电子技术复习
电子技术期末复习资料
《电子技术》练习题一、填空题1、不论是N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。
2、根据PN结的组合方式，可形成PNP型和 NPN型三极管。
3、二极管的两端加正向电压时，有一段“死区压降”，锗管约为 0.1V ，硅管约为 0.5V 。
4、二极管的主要特性是单向导电性，PN结正向偏置时处于导通状态。
5、通常把晶体管的输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区、饱和区。
6、一个PN结可以构成一个二极管、稳压二极管工作在特性曲线的反向击穿区域。
7、集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。
8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点，即虚短和虚断。
9、数字逻辑电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。
10、数字电路中，基本的逻辑关系有与、或和非三种。
11、与门的逻辑功能是有0出0, 全1出1；与非门的逻辑功能是。
在数字电路中常用数字 1 、 0 表示电平高低。
12、按晶体管的导通时间的不同，可将功率放大电路分成甲类、乙类、甲乙类。
其中效率最高的是乙类。
乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
13、直流稳压电源主要由电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分组成。
14、时序逻辑电路是由具有记忆功能的触发器组成，其输出状态除与当时的输入16、二极管的两个管脚的名称是阳极和阴极。
17、.集成三端稳压器CW7915的输出电压为-15 V，CW7805输出电压为 5 V。
18、在整流与负载之间接入滤波电路。
若接电容滤波电路，要将滤波电容与负载并联，若接电感滤波电路，要将滤波电感与负载串联。
19、理想集成运放的特点是：输入电阻无穷大，电压放大倍数无穷大，共模抑制比无穷大，输出电阻 020、(30)10 = ( 11110 )2、（101111）2=( 2F )16。
二、选择题1、在单相半波整流电路中，如果变压器二次绕组电压为40V，则输出电压U0为（ C ）。
A．10V B．15V C．18V D．20V2、PNP型晶体管处于放大状态时，各极正确的电位关系是（C ）A．VC > VE > VB B．VC > VB >VE C．VC < VB < VE D．VC < VE < VB3、在放大电路中，当输入信号一定时，静态工作点Q设置太高将产生（ B ）失真A．截止 B．饱和 C．频率 D．无法确定4、硅管正偏导通时，其管压降约为（ D ）A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V5、稳压二极管是一种特殊的二极管，稳压时工作在（ C ）状态。
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电子技术复习题及答案
一、填空题1、右图中二极管为理想器件，V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。
8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。
当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为：66H 。
5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。
6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。
3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。
电子技术复习题
第一章二极管及直流稳压电源一、填空题1．二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
2．二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4．单相电路用来将交流电压变换为单相脉动的直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括、等。
6．W7805的输出电压为，额定输出电流为；W79M24的输出电压为，额定输出电流为。
7．开关稳压电源的调整管工作在状态，脉冲宽度调制型开关稳压电源依靠调节调整管的的比例来实现稳压。
8．发光二极管能将电信号转换为信号，它工作时需加偏置电压；光电二极管能将信号转换为电信号，它工作时需加偏置电压9.判断大容量电容器的质量时，应将万用表拨到挡，倍率使用。
当万用表表笔分别与电容器两端接触时，看到指针有一定偏转，并很快回到接近于起始位置的地方，则说明该电容器；如果看到指针偏转到零后不再返回，则说明电容其内部。
二、判断题(填“是”或“否”)1．加在二极管两端的反向电压高于最高反向工作电压时，二极管会损坏。
（）2．稳压二极管在电路中只能作反向连接。
（）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（）4．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）5．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。
（）三、选择题1．下列符号中表示发光二极管的为（）。
A．B．C．D．2．从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正向导通状态A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降3．用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡旋到（）位置A．ΩB．ΩC．ΩD．Ω4．直流稳压电源中滤波电路的作用是（）。
(完整版)电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电工电子技术复习资料全
电工电子技术复习资料一、填空练习题1、正弦电压和电流统称为正弦量,正弦量的特征分别用幅值、角频率和初相位来表示。
2、晶体三极管是由_三_个电极、__两—个PN结组成的，按结构不同可分为—NPN ________ 型和PNP 型两大类。
3、理想电压源具有两个基本特征，其一是它的端电压—为定值_U_或为一定的时间函数u(t)=f(t) 与流过的电流无关.4、理想运放工作在线性区，具有两个重要特点①、理想运放同相输入端和反相输入端电位近似相等，即U- = U+称为虚短②、理想运放同相输入端和反相输入端的输入电流等于零，即I- = 1+ = 0称为虚断。
5、鼠笼型三相异步电动机的起动方法有直接起动和降压起动两种。
丫/ △换接起动属于降压起动。
所谓丫/ △换接起动就是把正常工作时作三角形联接的定子绕组，在起动时接成星形，待转速上升到接近额定转速时，再换接成三角形。
6正弦电压和电流统称为正弦量,正弦量的特征分别用幅值、角频率和初相位来表示。
7、逻辑函数F= A® B,它的与或表达式为F=7、三相交流发电机产生的三相对称电动势，相序A-B-C-A，已知A相电动势为eA=Emsin(^ t+120 °),贝卩eB= Emsin 31 , eC= Emsin( 31-120 °) .8、我国工频电网供电的周期T是20 ms, 频率f是50 HZ，角频率3是314 rad/s 。
9、点接触型二极管PN结面积较小，允许通过的电流小，但它的等效结电容小，适用于 __________ 和__________ 工作。
面接触型二极管PN结面积大，允许通过的电流大,但相应等效结电容也大，一般用于_________ 。
10、分析异或门逻辑关系，当两个输入端相同时输出为“ 0 ”，当两个输入端不同时输出为 _________________ 。
11、逻辑函数F = A B + A B 表示的逻辑关系为同或。
电工与电子技术考试复习资料
一、单选题1.角频率ω与频率ƒ之间的关系为（ ）。
A、ω=2πƒB、ω=1/ƒC、ω=πƒD、ω=ƒ答案： A2.一个由线性电阻构成的电器，从220V的电源吸取1000W的功率，若将此电器接到110V的电源上，则吸取的功率为（ ）。
A、250W B、500W C、1000W D、2000W答案： A3.在测量电压时，电压表应（ ）在负载两端。
A、串联 B、并联 C、任意接 D、不确定 答案： B4.我国使用的工频交流电频率为（ ）。
A、45Hz B、50Hz C、60Hz D、65Hz答案： B5.两个阻值相同的电阻器串联后的等效电阻与并联后的等效电阻之比是( ) A、4：1 B、1：4 C、1：2 D、2：1 答案： A6.三相对称绕组在空间位置上应彼此相差（ ）。
A、60°电角度 B、120°电角度 C、180°电角度 D、360°电角度7.电路中两点间的电压高，则( )。
A、两点的电位高 B、两点间的电位差大 C、两点的电位一定为正 D、两点的电位一定为负 答案： B8.按照习惯，导体中（ ）运动的方向为电流的方向。
A、电子 B、正电荷 C、电荷 D、离子 答案： A9.某电阻元件的额定数据为“1KΩ、2.5W”，正常使用时允许流过的最大电流为（ ）。
A、50m B、25m C、250m D、500m 答案： A10.有一段16Ω的导线，把它们对折起来作为一条导线用，其电阻是( )。
A、8ΩB、16ΩC、4ΩD、32Ω答案： C11.三相对称电路是指（ ）。
A、三相电源对称的电路； B、三相负载对称的电路； C、三相电源和三相负载均对称的电路。
答案： C12.将额定值为220V、100W的灯泡接在110V电路中，其实际功率为（ ）。
A、100W B、50W C、25W D、125W 答案： C13.有“220V、100W”“220V、25W”白炽灯两盏，串联后接入220V交流电源，其亮度情况是（ ）。
电子技术复习题及答案
电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件，题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
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IB(A)
工作压降：
硅
管UBE0.6~0.7V锗 管UBE0.2~0.3V
60
死区电 压，硅管
40
0.5V，锗 20
管0.1V。
UCE1V 0.4 0.8 UBE(V)
2. 输出特性 IC f (UCE ) IB 常数
输出特性曲线通常分三个工作区：
IC(mA ) 4 3
2 放大区
1 O3 6 9
EB
iE
+ uo –
信号源
+
EC –
实现放大的条件
1、晶体管必须工作在放大区。发射结正偏， 集电结反偏。
3、输入回路将变化的电压转化成变化的基极 电流。
4、输出回路将变化的集电极电流转化成变化 的集电极电压，经电容滤波只输出交流信 号。
§15.2 放大电路的静态分析
4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大。
二极管电路分析举例
定性分析：判断二极管的工作状态
导通 截止
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。
放大电路的分析方法
估算法
放大 电路 分析
静态分析 动态分析
图解法 微变等效电路法
图解法
直流通路用来计算静态工作点Q ( IB 、 IC 、 UCE )
对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）
断开 RB
C1 +
RS + + ui
es– –
+UCC
RC +C2 断开
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
导通压降
硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
反向电流 在一定电压 范围内基本 保持常数。
P– + N 反向特性
U
死区电压
硅管0.5V 锗管0.1V
当外加电压>死区电压, 二极管才能导通。
当外加电压>反向击穿电压,二极 管被击穿，失去单向导电性。
电流的正半部分单位为mA，负半部分为μA
二极管的单向导电性
IB =
0
UBC < 0 +
+ +
UCE UCC
UBE 0
IB
UBC > 0
IC
UCC RC
+
+ +
UCE 0
UBE > 0
(a)放大
(b)截止
(c)饱和
三极管正常工作要同时满足三个条件：
IC ICM
PC PCM
UCE U(BR)CEO
IC ICM
ICUCE = PCM
安全工作区
O
U(BR)CEO
UCE
第15章 基本放大电路
三极管放大电路有三种形式：
共射放大电路 共基放大器
固定偏置放大电路 分压偏置放大电路
带旁路电容 不带旁路电容
共集放大器 射极输出器
共发射极基本放大电路组成
RC +C2
RS +
es –
C1 +
+
ui + ––
iB iC + + TuCE
RBuB–E – RL
电子[-]
电子半导体
空穴[+] 空穴半导体
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通
若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止
半导体三极管
结构特点
集电区： 面积较大
B 基极
C 集电极
N P N
E 发射极
基区：较薄， 1um以下，掺杂 浓度低
发射区：掺 杂浓度较高
1、输入特性 80
IB f (U ) BE UCE常数
(1) 放大区
100A 80A
在放大区有 IC= IB ， 也称为线性区，具有恒
60A 流特性。
40A
在放大区，发射结处
20A 于正向偏置、集电结处 IB=0 于反向偏置，晶体管工 12 UCE(V) 作于放大状态。
（2）截止区
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反
（a. 电子电流、b.空穴电流）
PN结具有单向导电特性
PN结正向偏置 空间电荷区（PN结） 变窄
内电场
↓
扩散或漂移
多子扩散↑
电流
正向电流大
电阻
正向电阻小
PN 结
导通
PN结反向偏置 变宽 ↑ 少子漂移↑ 反向电流小 反向电阻大 截止
伏安特性
特点：非线性
I
反向击穿 电压U(BR)
正向特性
P+ – N
当晶体管饱和时， UCE 0，发射极与集电极之 间如同一个开关的接通，其间电阻很小；
当晶体管截止时，IC 0 ，发射极与集电极之间 如同一个开关的断开，其间电阻很大。
所以晶体管除了有放大作用外，还有开关作用
晶体管三种工作状态的电压和电流
IC
IB
UBC < 0 +
+ +
UCE
UBE > 0
IC 0
向偏置，晶体管工作于截止状态。
IC(mA )
饱4 和 区3
2
100A
80A 60A 40A
（3）饱和区 当UCE UBE时，晶体
管工作于饱和状态。
在饱和区，IB IC， 发射结处于正向偏置，
集电结也处于正偏。
1 O3
20A IB=0
6 9 12 UCE(V)
截止区
深度饱和时，
硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。
电子技术
复习
第14章 半导体二极管和晶体管
一种物质的导电性能取决于—— 其载流子密度（浓度）。
半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电
能力明显改变
特点：1、半导体有两种载流子：
自由电子和空穴
2、自由电子和空穴总是成对出现， 同时又不断复合。
3、在一定温度下，电子空穴对的产 生和复合达到动态平衡，于是半导体中 的载流子数目便维持一定。
掺杂半导体导电性能大大增强的原因是： 掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加
半导体类型 N型半导体 P型半导体
掺入杂质 五价元素，如P 三价元素，如B
主要载流子 别称
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴 极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正 向电阻较小，正向电流较大。
2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反 向电阻较大，反向电流很小。
3.当外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。