基于APD的光电探测器电路研究与设计(1)

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广东工业大学-基于APD的红外极微弱光探测器的设计及相关特性研究

广东工业大学-基于APD的红外极微弱光探测器的设计及相关特性研究
摘 要
摘 要
随着高度信息化的到来, 信息交换 的安全性变得越来越重要,目 前的保密通 信使用的是经典密钥, 窃听者 可以复制或窃取经典密钥而不被发现 ,从严格意义 上 来讲并不是十分安全的。 而量子保密通信体制的最大特点就是安全. 其安全性 是由量子力学的基本原理— 测不准原理和单光子不可克隆原理所保证 的, 在量
广东工业大学硕士学位论文
关键词: 量 子保密 通信; 雪崩光电 二极管; 单光子探测; 半导 体制冷; 雪崩 抑制
A b s t r a c t
Wi t h t h e a r r i v a l o f h i g h l y i n f o r m a t i o n a l i z e d a g e , t h e s e c u r i t y o f i n f o r m a i t o n e x c h a n g e b e c o m e s m o r e a n d m o r e i m p o r t a n t . C l a s s i c a l k e y i s u s e d i n p e r s e n t s e c u r i y t c o m m u n i c a t i o n . S n o o p e r c a n m a k e d u p l i c a t e o r s t e a l t h e c l a s s i c a l k e y w i t h o u t b e i n g d i s c o v e r e d . S o t h i s t r a d i t i o n a l e n c yp r t i o n i s n ' t s a f e e n o u g h . T h e g r e a t e s t a d v a n t a g e o f q u a n t u m s e c u r i y t c o mm u n i c a t i o n s y s t e m i s t h e s e c u r i y t . I t i s b a s e d o n t h e q u a n t u m me c h a n i c s a n d c r y p t o g r a p 勿,t h e s e c u r i t y i s g u a r a n t e e d勿 t h e b a s i c q u a n t u m p r i n c i p l e -H e i s e n b e r g ' s u n c e t r a i n y t p r i n c i p l e a n d t h e q u a n t u m n o n c l o n i n g p r i n c i p l e N 曲。 勿c a n e s c a p y o f t h e l e g a l u s e r s . A t p r e s e n t , t h e e x p e r i me n t a n d r e s e a r c h o f q u a n t u m s e c u r i y t c o m mu n i c a t i o n h a v e a l r e a d y b e e n d e v e l o p e d a t f u l l s p e e d . T h e e r s e a r c h c o n t e n t s i n c l u d e t h e t e c h n o l o g y o f s i n g l e - p h o t o n s o u r c e , q u a n t u m c o d e , q u a n t u m i n f o r m a t i o n d e l i v e r s , a n d s i n g l e p h o t o n d e t e c t i o n e t c . N e a r - i n r f a r e d s i n g l e p h o t o n d e t e c t i o n i s o n e o f t h e k e y p r o b l e m s o f r e a l i z i n g t h e q u a n t u m s e c u r i y t c o m m u n i c a t i o n . D o m e s t i c e r s e a r c h i n t h i s a s p e c t i s s t i l l r e l a t i v e l y b a c k w a r d t o f o r e i g n c o u n t r i e s . T h e p u r p o s e o f t h i s a t r i c l e i s i n o r d e r t o d e s i g n a k i n d o f s t e a d y , h i g h - e f f i c i e n t a n d l o w n o i s e s i n g l e - p h o t o n d e t e c t o r s y s t e m b a s e d o n t h e c h a r a c t e r o f c o m me r c i a l l y a v a i l a b l e a v a l a n c h e p h o t o d i o d e s ( A P 功, a n d d o s o m e p r e v i o u s t e c h n i c a l r e s e a r c h . Ar t i c l e i n t r o d u c e s t h e b a c k g ou r n d a n d m e c h a n i s m o f q u a n t u m c r y p t o g r a p h y , a n d t h e d o m e s i t c a n d i n t e r n a t i o n a l e r c e n t r e s e a r c h . W e h a v e a n a l y z e d t h e el r a t i v e m e r i t s a n d d e v e l o p m e n t o f s i n g l e p h o t o n d e t e c t o r s . T h e s p e c i a l o p e r a i t o n p r i n c i p l e a n d s e v e r a l k i n d s o f w o r k p a t e n r s o f A I D i n s i n g l e - p h o t o n d e t e c i t o n a r e i n r t o d u c e d h e r e . I n t h i s t h e s i s w e h a v e a n a l y z e d a n d e r a l i z e d t h e s i n g l e - p h o t o n p u l s e o u t p u t b y f i b e r o p t i c c o u p l e r w i t h a t e n u a i t o n m e t h o d . We h a v e ma d e a n o v e r a l l d e s i g n t o t h e s i n g l e - p h o t o n d e t e c t i o n s y s t e m i n c h a p t e r t h r e e , i n c l u d i n g h i g h - e f f i c i e n t l o w r i p p l e d i r e c t c u r e n t b i a s v o l t a g e o f A P D , t e m p e r a t u e r - c o n t r o l l e d s y s t e m s , d e s i g n i n g o f c o n s t a n t t e m p e r a t u r e c a v i y t , u l t r a s h o t r p u l s e f r o m c a b l e a n d s i n g l e p h o t o n s i g n a l d i s i t n g u i s h t e c h n o l o g y . We h a v e t e s t e d s o m e k i n d s o f A I D o f d i f e r e n t c o m p a n y a n d h a v e a n a l y z e d t h e i r t e m p e r a t u r e , g a i n a n d n o i s e c h a r a c t e r i s t i c i n c h a p t e r f o r. u We f o u n d t h a t t h e E p i t a x x - A P D h a s a g o o d a v a l a n c h e - g a i n c h a r a c t e r i s t i c , s o t h i s k i n d o f A P D i s v e y r s u i t a b l e f o r

s APD光电探测器的研制的开题报告

s APD光电探测器的研制的开题报告

10Gb/s APD光电探测器的研制的开题报告一、研究背景随着数字化进程的加速和云计算、大数据、物联网等新兴技术的快速发展,对高速、高精度的数据传输和通信技术的需求不断增加。

光电探测器因具有高速、低噪声、低失真等优点,在光通信、光纤传感等领域应用十分广泛,已成为光电子器件研究领域的热点之一。

在高速光通信系统中,光电探测器被广泛应用于光接收端,它能将光信号转换成电信号并输出到下游电路中,起到重要的作用。

由于数据传输速率的不断提高,对光电探测器的性能要求也越来越高。

当前市场上主流的光电探测器速率已经达到了40Gb/s,但其制造工艺较为复杂,成本较高,阻碍了其广泛应用。

因此,研究10Gb/s APD光电探测器,不仅可以满足当前市场需求,还能减少制造成本,具有很高的研究价值和应用前景。

二、研究内容和方法本研究旨在开发一种基于APD技术的10Gb/s光电探测器,具有高速、低噪声和低失真等性能优势。

研究内容如下:1. 研究APD光电探测器的基本原理,分析其性能特点和优缺点。

2. 研究APD光电探测器的设计方法和制作工艺,包括器件结构设计、加工工艺、材料选择等方面。

3. 利用工艺流程和设备,制备出基于APD技术的10Gb/s光电探测器原型样机。

4. 针对原型样机进行性能测试和评价,分析其电路性能、噪声特性、速度响应等方面。

5. 基于原型样机的测试数据研究其应用性能在光通信等领域中的实际应用前景,并给出相应的改进建议。

本研究采用理论分析、仿真建模、器件制备和性能测试等多种研究方法相结合,以保证研究的全面性和可靠性。

三、研究意义本研究通过设计、制备和测试APD光电探测器原型样机,填补了我国10Gb/s光电探测器制备的空白,具有以下研究意义:1. 探索了一种新的高速光电探测器制备方法,为我国光电子器件领域打开了新的研究方向。

2. 实现了在10Gb/s级别下的光电探测器制造,满足了当前市场需求,具有广阔的应用前景。

3. 在材料、工艺等方面进行了创新性的研究和改进,为以后光电探测器的制作提供了重要的技术基础和经验。

APD读出电路设计

APD读出电路设计

2X8低噪声InGaAs/InPAPD读出电路设计0引言在红外通信的1310〜1550nm波段,高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs/InPAPD,两者相比较,InGaAs/InPAPD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。

In0.53Ga0.47As/InPAPD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。

APD探测器的最大缺点是暗电流相对于信号增益较大,所以设计APD读出电路的关键是放大输出弱电流信号,限制噪声信号,提高信噪比。

选择CTIA作为读出单元,CTIA是采用运算放大器作为积分器的运放积分模式,比较其他的读出电路,优点是噪声低、线性好、动态范围大。

1工作时序和读出电路结构作为大阵列面阵的基础,首先研制了一个2X8读出电路,图1给出了该电路的工作时序,其中Rl、R2为行选通信号;Vr为复位信号;SHl、SH2是双采样信号;C1、C2、…、C8为列读出信号。

电路采用行共用的工作方式,R1选通(高电平)时,第一行进行积分,SH1为高电平时,电路进行积分前采样,SH2为高电平时,进行积分结束前的采样,C1、C2、…、C8依次为高电平,将行上的每个像元上信号输出;然后R2为高电平,重复上面的步骤,进行第二行的积分和读出。

图2是2X8读出电路的结构框图,芯片主要由行列移位寄存器、CTIA和CDS单元组成,图中用虚线框表示:移位寄存器单元完成行列的选通,CTIA功能块将探测器电流信号按行进行积分,CDS功能块能抑制电路的噪声,如KTC(复位噪声)、FPN(固定图形噪声)等;FPGA主要产生复位信号(Vr)和采样信号(SH1、SH2),触发电路的复位和采样动作,C8为该组信号的触发信号,解决和芯片内行列选通信号同步问题。

读出电路芯片照片(2mmx2mm) 为了便于和读出电路的连接仿真,首先根据器件特性建立了器件的电路模型,如图3(a)中的虚线框所示,其中Idet、Rdet、Cdet分别表示器件的光电流、阻抗、寄生电容。

APD光电二极管的特性测试及应用研究1

APD光电二极管的特性测试及应用研究1
由于硅半导体工艺技术业已完善成熟,特别容易与其他微电子器件结合,而且在制作硅基半导体器件时的Si薄膜材料有晶体型,无定型和多孔型等多种形式,应用灵活方便。因此硅基光电探测器对于探测波长为200nm-900nm的波段应用越来越普遍,而且在这个波段Si基光电子探测器的响应度比较高,但是随着波长的增加到1000nm左右的时候器件敏感响应度会很低。
[5]王庆有.光电传感器应用技术[M].北京:机械工业出版社,2007.10.
[6]其他:可网上搜索查找相关中文和外文文献。
3.进度安排
设计(论文)各阶段名称
起止日期
1
查阅文献资料,确定方案,写文献综述
2014.1.18-3.20
2
学习APD光电二极管的工作原理
2014.3.21-3.30
3
理解APD光电二极管的各项参数指标并测试
因此,拓宽硅基光电探测器件的探测波长范围及探测效率,不仅成为一个较为热点的研究领域,引起了各国科研工作者的兴趣,同时也成为光通信领域迫切需要克服的难题,是市场应用所需迫切解决的问题。最近几年人们尝试了各种方法来提高Si基APD的近红外探测效率,其中有增加Si基APD吸收层的厚度从而提高光子在Si中的吸收,然而随着APD体积的增加,不但提高了近红外处的量子效率,同样增加APD器件的暗电流和噪声,也提高了APD的响应时间,所以用这种方法提高APD近红外的敏感率并不是最好的方法。还有一种方法就是在APD器件表面设计一层防反射层,这层防反射层可以使入射光在APD器件的表面发生多次反射,从而增加了透入到器件内部的光子,也不会增加APD器件的体积,但是这种方法对工艺制作流程要求严格,成本较高,虽然能提高器件的整体效果但依然不能将1064nm处的光探测效率提高到理想的程度。
制约硅基APD在近红外方向特别是1064nm波段发展的原因有两个,第一,硅的禁带宽度是1.12eV,从而导致硅对1100nm处光的吸收截止。Si是间接带隙材料,在300K时硅的禁带宽度是1.12eV。因此硅的吸收截止波长是1100nm。从而导致由间接半导体材料制做的APD器件在截止波长附近吸收效率非常低。为了使硅基APD在1064nm处获得较高的量子效率,人们研发出使用其它半导体材料(锗、铟或者砷化镓)制作光电子器件,但是这些材料的光电子器件暗电流和噪声比较高,价格昂贵,而且与硅的晶格不匹配。或者改变硅基APD的结构设计,还可以使用飞秒激光微构造技术,来改变硅在近红外处的光吸收特性。第二,APD制造工艺过程中必须引入尽可能少的缺陷以减少暗电流,从而保证器件具有较高的信噪比。

基于InGaAs(P)InP APD的单光子探测器的研制和性能研究

基于InGaAs(P)InP APD的单光子探测器的研制和性能研究

基于InGaAs(P)/InP APD的单光子探测器的研制和性能研究单光子探测器是目前量子信息领域、激光雷达和生物医学等领域的关键器件。

基于InGaAs(P)/InP雪崩光电二极管(APD)的单光子探测器适用于近红外波段,制冷要求低,响应速度快,体积小巧,光纤与器件耦合较容易,实用性较强。

然而,相对于超导纳米线等性能更高的探测器以及用于可见光波段探测的光电倍增管和SiAPD,基于InGaAs(P)/InPAPD的单光子探测器的主要缺点在于其探测效率相对偏低,后脉冲概率较大。

单光子探测器常用于量子通信、激光雷达、荧光寿命分析等应用,不同应用对探测器的性能和工作条件要求差别较大,且其各项性能指标受外部参数影响较大。

研究单光子探测器的性能与其工作模式和参数的关系,特别是后脉冲效应与各参数的关系,针对不同应用系统研究不同侧重点的单光子探测技术,具有重要的研究意义和应用价值。

本论文研制了基于InGaAs(P)/InPAPD的近红外自由运转单光子探测器和门控单光子探测器,对其性能的测试方法和影响因素进行了研究,重点针对后脉冲效应进行了深入研究,并在激光测距系统应用中比较了两种探测器的性能及其对系统性能的影响。

主要的研究内容如下:1.综合现有猝灭恢复电路的优点,设计了超低延迟的主动猝灭主动恢复(AQAR)电路,研制了高性能的自由运转单光子探测器。

设计了在APD的阳极或阴极进行雪崩提取和猝灭的多种不同AQAR电路组合,不同电路组合具有不同的猝灭延迟和不同的最大过偏压。

对不同电路组合的雪崩猝灭性能进行了比较研究,并以此为指导对电路结构进行改进。

利用商用SiGe集成电路比较器、高速E-pHEMT射频晶体管和电容平衡噪声抑制电路设计了超低延迟的AQAR电路,其中巧妙地利用了比较器自身的锁存功能实现雪崩后猝灭状态的锁存,降低了反馈环路延迟;引入了电容平衡法,较好地消除了微分噪声。

改进的AQAR电路使雪崩持续时间短至约1ns,显著提高了自由运转探测器的性能。

一种基于Si-APD的X射线单光子探测电路设计

一种基于Si-APD的X射线单光子探测电路设计

一种基于Si-APD的X射线单光子探测电路设计近年来,随着科技的不断进步和发展,医学成像技术起到了越来越重要的作用。

其中,X射线成像技术是一种常用的非侵入性检测方法,被广泛应用于医学和工业等领域。

X射线单光子探测电路是一种新型检测电路,能够实现对单个X射线光子的高灵敏度探测,为X射线成像技术提供了新的思路。

本文对于一种基于Si-APD的X射线单光子探测电路进行设计并制作。

首先,介绍了Si-APD材料的基本性质,包括其结构、工作原理以及输出信号等方面。

然后,针对Si-APD器件的特点进行研究,设计了一种适用于Si-APD器件的前置放大电路。

该电路能够对Si-APD器件输出信号进行放大和滤波,以便实现对单个X射线光子的检测和计数。

接着,对于整个电路进行系统仿真和设计优化。

通过分析电路中各个元件的参数,得到了电路的最优设计方案。

在电路实现方面,我们采用了基于PCB板的设计方式,通过专业的PCB设计软件进行设计,并在实验室中进行了实验验证。

实验结果表明,该X射线单光子探测电路具有高灵敏度和高精确度的特点,能够在非常低的噪声干扰下实现对X射线光子的检测和计数。

同时,在实验中能够得到精确的计数结果,并得出了正常工作范围内的重要性能指标,包括增益、计数速率和能量分辨率等。

本文的研究成果对于提高X射线成像技术的检测效率和精准度具有重要的意义。

随着科技不断进步和发展,X射线单光子探测电路在医疗、工业和科学等领域的应用前景将会更加广阔。

未来,随着医学影像技术的发展,X射线成像技术将得到进一步的升级和改进。

在这一过程中,X射线单光子探测电路的应用将更加广泛。

一方面,在医学领域中,X射线成像技术被广泛应用于疾病诊断和治疗监测等方面。

单光子探测电路的应用将极大地提高这些检测技术的灵敏度和准确性。

另一方面,X射线成像技术在工业和科学领域中也具有广泛的应用。

例如,被广泛应用于材料成像、无损检测、金属检测等方面,以及晶体学、物理学中的研究。

基于APD的远程激光测距系统光电匹配研究

基于APD的远程激光测距系统光电匹配研究

a d o t—l t nc sniv y r e vr2 B. ea s N jnt n tmprtr o o r L hn e ass n poe c oi e sii i so e 3 d B cue P u c o e ea e fp we D c ag scu e er tt s i u
( cec S h o, a gh u az U i ri , n zo 10 7 C ia S i e co lH nz o Di i nv st Hag h u 0 3 , hn ) n n e y 3
A src:A me t e a eet n h w t gth a lhg a o A a n h h tdo e AP ) i u s b tat i d t ci kI dtc o ,o e e tbe ih i f m v l ce oo id ( D cr i a a v we R i o t s g nr a P ct
难 与极 窄带 宽匹配。抑制 背景辐射的干涉滤光片带宽介于 1~ 5 m为宜。 0 1 n 关键词 :雪崩光 电二极管/ D;低噪 声放 大电路;温度补偿 电路 ;窄带宽干 涉滤光;红外背景辐射 AP
中 图分 类 号 :T ; T 1. N2 N327 文 献 标 志 码 :A d i 1.9 9 .s. 0.0 X2 l.1 0 o : 036 /i n1 35 1 .0 1 . 1 js 0 00
c mp e n i u t . rn i o u ・ f e u n y a d i e p n ea ei c e s d b N p a s trwi n i r v d o l me t r i T a ss rc to f q e c n s s o s r r a e y NP t et n i o t a cc s t r tr n y r s h mp o e

基于APD激光窄脉冲探测系统的研究

基于APD激光窄脉冲探测系统的研究

基于APD激光窄脉冲探测系统的研究崔一惟;贺伟【摘要】The laser narrow pulse detection system is mainly composed of transmitting and receiving parts. Since low⁃power laser narrow pulse signal is weak,it is urgent to improve the optical gain and the detection efficiency. The traditional method is to select a sensitive photoelectric detection device to solve the problem by amplifying circuit. The avalanche diode with internal gain is adopted in this paper as a photosensitive element. On the basis of this,the optical system is added to conduct amplifica⁃tion processing before detection,which can improve the efficiency of detection effectively.%激光窄脉冲探测系统主要是由发射和接收两部分组成,小功率的激光窄脉冲信号比较微弱,所以提高光增益增加探测效率是亟待解决的。

传统的解决手段是选择灵敏的光电探测器件,后续经过放大电路进行解决。

这里采用具有内部增益的雪崩二极管作为光敏元件,在此基础上增加光学系统,使探测前就进行放大处理,进而有效地提高探测效率。

【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2015(000)004【总页数】4页(P135-138)【关键词】激光探测;APD;温控系统;光学系统【作者】崔一惟;贺伟【作者单位】西安邮电大学,陕西西安 710061;西安邮电大学,陕西西安710061【正文语种】中文【中图分类】TN312+.7-340 引言随着1960年第一个红宝石激光器的诞生,相应的激光探测技术也越来越受人们的关注与研究,激光测距、激光雷达、激光制导等国防级应用都离不开窄脉冲激光探测技术[1]。

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得到补偿 。要放大频率在 10 M Hz 范围内的信号 ,光电
检测器与 A PD 配合使用的前置放大器件选用输入阻
抗大的结型场效应管较为有利 ,上述分析就为设计光电
探测器电路系统奠定了选择关键器件的基础 。
1. 3 噪声对光电探测器电路的影响
一般用作高灵敏度电子探测设备的光电探测器前
178
置放大电路 ,噪声系数要求很严格 。因为在放大微弱信 号的场合 ,放大器自身对噪声的放大和受噪声信号的干 扰可能很严重 ,光电探测器所接收到的信号一般都非常 微弱 ,而且光探测器输出的信号往往被深埋在噪声之
L IU Huiluo
( Zhuhai City Polytechnic ,Zhuhai ,519090 ,China)
Abstract : The paper p ropo ses t he best way to combine A PD wit h p hotoelect ric detector ,and how to reasonably choo se t he circuit co mpo nent which is matched wit h A PD by using p hotoelect ric co nversion SNR mat hematics model. The design met hod of co mbining t he p reamplifier ,which adopt s low noise separated part s wit h integrated operatio nal amplifier is int roduced. By detecting and analyzing t he SNR of important parameter of p reamplifier ,it shows t hat t he SN R of t his detecto r circuit is better t han t hat of t he detector which is directly matched wit h integrated operational amplifier. So ,t his kind of detecto r is stable and easy to develop into ot her forms and t he p ro spect of wide applicatio n is definite.
《现代电子技术》2009 年第 13 期总第 300 期
电子技术应用
基于 APD 的光电探测器电路研究与设计
刘辉珞
(珠海城市职业技术学院 广东 珠海 519090)
摘 要 :提出将 A PD 与前置放大器电路配合使用的最佳方法 。利用光电转换信噪比数学模型 ,确定选择与 A PD 匹配 的电路器件 ,给出了前置放大器采用低噪声的分体器件与集成运算放大器相组合的设计方法 。通过对前置放大器重要参数 信噪比进行测量和分析 。结果表明 ,该探测器电路信噪比优于直接与集成运算放大器匹配的探测器电路 ,且可靠性高 ,宜扩 展 ,具有广泛的应用前景 。
In2 = En2 Y 2
(3)
图 5 FET 等效噪声电路
由图 5 可知 :
Y
2
=
1 R2
+ ω2 ( Co
+ Ci ) 2
由于实际电路中 1/ R2 ≤ω2 ( Co + Ci ) 2 , 所以 1/ R2
可以不计 。将 Y 2 = ω2 ( Co + Ci ) 2 代入式 ( 3) , 并将
图 3 光电信号转换电路
图 4 光电信号转换时产生的噪声模型电路
对噪声源模型的特征和噪声进行分析 。当信号光
强度取最大振幅值 Pmax 时 ,电流值 Ismax 为 :
I sma x
=
μe
hf c
Pmax G
未调制时 ,由平均光通量 P0 所产生的散粒噪声引
起的电流波动 Ic 可表示为 :
Ic
综上所述 ,需要设计一个高增益的光电探测器电 路 。为了使光电探测器能高精度地检测及传送微弱信 号 ,一个重要的措施就是选择具有抗强干扰的低噪声前 置放大器[4] 。该前级部分由雪崩光电二极管 ( A PD) 与 前置放大器组成 ,这也是光电探测器电路的核心部分 , 其器件选用高性能 、低噪声放大器来实现电路匹配 ,并 将电流转换成电压信号 ,以实现数倍的放大 。理论上 看 ,前置放大器倍数可以设计得很大 ,但由于会引入热 噪声而限制电路的信噪比 ,因此前置信号也不能放得过 大 。在前置放大器后再加入运算放大器 ,这样就不会造 成信噪比下降 ,并保证了光电探测器电路的放大倍数 。 其中 ,低噪声放大器对整个接收系统的性能指标起着关 键作用[5] ,设计出性能好的放大器可以带来 10 dB 的噪 声改善[6] 。为降低放大器的噪声 ,应选用高跨导 ( gm ) 低噪声结型场效应管 。由于选用 A PD 作为光电转换 器 ,要克服噪声的影响 ,应注意减少寄生效应 ,如寄生电 容效应等[7] 。要最大限度地降低极间电容的影响 ,应注 意装配工艺设计 ,减小 A PD 的输出电容 Co 和放大器的 输入电容 Ci 。其优点是适合高速应用 , 并能大大降低探 测器的极间电容 C , 极间电容的降低对光电转换电路噪 声的降低将有重大的意义[8] 。
It 2
= 4 KT
1Δf
R
(1)
以及结型场效应管噪声主要导电沟道的电阻所产生的
沟道热噪声 :
En2 = 4 K T R nΔf
(2)
还有几种栅极感应噪声 、栅极散粒噪声 、1/ f 噪声 。由
于高频等因素 ,在一般情况下可以忽略不计 。
由此 ,得到了图 4 相应的简化噪声等效电路 ,如
图 5所示 。同样可以将式 (2) 写成电流表示形式 :
= 2e
μe
hf c
P0
+ Id
G2 + xΔf
由于热噪声和放大器内部产生的噪声引起的电流
波动 Ib 为 :
Ib2 =
4 KT R
+
En2 R2
+
I
2 n
Δf
利用这些公式可以计算由光信号变换成电信号时
的信噪比为 :
SN R
=
Ism2 ax Ic2 + Ib2
因为光电检测器内部阻抗很大 ,可看作电流源 ,所
时记录被测波形幅度的大小 ,将测量的每个点连接起 来 ,绘出放大器输出频率特性 。再测放大器增益 ,以频 率 f = 1 M Hz 时为例 ,示波器测得输出波形幅度约为 11 8 mV 。
输出/ 输入 λ 11 8 mV/ 41 5μV = 400 3. 2 光电探测器等效输入噪声的测试
利用噪声发生器法测量前置放大器等效输入噪声 。
以若检测器的负载阻抗大的话 ,则 Ib2 就下降 ,结果使得 SN R 增加 , 所以一般负载电阻取得较大 , 但不能太大 。
若加大负载电阻 ,则放大器输入端的时间常数 CR 对频
带的限制增强 , 高频信号成分受到抑制 ,而这两方面的
需求却是互相制约 ,互相矛盾的[2] 。然而 , Ib2 的减小所 引起 SN R 的增加与高频信号衰减所引起 SN R 下降可
图 1 偏压与倍增关系
图 2 雪崩电压与工作点选取 177
电子技术
刘辉珞 :基于 A PD 的光电探测器电路研究与设计
合理设置 A PD 的工作点 ,可以充分利用 A PD 的 倍增特性 ,与光电探测器电路配合使用时才能达到最佳 匹配状态 。 1. 2 A PD 光电转换信号噪声源电路模型
光信号转换电信号电路如图 3 所示 。其噪声源电 路模型如图 4 所示 。
负载电阻要取得较大 ,这样 SN R 会高一些 ,但 R 也不能取得过高 ,因 R 过高 SN R 增加并不显著 ,反而 使高频校正困难 。将前置放大器电路第一级 T ,组成共 源放大器 ,这样电路不仅有电流放大 ,而且有电压放大 作用 ,因此功率增益比较高 ,而且电路容易实现 ,调整也 很方便 。电路的版图设计也十分重要 ,版图设计时将电 路中相对应的部分按照对称分布布局 ,相应的管脚也按 照对称布局[9 ,10 ] 。经过综合处理后 ,使电路 SN R 得到 进一步提高 。
f
3 m
《现代电子技术》2009 年第 13 期总第 300 期
电子技术应用
若输入端信号电流为 Is ,则信噪比为 :
SN R
=
10l g
(
Is2 In20
)
= 20lg Is Ino
=
20l g 4 KTf m
Is
1 R
+
8π2 9
1 gm
(
Co
+
Ci ) 2
f
2 m
2 光电探测器电路设计
关键词 :A PD ;光电探测器 ;等效输入噪声 ;信噪比 ;增益 中图分类号 : TN91 文献标识码 :A 文章编号 :1004 - 373X(2009) 13 - 177 - 04
Study and Design on Photoelectric Probe Circuit Based on APD
中 ,因此 ,要对这样的微弱信号进行处理 ,一般都要先进 行预处理 ,将大部分噪声滤除掉 ,并将微弱信号放大到 后续处理器所要求的电压幅度[3] 。因此 ,希望减小噪声 以提高输出的信噪比 。由放大器所引起的信噪比恶化
程度通常有几种噪声系数的影响 。
考虑 Jo hnso n 噪声折合成起伏电流为 :
1 器件的选择
1. 1 提高 A PD 的光电转换效能 雪崩光电二极管 (Aualanche Photo Diode ,APD) 的光
电转换效能主要是对信号有倍增作用 ,它比一般光电二
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