探测器的分类
按照工作原理分 类:光电管、光 电倍增管、光电 二极管、光电三 极管等
按照响应波长分 类:紫外探测器、 可见光探测器、 红外探测器等
按照响应速度分 类:慢速探测器、 快速探测器、超 高速探测器等
技术更新:光电探测器技术不 断更新,需要不断研发新产品
法规限制:法规限制光电探测 器的应用范围,需要寻找新的
应用领域
环保要求:环保要求不断提高, 需要研发环保型光电探测器
应用挑战
提高灵敏度:提 高光电探测器的 灵敏度,以适应 更广泛的应用领 域
降低功耗:降低 光电探测器的功 耗,以延长其使 用寿命和降低成 本
噪声功率
影响因素:光 电探测器的灵 敏度、噪声系
数、带宽等
测量方法:通 过测量光电探 测器的输出信 号与噪声信号 的比值来计算
应用:在光电探 测系统中,噪声 等效功率是评估 探测器性能的重
要指标之一
探测率
探测率是指光电探测器在单位时间内接收到的光子数 探测率与光电探测器的灵敏度、响应时间、噪声等因素有关 探测率是衡量光电探测器性能的重要参数之一 提高探测率可以提高光电探测器的探测效率和精度
提高稳定性:提 高光电探测器的 稳定性,以适应 各种恶劣环境
提高集成度:提 高光电探测器的 集成度,以实现 更小型化和便携 化的应用
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工业测量:用于 测量温度、压力、 流量等工业参数
工业检测:用于 检测产品质量、 缺陷等
医疗领域
生物医学研究:用于细胞、 组织、器官的成像和检测
医疗影像诊断:用于X射线、 CT、MRI等设备的成像
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光电探测器
冯斌 吴志鹏 梅卫龙 陈进
光纤通信系统对光电探测器的要求:
(1)在工作波长上光电转换效率高,即对一定的入射光 信号功率,光探测器能输出尽可能的光电流; (2)检测过程中带来的附加噪声尽可能小; (3)响应速度快、线性好及频带宽,使信号失真尽量小; (4)高可靠长寿命,尺寸可与光纤直径匹配,工作电压 低等。
暗电流
• 在理想情况下,当没有光照射时,光电探测器应无光电流输出。但是 实际上由于热激励、宇宙射线后放射性物质的激励,在无光的情况下, 光电探测器仍有电流输出,这种电流称为暗电流。
• 严格的说,暗电流还包括器件表面的漏电流。暗电流由体内暗电流和 表面暗电流组成。器件的暗电流越小越好。
光电探测器的噪声
1
光电探测器原理及结构
• 光电探测器的作用是把接收到的光信号转换成光 电流,其工作原理是基于光电效应来实现的。
• 光电效应:入射光照射到半导体的P-N结上,若光 子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收 光子的能量,从价带越过禁带跃迁到导带,在导 带中出现光电子,在价带中出现光空穴,即光电 子-空穴对,导带价带中间的能量间隔称为禁带 (带隙)宽度Eg 。
光电探测器的噪声
• 散弹噪声 源自光的波粒二重性:光子以其统平均值产生随机波动,这种光子
激发产生的电子-空穴对也具有随机波动的特性产生散弹噪声。
2 S
2eIP B
2eId B
式中,I P为产生光电流,I d为暗电流,B为设计的带宽
• 热噪声 负载电阻 内部自由电子或电荷载流子的不规则热骚动引起。是
光电探测器原理及结构
• 光电探测器主要由P-N结(组 件外部电场),耗尽区(组件 内部电场)组成。 P-N结器件 加反向偏置电压,形成耗尽区, 当入射光进入耗尽区,产生电 子-空穴对(光生载流子), 形成光电流
• 产生光电效应需要一定的条 件:反向偏置电压足够大 (约5~10V);入射光 的光子能量大于或等于禁带 宽度
材料的性质有关,且是波长的函数)
• 光电探测器吸收光功率后产生的一次光电流可表示为:
IP
e
h
P0 1 eW
1 Rf
式中,W为耗尽区宽度, 为材料界面的菲涅尔反射系数

光电探测器的特性
1
响应度
2
量子效率
3
响应时间
4 暗电流与噪声
响应度与量子效率
1. 响应度:定义为平均输出光电流与平均入射光功率
• 对于某种材料来说要获得高的量子效应,则要有相对较厚的耗尽区,但是较厚 的耗尽区意味着光电效应所产生的电子-空穴对要相对较长的时间才能到达结边 被收集,这样就降低额响应度。
响应时间
3. 响应时间 表征半导体光电二极管产生的光电流跟随入射光信号变化快慢的状态。
通常用光检测器受阶跃光脉 冲照射时,输出脉冲的前沿10% 点到90%点之间的时间间隔(即 上升时间)来衡量(如右图)。
• 波长敏感探测器(WS):用于检测单色光波长或复合光的峰值波 长,光谱分辨率可达0.01nm。
零均值的高斯随机过程,在整个带宽内具有均匀的噪声谱,也即白噪声。
式中,
2 T
4kTB RL
为波尔兹曼常数(k 1.381023 J K ), 为绝对温度(K)
忽略环境噪声等,可近似计算光电探测器的噪声为散弹噪声与热噪声之和,也即
2
2 S
2 T
3
光电探测器的应用
光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、 位敏探测波长感应探测器。
之比,即
R Ip P0
A W
2. 量子效率:定义为单位时间内产生的光电子数与入
射光子数之比,表示入射光子转换成光电子的效率。即
通过结区的光生载流子数(光生电子-空穴对数)
入射到器件上的光子数
Ip பைடு நூலகம் P0 hf
显然,响应度与量子效率之间满足关系:
R e h
响应度与量子效率
• 响应度和量子效率都是描述器件光电转换能力的物理量,但是他们分析 的角度不同。响应度是在外部电路中呈现的宏观灵敏特性,而量子效率 是器件在内部呈现的微观灵敏特性。
• 光信号入射到探测器上时的随机起伏及光电子产生和收集过程的统计 特征。信号光电流中不但有信号成分,还有噪声成分,这种噪声称为 散弹噪声(量子噪声),它与信号的电平成正比。
• 无光照时光检测机器中流通的暗电流噪声(散弹噪声,受增益影响)。 • 表面漏电流产生的散弹噪声,与倍增过程无关。 • 背景噪声
Eg eV
光电探测器原理及结构
• 为使光功率能够有效的转换成光电流,要求入射光必须在耗尽区内被 半导体材料有效的吸收,因此要求耗尽区要足够的厚,并且材料对入 射光的吸收要足够的大。在厚度为W内被材料吸收的光功率可以表示 为:
PW P0 1 e W
式中, P0 为入射光的的光功率;()为材料的吸收系数(其大小与
• 光电二极管(PIN):应用于一般通用场合。针对特殊应用,可以 增加探测器信号放大和探测器前置滤光片。
• 雪崩光电管(APD):主要用于微弱信号场合,同时具备快速响应 能力,可以提供各种尺寸和封装类型。
• 四象限探测器(Quadrant):由一个四激活区域的芯片组成,主 要应用于位置传感。
• 位敏探测器(PSD):入射光能量转换为位置相对的连续电流输出, 位置信号是相对于入射光的“光学中心”。
从上升时间可以看出光检测 器的3dB带宽为(此式不解释):
Be
0.35
r
光检测器的脉冲响应
响应时间
在接收机中使用时必须与偏置电路及放大器连接,因 此在讨论光检测器的响应时间时必须计及它们的影响,并 且由于光检测器本身的性质以及其外接电路,其响应时间 受多方面因素影响:
影响响应时间的因素主要有: • (1)从光入射光敏面到发生受激吸收的时间; • (2)耗尽区光生载流子的扩散时间; • (3)耗尽区外光生载流子的漂移时间; • (4)雪崩倍增建立时间(仅对于APD); • (5)光电二极管及与其相关的电路RC时间常数。
光电探测器原理及结构
• 当光照射在某种半导体材料制成的半导体光电二极管上时,若要 有光电子-空穴对产生,必须满足如下的关系:
h Eg
式中,h为普朗克常数( h 6.6261034 J s)
• Eg代表的是禁带宽度,h 则代表光子的入射能量,于是我们可
以分别推出入射光的截止波长:
c
m
hc Eg
1.24
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